JPH0281033A - 有機非線形光学膜の作製方法 - Google Patents
有機非線形光学膜の作製方法Info
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- JPH0281033A JPH0281033A JP23270488A JP23270488A JPH0281033A JP H0281033 A JPH0281033 A JP H0281033A JP 23270488 A JP23270488 A JP 23270488A JP 23270488 A JP23270488 A JP 23270488A JP H0281033 A JPH0281033 A JP H0281033A
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- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
有機非線形光学膜の作製方法に関し、
有機非線形光学膜を真空中で製膜する際、光照射による
重合の促進、電場印加による配向制御性の向上を行い、
高性能の非線形光学膜を作製する方法を提供することを
その目的とし、 共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空中において基
板に飛来させ、かつ、光を照射して基板上に有機非線形
光学膜を作製する。
重合の促進、電場印加による配向制御性の向上を行い、
高性能の非線形光学膜を作製する方法を提供することを
その目的とし、 共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空中において基
板に飛来させ、かつ、光を照射して基板上に有機非線形
光学膜を作製する。
本発明は有機非線形光学膜の作製方法に関する。
〔従来の技術］
近年、電気光学素子、光−光素子用材料として有機非線
形材料が注目されているが、現状ではまだその非線形光
学特性が不十分であり、実用化のためにはこれを向上さ
せる必要がある。
形材料が注目されているが、現状ではまだその非線形光
学特性が不十分であり、実用化のためにはこれを向上さ
せる必要がある。
従来ＭＮＡ、５ＰＣＤ、ＤＡＨなど多数の非線形光学物
質が知られているが、非線形光学特性などの点でまだ無
機の代表的な電気光学材料であるニオブ酸リチラム（Ｌ
ｉＮｂ０３）を大幅に上回るものがないのが現状である
。また、３次非線形光学材料であるポリジアセチレンは
、１０−９〜１０−”ｅｓｕのχ′３２ を示すが、こ
の程度の値ではＬＤを光源とする光−光素子の実用化は
困難である。
質が知られているが、非線形光学特性などの点でまだ無
機の代表的な電気光学材料であるニオブ酸リチラム（Ｌ
ｉＮｂ０３）を大幅に上回るものがないのが現状である
。また、３次非線形光学材料であるポリジアセチレンは
、１０−９〜１０−”ｅｓｕのχ′３２ を示すが、こ
の程度の値ではＬＤを光源とする光−光素子の実用化は
困難である。
［発明が解決しようとする課題］
従って、本発明は、前記したような従来技術の背景から
、２次および３次非線形光学効果が大きい材料の開発が
望まれている現状に迄み、有機非線形光学膜を真空中で
製膜する際、光照射による重合の促進、電場印加による
配向制御性の向上を行い、高性能の非線形光学膜を作製
する方法を提供することをその目的とする。
、２次および３次非線形光学効果が大きい材料の開発が
望まれている現状に迄み、有機非線形光学膜を真空中で
製膜する際、光照射による重合の促進、電場印加による
配向制御性の向上を行い、高性能の非線形光学膜を作製
する方法を提供することをその目的とする。
本発明に従えば、共役ポリマーを形成しうるモノマーを
真空中において基板に飛来させ、かつ、光を照射して基
板上に有機非線形光学膜を作製する方法が提供される。
真空中において基板に飛来させ、かつ、光を照射して基
板上に有機非線形光学膜を作製する方法が提供される。
本発明に従えば、有機非線形光学膜を作製するに際し、
真空中で共役ポリマーを形成できるモノマーを基板上に
飛来させて光を基板上に照射して基板上でモノマーを重
合させるため、高性能の非線形光学膜を形成することが
できる。
真空中で共役ポリマーを形成できるモノマーを基板上に
飛来させて光を基板上に照射して基板上でモノマーを重
合させるため、高性能の非線形光学膜を形成することが
できる。
以下、図面を参照して本発明に係る有機非線形光学膜の
作製方法について説明するが、本発明の範囲を以下の説
