JPH0281458A - Microwave module carrier structure - Google Patents
Microwave module carrier structureInfo
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- JPH0281458A JPH0281458A JP63233206A JP23320688A JPH0281458A JP H0281458 A JPH0281458 A JP H0281458A JP 63233206 A JP63233206 A JP 63233206A JP 23320688 A JP23320688 A JP 23320688A JP H0281458 A JPH0281458 A JP H0281458A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例
本発明の一実施例
発明の効果
(第3〜9図)
(第1.2図)
〔概要〕
マイクロ波モジュール用キャリア構造に関し、ユニット
回路間あるいはユニット回路とコネクタとを垂直に接続
する際に生じるインピーダンスの不連続性に基づくロス
の増加を減少することができ、調整時の難易性を改善す
ることのできるマイクロ波モジュール用キャリア構造を
提供することを目的とし、
マイクロ波回路基板と、該マイクロ波回路基板を取り付
けるキャリアと、を備えたマイクロ波モジュール用キャ
リア構造において、前記キャリアに外方に突出する突出
部を一体的に形成し該突出部がキャリアの入力部あるい
は出力部を構成し、キャリアの入力部あるいは出力部に
RF端子の内導体を通すように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Table of Contents] Overview Industrial Application Fields Conventional Technology Problems to be Solved by the Invention Means for Solving the Problems Action Embodiment One Embodiment of the Present Invention Effects of the Invention (Nos. 3 to 9) (Fig. 1.2) [Summary] Regarding the carrier structure for microwave modules, reduce the increase in loss due to impedance discontinuity that occurs when connecting unit circuits or unit circuits and connectors vertically. The purpose of the present invention is to provide a carrier structure for a microwave module that can improve the difficulty of adjustment. In the carrier structure for a module, a protrusion projecting outward is integrally formed on the carrier, the protrusion constitutes an input section or an output section of the carrier, and an inner conductor of an RF terminal is provided at the input section or output section of the carrier. Configure it to pass.
本発明はマイクロ波モジュール用キャリア構造に係り、
詳しくはマイクロ波モジュールに(]JfJされるユニ
ット回路間あるいはユニット回路とコネクタとを垂直に
接続する際のインピーダンスの不連続によるロスの増加
、調整時の難易性を改善するマイクロ波モジュール用キ
ャリア構造に関する。The present invention relates to a carrier structure for a microwave module,
For details, please refer to the microwave module carrier structure that improves the increase in loss due to impedance discontinuity and the difficulty in adjustment when vertically connecting between unit circuits or between a unit circuit and a connector in a microwave module. Regarding.
絶縁基板上に薄膜、厚膜などにより複数個の回路素子を
形成し、素子間を膜により接続して回路としたものが膜
集積回路であり、これに半導体素子等を組み合わせたも
のがハイブリッドICである。一般に、気密容器に封入
した半導体、通常の抵抗素子等を用いた回路ではリード
インダクタンス、容器の浮遊容量のため高周波化が容易
でないが、半導体チップ、抵抗膜で構成されるハイブリ
ッドICは回路が小形であり、高周波線路であるストリ
ップ線路の形状で配線ができるので高周波回路を作成す
るのが容易である。そのためマイクロ波回路でもハイブ
リッドICが用いられ、これを一般にマイクロ波集積回
路(M I C: microwaveintegra
ted circuit) と呼んでいる。A film integrated circuit is a circuit in which multiple circuit elements are formed using thin or thick films on an insulating substrate, and the elements are connected by a film, and a hybrid IC is a circuit in which semiconductor elements are combined with this. It is. In general, it is difficult to achieve high frequencies with circuits that use semiconductors sealed in airtight containers, ordinary resistive elements, etc. due to lead inductance and stray capacitance of the container, but hybrid ICs that are composed of semiconductor chips and resistive films have small circuits. Since wiring can be done in the form of a strip line, which is a high-frequency line, it is easy to create a high-frequency circuit. For this reason, hybrid ICs are also used in microwave circuits, and are generally called microwave integrated circuits (MICs).
ted circuit).
