JPH0282436A - 質量分析装置 - Google Patents

質量分析装置

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Publication number
JPH0282436A
JPH0282436A JP63232398A JP23239888A JPH0282436A JP H0282436 A JPH0282436 A JP H0282436A JP 63232398 A JP63232398 A JP 63232398A JP 23239888 A JP23239888 A JP 23239888A JP H0282436 A JPH0282436 A JP H0282436A
Authority
JP
Japan
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mass spectrometer
gas
change
sampling
plasma
Prior art date
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Pending
Application number
JP63232398A
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English (en)
Inventor
Akira Okamoto
明 岡本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマを利用する半導体製造装置に係り、特
にプラズマチャンバ内のガス分析に好適な質量分析装置
に関する。
〔従来の技術〕
従来プラズマ中のガス分析装置としては、四重極質蓋分
析計以下ＱＭＳと略すが多く重いられており、チャンバ
との接続方法は文献中のＦｉｇ　２に示すようにチャン
バとＱＭＳとの間にバリアプルリークバルブ又はゲート
バルブとオリフィス等を用いてガスをサンプリングして
いた。しかし、これらの接続方法ではチャンバ内の試料
ガスの圧力が１０’Ｐａ以上の場合ガス濃度が高くなる
ため、サンプリング配管内壁に吸着したり、ＱＭＳ分析
管内に滞留する時間が長くなったりするため、チャンバ
内のガス濃度の変化を正確に分析することが困難であっ
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術において、サンプリング配管へのガス吸着
については、極力配管の長さを短かくするしかないが、
質量分析計の分析管内に滞留する試料ガスの問題に対し
ては配慮がされておらず、チャンバ内の試料ガスの濃度
変化をリアルタイムで分析することができない問題があ
った。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、試料ガスをサンプリングするサンプリング
配管の先端又は途中に開閉時間を任意に設定できる開閉
バルブを設けることにより、達成される。
〔作用〕
サンプリング配管の先端又は途中に設置した開閉パルプ
の開閉周期を任意の間隔に設定することにより、質量分
析装置の分析管内に導入される試料ガスの量を分析管内
壁等に吸着汚染しない程度に調整することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１　、第２図により説明す
る。まず始めに第１図により本実施例の構成及び動作に
ついて説明する。プラズマ発生装置１の側面に設けられ
たガスサンプリング口２に四重極質量分析装置７が接続
されており、該サンプリング口２には開閉時間が制御可
能な電磁弁３とサンプリング管４と分析管６と作動排気
装置８が接続されている。以上の装置は制御盤９により
制御されている。該サンプリング管３にはオリフィス５
が内蔵されている。
次に測定方法について説明する。試料ガス１１はプラズ
マ発生装置１内のプラズマ１０からサンプリング口２を
通って、電磁弁３、ガスサンプリング管４．オリフィス
５を通過し分析管６内に導入されイオン化された後検出
される。電磁弁６の開閉間隔は制御盤９からの信号によ
り制御されており、通常０．１〜ｔ　０秒の周期で開閉
されている。
第２因に測定結果を示す。実線の質量ピーク強度１２は
下段の電磁弁３の開閉を周期的に行った場合の経時的な
ピーク強度変化を表わし友ものであり、点線の質量ピー
ク強度１３ば、電磁弁５を開の状態での経時変化を表わ
したものであり、プラズマ発生装置１内のガス圧力を経
時的に低下させた場合の測定結果である。点線で示した
電磁弁６を開にした状態での質量ピーク強度の変化をみ
るとプラズマ発生装置１内のガス圧力の変化に比ベピー
ク強度の変化がゆるやかであるのに対し、実線で示した
電磁弁５の開閉を周期的に行った場合のピーク強度の変
化はガス圧力の変化と同様の経時変化を示している。
〔発明の効果〕
本発明によれば、試料ガスによる分析管内の吸着や滞留
等を紡ぐことができるので、対象試料ガスの濃度変化を
正確に分析できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の構成図、 第２図は測定結果を示す線図である。 １・・・・・・プラズマ発生装置、 ２・・・・・・サンプリング口、 ６・・・・・・′電磁弁、 ４・・・・・・サンプリング管、 ５・・・・・・オリフィス、 ６・・・・・・分析管、 ７・・・・・・四重極質量分析装置、 ８・・・・・・作動排気装置、 ９・・・・・・制御盤。 １０・・・・・・プラズマ、 １１・・・・・・試料ガス。 第　７Ｌ￥］

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、プラズマを利用した半導体製造装置のチャンバ内の
    ガス分析に用いられる質量分析装置において、該チャン
    バに接続したガスサンプリング機構に開閉間隔を任意の
    時間に設定できる開閉バルブを設けたことを特徴とする
    質量分析装置。
JP63232398A 1988-09-19 1988-09-19 質量分析装置 Pending JPH0282436A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6615472B2 (en) 1999-02-05 2003-09-09 Sidel, Inc. Quick change blow mold shell assembly
USRE39769E1 (en) 1995-04-19 2007-08-14 Sidel Blow molding device for producing thermoplastic containers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE39769E1 (en) 1995-04-19 2007-08-14 Sidel Blow molding device for producing thermoplastic containers
US6615472B2 (en) 1999-02-05 2003-09-09 Sidel, Inc. Quick change blow mold shell assembly
US6648623B2 (en) 1999-02-05 2003-11-18 Sidel, Inc. Quick change blow mold shell assembly

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