JPH0282502A - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

正特性サーミスタ装置

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Publication number
JPH0282502A
JPH0282502A JP23414388A JP23414388A JPH0282502A JP H0282502 A JPH0282502 A JP H0282502A JP 23414388 A JP23414388 A JP 23414388A JP 23414388 A JP23414388 A JP 23414388A JP H0282502 A JPH0282502 A JP H0282502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature coefficient
positive temperature
electrodes
coefficient thermistor
peripheries
Prior art date
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Pending
Application number
JP23414388A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Kobayashi
正英 小林
Hiroshi Kaise
貝瀬 博史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP23414388A priority Critical patent/JPH0282502A/ja
Publication of JPH0282502A publication Critical patent/JPH0282502A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は電動機の始動用等に使用される正特性サーミス
タ装置に関する。
〈口) 従来の技術 従来、この種の正特性サーミスタ装置は特公昭58−5
5644号公報等に開示きれているように、絶縁素材で
形成されたケースと、このケースに収納された正特性サ
ーミスタ素子と、この素子の両端面にフーティングされ
た!極と、この電極にそれぞれ両側から圧接することで
前記正特性サーミスタ素子を支持するバネ接触子とから
構成されている。
そして、一般的に、正特性サーミスタ素子はチタン酸バ
リウム(9aTiOs)に微量の半導体化剤を添加して
半導体化することにより形成され、キュリー温度以上で
急激に抵抗値が増大するという性質を有する。
また、素子の両端面の電極は無電解ニッケル膜上に銀ペ
ーストを焼付けることにより被着される。
(ハ) 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記構成において正特性サーミスタ素子は
、通常その周面は研削したままの状態であり、また、電
極は両端面の一面に亘って被着されること及び電極間距
離は素子の肉厚分だけで比較的短いこと等から、周面で
銀のマイグレーションく両方の電極からサーミスタ周面
に沿って銀イオンが進行して短絡する現象)が発生し易
く、最悪の場合には電極短絡時の衝撃により素子が破壊
し、始動リレーとしての機能が失われるという重大な問
題となる。
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、バネ接触子の
接触不良等を招来することなしに、簡単な構成だけで電
極素材の銀のマイグレーションによる電極間の短絡を防
止するものである。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は、絶縁素材で形成されたケースと、該ケースに
収納された円板状の正特性サーミスタ素子と、該正特性
サーミスタ素子の両端面にコーティングされた電極と、
該電極にそれぞれ両側から圧接することで前記正特性サ
ーミスタ素子を支持するバネ接触子と、を備えたもので
あって、前記両端面の周縁部に、電極をコーティングし
ない部分を設け且つこの部分に同志円上で溝を形成した
ものである。
(ホ)作用 本発明によれは、正特性サーミスタ素子の周縁部は電極
が存在しないので、その周縁部の寸法分だけ両電極間の
マイグレーション阻止寸法が延長され、両電極間の短絡
事故が防止きれる。
また、前記周縁部に同志同上で溝が形成されるのでその
溝の凹凸による表面積の増加分だけ前記周縁部のマイグ
レーション阻止表面距離が延長されマイグレーション阻
止機能がアップするようになり、この機能アップ分だけ
前記周縁部のt極非コーティング幅を縮小することで電
極コーティング面積を拡張でき、この拡張分だけバネ接
触子との接触面積が大きくなり、バネ接触子の接触不良
が防止されるようになる。
(へ) 実施例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
(1)は電動圧縮機本体(図示せず)を収納した密閉容
器で、この容器にはハーメチック端子(2)が設けられ
ている。(3)はハーメチック端子(2)の2本のピン
に差し込まれ正特性サーミスタ素子(4)を内蔵した正
特性サーミスタ装置である。
(5)は同じくハーメチック端子(2)の残りの1本の
ビンに差し込まれ過負荷リレー(6)を内蔵した保護装
置である。(7)は運動圧縮機本体の駆動用の哄相誘導
電動機で、この電動機は単相電源(8)に主巻線(9)
と補助巻線(10)とを並列接続して構成される。正特
