JPH0281458A - マイクロ波モジュール用キャリア構造 - Google Patents
マイクロ波モジュール用キャリア構造Info
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- JPH0281458A JPH0281458A JP63233206A JP23320688A JPH0281458A JP H0281458 A JPH0281458 A JP H0281458A JP 63233206 A JP63233206 A JP 63233206A JP 23320688 A JP23320688 A JP 23320688A JP H0281458 A JPH0281458 A JP H0281458A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例
本発明の一実施例
発明の効果
（第３〜９図）
（第１．２図）
〔概要〕
マイクロ波モジュール用キャリア構造に関し、ユニット
回路間あるいはユニット回路とコネクタとを垂直に接続
する際に生じるインピーダンスの不連続性に基づくロス
の増加を減少することができ、調整時の難易性を改善す
ることのできるマイクロ波モジュール用キャリア構造を
提供することを目的とし、 マイクロ波回路基板と、該マイクロ波回路基板を取り付
けるキャリアと、を備えたマイクロ波モジュール用キャ
リア構造において、前記キャリアに外方に突出する突出
部を一体的に形成し該突出部がキャリアの入力部あるい
は出力部を構成し、キャリアの入力部あるいは出力部に
ＲＦ端子の内導体を通すように構成する。
回路間あるいはユニット回路とコネクタとを垂直に接続
する際に生じるインピーダンスの不連続性に基づくロス
の増加を減少することができ、調整時の難易性を改善す
ることのできるマイクロ波モジュール用キャリア構造を
提供することを目的とし、 マイクロ波回路基板と、該マイクロ波回路基板を取り付
けるキャリアと、を備えたマイクロ波モジュール用キャ
リア構造において、前記キャリアに外方に突出する突出
部を一体的に形成し該突出部がキャリアの入力部あるい
は出力部を構成し、キャリアの入力部あるいは出力部に
ＲＦ端子の内導体を通すように構成する。
本発明はマイクロ波モジュール用キャリア構造に係り、
詳しくはマイクロ波モジュールに（］ＪｆＪされるユニ
ット回路間あるいはユニット回路とコネクタとを垂直に
接続する際のインピーダンスの不連続によるロスの増加
、調整時の難易性を改善するマイクロ波モジュール用キ
ャリア構造に関する。
詳しくはマイクロ波モジュールに（］ＪｆＪされるユニ
ット回路間あるいはユニット回路とコネクタとを垂直に
接続する際のインピーダンスの不連続によるロスの増加
、調整時の難易性を改善するマイクロ波モジュール用キ
ャリア構造に関する。
絶縁基板上に薄膜、厚膜などにより複数個の回路素子を
形成し、素子間を膜により接続して回路としたものが膜
集積回路であり、これに半導体素子等を組み合わせたも
のがハイブリッドＩＣである。一般に、気密容器に封入
した半導体、通常の抵抗素子等を用いた回路ではリード
インダクタンス、容器の浮遊容量のため高周波化が容易
でないが、半導体チップ、抵抗膜で構成されるハイブリ
ッドＩＣは回路が小形であり、高周波線路であるストリ
ップ線路の形状で配線ができるので高周波回路を作成す
るのが容易である。そのためマイクロ波回路でもハイブ
リッドＩＣが用いられ、これを一般にマイクロ波集積回
路（Ｍ Ｉ Ｃ： ｍｉｃｒｏｗａｖｅｉｎｔｅｇｒａ
ｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ） と呼んでいる。
形成し、素子間を膜により接続して回路としたものが膜
集積回路であり、これに半導体素子等を組み合わせたも
のがハイブリッドＩＣである。一般に、気密容器に封入
した半導体、通常の抵抗素子等を用いた回路ではリード
インダクタンス、容器の浮遊容量のため高周波化が容易