明に限定するものであることはいうまでもない。
作製方法について説明するが、本発明の範囲を以下の説
明に限定するものであることはいうまでもない。
第１図は本発明において使用する製膜装置の一例を示す
図面である。
図面である。
第１図に示したように、本発明の非線形光学膜の作製方
法に使用される非線形光学膜作製装置１は、例えば一般
的な有機Ｍ Ｂ Ｄ （Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｄｅｐｏｓ ｉ Ｌｉｏｎ）装置を利用することができ
る。第１図の膜作製装置１において、真空ポンプ（図示
しない）により例えば１０−５〜１０″１０トールの真
空とされた真空チャンバ２内には基板３（例えばガラス
、石英、シリコン）が取付けられた基板ホルダ４が設け
られている。この基板ホルダ４は、ヒータ５と冷却器（
水、液体窒素または液体ヘリウム等）により冷却されて
いる冷却器６とにより温度制御可能とされていて、基板
３を最適な温度に設定できるようになされている。
法に使用される非線形光学膜作製装置１は、例えば一般
的な有機Ｍ Ｂ Ｄ （Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｄｅｐｏｓ ｉ Ｌｉｏｎ）装置を利用することができ
る。第１図の膜作製装置１において、真空ポンプ（図示
しない）により例えば１０−５〜１０″１０トールの真
空とされた真空チャンバ２内には基板３（例えばガラス
、石英、シリコン）が取付けられた基板ホルダ４が設け
られている。この基板ホルダ４は、ヒータ５と冷却器（
水、液体窒素または液体ヘリウム等）により冷却されて
いる冷却器６とにより温度制御可能とされていて、基板
３を最適な温度に設定できるようになされている。
真空チャンバ２内において、基板ホルダ４に取付けられ
た基板３に対面する端部位置には３つのＫ（クヌードセ
ン）セルＩＯＱ、 １０ｂ、 １０ｃが設けられている
。これら３つのにセルの内、２つのにセル１０ａおよび
ｆｏｂ内には固体ソースｌｌａおよびｌｌｂが入れられ
、また、残りのにセルｌｌｃには真空チャンバ２の外部
に設けられガスボンへまたはアンプル等（図示しない）
から気体ソースｌｌｃが供給されるようになされている
。そして、これら３つのにセル１０ａ、 １０ｂ、 １
０ｃ、の上方にはそれぞれシャッタ１２ａ、 １２ｂ、
１２ｃが設けられていて、基板３に到達する各にセル
のソースの種類および量を制御するようになされている
。また、真空チャンバ２の側部には、基板３上に外部に
設けた紫外線等の光源から光を照射するための光照射窓
１３が設けられている。なお、光源は装置１の内部に設
けてもよい。
た基板３に対面する端部位置には３つのＫ（クヌードセ
ン）セルＩＯＱ、 １０ｂ、 １０ｃが設けられている
。これら３つのにセルの内、２つのにセル１０ａおよび
ｆｏｂ内には固体ソースｌｌａおよびｌｌｂが入れられ
、また、残りのにセルｌｌｃには真空チャンバ２の外部
に設けられガスボンへまたはアンプル等（図示しない）
から気体ソースｌｌｃが供給されるようになされている
。そして、これら３つのにセル１０ａ、 １０ｂ、 １
０ｃ、の上方にはそれぞれシャッタ１２ａ、 １２ｂ、
１２ｃが設けられていて、基板３に到達する各にセル
のソースの種類および量を制御するようになされている
。また、真空チャンバ２の側部には、基板３上に外部に
設けた紫外線等の光源から光を照射するための光照射窓
１３が設けられている。なお、光源は装置１の内部に設
けてもよい。
この第１図に示す装置（有機ＭＢＤ装置）は本発明に係
る非線形光学膜の作製方法が適用される装置の一例であ
り、本発明の有機膜の作製方法は、他に真空蒸着装置、
イオンブレーティング装置およびクラスターイオンビー
ム装置、スパッタリング装置等を利用することもできる
。ここで、Ｋセル１０ａには、非線形光学降下を有する
モノマー分子が入れられており、また、Ｋセルｌｏｃに
は、例えば、真空チャンバ２の外部に設けられアンプル
等からＭＭＡ （メタクリル酸メチル）またはＨＥＭＡ
（メタクリル酸ヒドロキシエチル）等のポリマー形成可
能な分子が供給されるようになされている。この装置１
を使用して本発明に従って有機非線形光学膜を作製する
には、例えば表１に示すような一般弐： Ｒ−Ｃ−ＥＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｒ Ｒ’−Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ−Ｒ Ｒτ−Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ−１’？’２ （上式においてＲ１、Ｒ：：無掻性の原子もししくは基