現在マイクロ波帯においてマイクロ波回路のモジュール
化が進められており、モジュール化によってマイクロ波
回路をどんなところにも自由自在に入れ換え、差し換え
して使用することが可能になっている。モジュール化の
ために、各マイクロ波回路のユニット化が図られており
、必要に応じて組み合わせ使用して所定の特性を得るよ
うにしている。ここで、ユニット化とは回路パターンの
構成されているアルミナ基板をキャリア上にロウ材ある
いは3m(Ag)ペーストを使って固定し所定の機能(
増幅、発振、ミキサ等)を果たす回路を作り、必要に応
して組み合わせてマイクロ波としての所定の特性が得ら
れるようにすることをいつ。Currently, modularization of microwave circuits in the microwave band is progressing, and modularization has made it possible to freely replace and use microwave circuits in any location. For modularization, each microwave circuit is made into a unit, and is used in combination as necessary to obtain predetermined characteristics. Here, unitization means fixing the alumina substrate on which the circuit pattern is constructed on a carrier using brazing material or 3m (Ag) paste to perform a predetermined function (
(amplification, oscillation, mixer, etc.) and combine them as necessary to obtain the desired characteristics of a microwave.
従来この種のマイクロ波モジュール用キャリアを用いた
マイクロ波回路としては、例えば増幅器に通用したもの
として第3図に示すものがある。As a conventional microwave circuit using this type of microwave module carrier, there is one shown in FIG. 3, which is commonly used in amplifiers, for example.
第3図(a)は増幅器の上面図、第3図(b)はその側
断面図を示す。第3図(a)、(b)において、1.2
はキャリア板(キャリア)であり、キャリア板l上には
MIC基板3.4が、キャリア板2上にはMIC基板5
.6が形成されている。FIG. 3(a) shows a top view of the amplifier, and FIG. 3(b) shows a side sectional view thereof. In Figures 3(a) and (b), 1.2
is a carrier plate (carrier), the MIC board 3.4 is on the carrier plate l, and the MIC board 5 is on the carrier plate 2.
.. 6 is formed.
キャリア板1.2は筺体7内に載置されており、マイク
ロ波信号は筺体7に取り付けられたコネクタ8.9を介
して内部のMIC基板3〜6に導かれる。筺体7はフタ
10により密閉される。また、筺体7にはDC端子11
〜18が設けられており、DC端子11−18はMIC
基板3〜6に載せられたトランジスタを駆動するための
バイアスを供給するバイアス端子として用いられる。し
たがって、MIC基板3〜6からなる各ユニットの回路
は同図(b)に示すように同一平面上に並べられること
になる。第3図に示す回路はマイクロ波で10GIIz
以上のアンプモジュールによく用いられものであるが、
1〜l0C)fzのアンプモジュールに使用されるもの
としては第4.5図に示すものがある。第4図(a)は
増幅器の上面図、第4図(b)はその側断面図を示し、
第5図(a)は第4図(a)の部分拡大図、第5図(b
)は第4図(b)の部分拡大図を示している。第4図(
a)、(b)において、21.22はキャリア板(キャ
リア)であり、キャリア板21上にはMIC基板(マイ
クロ波回路基板)23.24が、キャリア板22上には
MIC基板25.26が形成されている。キャリア板2
I、22はステム(ヘソグー)27.28(但し、ステ
ム28に取り付けられるキャリア板は図示せず)を介し
て筺体29のステム取付部29aの表面に取り付けられ
るとともに、ステム取付部29aの裏面にはプリント基
板30〜32が取り付けられる。ステム取付部29aに
はMIC基板23〜26とプリント基板31.32とを
所定の導体で接続するための連通口29b、29cがM
IC基板に対して垂直に穿設され、MIC基板23は接
続用リボン33およびRF (radio frequ
ency)端子34を介してプリント基板31に接続さ
れ、MIC基板26は接続用リボン35およびRF端子
36を介してプリント基板32に接続され、MIC基板
24とMIC基板25は接続用リボン37を介して互い
に接続されている(第5図(a)、(b)に示す部分拡
大図参照)。同様に、ステム28に取り付けられたMI
C基板(図示せず)はRF端子38.39を介してプリ
ント基板30.31に接続されている。例えば、RF端
子36近傍の拡大図を第6図に示し、第7図に第6図の
RF端子36のA−A’’視断面図を、第8図に第6図
のRF端子36のB−3’矢矢視面図をそれぞれ示すも
のとすると、36aはステム27に半田付けされるRF
端子36の金属部、36bはRF端子36の内導体、3
6cは金属部36aと内導体36bとを絶縁する絶縁体
(インシュレータ)を表わす。したがって、金属部36
aがステム27に半田付けされた場合、金属部36aと
内導体36bは絶縁体36Cで分離されているからステ
ム27のインピーダンスは50Ωとなり、内導体36b
はステム27にある間は50Ωとなっている。そして、
内導体36bは接続用リボン(金リボン)35によりM
IC基板26上の50Ωストリツプラインに接続されて
いる。The carrier plate 1.2 is placed in the housing 7, and the microwave signals are guided to the internal MIC boards 3-6 via connectors 8.9 attached to the housing 7. The housing 7 is sealed with a lid 10. In addition, the housing 7 has a DC terminal 11.