でないが、半導体チップ、抵抗膜で構成されるハイブリ
ッドＩＣは回路が小形であり、高周波線路であるストリ
ップ線路の形状で配線ができるので高周波回路を作成す
るのが容易である。そのためマイクロ波回路でもハイブ
リッドＩＣが用いられ、これを一般にマイクロ波集積回
路（Ｍ Ｉ Ｃ： ｍｉｃｒｏｗａｖｅｉｎｔｅｇｒａ
ｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ） と呼んでいる。
現在マイクロ波帯においてマイクロ波回路のモジュール
化が進められており、モジュール化によってマイクロ波
回路をどんなところにも自由自在に入れ換え、差し換え
して使用することが可能になっている。モジュール化の
ために、各マイクロ波回路のユニット化が図られており
、必要に応じて組み合わせ使用して所定の特性を得るよ
うにしている。ここで、ユニット化とは回路パターンの
構成されているアルミナ基板をキャリア上にロウ材ある
いは３ｍ（Ａｇ）ペーストを使って固定し所定の機能（
増幅、発振、ミキサ等）を果たす回路を作り、必要に応
して組み合わせてマイクロ波としての所定の特性が得ら
れるようにすることをいつ。
化が進められており、モジュール化によってマイクロ波
回路をどんなところにも自由自在に入れ換え、差し換え
して使用することが可能になっている。モジュール化の
ために、各マイクロ波回路のユニット化が図られており
、必要に応じて組み合わせ使用して所定の特性を得るよ
うにしている。ここで、ユニット化とは回路パターンの
構成されているアルミナ基板をキャリア上にロウ材ある
いは３ｍ（Ａｇ）ペーストを使って固定し所定の機能（
増幅、発振、ミキサ等）を果たす回路を作り、必要に応
して組み合わせてマイクロ波としての所定の特性が得ら
れるようにすることをいつ。
従来この種のマイクロ波モジュール用キャリアを用いた
マイクロ波回路としては、例えば増幅器に通用したもの
として第３図に示すものがある。
マイクロ波回路としては、例えば増幅器に通用したもの
として第３図に示すものがある。
第３図（ａ）は増幅器の上面図、第３図（ｂ）はその側
断面図を示す。第３図（ａ）、（ｂ）において、１．２
はキャリア板（キャリア）であり、キャリア板ｌ上には
ＭＩＣ基板３．４が、キャリア板２上にはＭＩＣ基板５
．６が形成されている。
断面図を示す。第３図（ａ）、（ｂ）において、１．２
はキャリア板（キャリア）であり、キャリア板ｌ上には
ＭＩＣ基板３．４が、キャリア板２上にはＭＩＣ基板５
．６が形成されている。
キャリア板１．２は筺体７内に載置されており、マイク
ロ波信号は筺体７に取り付けられたコネクタ８．９を介
して内部のＭＩＣ基板３〜６に導かれる。筺体７はフタ
１０により密閉される。また、筺体７にはＤＣ端子１１
〜１８が設けられており、ＤＣ端子１１−１８はＭＩＣ
基板３〜６に載せられたトランジスタを駆動するための
バイアスを供給するバイアス端子として用いられる。し
たがって、ＭＩＣ基板３〜６からなる各ユニットの回路
は同図（ｂ）に示すように同一平面上に並べられること
になる。第３図に示す回路はマイクロ波で１０ＧＩＩｚ
以上のアンプモジュールによく用いられものであるが、
１〜ｌ０Ｃ）ｆｚのアンプモジュールに使用されるもの
としては第４．５図に示すものがある。第４図（ａ）は
増幅器の上面図、第４図（ｂ）はその側断面図を示し、
第５図（ａ）は第４図（ａ）の部分拡大図、第５図（ｂ
）は第４図（ｂ）の部分拡大図を示している。第４図（
ａ）、（ｂ）において、２１．２２はキャリア板（キャ
リア）であり、キャリア板２１上にはＭＩＣ基板（マイ
クロ波回路基板）２３．２４が、キャリア板２２上には
ＭＩＣ基板２５．２６が形成されている。キャリア板２
Ｉ、２２はステム（ヘソグー）２７．２８（但し、ステ
ム２８に取り付けられるキャリア板は図示せず）を介し
て筺体２９のステム取付部２９ａの表面に取り付けられ
るとともに、ステム取付部２９ａの裏面にはプリント基
板３０〜３２が取り付けられる。ステム取付部２９ａに
はＭＩＣ基板２３〜２６とプリント基板３１．３２とを
