JPH0282408A - 導電ペースト用金属粉 - Google Patents
導電ペースト用金属粉Info
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- JPH0282408A JPH0282408A JP23187588A JP23187588A JPH0282408A JP H0282408 A JPH0282408 A JP H0282408A JP 23187588 A JP23187588 A JP 23187588A JP 23187588 A JP23187588 A JP 23187588A JP H0282408 A JPH0282408 A JP H0282408A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、低温焼成多層セラミック基板などに用いられ
る導電ペーストの導電性を付与するための金属粉に関す
るものである。
る導電ペーストの導電性を付与するための金属粉に関す
るものである。
「従来の技術」
従来より、低温焼成多層セラミ−ツク基板を製造すると
きには、セラミック生シートの上に導電ペーストを用い
て電極回路を形成し、これらのセラミック生シートを積
層し真空加熱圧着を行ないセラミック生基板が形成され
る。圧着成形されたセラミック生基板は脱脂の後、95
0℃、15〜30分間焼成される。この焼成後のセラミ
ック基板が、低温焼成多層セラミック基板である。この
低温焼成多層セラミック基板の表面にチップ部品等の電
子部品素子を半田付けすることにより、電子部品、ユニ
ット部品となる。
きには、セラミック生シートの上に導電ペーストを用い
て電極回路を形成し、これらのセラミック生シートを積
層し真空加熱圧着を行ないセラミック生基板が形成され
る。圧着成形されたセラミック生基板は脱脂の後、95
0℃、15〜30分間焼成される。この焼成後のセラミ
ック基板が、低温焼成多層セラミック基板である。この
低温焼成多層セラミック基板の表面にチップ部品等の電
子部品素子を半田付けすることにより、電子部品、ユニ
ット部品となる。
第1図は、この低温焼成多層セラミック基板の断面図で
ある。図中符号lはセラミックであり、2は表面電極、
3は内部電極で、4がバイア電極を示す。ここに示す表
面電極2上に、チップ部品等の電子部品素子が半田付け
されるのである。第2図は、この表面電極2上に電子部
品素子の端子が半田付けされている状態を示す図で、図
中符号5はセラミックl上に電極とセラミックとを接着
する接合層である。その上に表面電極2があり、この表
面電極2に、半田6によってチップ部品等の端子7が半
田付けされているのである。
ある。図中符号lはセラミックであり、2は表面電極、
3は内部電極で、4がバイア電極を示す。ここに示す表
面電極2上に、チップ部品等の電子部品素子が半田付け
されるのである。第2図は、この表面電極2上に電子部
品素子の端子が半田付けされている状態を示す図で、図
中符号5はセラミックl上に電極とセラミックとを接着
する接合層である。その上に表面電極2があり、この表
面電極2に、半田6によってチップ部品等の端子7が半
田付けされているのである。
この表面電極2のような低温焼成多層セラミッり基板の
電極用に用いられる導電ペーストは、従来より一般に、
アルミナ基板に用いられる厚膜ハイブリットIC用導電
ペーストを転用しているのが現状である。
電極用に用いられる導電ペーストは、従来より一般に、
アルミナ基板に用いられる厚膜ハイブリットIC用導電
ペーストを転用しているのが現状である。
「発明が解決しようとする課題」
上記表面電極に要求される基本特性として重要なしのに
、熱エージング特性がある。この熱ニーソング特性とは
、低温焼成多層セラミック基板の表面電極にチップ部品
等の電子部品素子の半田付けを行ない、この電子部品を
熱雰囲気下に放置し、セラミック部と表面電極部との接
着強度の経時変化を言うものである。熱エージング特性
の悪いもの、つまり熱雰囲気下におけろセラミック部と
表面電極部との接着強度が時間と共に大きく低下するら
のは、その電子部品としての信頼性の」−で大きな問題
となる。
、熱エージング特性がある。この熱ニーソング特性とは
、低温焼成多層セラミック基板の表面電極にチップ部品
等の電子部品素子の半田付けを行ない、この電子部品を
熱雰囲気下に放置し、セラミック部と表面電極部との接
着強度の経時変化を言うものである。熱エージング特性
の悪いもの、つまり熱雰囲気下におけろセラミック部と
表面電極部との接着強度が時間と共に大きく低下するら