~18 are provided, and DC terminals 11-18 are MIC
It is used as a bias terminal that supplies bias for driving the transistors mounted on the substrates 3 to 6. Therefore, the circuits of each unit consisting of the MIC boards 3 to 6 are arranged on the same plane as shown in FIG. 3(b). The circuit shown in Figure 3 uses microwaves at 10 GIIz.
It is often used in the above amplifier modules,
1 to l0C) fz shown in FIG. 4.5. FIG. 4(a) shows a top view of the amplifier, FIG. 4(b) shows a side sectional view thereof,
Figure 5(a) is a partially enlarged view of Figure 4(a), Figure 5(b)
) shows a partially enlarged view of FIG. 4(b). Figure 4 (
In a) and (b), 21.22 is a carrier plate (carrier), MIC board (microwave circuit board) 23.24 is placed on the carrier plate 21, and MIC board 25.26 is placed on the carrier plate 22. is formed. carrier plate 2
I, 22 are attached to the surface of the stem attachment part 29a of the housing 29 via stems (heso goo) 27, 28 (however, the carrier plate attached to the stem 28 is not shown), and are attached to the back surface of the stem attachment part 29a. Printed circuit boards 30 to 32 are attached. The stem mounting portion 29a has communication ports 29b and 29c for connecting the MIC boards 23 to 26 and the printed circuit boards 31 and 32 with predetermined conductors.
A hole is formed perpendicularly to the IC board, and the MIC board 23 is connected to a connecting ribbon 33 and an RF (radio frequency)
The MIC board 26 is connected to the printed circuit board 32 via the connecting ribbon 35 and the RF terminal 36, and the MIC board 24 and 25 are connected to the printed circuit board 31 via the connecting ribbon 37. (See partially enlarged views shown in FIGS. 5(a) and 5(b)). Similarly, the MI attached to the stem 28
A C board (not shown) is connected to a printed circuit board 30.31 via an RF terminal 38.39. For example, FIG. 6 shows an enlarged view of the vicinity of the RF terminal 36, FIG. 7 shows a cross-sectional view taken along line A-A'' of the RF terminal 36 in FIG. Assuming that the B-3' arrow side view is shown, 36a is the RF connector soldered to the stem 27.
The metal part of the terminal 36, 36b, is the inner conductor of the RF terminal 36, 3
6c represents an insulator that insulates the metal portion 36a and the inner conductor 36b. Therefore, the metal part 36
a is soldered to the stem 27, the metal part 36a and the inner conductor 36b are separated by the insulator 36C, so the impedance of the stem 27 is 50Ω, and the inner conductor 36b
is 50Ω while it is in the stem 27. and,
The inner conductor 36b is connected to M by the connecting ribbon (gold ribbon) 35.
It is connected to a 50Ω stripline on the IC board 26.
また、MIC基板24.26には金リボン40〜43が
取り付けられており、金リボン40〜43はMIC基板
に載せられたトランジスタ等を駆動するためのバイアス
を供給するバイアスリード線として用いられ、第3図で
示した回路のDC端子11〜18に相当する。マイクロ
波信号は筺体29に取り付けられたコネクタ44.45
を介してプリント基板30.32に導かれる。ステム2
8はキャップ46により内部が保護され、筺体29はフ
タ47.48により密閉される。なお、49はアース端
子、50は貫通コンである。したがって、第4図に示す
増幅器は各ユニットの回路を基板に対して垂直に接続す
るものである。Further, gold ribbons 40 to 43 are attached to the MIC substrates 24 and 26, and the gold ribbons 40 to 43 are used as bias lead wires that supply bias for driving transistors etc. mounted on the MIC substrate. This corresponds to the DC terminals 11 to 18 of the circuit shown in FIG. The microwave signal is transmitted through connectors 44 and 45 attached to the housing 29.
are led to the printed circuit boards 30, 32 through the. stem 2
The inside of 8 is protected by a cap 46, and the housing 29 is sealed by lids 47 and 48. In addition, 49 is a ground terminal, and 50 is a feed-through capacitor. Therefore, in the amplifier shown in FIG. 4, the circuits of each unit are connected perpendicularly to the substrate.