所定の導体で接続するための連通口２９ｂ、２９ｃがＭ
ＩＣ基板に対して垂直に穿設され、ＭＩＣ基板２３は接
続用リボン３３およびＲＦ （ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕ
ｅｎｃｙ）端子３４を介してプリント基板３１に接続さ
れ、ＭＩＣ基板２６は接続用リボン３５およびＲＦ端子
３６を介してプリント基板３２に接続され、ＭＩＣ基板
２４とＭＩＣ基板２５は接続用リボン３７を介して互い
に接続されている（第５図（ａ）、（ｂ）に示す部分拡
大図参照）。同様に、ステム２８に取り付けられたＭＩ
Ｃ基板（図示せず）はＲＦ端子３８．３９を介してプリ
ント基板３０．３１に接続されている。例えば、ＲＦ端
子３６近傍の拡大図を第６図に示し、第７図に第６図の
ＲＦ端子３６のＡ−Ａ’’視断面図を、第８図に第６図
のＲＦ端子３６のＢ−３’矢矢視面図をそれぞれ示すも
のとすると、３６ａはステム２７に半田付けされるＲＦ
端子３６の金属部、３６ｂはＲＦ端子３６の内導体、３
６ｃは金属部３６ａと内導体３６ｂとを絶縁する絶縁体
（インシュレータ）を表わす。したがって、金属部３６
ａがステム２７に半田付けされた場合、金属部３６ａと
内導体３６ｂは絶縁体３６Ｃで分離されているからステ
ム２７のインピーダンスは５０Ωとなり、内導体３６ｂ
はステム２７にある間は５０Ωとなっている。そして、
内導体３６ｂは接続用リボン（金リボン）３５によりＭ
ＩＣ基板２６上の５０Ωストリツプラインに接続されて
いる。
ロ波信号は筺体７に取り付けられたコネクタ８．９を介
して内部のＭＩＣ基板３〜６に導かれる。筺体７はフタ
１０により密閉される。また、筺体７にはＤＣ端子１１
〜１８が設けられており、ＤＣ端子１１−１８はＭＩＣ
基板３〜６に載せられたトランジスタを駆動するための
バイアスを供給するバイアス端子として用いられる。し
たがって、ＭＩＣ基板３〜６からなる各ユニットの回路
は同図（ｂ）に示すように同一平面上に並べられること
になる。第３図に示す回路はマイクロ波で１０ＧＩＩｚ
以上のアンプモジュールによく用いられものであるが、
１〜ｌ０Ｃ）ｆｚのアンプモジュールに使用されるもの
としては第４．５図に示すものがある。第４図（ａ）は
増幅器の上面図、第４図（ｂ）はその側断面図を示し、
第５図（ａ）は第４図（ａ）の部分拡大図、第５図（ｂ
）は第４図（ｂ）の部分拡大図を示している。第４図（
ａ）、（ｂ）において、２１．２２はキャリア板（キャ
リア）であり、キャリア板２１上にはＭＩＣ基板（マイ
クロ波回路基板）２３．２４が、キャリア板２２上には
ＭＩＣ基板２５．２６が形成されている。キャリア板２
Ｉ、２２はステム（ヘソグー）２７．２８（但し、ステ
ム２８に取り付けられるキャリア板は図示せず）を介し
て筺体２９のステム取付部２９ａの表面に取り付けられ
るとともに、ステム取付部２９ａの裏面にはプリント基
板３０〜３２が取り付けられる。ステム取付部２９ａに
はＭＩＣ基板２３〜２６とプリント基板３１．３２とを
所定の導体で接続するための連通口２９ｂ、２９ｃがＭ
ＩＣ基板に対して垂直に穿設され、ＭＩＣ基板２３は接
続用リボン３３およびＲＦ （ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕ
ｅｎｃｙ）端子３４を介してプリント基板３１に接続さ
れ、ＭＩＣ基板２６は接続用リボン３５およびＲＦ端子
３６を介してプリント基板３２に接続され、ＭＩＣ基板
２４とＭＩＣ基板２５は接続用リボン３７を介して互い
に接続されている（第５図（ａ）、（ｂ）に示す部分拡
大図参照）。同様に、ステム２８に取り付けられたＭＩ
Ｃ基板（図示せず）はＲＦ端子３８．３９を介してプリ
ント基板３０．３１に接続されている。例えば、ＲＦ端
子３６近傍の拡大図を第６図に示し、第７図に第６図の
ＲＦ端子３６のＡ−Ａ’’視断面図を、第８図に第６図
のＲＦ端子３６のＢ−３’矢矢視面図をそれぞれ示すも
のとすると、３６ａはステム２７に半田付けされるＲＦ
端子３６の金属部、３６ｂはＲＦ端子３６の内導体、３
