JPH0282678A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH0282678A JPH0282678A JP23372588A JP23372588A JPH0282678A JP H0282678 A JPH0282678 A JP H0282678A JP 23372588 A JP23372588 A JP 23372588A JP 23372588 A JP23372588 A JP 23372588A JP H0282678 A JPH0282678 A JP H0282678A
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- Japan
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- gaas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体発光装置の製造方法に゛係り、特にしきい値電流
が低く、横モードが制御されたへβＧａ１ｎＰ系の可視
域の半導体発光装置の製造方法に関し、Ａｌを比較的多
く含有する層が露出せず、再成長可能な構造でしかもＳ
ＡＳレーザと同等の動作原理で動作可能な半導体発光装
置が得られる製造方法を提供することを目的とし、 活性層が形成された基板上にＡ１を含有する化合物半導
体よりなる一導電型の第１クラッド層と、該第１クラッ
ド層よりＡｌの含有量が少ないかもしくはＡ１を含有し
ない化合物半導体よりなるキャップ層、該キャップ層と
は異なる組成の化合物半導体よりなるエツチングストッ
プ層、該エツチングストップ層とは異なる組成であって
前記第１クラッド層よりＡｌの含有量が少ないかもしく
はＡＮを含有しない化合物半導体よりなり、且つ該キャ
ップ層より厚い反導波層を順に成長し、前記反導波層を
部分的にストライプ状にエツチング除去してエツチング
ストップ層を露出させ、前記エツチングストップ層を該
反導波層をマスクに用いてエツチング除去してキャップ
層を露出させてストライプ溝を形成し、 前記ストライプ溝内部及び該反導波層上にＡＩを含有す
る化合物半導体よりなる一導電型の第２クラッド層を形
成してなることを構成とする。
が低く、横モードが制御されたへβＧａ１ｎＰ系の可視
域の半導体発光装置の製造方法に関し、Ａｌを比較的多
く含有する層が露出せず、再成長可能な構造でしかもＳ
ＡＳレーザと同等の動作原理で動作可能な半導体発光装
置が得られる製造方法を提供することを目的とし、 活性層が形成された基板上にＡ１を含有する化合物半導
体よりなる一導電型の第１クラッド層と、該第１クラッ
ド層よりＡｌの含有量が少ないかもしくはＡ１を含有し
ない化合物半導体よりなるキャップ層、該キャップ層と
は異なる組成の化合物半導体よりなるエツチングストッ
プ層、該エツチングストップ層とは異なる組成であって
前記第１クラッド層よりＡｌの含有量が少ないかもしく
はＡＮを含有しない化合物半導体よりなり、且つ該キャ
ップ層より厚い反導波層を順に成長し、前記反導波層を
部分的にストライプ状にエツチング除去してエツチング
ストップ層を露出させ、前記エツチングストップ層を該
反導波層をマスクに用いてエツチング除去してキャップ
層を露出させてストライプ溝を形成し、 前記ストライプ溝内部及び該反導波層上にＡＩを含有す
る化合物半導体よりなる一導電型の第２クラッド層を形
成してなることを構成とする。
本発明は半導体発光装置の製造方法に係り、特にしきい
値電流が低く、横モーＩが制御されたＡ Ｉ２ Ｇａ１
ｎＰ系の可視域の半導体発光装置の製造方法に関する。
値電流が低く、横モーＩが制御されたＡ Ｉ２ Ｇａ１
ｎＰ系の可視域の半導体発光装置の製造方法に関する。
近年光デイスク用の光源として、従来の＾ｉ！ ＧａＡ
ｓ系の７００ｎｍ帯の発振波長の半導体レーザに代わっ
てより高記録密度化可能なへβＧａ１ｎＰ系の６００ｎ
ｍ帯の発振波長を有する半導体レーザが要望されている
。
ｓ系の７００ｎｍ帯の発振波長の半導体レーザに代わっ
てより高記録密度化可能なへβＧａ１ｎＰ系の６００ｎ
ｍ帯の発振波長を有する半導体レーザが要望されている
。
Ａ ｌｌ Ｇａ１ｎＰ系の半導体レーザの構造として；
ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザにおいて横モード制御
及び低しきい値電流が実現されたＳ Ａ Ｓ （Ｓｅｌ
ｆＡｌｉｇｎｅｄ−３ｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザ構造を
（Ｍ、Ｙａｎｏ ｅｔ ａｔ。
ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザにおいて横モード制御
及び低しきい値電流が実現されたＳ Ａ Ｓ （Ｓｅｌ
ｆＡｌｉｇｎｅｄ−３ｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザ構造を
（Ｍ、Ｙａｎｏ ｅｔ ａｔ。
ＩＩＥＥＥ ＪＱＥ ＱＥ−１５（’７９）１３８８−
１３９５）を適用すると、第３図に示すようにｎ”−Ｇ
ａＡｓ基板１ ％ ｎ” −ＧａＡｓバッファ層２、ｎ
−Ａ Ｉ Ｇａ１ｎＰクラッド層３、ＩｎＧａＰ活性
層４、ｎ −１ｎＧａＰ反導層５、ｐ−へｊ！Ｇａ１ｎ
Ｐクラッド層６及びｐ ”−ＧａＡｓ層７の構造となる
。このようなＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ構造は第４Ａ図ないし