性サーミスタ素子(4)は補助巻線(10)に直列接続
され、また、過負荷リレー(6)は主巻線(9)と補助
巻a(10)との共通線に接続きれている。正特性サー
ミスタ装置(3)は絶縁材料(プリミ/クス)からなる
ケース(3a)と、このケース内に収納された円板状の
正特性サーミスタ素子(4)と、この素子の両端面(4
t)(4t)にコーティングされた電極(4a)(4b
)と、前記素子(4)の両端面側で各電極(4a)(4
b)に圧接し、該素子をケース(3a)内に支持する一
対のステンレス製のバネ接触子(11)、〈12)と、
これらバネ接触子に接続された外部接続端子(13)<
14)とから構成される。前記正特性サーミスタ素子(
4)はチタン酸バ」ラム(BaTiOs)に微量の半導
体化剤を添加して半導体化することにより形成されてお
り、また、素子(4)の両端面(4t)(at)の電極
(4a)< 4b)は無電解ニッケル膜上に銀ペースト
を焼付けることによりコーティングされている。
而して前記両端面(4t)(4t)は、その周縁部(1
5)(15)に、電極<4a)(4b)をコーティング
しない部分を設け且つ同志円上で複数の溝(16)(1
6)・・・を形成しである。周縁部(15)(15)で
は、溝(16)(16)・・・の凹凸による表面積の増
加分だけこの周縁部(15)(15)のマイグレーショ
ン阻止表面距離が延長されマイグレーション阻止機能が
アップするようになる。前記溝(16)(16)・・・
については、周縁部(15)(15)に単数しか設けな
いものも実施される。
前記正特性サーミスタ装置では、前記周縁部(15)(
15)に溝(16)(16)・・・が形成されるのでそ
の溝(16)(16)・・・による表面積の増加分だけ
前記周縁部く15)(15)のマイグレーション阻止表
面距離が延長きれマイグレーション阻止機能がアップす
るよになり、この機能アップ分だけ前記周縁部(15)
(15)の電極非コーテイング幅を縮小Vることで電極
(4a)(4b)のコーティング面積を拡張でき、この
拡張分だけバネ接触子(11)(12)との接触面積が
大きくなり、バネ接触子(11)(12)の接触不良が
防止されるようになる。
(ト〉 発明の効果 本発明は以上のように構成したから、正特性サーミスタ
素子の周縁部は電極が存在しないのでこの周縁部の寸法
分だけ両電極間のマイグレーション阻止寸法を大きくし
て、両電極間の短絡事故を防止でき、 また、前記周縁部に同志円上で溝が形成されるのでその
溝の凹凸による表面積の増加分だけ前記周縁部のマイグ
レーション阻止表面距離が延長きれマイグレーション阻
止機能がアップするようになり、この機能アップ分だけ
逆に前記周縁部の電極非コーテイング幅の縮小が可能と
なり、この電極非コーテイング幅の縮小分だけ電極コー
テイング面を拡張してバネ接触子との接触面積を大きく
でき、 従って、バネ接触子の接触不良等を招来することなしに
、簡単な構成だけで電極素材の銀のマイグレーションに
よる電極間の短絡事故を防とできる正特性サーミスタ装
置を提供し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す正特性サーミスタ装置
と保護装置の斜視図、第2図は分相始動型の単相誘導電
動機の電機回路図、第3図は本発明の一実施例の正特性
サーミスタ装置の横断面図、第4図は同実施例に備えた
正特性サーミスタ素子の正面図、第5図は同正特性サー
ミスタ素子の縦断面図である。 (3a)・・・ケース、(4)・・・正特性サーミスタ
素子、<4m><4b>−7ft極、<4t>−・・端
面、(11)(12)・・・バネ接触子、(15)・・
・周縁部、(16)・・・溝。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)絶縁素材で形成されたケースと、該ケースに収納さ
    れた円板状の正特性サーミスタ素子と、該正特性サーミ
    スタ素子の両端面にコーティングされた電極と、該電極
    にそれぞれ両側から圧接することで前記正特性サーミス
    タ素子を支持するバネ接触子と、を備えたものであって
    、 前記両端面の周縁部に、電極をコーティングしない部分
    を設け且つこの部分に同芯円上で溝を形成したことを特
    徴とする正特性サーミスタ装置。
JP23414388A 1988-09-19 1988-09-19 正特性サーミスタ装置 Pending JPH0282502A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23414388A JPH0282502A (ja) 1988-09-19 1988-09-19 正特性サーミスタ装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP23414388A JPH0282502A (ja) 1988-09-19 1988-09-19 正特性サーミスタ装置

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JPH0282502A true JPH0282502A (ja) 1990-03-23

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ID=16966318

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23414388A Pending JPH0282502A (ja) 1988-09-19 1988-09-19 正特性サーミスタ装置

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