または水素を示す） 哉二：１ で表わされる各種ジアセチレン系化合物モノマーをＫ（
クヌードセン）−セルに入れ、これを真空下に（印又は
減圧下、通常１０−２〜１０−” ）ル又はそれ以下の
真空圧下に）蒸発せしめ、ジアセチレンモノマーを基板
３に飛来させる。その際、光照射窓１３を通して紫外線
光または可視光を基板に照射する。これにより基板上で
モノマーが重合反応を起こしジアセチレンの共役鎖が成
長し膜ができる。
る非線形光学膜の作製方法が適用される装置の一例であ
り、本発明の有機膜の作製方法は、他に真空蒸着装置、
イオンブレーティング装置およびクラスターイオンビー
ム装置、スパッタリング装置等を利用することもできる
。ここで、Ｋセル１０ａには、非線形光学降下を有する
モノマー分子が入れられており、また、Ｋセルｌｏｃに
は、例えば、真空チャンバ２の外部に設けられアンプル
等からＭＭＡ （メタクリル酸メチル）またはＨＥＭＡ
（メタクリル酸ヒドロキシエチル）等のポリマー形成可
能な分子が供給されるようになされている。この装置１
を使用して本発明に従って有機非線形光学膜を作製する
には、例えば表１に示すような一般弐： Ｒ−Ｃ−ＥＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｒ Ｒ’−Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ−Ｒ Ｒτ−Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ−１’？’２ （上式においてＲ１、Ｒ：：無掻性の原子もししくは基
または水素を示す） 哉二：１ で表わされる各種ジアセチレン系化合物モノマーをＫ（
クヌードセン）−セルに入れ、これを真空下に（印又は
減圧下、通常１０−２〜１０−” ）ル又はそれ以下の
真空圧下に）蒸発せしめ、ジアセチレンモノマーを基板
３に飛来させる。その際、光照射窓１３を通して紫外線
光または可視光を基板に照射する。これにより基板上で
モノマーが重合反応を起こしジアセチレンの共役鎖が成
長し膜ができる。
なお、基板３は必要に応じ加熱または冷却することがで
きる。更にモノマーは真空チャンバ２の外部からガス化
して導入してもよい。光照射は、モノマーの基板３への
飛来と同時に行ってもよく、または間けつ的に行っても
よい。更に、モノマーの飛来と光照射とを交互に行わせ
てもよい。このようにすることにより、重合反応をより
完全に行うことができる。また、用いるモノマーは複数
種類であってもよい。これを同時に飛来させれば、共重
合したポリマーの膜を基板３上に得られる。
きる。更にモノマーは真空チャンバ２の外部からガス化
して導入してもよい。光照射は、モノマーの基板３への
飛来と同時に行ってもよく、または間けつ的に行っても
よい。更に、モノマーの飛来と光照射とを交互に行わせ
てもよい。このようにすることにより、重合反応をより
完全に行うことができる。また、用いるモノマーは複数
種類であってもよい。これを同時に飛来させれば、共重
合したポリマーの膜を基板３上に得られる。
また、複数種類のモノマーを交互に飛来させれば、１次
元ポリマーの超格子が形成される。第２図（ａ）、（ｂ
）、及び（Ｃ）は本発明に従って基板３にジアセチレン
などのモノマーの分子１４が付着して、光照射により基
板３−トで重合成長していく状態を模式的に表したもの
である。
元ポリマーの超格子が形成される。第２図（ａ）、（ｂ
）、及び（Ｃ）は本発明に従って基板３にジアセチレン
などのモノマーの分子１４が付着して、光照射により基
板３−トで重合成長していく状態を模式的に表したもの
である。
第３図は本発明において利用することができる製膜装置
のもう一つの例である。この例によれば、電場を基板付
近に生じさせることにより、モノマーの配向性、さらに
はポリマーの鎖の配向性を向上させ、非線形光学特性を
向上させることができる。
のもう一つの例である。この例によれば、電場を基板付
近に生じさせることにより、モノマーの配向性、さらに
はポリマーの鎖の配向性を向上させ、非線形光学特性を
向上させることができる。
即ち、この装置は、基板ホルダ４に取付けられている基
板３には、予め基板電極７（例えばＮ ｉ Ｃｒ ＋Ｔ
ｉ、５ｎＯｚ、 Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｎ、八ｊ２．Ａｕなど