のは、その電子部品としての信頼性の」−で大きな問題
となる。
厚膜ハイブリットtC用導電ペーストにおいては、現在
多くの種類のものが市販されているが、一般に低温焼成
多層セラミック基板の表面電極用に転用されているのは
、コスト等の関係から銀パラジウム系の導電ペーストで
ある。ところが、この一般に最も多く転用されている銀
−パラジウム系の厚膜ハイブリットIC用の導電ペース
トは、上記熱エージング特性に問題がある。この導電ペ
ーストの熱エージング特性の低下の機構については明ら
かではないが、予想される機構を第2図を用いて説明す
る。
多くの種類のものが市販されているが、一般に低温焼成
多層セラミック基板の表面電極用に転用されているのは
、コスト等の関係から銀パラジウム系の導電ペーストで
ある。ところが、この一般に最も多く転用されている銀
−パラジウム系の厚膜ハイブリットIC用の導電ペース
トは、上記熱エージング特性に問題がある。この導電ペ
ーストの熱エージング特性の低下の機構については明ら
かではないが、予想される機構を第2図を用いて説明す
る。
この銀−パラジウム系の導電ペーストを、第2図中の表
面電極2に用い熱雰囲気中に放置した場合、図中符号8
の矢印で示l−ように半田6中のスズが、熱拡散し表面
電極2中に移行する。この移行したスズは、表面電極2
内に存在する銀と、銀スズ金属間化合物を形成ずろ。こ
の形成された銀−スズ金属間化合物の体積膨張率が接合
層5の膨張率と大きく異なることにより、接合jn5と
表面電極2との間において接着力の低下もしくは剥離が
起こる。これはつまり、表面電極とセラミック基数との
接着力の低下となる。
面電極2に用い熱雰囲気中に放置した場合、図中符号8
の矢印で示l−ように半田6中のスズが、熱拡散し表面
電極2中に移行する。この移行したスズは、表面電極2
内に存在する銀と、銀スズ金属間化合物を形成ずろ。こ
の形成された銀−スズ金属間化合物の体積膨張率が接合
層5の膨張率と大きく異なることにより、接合jn5と
表面電極2との間において接着力の低下もしくは剥離が
起こる。これはつまり、表面電極とセラミック基数との
接着力の低下となる。
「課題を解決するための手段」
本発明では、ニッケル(N i)が3.6〜6.0重量
%、スズ(Sn)が0.9〜1.5ffi爪%、パラジ
ウム(Pd)が40〜5.0重量%、銀(Ag)が87
.5〜91.5重量%からなる組成を有する金属粉を導
電ペースト用金属粉とすることで、その解決手段とした
。
%、スズ(Sn)が0.9〜1.5ffi爪%、パラジ
ウム(Pd)が40〜5.0重量%、銀(Ag)が87
.5〜91.5重量%からなる組成を有する金属粉を導
電ペースト用金属粉とすることで、その解決手段とした
。
「作用 」
銀、パラジウム、ニッケル、スズを上記の組成で含む本
発明の金属粉を分散した導電ペーストを表面電極に用い
ることにより、半田付は後の熱エノング時に半田に含ま
れるスズの表面電極内への拡散速度を、一般に使用され
ている銀−パラジウム系の導電ペーストを用いた場合と
比較して低下させることができる。これは、表面電極内
での銀−スズ金属間化合物の形成をおさえることになり
、この銀−スズ金属間化合物に起因する熱エージング時
の表面電極層と接合層との剥離もしくは接着力の低下を
防止することができる。
発明の金属粉を分散した導電ペーストを表面電極に用い
ることにより、半田付は後の熱エノング時に半田に含ま
れるスズの表面電極内への拡散速度を、一般に使用され
ている銀−パラジウム系の導電ペーストを用いた場合と
比較して低下させることができる。これは、表面電極内
での銀−スズ金属間化合物の形成をおさえることになり
、この銀−スズ金属間化合物に起因する熱エージング時
の表面電極層と接合層との剥離もしくは接着力の低下を
防止することができる。
さらに、本発明の金属粉を分散させた導電ペーストから
なる表面電極層は、一般に使用されている銀−パラジウ
ム系導電ペーストからなる表面電極層に比較して、接合
層との熱膨張率の差が少ないため、これら熱エージング
時の表面電極層と接合層との剥離らしくは接着力の低下
の防止に寄与している。
なる表面電極層は、一般に使用されている銀−パラジウ
ム系導電ペーストからなる表面電極層に比較して、接合
層との熱膨張率の差が少ないため、これら熱エージング
時の表面電極層と接合層との剥離らしくは接着力の低下
の防止に寄与している。
以下、本発明の導電ペースト用金属粉について詳しく説
明ずろ。
明ずろ。
本発明の導電ペースト用金属粉は、ニッケルが36〜6
0重量%、スズが09〜15重9%、パラジウムが4.