６ｃは金属部３６ａと内導体３６ｂとを絶縁する絶縁体
（インシュレータ）を表わす。したがって、金属部３６
ａがステム２７に半田付けされた場合、金属部３６ａと
内導体３６ｂは絶縁体３６Ｃで分離されているからステ
ム２７のインピーダンスは５０Ωとなり、内導体３６ｂ
はステム２７にある間は５０Ωとなっている。そして、
内導体３６ｂは接続用リボン（金リボン）３５によりＭ
ＩＣ基板２６上の５０Ωストリツプラインに接続されて
いる。
また、ＭＩＣ基板２４．２６には金リボン４０〜４３が
取り付けられており、金リボン４０〜４３はＭＩＣ基板
に載せられたトランジスタ等を駆動するためのバイアス
を供給するバイアスリード線として用いられ、第３図で
示した回路のＤＣ端子１１〜１８に相当する。マイクロ
波信号は筺体２９に取り付けられたコネクタ４４．４５
を介してプリント基板３０．３２に導かれる。ステム２
８はキャップ４６により内部が保護され、筺体２９はフ
タ４７．４８により密閉される。なお、４９はアース端
子、５０は貫通コンである。したがって、第４図に示す
増幅器は各ユニットの回路を基板に対して垂直に接続す
るものである。
取り付けられており、金リボン４０〜４３はＭＩＣ基板
に載せられたトランジスタ等を駆動するためのバイアス
を供給するバイアスリード線として用いられ、第３図で
示した回路のＤＣ端子１１〜１８に相当する。マイクロ
波信号は筺体２９に取り付けられたコネクタ４４．４５
を介してプリント基板３０．３２に導かれる。ステム２
８はキャップ４６により内部が保護され、筺体２９はフ
タ４７．４８により密閉される。なお、４９はアース端
子、５０は貫通コンである。したがって、第４図に示す
増幅器は各ユニットの回路を基板に対して垂直に接続す
るものである。
ところが、第４図に示す回路では回路を接続する部分に
おいて第６図に示すように５０ΩのＲＦ端子３４．３６
とユニット回路上の５０Ωラインとの間に５０Ωでない
インピーダンス整合のとれていない箇所が存在するため
、発生した電磁界の向きが滑らかに変換されず、そのた
め組み合わせで得られるはずの所定の特性を得ることが
できない。特に、周波数が高＜ （ＩＯＣ；Ｈｚ以上）
に従ってこの不具合が顕著になる。すなわち、ユニット
回路を組み合わせて所定の機能を持たせるマイクロ波モ
ジュールを作る場合にその部分でロスが生じ、調整しず
らい。そこで、このような不具合を解決するものとして
、例えば実開昭５８−２２３２１号公報に記載のものが
ある（第９図参照）。この説明にあたり第５図に示す従
来例と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。第９図において、ステム２７のキャリア板２１
．２２取付部のＲＦ端子３４．３６とＭＩＣ基板２３．
２６上の５０Ωストリツプラインとの接続部にステムの
突出部５１．５２を設け、アース部をＭＩＣ基板２３．
２６の５０Ωストリツプラインに近づけることにより、
５０ΩＲＦ端子３４．３６の５０Ωの部分をＭＩＣ基板
２３．２５に近づけて不連続性を解消し、伝送特性を向
上させている。
おいて第６図に示すように５０ΩのＲＦ端子３４．３６
とユニット回路上の５０Ωラインとの間に５０Ωでない
インピーダンス整合のとれていない箇所が存在するため
、発生した電磁界の向きが滑らかに変換されず、そのた
め組み合わせで得られるはずの所定の特性を得ることが
できない。特に、周波数が高＜ （ＩＯＣ；Ｈｚ以上）
に従ってこの不具合が顕著になる。すなわち、ユニット
回路を組み合わせて所定の機能を持たせるマイクロ波モ
ジュールを作る場合にその部分でロスが生じ、調整しず
らい。そこで、このような不具合を解決するものとして
、例えば実開昭５８−２２３２１号公報に記載のものが
ある（第９図参照）。この説明にあたり第５図に示す従
来例と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。第９図において、ステム２７のキャリア板２１