）が形成されていて、その基板７に有機分子が到達され
るようになされている。また、基板３に対向する位置に
は多孔状または網目状とされたグリッド電極８（例えば
ステンレス、Ａｌ製）が設けられている。そして、基板
電極７とグリッド電極８との間には直流電圧Ｅが加圧さ
れるようになされている。ここで、基板電極７とグリッ
ド電極８との間には、スペーサ９が挿入されていて、基
板電極７とグリッド電極８との間隔が１０μｍ〜５ｍｍ
となるようになされている。また、基板電極７とグリッ
ド電極８との間に印加する電圧Ｅは、１００ｖ〜１００
ＯＫＶが好ましい この装置を用いて基板３上に有機非線形光学膜を形成す
る状態を模式的に第４図に示した。即ち、第４図（ａ）
に示したように、例えば、真空チャンバ内でにセル１０
ａからガス化されたモノマー１４をガラス等の基板３に
到達させるようになされている。
板３には、予め基板電極７（例えばＮ ｉ Ｃｒ ＋Ｔ
ｉ、５ｎＯｚ、 Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｎ、八ｊ２．Ａｕなど
）が形成されていて、その基板７に有機分子が到達され
るようになされている。また、基板３に対向する位置に
は多孔状または網目状とされたグリッド電極８（例えば
ステンレス、Ａｌ製）が設けられている。そして、基板
電極７とグリッド電極８との間には直流電圧Ｅが加圧さ
れるようになされている。ここで、基板電極７とグリッ
ド電極８との間には、スペーサ９が挿入されていて、基
板電極７とグリッド電極８との間隔が１０μｍ〜５ｍｍ
となるようになされている。また、基板電極７とグリッ
ド電極８との間に印加する電圧Ｅは、１００ｖ〜１００
ＯＫＶが好ましい この装置を用いて基板３上に有機非線形光学膜を形成す
る状態を模式的に第４図に示した。即ち、第４図（ａ）
に示したように、例えば、真空チャンバ内でにセル１０
ａからガス化されたモノマー１４をガラス等の基板３に
到達させるようになされている。
このモノマー分子１４は、例えば、表１に示すような電
気双極子を有する非線形光学物質であり、Ｋセル１０ａ
からグリッド電極８までの間において、その極性がラン
ダムな方向を向くことになる。また、基板３上には、基
板電極７が設けられている。
気双極子を有する非線形光学物質であり、Ｋセル１０ａ
からグリッド電極８までの間において、その極性がラン
ダムな方向を向くことになる。また、基板３上には、基
板電極７が設けられている。
Ｋセル１０ａから放出された七ツマー分子１４は、多孔
状または網目状とされたグリッド電極８を通過して基板
３に形成された基板電極７上に到達することになるが、
このグリッド電極８から基板電極７までの間において、
極性がランダムな方向を向いていたモノマー分子１４は
、配向されて基板電極７上に堆積する。すなわら、例え
ば１０μｍ〜５ｍｍの間隙を有する基板電極７とグリッ
ド電極８との間には、例えば、１００Ｖ−１０００にＶ
の電圧Ｅが印加されていて、この基板電極７とグリ・７
ド電極８との間における電界によりモノマー分子１４は
その電界方向に配向して基板電極７上に到達させられる
ことになる。このとき、例えば、真空チャンバの光照射
窓１３から基板３に対して紫外線が照射され、基板３に
形成された基板電極５上には極性の揃ったモノマー分子
１４の膜が作製されることになる。
状または網目状とされたグリッド電極８を通過して基板
３に形成された基板電極７上に到達することになるが、
このグリッド電極８から基板電極７までの間において、
極性がランダムな方向を向いていたモノマー分子１４は
、配向されて基板電極７上に堆積する。すなわら、例え
ば１０μｍ〜５ｍｍの間隙を有する基板電極７とグリッ
ド電極８との間には、例えば、１００Ｖ−１０００にＶ
の電圧Ｅが印加されていて、この基板電極７とグリ・７
ド電極８との間における電界によりモノマー分子１４は
その電界方向に配向して基板電極７上に到達させられる
ことになる。このとき、例えば、真空チャンバの光照射
窓１３から基板３に対して紫外線が照射され、基板３に
形成された基板電極５上には極性の揃ったモノマー分子
１４の膜が作製されることになる。
第３図（ｂ）は、本発明の有機非線形光学膜の作製方法
における他の実施例を示すものである。すなわち、第３
図（ｂ）の非線形光学膜は、基板３に形成した基板電極
７上に絶縁体または半導体のバッファー層１６を形成し
たものである。このように、基板電極７上にバッファー
層１６を形成することによって、非線形光学膜を構成し
ているモノマー分子１４に対して基板電極７から電子等