0〜5.0重量%、銀か87.5〜91.5重量%とい
う組成であることを特徴とする金属粉である。これらの
組成中ニッケルどスズは、前述したように熱エージング
時に半田からのスズの熱拡散速度の低下、接合層と表面
7Ti極層との熱膨張率の近似化に寄与するしので、ニ
ッケルにおいてはその組成か36玉虫%未満であると上
記効果が発現せず、60重量%を越えると焼成時に酸化
物が増加し半田の濡れが悪くなる。スズにおいてら同様
に09重量%未満であると上記効果が発現せず、15重
量%を越えろと焼成時に酸化物が増加し半田の濡れが悪
くなる。パラジウムにおいては、4.0重量%未満では
、950°Cでの焼成時に電極が溶解してしまい、5.
0重量%以上であるとコスト高になり好ましくない。銀
においては、その組成が87.5重量%未満では、結果
的にニッケル、スズの組成が上記範囲を越え、半田の濡
れが悪くなる。また、91.5重量%を越えると同様に
ニッケル、スズの組成が上記範囲未満となってしまい熱
エージング特性が低下すると共に、950℃でのセラミ
ック生基板の焼成時に電極が溶融する不具合が発生する
。
0重量%、スズが09〜15重9%、パラジウムが4.
0〜5.0重量%、銀か87.5〜91.5重量%とい
う組成であることを特徴とする金属粉である。これらの
組成中ニッケルどスズは、前述したように熱エージング
時に半田からのスズの熱拡散速度の低下、接合層と表面
7Ti極層との熱膨張率の近似化に寄与するしので、ニ
ッケルにおいてはその組成か36玉虫%未満であると上
記効果が発現せず、60重量%を越えると焼成時に酸化
物が増加し半田の濡れが悪くなる。スズにおいてら同様
に09重量%未満であると上記効果が発現せず、15重
量%を越えろと焼成時に酸化物が増加し半田の濡れが悪
くなる。パラジウムにおいては、4.0重量%未満では
、950°Cでの焼成時に電極が溶解してしまい、5.
0重量%以上であるとコスト高になり好ましくない。銀
においては、その組成が87.5重量%未満では、結果
的にニッケル、スズの組成が上記範囲を越え、半田の濡
れが悪くなる。また、91.5重量%を越えると同様に
ニッケル、スズの組成が上記範囲未満となってしまい熱
エージング特性が低下すると共に、950℃でのセラミ
ック生基板の焼成時に電極が溶融する不具合が発生する
。
本発明の導電ペースト用金属粉の作製方法の一例を以下
に示す。
に示す。
銀、ニッケル、スズ、パラジウムの各金属を上記組成に
なるように配合し、これらを不活性ガス(アルゴン、窒
素など)中で抵抗加熱、高周波加熱、アーク溶解等で溶
融し合金化する。この合金を真空中で微粉化したり、ま
たはアトマイズ法で微粉化する。このようにして微粉化
された金属粉末の粒径は、数μm以下に調整される。
なるように配合し、これらを不活性ガス(アルゴン、窒
素など)中で抵抗加熱、高周波加熱、アーク溶解等で溶
融し合金化する。この合金を真空中で微粉化したり、ま
たはアトマイズ法で微粉化する。このようにして微粉化
された金属粉末の粒径は、数μm以下に調整される。
本発明の金属粉には、セラミック基板との接着性向上の
ため、酸化銅、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化クロ
ムなどの金属酸化物粉末、あるいはガラスフッリドなど