ところが、第4図に示す回路では回路を接続する部分に
おいて第6図に示すように50ΩのRF端子34.36
とユニット回路上の50Ωラインとの間に50Ωでない
インピーダンス整合のとれていない箇所が存在するため
、発生した電磁界の向きが滑らかに変換されず、そのた
め組み合わせで得られるはずの所定の特性を得ることが
できない。特に、周波数が高< (IOC;Hz以上)
に従ってこの不具合が顕著になる。すなわち、ユニット
回路を組み合わせて所定の機能を持たせるマイクロ波モ
ジュールを作る場合にその部分でロスが生じ、調整しず
らい。そこで、このような不具合を解決するものとして
、例えば実開昭58−22321号公報に記載のものが
ある(第9図参照)。この説明にあたり第5図に示す従
来例と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。第9図において、ステム27のキャリア板21
.22取付部のRF端子34.36とMIC基板23.
26上の50Ωストリツプラインとの接続部にステムの
突出部51.52を設け、アース部をMIC基板23.
26の50Ωストリツプラインに近づけることにより、
50ΩRF端子34.36の50Ωの部分をMIC基板
23.25に近づけて不連続性を解消し、伝送特性を向
上させている。However, in the circuit shown in Fig. 4, the 50Ω RF terminals 34 and 36 are connected at the part where the circuit is connected, as shown in Fig. 6.
Since there is a point where the impedance matching is not 50Ω between the 50Ω line on the unit circuit and the 50Ω line on the unit circuit, the direction of the generated electromagnetic field is not converted smoothly, and therefore the specified characteristics that should be obtained by the combination are not obtained. I can't. Especially when the frequency is high <(IOC; Hz or higher)
This problem becomes more noticeable. That is, when a microwave module having a predetermined function is created by combining unit circuits, a loss occurs in that part and adjustment is difficult. To solve this problem, for example, there is a method described in Japanese Utility Model Application Publication No. 58-22321 (see FIG. 9). In this description, the same components as those in the conventional example shown in FIG. 5 are given the same numbers, and the description thereof will be omitted. In FIG. 9, the carrier plate 21 of the stem 27
.. 22 mounting part RF terminal 34.36 and MIC board 23.
A protrusion 51.52 of the stem is provided at the connection part with the 50Ω stripline on the MIC board 23.26, and the ground part is connected to the MIC board 23.
By approaching the 26 50Ω stripline,
The 50Ω portion of the 50Ω RF terminal 34.36 is brought closer to the MIC board 23.25 to eliminate discontinuity and improve transmission characteristics.
しかしながら、このような従来のマイクロ波モジュール
用キャリアにあっては、ステムの突出部51.52とキ
ャリア21.22との間に間隙(非接触部分)があるた
め(機構設計上物理的に完全に間隙をなくすことはでき
ない)、完全に50Ωとすることができず、周波数が高
くなると前述したような接続上の問題点が発生すること
がある。However, in such conventional carriers for microwave modules, there is a gap (non-contact part) between the protruding part 51.52 of the stem and the carrier 21.22 (because of the mechanical design, it is difficult to physically complete the carrier). (It is not possible to eliminate the gap), it is not possible to completely reduce the resistance to 50Ω, and as the frequency increases, the above-mentioned connection problems may occur.
例えば、第9図に示す方法で広帯域(4〜8GHz)の
アンプモジュールを作る場合、どうしても前記間隙の影
響によりインピーダンスが乱され所定のスペックに調整
し難い。帯域が狭い場合はマツチング回路を調整するこ
とにより所定の特性を満足させることができるが、周波
数が高く広帯域になるに従ってマツチング回路による調
整は困難となってくる。For example, when making a broadband (4 to 8 GHz) amplifier module using the method shown in FIG. 9, the impedance is inevitably disturbed by the influence of the gap, making it difficult to adjust it to a predetermined specification. When the band is narrow, predetermined characteristics can be satisfied by adjusting the matching circuit, but as the frequency becomes higher and the band becomes wider, adjustment by the matching circuit becomes more difficult.