が直接影響を及ぼさないように構成し、電子等によるモ
ノマー分子１４の分解および変質を防止して非線形光学
効果を有効に発揮させるようになる。また、電極を基板
背後に設ける、あるいは基板背後の基板ホルダーに設け
ることによっても同様の効果が得られる。
における他の実施例を示すものである。すなわち、第３
図（ｂ）の非線形光学膜は、基板３に形成した基板電極
７上に絶縁体または半導体のバッファー層１６を形成し
たものである。このように、基板電極７上にバッファー
層１６を形成することによって、非線形光学膜を構成し
ているモノマー分子１４に対して基板電極７から電子等
が直接影響を及ぼさないように構成し、電子等によるモ
ノマー分子１４の分解および変質を防止して非線形光学
効果を有効に発揮させるようになる。また、電極を基板
背後に設ける、あるいは基板背後の基板ホルダーに設け
ることによっても同様の効果が得られる。
第３図（Ｃ）は、本発明の非線形光学膜の作製方法にお
けるさらに他の例を示すものである。すなわち、第３図
（Ｃ）の有機膜は、基板３に形成した複数個の基板電極
７を所望の形状にバターニングし、その基板電極７のパ
ターニング形状に応じて非線形光学膜の配向部分（極性
が揃った部分）を選択的に形成するようにしたものであ
る。具体的には、基板３に対してパターニングされた基
板電極７が形成されていると、バッファー層１６を介し
て形成される非線形光学膜は、基板電極７に対応する位
置のモノマー分子１４が主として基板電極７とグリッド
電極８との間における電界の影響を受けて配向し、基板
電極７が存在しない部分に対応する位置のモノマー分子
１４はその影響が少なく、配向度が弱い。これにより、
例えば、基板電極７に対応する位置の七ツマー分子１４
が大きな二次の非線形光学特性を生じ、それ以外のモノ
マー１４は大きな次の非線形光学特性を生じない。
けるさらに他の例を示すものである。すなわち、第３図
（Ｃ）の有機膜は、基板３に形成した複数個の基板電極
７を所望の形状にバターニングし、その基板電極７のパ
ターニング形状に応じて非線形光学膜の配向部分（極性
が揃った部分）を選択的に形成するようにしたものであ
る。具体的には、基板３に対してパターニングされた基
板電極７が形成されていると、バッファー層１６を介し
て形成される非線形光学膜は、基板電極７に対応する位
置のモノマー分子１４が主として基板電極７とグリッド
電極８との間における電界の影響を受けて配向し、基板
電極７が存在しない部分に対応する位置のモノマー分子
１４はその影響が少なく、配向度が弱い。これにより、
例えば、基板電極７に対応する位置の七ツマー分子１４
が大きな二次の非線形光学特性を生じ、それ以外のモノ
マー１４は大きな次の非線形光学特性を生じない。
特にこの方法はポリマー内のドナー、アクセプター基の
配置を制御するのに適する。すなわち、第５図（ａ）、
（１））及び（Ｃ）に模式的に示したように、電圧を一
定の極性にして印加した場合、モノマーは一定の方向に
配向し、ドナー、アクセプター ドナー、アクセプター
、・・・の順に例えば配列する。
配置を制御するのに適する。すなわち、第５図（ａ）、
（１））及び（Ｃ）に模式的に示したように、電圧を一
定の極性にして印加した場合、モノマーは一定の方向に
配向し、ドナー、アクセプター ドナー、アクセプター
、・・・の順に例えば配列する。
また第６図（ａ）、■）及び（Ｃ）に模式的に示したよ
うに、電圧の極性を反転させて製膜すると、それに応じ
てモノマーの向きが反転し、例えばトナーアクセプター
、アクセプター、ドナー トナーアクセプター、・・・
・・・の順に配列する。
うに、電圧の極性を反転させて製膜すると、それに応じ
てモノマーの向きが反転し、例えばトナーアクセプター
、アクセプター、ドナー トナーアクセプター、・・・
・・・の順に配列する。
更に第７図（ａ）、（ｂ）及び（Ｃ）に模式的に示すよ
うに、複数種類のモノマーを用いて、ドナーアプセプタ
ドナー、ドナー１、ドナー、アクセプター・・・・・・
のような配列も可能である。
うに、複数種類のモノマーを用いて、ドナーアプセプタ
ドナー、ドナー１、ドナー、アクセプター・・・・・・
のような配列も可能である。
更に、第８図に模式的に示したように、いくつかの共役
モノマーの分子１４の時鎖を積層した後、絶縁性分子（
非電子正孔伝導性分子）の層１５を挿入することにより
、共役−次元ポリマーの量子井戸を形成することができ
る。
モノマーの分子１４の時鎖を積層した後、絶縁性分子（
非電子正孔伝導性分子）の層１５を挿入することにより
、共役−次元ポリマーの量子井戸を形成することができ