を必要に応じて添加する。
ため、酸化銅、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化クロ
ムなどの金属酸化物粉末、あるいはガラスフッリドなど
を必要に応じて添加する。
これらの粉末は、V型混合機等の粉体混合装置にて十分
に混合される。
に混合される。
本発明の金属粉を分散させて導電ペーストとするビヒク
ルには、樹脂粘結体としては、エチルセルロース、ニト
ロセルロース、アクリル樹脂、フチラール樹脂の内少な
くとも1種類以上の樹脂を本発明の金属粉100重量部
に対し0.5〜3゜0重量部程度用いるのが好適であり
、溶剤としては、ブチルカルピトール、ターピネオール
、ブチルカルピトールアセード等の内少なくとも1種類
以上の高沸点溶剤を9.0〜28.5重量部程度用いる
のが好適である。さらにこのビヒクルには、必要に応じ
てパラフィンワックス、マイクロワックス等のワックス
類、ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビタン酸モ
ノステアレート等の界面活性剤などを適宜添加してもよ
い。
ルには、樹脂粘結体としては、エチルセルロース、ニト
ロセルロース、アクリル樹脂、フチラール樹脂の内少な
くとも1種類以上の樹脂を本発明の金属粉100重量部
に対し0.5〜3゜0重量部程度用いるのが好適であり
、溶剤としては、ブチルカルピトール、ターピネオール
、ブチルカルピトールアセード等の内少なくとも1種類
以上の高沸点溶剤を9.0〜28.5重量部程度用いる
のが好適である。さらにこのビヒクルには、必要に応じ
てパラフィンワックス、マイクロワックス等のワックス
類、ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビタン酸モ
ノステアレート等の界面活性剤などを適宜添加してもよ
い。
このようなビヒクル中に本発明の金属粉と金属酸化物粉
末等を混合した粉末を加え、少量ならば乳鉢等、多量な
らば万能混合撹拌機あるいはライカイ機等の混合機で良
く徂練りをする。さらに、三本ロールで良く混椋し粉体
の粒径を整えた後、導電ペーストとして使用に供する。
末等を混合した粉末を加え、少量ならば乳鉢等、多量な
らば万能混合撹拌機あるいはライカイ機等の混合機で良
く徂練りをする。さらに、三本ロールで良く混椋し粉体
の粒径を整えた後、導電ペーストとして使用に供する。
「実施例」
本発明の実施例を第1表に示す。
(以下、余白)
第 1 表
上記10種類の実施例と1種類の比較例の金属粉に、セ
ラミック基板との接着性向上のため、金属粉100重量
部に対してCuOを1.0重量部、M n Otを0.
3重量部、B it O3を27重量部加えそれぞれV
型混合機を用いて混合した。さらにこれを、樹脂粘結体
としてニトロセルロース樹脂を3.0重量部、溶剤とし
てプチルヵルヒトール、ターピネオールをそれぞれ12
.0重量部、さらにソルビタン酸モノステアレートを0
.2重量部配合したビヒクル中に分散させ導電ペースト
とした。他の比較例としては、市販の銀−パラジウム系
導電ペースト2種類を比較例2、比較例3とした。
ラミック基板との接着性向上のため、金属粉100重量
部に対してCuOを1.0重量部、M n Otを0.