そこで本発明は、ユニット回路間あるいはユニット回路
とコネクタとを垂直に接続する際に生じるインピーダン
スの不連続性に基づくロスの増加を減少することができ
、調整時の難易性を改善することのできるマイクロ波モ
ジュール用キャリアを提供することを目的としている。Therefore, the present invention can reduce the increase in loss due to impedance discontinuity that occurs when vertically connecting unit circuits or unit circuits and connectors, and can improve the difficulty in adjustment. The purpose is to provide carriers for microwave modules.
本発明によるマイクロ波モジュール用キャリア構造は上
記目的達成のため、マイクロ波回路基板と、該マイクロ
波回路基板を取り付けるキャリアと、を備えたマイクロ
波モジュール用キャリアにおいて、前記キャリアに外方
に突出する突出部を一体的に形成し該突出部がキャリア
の入力部あるいは出力部を構成し、キャリアの入力部あ
るいは出力部にRF端子の内導体を通すように構成する
。In order to achieve the above object, the carrier structure for a microwave module according to the present invention is a carrier for a microwave module comprising a microwave circuit board and a carrier to which the microwave circuit board is attached, wherein the carrier structure projects outward from the carrier. The protruding part is integrally formed, the protruding part constitutes the input part or the output part of the carrier, and the inner conductor of the RF terminal is configured to pass through the input part or the output part of the carrier.
本発明では、キャリアに外方に突出する突出部が一体的
に形成され、該突出部がキャリアの入力部あるいは出力
部を構成するとともに、キャリアの入力部あるいは出力
部にRF端子の内導体が通される。In the present invention, the protruding part that protrudes outward is integrally formed on the carrier, and the protruding part constitutes the input part or the output part of the carrier, and the inner conductor of the RF terminal is connected to the input part or the output part of the carrier. Passed.
したがって、キャリアとステムとの間の非接触部分が解
消して、完全に所定のインピーダンスを保つことができ
、接続上の不具合が防止される。Therefore, the non-contact portion between the carrier and the stem is eliminated, a predetermined impedance can be maintained completely, and connection problems are prevented.
以下、本発明を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings.
第12図は本発明に係るマイクロ波モジュール用キャリ
ア構造の一実施例を示す図である。まず、構成を説明す
る。第1図(a)はキャリアの構成図を示し、第1図(
b)はキャリアを実際にマイクロ波モジュールに実装し
た構成図を示している。第1図(a)、(b)において
、61はキャリアであり、キャリア61はRF端子の内
導体を通した状態で所定のインピーダンスを保つよう外
方に突出した入出力部(突出部)61aを有し、キャリ
ア61にはMIC基板(アルミナ基板)を取り付けるた
めのMIC取付部62〜65と、トランジスタを取り付
けるためのトランジスタ取付部66.67と、RF端子
の内導体を通すために入出力部61aに穿設された穴6
8〜70と、ネジ止め用の穴71〜74と、が形成され
ている。すなわち、MIC基板の延長上にステム突出部
を設けるようにした従来例と異なり、キャリア61自体
の入出力部61aが水平方向に延長するように構成され
、その入出力部61aに内導体が通る穴68〜70が穿
設されている。したがって、キャリア61およびその入
出力部61aは一体形成されるから、間隙は全く生じな
い。第2図は上記キャリア61を第4図に示す回路に適
用した例を示している。第6図に示す従来例と同一構成
部分には同一番号を付してその説明を省略する。第2図
(a)、(b)において、61はキャリアであり、キャ
リア61のMIC取付部64.65上にはMIC基板(
アルミナ基板)23〜26が形成されており、MIC基
板26は接続用リボン35およびRF端子36の内導体
36bを介してプリント基板32に垂直に接続される。FIG. 12 is a diagram showing an embodiment of a carrier structure for a microwave module according to the present invention. First, the configuration will be explained. FIG. 1(a) shows a configuration diagram of the carrier, and FIG.