る。
以上のような手法により、任意のドナー、アクセプター
の配置が実現でき、最適配置をとらせることにより、非
線形光学効果の大幅な向上が可能となる。
の配置が実現でき、最適配置をとらせることにより、非
線形光学効果の大幅な向上が可能となる。
また飛来させるモノマーは複数種が潜在していてもよい
。また疎水処理、親水処理、ラビングなど基板処理を行
うこと、あるいは基板にｐ型又はｎ型半導体を用いるこ
とにより、モノマーの基板上での吸着状態、基板と分子
の長袖とのなす角を調整できる。
。また疎水処理、親水処理、ラビングなど基板処理を行
うこと、あるいは基板にｐ型又はｎ型半導体を用いるこ
とにより、モノマーの基板上での吸着状態、基板と分子
の長袖とのなす角を調整できる。
以上説明したように、本発明によれば高性能の有機非線
形光学膜を基板上で重合させて製膜することができ、ま
たこの際に基板上に電場を印加することにより有機非線
形光学膜の配向性を制御することができる。
形光学膜を基板上で重合させて製膜することができ、ま
たこの際に基板上に電場を印加することにより有機非線
形光学膜の配向性を制御することができる。
第１図は本説明に係る非線形光学膜の作製方法に使用さ
れる装置の一例を模式的に示す図面であり、 第２図は第１図の装置を用いて本発明に従って有機膜を
形成する状態を模式的に示す図面であり、第３図は本発
明の非線形光学膜の作製方法に使用される装置の他の例
を模式的に示す図面であり、第４図〜第８図は第３図の
装置を用いて本発明に従って有機非線形光学膜を形成す
る、いくつかの例の状態を模式的に示す図面である。 （符号の説明） １ ・・・ 有機膜作製装置、 ２ ・・・ 真空チャンバ、 ３ ・・・ 基板、 ４ ・・・ 基板ホルダ、 ５ ・・・ ヒータ、 ６ ・・・ 冷却器、 ７ ・・・ 基板電極、 ８ ・・・ グリッド電極、 １０ａ、１０ｂ、１０ｃｍ Ｋセル、５・・・ヒータ ６・・・冷却器 １０・・・Ｋセル １３・・・光照射窓 １１ａ、ｌｌｂ ・・・ 固体ソース、１１ｃ・・・
ガスソース、 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ −−−シャッタ。
れる装置の一例を模式的に示す図面であり、 第２図は第１図の装置を用いて本発明に従って有機膜を
形成する状態を模式的に示す図面であり、第３図は本発
明の非線形光学膜の作製方法に使用される装置の他の例
を模式的に示す図面であり、第４図〜第８図は第３図の
装置を用いて本発明に従って有機非線形光学膜を形成す
る、いくつかの例の状態を模式的に示す図面である。 （符号の説明） １ ・・・ 有機膜作製装置、 ２ ・・・ 真空チャンバ、 ３ ・・・ 基板、 ４ ・・・ 基板ホルダ、 ５ ・・・ ヒータ、 ６ ・・・ 冷却器、 ７ ・・・ 基板電極、 ８ ・・・ グリッド電極、 １０ａ、１０ｂ、１０ｃｍ Ｋセル、５・・・ヒータ ６・・・冷却器 １０・・・Ｋセル １３・・・光照射窓 １１ａ、ｌｌｂ ・・・ 固体ソース、１１ｃ・・・
ガスソース、 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ −−−シャッタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空中におい
て基板に飛来させ、かつ、光を照射して基板上に有機非
線形光学膜を作製する方法。 ２、モノマーを電場印加により配向させた請求項１の方
法。 ３、共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空中におい
て基板に飛来させて光照射下に基板上に有機非線形光学
膜を作製するに際し、予じめ基板上に形成された基板電
極または基板背後に設けられた電極と基板前面に配置し
た電極との間に電場を印加して製膜する請求項１又は２
の方法。 ４、基板前面の電極が多穴状または網目状である請求項
３記載の方法。 ５、印加電圧の極性を製膜時に変化させる請求項２、３
又は４記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232704A JP2790146B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 有機非線形光学膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232704A JP2790146B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 有機非線形光学膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281033A true JPH0281033A (ja) | 1990-03-22 |
| JP2790146B2 JP2790146B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=16943469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232704A Expired - Lifetime JP2790146B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 有機非線形光学膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790146B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06280024A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 紫外光レーザーによる有機薄膜の製造方法及び装置 |
| JPH08158055A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-18 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 赤外光レーザーによる有機薄膜の製造方法及び装置 |
| US7432116B2 (en) | 2001-02-21 | 2008-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for film deposition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160638A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機非線形光学材料 |
| JPS61210332A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非線形光学素子用材料及びパタ−ンの形成方法 |
| JPS6341515A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子配向性薄膜 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63232704A patent/JP2790146B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160638A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機非線形光学材料 |
| JPS61210332A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非線形光学素子用材料及びパタ−ンの形成方法 |
| JPS6341515A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子配向性薄膜 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH06280024A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 紫外光レーザーによる有機薄膜の製造方法及び装置 |
| JPH08158055A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-18 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 赤外光レーザーによる有機薄膜の製造方法及び装置 |
| US7432116B2 (en) | 2001-02-21 | 2008-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for film deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2790146B2 (ja) | 1998-08-27 |
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