．２２取付部のＲＦ端子３４．３６とＭＩＣ基板２３．
２６上の５０Ωストリツプラインとの接続部にステムの
突出部５１．５２を設け、アース部をＭＩＣ基板２３．
２６の５０Ωストリツプラインに近づけることにより、
５０ΩＲＦ端子３４．３６の５０Ωの部分をＭＩＣ基板
２３．２５に近づけて不連続性を解消し、伝送特性を向
上させている。
しかしながら、このような従来のマイクロ波モジュール
用キャリアにあっては、ステムの突出部５１．５２とキ
ャリア２１．２２との間に間隙（非接触部分）があるた
め（機構設計上物理的に完全に間隙をなくすことはでき
ない）、完全に５０Ωとすることができず、周波数が高
くなると前述したような接続上の問題点が発生すること
がある。
用キャリアにあっては、ステムの突出部５１．５２とキ
ャリア２１．２２との間に間隙（非接触部分）があるた
め（機構設計上物理的に完全に間隙をなくすことはでき
ない）、完全に５０Ωとすることができず、周波数が高
くなると前述したような接続上の問題点が発生すること
がある。
例えば、第９図に示す方法で広帯域（４〜８ＧＨｚ）の
アンプモジュールを作る場合、どうしても前記間隙の影
響によりインピーダンスが乱され所定のスペックに調整
し難い。帯域が狭い場合はマツチング回路を調整するこ
とにより所定の特性を満足させることができるが、周波
数が高く広帯域になるに従ってマツチング回路による調
整は困難となってくる。
アンプモジュールを作る場合、どうしても前記間隙の影
響によりインピーダンスが乱され所定のスペックに調整
し難い。帯域が狭い場合はマツチング回路を調整するこ
とにより所定の特性を満足させることができるが、周波
数が高く広帯域になるに従ってマツチング回路による調
整は困難となってくる。
そこで本発明は、ユニット回路間あるいはユニット回路
とコネクタとを垂直に接続する際に生じるインピーダン
スの不連続性に基づくロスの増加を減少することができ
、調整時の難易性を改善することのできるマイクロ波モ
ジュール用キャリアを提供することを目的としている。
とコネクタとを垂直に接続する際に生じるインピーダン
スの不連続性に基づくロスの増加を減少することができ
、調整時の難易性を改善することのできるマイクロ波モ
ジュール用キャリアを提供することを目的としている。
本発明によるマイクロ波モジュール用キャリア構造は上
記目的達成のため、マイクロ波回路基板と、該マイクロ
波回路基板を取り付けるキャリアと、を備えたマイクロ
波モジュール用キャリアにおいて、前記キャリアに外方
に突出する突出部を一体的に形成し該突出部がキャリア
の入力部あるいは出力部を構成し、キャリアの入力部あ
るいは出力部にＲＦ端子の内導体を通すように構成する
。
記目的達成のため、マイクロ波回路基板と、該マイクロ
波回路基板を取り付けるキャリアと、を備えたマイクロ
波モジュール用キャリアにおいて、前記キャリアに外方
に突出する突出部を一体的に形成し該突出部がキャリア
の入力部あるいは出力部を構成し、キャリアの入力部あ
るいは出力部にＲＦ端子の内導体を通すように構成する
。
本発明では、キャリアに外方に突出する突出部が一体的
に形成され、該突出部がキャリアの入力部あるいは出力
部を構成するとともに、キャリアの入力部あるいは出力
部にＲＦ端子の内導体が通される。
に形成され、該突出部がキャリアの入力部あるいは出力
部を構成するとともに、キャリアの入力部あるいは出力
部にＲＦ端子の内導体が通される。
したがって、キャリアとステムとの間の非接触部分が解
消して、完全に所定のインピーダンスを保つことができ
、接続上の不具合が防止される。
消して、完全に所定のインピーダンスを保つことができ
、接続上の不具合が防止される。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１２図は本発明に係るマイクロ波モジュール用キャリ
ア構造の一実施例を示す図である。まず、構成を説明す
る。第１図（ａ）はキャリアの構成図を示し、第１図（
ｂ）はキャリアを実際にマイクロ波モジュールに実装し