b) shows a configuration diagram in which a carrier is actually mounted on a microwave module. In FIGS. 1(a) and (b), 61 is a carrier, and the carrier 61 is an input/output part (protruding part) 61a that protrudes outward so as to maintain a predetermined impedance when the inner conductor of the RF terminal is passed through. The carrier 61 has MIC mounting parts 62 to 65 for mounting a MIC board (alumina board), transistor mounting parts 66 and 67 for mounting a transistor, and input/output ports for passing the inner conductor of the RF terminal. Hole 6 drilled in part 61a
8 to 70 and screw holes 71 to 74 are formed. That is, unlike the conventional example in which a stem protrusion is provided on an extension of the MIC board, the input/output section 61a of the carrier 61 itself is configured to extend in the horizontal direction, and the inner conductor passes through the input/output section 61a. Holes 68-70 are drilled. Therefore, since the carrier 61 and its input/output section 61a are integrally formed, no gaps are created. FIG. 2 shows an example in which the carrier 61 is applied to the circuit shown in FIG. Components that are the same as those of the conventional example shown in FIG. 6 are given the same numbers and their explanations will be omitted. In FIGS. 2(a) and 2(b), 61 is a carrier, and a MIC board (
Alumina substrates) 23 to 26 are formed, and the MIC substrate 26 is vertically connected to the printed circuit board 32 via the connecting ribbon 35 and the inner conductor 36b of the RF terminal 36.
また、キャリア61は穴73.74に通されたネジ(図
示路)によりステム27上に固定される。The carrier 61 is also fixed onto the stem 27 by screws (paths shown) passed through the holes 73, 74.
次に、作用を説明する。Next, the effect will be explained.
まず、入力部(SMA50Ωコネクタ44.45あるい
は導波管)から入ってきた信号は、ユニット回路(プリ
ント基板30〜32)へ入っていく。そして、50ΩR
F端子34.36.38.39、あるいは同軸コネクタ
から、キャリア61上に取り付けられている回路(M
I C基板23〜26)上へ接続される。この場合、キ
ャリア61に設けられた穴69.70に通されているR
F端子34.36の内導体と36b(RF端子34の内
導体は図示せず)キャリア61本体とはマイクロ波的に
50Ωとなっており、間隙(非接触部分)がないから接
続の際に生じる不連続性を最小限に抑えることができる
。さらに、ユニ・ノド回路を通った信号が出力される出
力部61aにおいても同様にインピーダンスの乱れを最
小限に抑えられており、極めてスムーズに出力コネクタ
44.45あるいは導波管に接続される。したがって、
キャリア61の入出力部61aにRF端子34.35.
38.39の内導体が通るようにし、かつ、そのインピ
ーダンスが50Ωになるようにしたものであり、このよ
うな構成方法を採ることによってユニット回路接続の際
に生じるインピーダンスの不連続性を最小限に抑える効
果があり、ロスの発生を抑え、調整のしずらさを改善す
ることができる。First, a signal entering from the input section (SMA 50Ω connector 44, 45 or waveguide) enters the unit circuit (printed circuit boards 30 to 32). And 50ΩR
Connect the circuit (M
It is connected onto the IC boards 23-26). In this case, the R
The inner conductor of the F terminals 34 and 36 and the carrier 61 body 36b (the inner conductor of the RF terminal 34 is not shown) have a microwave resistance of 50Ω, and since there is no gap (non-contact part), it is difficult to connect. The resulting discontinuities can be minimized. Furthermore, impedance disturbances are similarly suppressed to a minimum in the output section 61a where the signal passing through the uni-node circuit is output, and the signal is connected to the output connectors 44, 45 or the waveguide extremely smoothly. therefore,
RF terminals 34, 35 .
The inner conductor of 38.39 is passed through, and its impedance is 50Ω.By adopting this configuration method, the impedance discontinuity that occurs when connecting the unit circuit is minimized. This has the effect of suppressing the loss, reducing the occurrence of loss, and improving the difficulty of adjustment.
このように本実施例では、ユニット回路間、あるいはユ
ニット回路とコネクタあるいはユニット回路と導波管と
を垂直に接続する際に住じるインピーダンスの不連続性
に基づくロスの増加および調整時の難易性を改善するこ
とができる。As described above, in this embodiment, the increase in loss due to impedance discontinuity that occurs when connecting unit circuits, or when vertically connecting a unit circuit and a connector, or a unit circuit and a waveguide, and difficulty during adjustment can be avoided. can improve sex.
本発明によれば、ユニット回路間あるいはユニット回路
とコネクタとを垂直に接続する際に生じるインピーダン
スの不連続性に基づくロスの増加を減少することができ
、調整時の難易性を改善することができる。According to the present invention, it is possible to reduce the increase in loss due to impedance discontinuity that occurs when vertically connecting unit circuits or between a unit circuit and a connector, and it is possible to improve difficulty in adjustment. can.