3重量部、B it O3を27重量部加えそれぞれV
型混合機を用いて混合した。さらにこれを、樹脂粘結体
としてニトロセルロース樹脂を3.0重量部、溶剤とし
てプチルヵルヒトール、ターピネオールをそれぞれ12
.0重量部、さらにソルビタン酸モノステアレートを0
.2重量部配合したビヒクル中に分散させ導電ペースト
とした。他の比較例としては、市販の銀−パラジウム系
導電ペースト2種類を比較例2、比較例3とした。
これらの導電ペーストを用いて、2mmX2mmの電極
をセラミック生シートに印刷し、脱脂の後950℃にて
焼成を行なった。さらにスズ62重量%、鉛36重里%
、銀2重量%からなる半田にて半田付けを行ない、これ
を150℃の恒温層にて熱エージングを行なった後、そ
れぞれセラミック基板との接着強度を測定したのが第3
図である。
をセラミック生シートに印刷し、脱脂の後950℃にて
焼成を行なった。さらにスズ62重量%、鉛36重里%
、銀2重量%からなる半田にて半田付けを行ない、これ
を150℃の恒温層にて熱エージングを行なった後、そ
れぞれセラミック基板との接着強度を測定したのが第3
図である。
図中符号Aにて示す曲線は、実施例3の金属粉を用いた
導電ペーストによる表面電極と接合層との熱エージング
後の接着強度の変化を示す曲線である。他の実施例につ
いてもほぼ同じ曲線を示すので図中においては省略する
。曲線Bし同しく比較例1の金属粉を用いた導電ペース
トによる表面電極のらのである。曲線Cは市販の導電ペ
ーストである比較例2の乙ので、曲線りも同様に比較例
3の乙のである。
導電ペーストによる表面電極と接合層との熱エージング
後の接着強度の変化を示す曲線である。他の実施例につ
いてもほぼ同じ曲線を示すので図中においては省略する
。曲線Bし同しく比較例1の金属粉を用いた導電ペース
トによる表面電極のらのである。曲線Cは市販の導電ペ
ーストである比較例2の乙ので、曲線りも同様に比較例
3の乙のである。
第3図より明らかであるように、実施例は比較例と比−
・て熱エージング中の接着強度の低下率が小さい。
・て熱エージング中の接着強度の低下率が小さい。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明の導電ペースト用金属粉は
、ニッケルか36〜60重量%、スズが0.9〜1.5
重1%、パラジウムか4.0〜50重量%、銀が87.
5〜915重1%の組成を有するものであるので、この
金属粉を分散させた導電ペーストをセラミック基板等の
表面電極に用いると、半田付けされた状態での熱エージ
ング時において、表面電極と接合層との熱膨張率を近似
化させることができ、接合層と表面電極との接着強度の
熱劣化が抑制され、熱エージング特性が改良される。こ
れにより、本発明の金属粉を分散させた導電ペーストを
表面電極に用いろことにより、電子部品の熱雰囲気下に
おける信頼性が向上し、さらには溶融樹脂による実装樹
脂封止時などにおける実装部品の信頼性、歩どまりが向
上し、また自動車部品等の高温にて使用される基板部品
への応用が可能になるなどの効果も何ろ。
、ニッケルか36〜60重量%、スズが0.9〜1.5
重1%、パラジウムか4.0〜50重量%、銀が87.
5〜915重1%の組成を有するものであるので、この
金属粉を分散させた導電ペーストをセラミック基板等の
表面電極に用いると、半田付けされた状態での熱エージ
ング時において、表面電極と接合層との熱膨張率を近似
化させることができ、接合層と表面電極との接着強度の
熱劣化が抑制され、熱エージング特性が改良される。こ
れにより、本発明の金属粉を分散させた導電ペーストを
表面電極に用いろことにより、電子部品の熱雰囲気下に
おける信頼性が向上し、さらには溶融樹脂による実装樹
脂封止時などにおける実装部品の信頼性、歩どまりが向
上し、また自動車部品等の高温にて使用される基板部品
への応用が可能になるなどの効果も何ろ。
また、本発明の金属粉は、銀、パラジウムといった貴金
属の含有率か低いため、導電ペーストのコストダウンに
らなる。
属の含有率か低いため、導電ペーストのコストダウンに
らなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は低温焼成多層セラミック堰板を示す概略断面図
、第2図は表面電極での14田付けの状態を示す概略断
面図、第3図は実施例における表面電極と接着層との熱
エージング時間に対する接着強度の変化を示すグラフで
ある。 第1図 ?
、第2図は表面電極での14田付けの状態を示す概略断
面図、第3図は実施例における表面電極と接着層との熱
エージング時間に対する接着強度の変化を示すグラフで
ある。 第1図 ?
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ni3.6〜6.0重量% Sn0.9〜1.5重量% Pd4.0〜5.0重量% Ag87.5〜91.5重量% からなる組成を有することを特徴とする導電ペースト用
金属粉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23187588A JPH0282408A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 導電ペースト用金属粉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23187588A JPH0282408A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 導電ペースト用金属粉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282408A true JPH0282408A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16930393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23187588A Pending JPH0282408A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 導電ペースト用金属粉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282408A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019067828A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23187588A patent/JPH0282408A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019067828A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
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