た構成図を示している。第１図（ａ）、（ｂ）において
、６１はキャリアであり、キャリア６１はＲＦ端子の内
導体を通した状態で所定のインピーダンスを保つよう外
方に突出した入出力部（突出部）６１ａを有し、キャリ
ア６１にはＭＩＣ基板（アルミナ基板）を取り付けるた
めのＭＩＣ取付部６２〜６５と、トランジスタを取り付
けるためのトランジスタ取付部６６．６７と、ＲＦ端子
の内導体を通すために入出力部６１ａに穿設された穴６
８〜７０と、ネジ止め用の穴７１〜７４と、が形成され
ている。すなわち、ＭＩＣ基板の延長上にステム突出部
を設けるようにした従来例と異なり、キャリア６１自体
の入出力部６１ａが水平方向に延長するように構成され
、その入出力部６１ａに内導体が通る穴６８〜７０が穿
設されている。したがって、キャリア６１およびその入
出力部６１ａは一体形成されるから、間隙は全く生じな
い。第２図は上記キャリア６１を第４図に示す回路に適
用した例を示している。第６図に示す従来例と同一構成
部分には同一番号を付してその説明を省略する。第２図
（ａ）、（ｂ）において、６１はキャリアであり、キャ
リア６１のＭＩＣ取付部６４．６５上にはＭＩＣ基板（
アルミナ基板）２３〜２６が形成されており、ＭＩＣ基
板２６は接続用リボン３５およびＲＦ端子３６の内導体
３６ｂを介してプリント基板３２に垂直に接続される。
ア構造の一実施例を示す図である。まず、構成を説明す
る。第１図（ａ）はキャリアの構成図を示し、第１図（
ｂ）はキャリアを実際にマイクロ波モジュールに実装し
た構成図を示している。第１図（ａ）、（ｂ）において
、６１はキャリアであり、キャリア６１はＲＦ端子の内
導体を通した状態で所定のインピーダンスを保つよう外
方に突出した入出力部（突出部）６１ａを有し、キャリ
ア６１にはＭＩＣ基板（アルミナ基板）を取り付けるた
めのＭＩＣ取付部６２〜６５と、トランジスタを取り付
けるためのトランジスタ取付部６６．６７と、ＲＦ端子
の内導体を通すために入出力部６１ａに穿設された穴６
８〜７０と、ネジ止め用の穴７１〜７４と、が形成され
ている。すなわち、ＭＩＣ基板の延長上にステム突出部
を設けるようにした従来例と異なり、キャリア６１自体
の入出力部６１ａが水平方向に延長するように構成され
、その入出力部６１ａに内導体が通る穴６８〜７０が穿
設されている。したがって、キャリア６１およびその入
出力部６１ａは一体形成されるから、間隙は全く生じな
い。第２図は上記キャリア６１を第４図に示す回路に適
用した例を示している。第６図に示す従来例と同一構成
部分には同一番号を付してその説明を省略する。第２図
（ａ）、（ｂ）において、６１はキャリアであり、キャ
リア６１のＭＩＣ取付部６４．６５上にはＭＩＣ基板（
アルミナ基板）２３〜２６が形成されており、ＭＩＣ基
板２６は接続用リボン３５およびＲＦ端子３６の内導体
３６ｂを介してプリント基板３２に垂直に接続される。
また、キャリア６１は穴７３．７４に通されたネジ（図
示路）によりステム２７上に固定される。
示路）によりステム２７上に固定される。
次に、作用を説明する。
まず、入力部（ＳＭＡ５０Ωコネクタ４４．４５あるい
は導波管）から入ってきた信号は、ユニット回路（プリ
ント基板３０〜３２）へ入っていく。そして、５０ΩＲ
Ｆ端子３４．３６．３８．３９、あるいは同軸コネクタ
から、キャリア６１上に取り付けられている回路（Ｍ
Ｉ Ｃ基板２３〜２６）上へ接続される。この場合、キ
ャリア６１に設けられた穴６９．７０に通されているＲ
Ｆ端子３４．３６の内導体と３６ｂ（ＲＦ端子３４の内
導体は図示せず）キャリア６１本体とはマイクロ波的に
５０Ωとなっており、間隙（非接触部分）がないから接
続の際に生じる不連続性を最小限に抑えることができる
。さらに、ユニ・ノド回路を通った信号が出力される出
力部６１ａにおいても同様にインピーダンスの乱れを最
小限に抑えられており、極めてスムーズに出力コネクタ
４４．４５あるいは導波管に接続される。したがって、
キャリア６１の入出力部６１ａにＲＦ端子３４．３５．