第1.2図は本発明に係るマイクロ波モジュール用キャ
リア構造を示す図であり、
第1図はそのキャリア構造を示す図、
第2図はその部分拡大図、
第3〜6図は従来のマイクロ波モジュール用キャリアを
示す図であり、
第3図はその全体構成図、
第4図はその全体構成図、
第5図はその部分拡大図、
第6図はそのRF端子36近傍の拡大図、第7図は第6
図のRF端子36のA−A’面図、
第8図は第6図のRF端子36のB−B面図、
第9図はその部分拡大図である。
23〜26・・・・・・MIC基板
27.28・・・・・・ステム、
29・・・・・・筐体、
29a・・・・・・ステム取付部、
2gb、3oc・・・・・・連通口、
30.31.32・・・・・・プリント基板、33.3
5.37・・・・・・接続用リボン、34.36.38
.39・・・・・・RF端子、36a・・・・・・金属
部、
36b・・・・・・内導体、
36c・・・・・・絶縁体、
40〜43・・・・・・金リボン、
44.45・・・・・・コネクタ、
(マイクロ波回路基板)
矢視断
矢視断
61・・・・・・キャリア、
61a・・・・・・入出力部(突出部)、62〜65・
・・・・・MIC取付部、66.67・・・・・・トラ
ンジスタ取付部、68〜70・・・・・・穴、
71〜74・・・・・・穴。
従来の部分拡大図
第
5図
従来のRF端子36近傍の拡大図
狛6図
従来の第6図のRF端子36のA−A’矢視断面図第7
図
従来の第6図のRF端子36のB−B’矢視断面図第
図
第
図Fig. 1.2 is a diagram showing a carrier structure for a microwave module according to the present invention, Fig. 1 is a diagram showing the carrier structure, Fig. 2 is a partially enlarged view thereof, and Figs. 3 to 6 are diagrams showing a conventional carrier structure. FIG. 3 is a diagram showing the overall configuration of the microwave module carrier; FIG. 4 is a diagram of the entire configuration; FIG. 5 is a partially enlarged diagram of the carrier; and FIG. 6 is an enlarged diagram of the vicinity of the RF terminal 36. , Figure 7 is the 6th
8 is a BB plane view of the RF terminal 36 in FIG. 6, and FIG. 9 is a partially enlarged view thereof. 23-26...MIC board 27.28...Stem, 29...Housing, 29a...Stem mounting part, 2gb, 3oc... ...Communication port, 30.31.32...Printed circuit board, 33.3
5.37... Connection ribbon, 34.36.38
.. 39...RF terminal, 36a...Metal part, 36b...Inner conductor, 36c...Insulator, 40-43...Gold Ribbon, 44.45... Connector, (Microwave circuit board) Arrow cross section 61... Carrier, 61a... Input/output part (protruding part), 62 ~65・
...MIC mounting part, 66.67...Transistor mounting part, 68-70...hole, 71-74...hole. 5. An enlarged view of the conventional RF terminal 36. FIG. 6. A cross-sectional view of the conventional RF terminal 36 in FIG. 6 taken along the line A-A'.
Figure: A sectional view of the conventional RF terminal 36 shown in Figure 6 taken along the line B-B'.
Claims (1)
けるキャリアと、を備えたマイクロ波モジュール用キャ
リア構造において、 前記キャリアに外方に突出する突出部を一体的に形成し
該突出部がキャリアの入力部あるいは出力部を構成し、
キャリアの入力部あるいは出力部にRF端子の内導体を
通すようにしたことを特徴とするマイクロ波モジュール
用キャリア構造。[Scope of Claim] A carrier structure for a microwave module comprising a microwave circuit board and a carrier to which the microwave circuit board is attached, wherein a protrusion protruding outward is integrally formed on the carrier. The protruding part constitutes an input part or an output part of the carrier,
A carrier structure for a microwave module, characterized in that an inner conductor of an RF terminal is passed through an input section or an output section of the carrier.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233206A JPH0281458A (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Microwave module carrier structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233206A JPH0281458A (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Microwave module carrier structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281458A true JPH0281458A (en) | 1990-03-22 |
Family
ID=16951417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233206A Pending JPH0281458A (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Microwave module carrier structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281458A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63145369A (en) * | 1986-12-09 | 1988-06-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | Water-soluble monoazo compound and method of dyeing or printing fibrous material by using the same |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63233206A patent/JPH0281458A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63145369A (en) * | 1986-12-09 | 1988-06-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | Water-soluble monoazo compound and method of dyeing or printing fibrous material by using the same |
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