JPH028162U - - Google Patents

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JPH028162U
JPH028162U JP1988086009U JP8600988U JPH028162U JP H028162 U JPH028162 U JP H028162U JP 1988086009 U JP1988086009 U JP 1988086009U JP 8600988 U JP8600988 U JP 8600988U JP H028162 U JPH028162 U JP H028162U
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JP
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semiconductor laser
block
holds
transmission module
optical transmission
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JP1988086009U
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【図面の簡単な説明】
第１図ａ，ｂは、本願第１の考案の第１の実施
例である光送信モジユールの構造を示す図、第２
図ａ，ｂは、従来の光送信モジユールの構造を示
す図、第３図は、光送信モジユールの電気的等化
回路図、第４図は光送信モジユールの周波数応答
特性図、第５図ａ，ｂは、本願第２の考案の実施
例の構成図である。 図中、１：半導体レーザ、２：ペルチエ素子、
３：ＰＩＮモニタ、４：ロツドレンズ、５：光フ
アイバ、６：モジユールきよう体、１９，２０：
コンデンサ、５０：金属ブロツク、６０：電極、
７０，７１，７２：リード線、７５：コイル、で
ある。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体レーザとその半導体レーザを保持す
    るブロツクと、そのブロツクを保持するとともに
    、前記半導体レーザ並びにブロツクの温度を調節
    するペルチエ素子と、前記半導体レーザの出力光
    を結合し伝送する光フアイバの入射端部を含む光
    送信モジユールにおいて、前記半導体レーザがマ
    ウントされたブロツクと前記モジユールのきよう
    体の間に少なくとも１０ｎＦ以上の電気容量を持
    つコンデンサを付加することを特徴とする光送信
    モジユール。 (2) 半導体レーザとその半導体レーザを保持す
    るブロツクと、そのブロツクを保持するとともに
    、前記半導体レーザ並びにブロツクの温度を調節
    するペルチエ素子と、前記半導体レーザの出力光
    を結合し伝送する光フアイバの入射端部を含む光
    送信モジユールにおいて、前記半導体レーザのマ
    ウントされたブロツクときよう体とを接続する接
    続線に少なくとも０．１μＨ以上のインダクタン
    スを持たせることを特徴とする光送信モジユール
    。
JP1988086009U 1988-06-28 1988-06-28 Pending JPH028162U (ja)

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JPH028162U true JPH028162U (ja) 1990-01-19

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JP1988086009U Pending JPH028162U (ja) 1988-06-28 1988-06-28

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JP (1) JPH028162U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774420A (ja) * 1993-06-30 1995-03-17 Fujitsu Ltd 光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路
JPH07335966A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Nec Eng Ltd 半導体レーザモジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774420A (ja) * 1993-06-30 1995-03-17 Fujitsu Ltd 光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路
JPH07335966A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Nec Eng Ltd 半導体レーザモジュール

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