３８．３９の内導体が通るようにし、かつ、そのインピ
ーダンスが５０Ωになるようにしたものであり、このよ
うな構成方法を採ることによってユニット回路接続の際
に生じるインピーダンスの不連続性を最小限に抑える効
果があり、ロスの発生を抑え、調整のしずらさを改善す
ることができる。
は導波管）から入ってきた信号は、ユニット回路（プリ
ント基板３０〜３２）へ入っていく。そして、５０ΩＲ
Ｆ端子３４．３６．３８．３９、あるいは同軸コネクタ
から、キャリア６１上に取り付けられている回路（Ｍ
Ｉ Ｃ基板２３〜２６）上へ接続される。この場合、キ
ャリア６１に設けられた穴６９．７０に通されているＲ
Ｆ端子３４．３６の内導体と３６ｂ（ＲＦ端子３４の内
導体は図示せず）キャリア６１本体とはマイクロ波的に
５０Ωとなっており、間隙（非接触部分）がないから接
続の際に生じる不連続性を最小限に抑えることができる
。さらに、ユニ・ノド回路を通った信号が出力される出
力部６１ａにおいても同様にインピーダンスの乱れを最
小限に抑えられており、極めてスムーズに出力コネクタ
４４．４５あるいは導波管に接続される。したがって、
キャリア６１の入出力部６１ａにＲＦ端子３４．３５．
３８．３９の内導体が通るようにし、かつ、そのインピ
ーダンスが５０Ωになるようにしたものであり、このよ
うな構成方法を採ることによってユニット回路接続の際
に生じるインピーダンスの不連続性を最小限に抑える効
果があり、ロスの発生を抑え、調整のしずらさを改善す
ることができる。
このように本実施例では、ユニット回路間、あるいはユ
ニット回路とコネクタあるいはユニット回路と導波管と
を垂直に接続する際に住じるインピーダンスの不連続性
に基づくロスの増加および調整時の難易性を改善するこ
とができる。
ニット回路とコネクタあるいはユニット回路と導波管と
を垂直に接続する際に住じるインピーダンスの不連続性
に基づくロスの増加および調整時の難易性を改善するこ
とができる。
本発明によれば、ユニット回路間あるいはユニット回路
とコネクタとを垂直に接続する際に生じるインピーダン
スの不連続性に基づくロスの増加を減少することができ
、調整時の難易性を改善することができる。
とコネクタとを垂直に接続する際に生じるインピーダン
スの不連続性に基づくロスの増加を減少することができ
、調整時の難易性を改善することができる。
第１．２図は本発明に係るマイクロ波モジュール用キャ
リア構造を示す図であり、 第１図はそのキャリア構造を示す図、 第２図はその部分拡大図、 第３〜６図は従来のマイクロ波モジュール用キャリアを
示す図であり、 第３図はその全体構成図、 第４図はその全体構成図、 第５図はその部分拡大図、 第６図はそのＲＦ端子３６近傍の拡大図、第７図は第６
図のＲＦ端子３６のＡ−Ａ’面図、 第８図は第６図のＲＦ端子３６のＢ−Ｂ面図、 第９図はその部分拡大図である。 ２３〜２６・・・・・・ＭＩＣ基板 ２７．２８・・・・・・ステム、 ２９・・・・・・筐体、 ２９ａ・・・・・・ステム取付部、 ２ｇｂ、３ｏｃ・・・・・・連通口、 ３０．３１．３２・・・・・・プリント基板、３３．３
５．３７・・・・・・接続用リボン、３４．３６．３８
．３９・・・・・・ＲＦ端子、３６ａ・・・・・・金属
部、 ３６ｂ・・・・・・内導体、 ３６ｃ・・・・・・絶縁体、 ４０〜４３・・・・・・金リボン、 ４４．４５・・・・・・コネクタ、 （マイクロ波回路基板） 矢視断 矢視断 ６１・・・・・・キャリア、 ６１ａ・・・・・・入出力部（突出部）、６２〜６５・
・・・・・ＭＩＣ取付部、６６．６７・・・・・・トラ
ンジスタ取付部、６８〜７０・・・・・・穴、 ７１〜７４・・・・・・穴。 従来の部分拡大図 第 ５図 従来のＲＦ端子３６近傍の拡大図 狛６図 従来の第６図のＲＦ端子３６のＡ−Ａ’矢視断面図第７
図 従来の第６図のＲＦ端子３６のＢ−Ｂ’矢視断面図第 図 第 図
リア構造を示す図であり、 第１図はそのキャリア構造を示す図、 第２図はその部分拡大図、 第３〜６図は従来のマイクロ波モジュール用キャリアを
示す図であり、 第３図はその全体構成図、 第４図はその全体構成図、 第５図はその部分拡大図、 第６図はそのＲＦ端子３６近傍の拡大図、第７図は第６
図のＲＦ端子３６のＡ−Ａ’面図、 第８図は第６図のＲＦ端子３６のＢ−Ｂ面図、 第９図はその部分拡大図である。 ２３〜２６・・・・・・ＭＩＣ基板 ２７．２８・・・・・・ステム、 ２９・・・・・・筐体、 ２９ａ・・・・・・ステム取付部、 ２ｇｂ、３ｏｃ・・・・・・連通口、 ３０．３１．３２・・・・・・プリント基板、３３．３
５．３７・・・・・・接続用リボン、３４．３６．３８
．３９・・・・・・ＲＦ端子、３６ａ・・・・・・金属
部、 ３６ｂ・・・・・・内導体、 ３６ｃ・・・・・・絶縁体、 ４０〜４３・・・・・・金リボン、 ４４．４５・・・・・・コネクタ、 （マイクロ波回路基板） 矢視断 矢視断 ６１・・・・・・キャリア、 ６１ａ・・・・・・入出力部（突出部）、６２〜６５・
・・・・・ＭＩＣ取付部、６６．６７・・・・・・トラ
ンジスタ取付部、６８〜７０・・・・・・穴、 ７１〜７４・・・・・・穴。 従来の部分拡大図 第 ５図 従来のＲＦ端子３６近傍の拡大図 狛６図 従来の第６図のＲＦ端子３６のＡ−Ａ’矢視断面図第７
図 従来の第６図のＲＦ端子３６のＢ−Ｂ’矢視断面図第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロ波回路基板と、該マイクロ波回路基板を取り付
けるキャリアと、を備えたマイクロ波モジュール用キャ
リア構造において、 前記キャリアに外方に突出する突出部を一体的に形成し
該突出部がキャリアの入力部あるいは出力部を構成し、
キャリアの入力部あるいは出力部にＲＦ端子の内導体を
通すようにしたことを特徴とするマイクロ波モジュール
用キャリア構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233206A JPH0281458A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マイクロ波モジュール用キャリア構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233206A JPH0281458A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マイクロ波モジュール用キャリア構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281458A true JPH0281458A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16951417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233206A Pending JPH0281458A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マイクロ波モジュール用キャリア構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63145369A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 水溶性モノアゾ化合物及びそれを用いて繊維材料を染色又は捺染する方法 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63233206A patent/JPH0281458A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63145369A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 水溶性モノアゾ化合物及びそれを用いて繊維材料を染色又は捺染する方法 |
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