第４Ｃ図で示す工程で製造される。
１３９５）を適用すると、第３図に示すようにｎ”−Ｇ
ａＡｓ基板１ ％ ｎ” −ＧａＡｓバッファ層２、ｎ
−Ａ Ｉ Ｇａ１ｎＰクラッド層３、ＩｎＧａＰ活性
層４、ｎ −１ｎＧａＰ反導層５、ｐ−へｊ！Ｇａ１ｎ
Ｐクラッド層６及びｐ ”−ＧａＡｓ層７の構造となる
。このようなＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ構造は第４Ａ図ないし
第４Ｃ図で示す工程で製造される。
すなわち第４Ａ図のようにｎ”−ＧａＡｓ基板１、ｎ”
−ＧａＡｓ バッファ層２、ｎ −Ａ ｊ！ Ｇａ１
ｎＰクランド層３、アンドープＩｎＧａＰ活性層４ ａ
、、ｐ−ＡｌＧａ１ｎＰクランドＮ６及びｎ−１ｎＧ
ａＰ反導波層を通常工程で製造した後、第４Ｂ図第４Ｃ
図で示すようにＡ ｊ！ Ｇａ１ｎＰの第２クラッド層
を成長する時にストライプ溝形状にｎ −ＩｎＧａＰ反
導波層が除去されるがその際該ストライプ溝底面にｌｌ
が多いｐＡβＧａ１ｎＰＡｌクラット層が露出する。
−ＧａＡｓ バッファ層２、ｎ −Ａ ｊ！ Ｇａ１
ｎＰクランド層３、アンドープＩｎＧａＰ活性層４ ａ
、、ｐ−ＡｌＧａ１ｎＰクランドＮ６及びｎ−１ｎＧ
ａＰ反導波層を通常工程で製造した後、第４Ｂ図第４Ｃ
図で示すようにＡ ｊ！ Ｇａ１ｎＰの第２クラッド層
を成長する時にストライプ溝形状にｎ −ＩｎＧａＰ反
導波層が除去されるがその際該ストライプ溝底面にｌｌ
が多いｐＡβＧａ１ｎＰＡｌクラット層が露出する。
上記の如く露出した第１クラッド層はＡＮが多いためそ
の表面が酸化されストライプ溝内部のクラッド層が良質
の結晶に成長できない。
の表面が酸化されストライプ溝内部のクラッド層が良質
の結晶に成長できない。
従って単に従来のＩｎＧａＡｓＰ系と同様のＳＡＳレー
ザ構造をＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ系に応用しても低しきい値
電流で横モード制御が不可能であった。
ザ構造をＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ系に応用しても低しきい値
電流で横モード制御が不可能であった。
本発明はＡＩ２を比較的多く含有する層が露出せず再成
長可能でしかもＳＡＳレーザと同等の動作原理で動作可
能な半導体発光装置が得られる製造方法を提供すること
を目的とする。
長可能でしかもＳＡＳレーザと同等の動作原理で動作可
能な半導体発光装置が得られる製造方法を提供すること
を目的とする。
上記課題は本発明によれば活性層が形成された基板上に
Ａｌを含有する化合物半導体よりなる一導電型の第１ク
ラッド層と、該第１クラッド層よりＡ１の含有量が少な
いかもしくはＡＩを含有しない化合物半導体よりなるキ
ャップ層、該キャップ層とは異なる組成の化合物半導体
よりなるエツチングストップ層、該エツチングストップ
層とは異なる組成であって前記第１クラッド層よりｌの
含有量が少ないかもしくは八！を含有しない化合物半導
体よりなり、且つ該キャップ層より厚い反導波層を順に
成長し、 前記反導波層を部分的にストライプ状にエツチング除去
してエツチングストップ層を露出させ、前記エツチング
ストップ層を該反導波層をマスクに用いてエツチング除
去してキャップ層を露出させてストライプ溝を形成し、 前記ストライプ溝内部及び該反導波層上に八ｌを含有す
る化合物半導体よりなる一導電型の第２クラッド層を形
成してなることを特徴とする半導体発光装置の製造方法
によって解決される。
Ａｌを含有する化合物半導体よりなる一導電型の第１ク
ラッド層と、該第１クラッド層よりＡ１の含有量が少な
いかもしくはＡＩを含有しない化合物半導体よりなるキ
ャップ層、該キャップ層とは異なる組成の化合物半導体
よりなるエツチングストップ層、該エツチングストップ
層とは異なる組成であって前記第１クラッド層よりｌの
含有量が少ないかもしくは八！を含有しない化合物半導
体よりなり、且つ該キャップ層より厚い反導波層を順に
成長し、 前記反導波層を部分的にストライプ状にエツチング除去
してエツチングストップ層を露出させ、前記エツチング
ストップ層を該反導波層をマスクに用いてエツチング除
去してキャップ層を露出させてストライプ溝を形成し、 前記ストライプ溝内部及び該反導波層上に八ｌを含有す
る化合物半導体よりなる一導電型の第２クラッド層を形
成してなることを特徴とする半導体発光装置の製造方法
によって解決される。
本発明では、例えばＡｌの含有の少ないｌｌ Ｉ Ｇａ
１ｎＰ、ＩｎＧａＰ等よりなるキャップ層により、Ａ／
の含有の多いＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ等よりなる第１クラッ
ド層が露出するのを防止するため良質の第２のへ４！Ｇ
ａ１ｎＰ等よりなる第２クラブト層が成長できる。ここ
で、本発明ではキャップ層を薄く形成できるようにキヤ
・７ブ層及び反導波層とは異なる組成のエツチングスト
・ツブ層をキャップ層と反導波層間に設けてエツチング
しており、キャップ層の厚さが例えば、数１００人とい
う非常に薄い厚さに形成でき、反導波層が活性層から大
きく離れないのでＳＡＳレーザと同等の動作原理で動作
することができる。
１ｎＰ、ＩｎＧａＰ等よりなるキャップ層により、Ａ／
の含有の多いＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ等よりなる第１クラッ
ド層が露出するのを防止するため良質の第２のへ４！Ｇ
ａ１ｎＰ等よりなる第２クラブト層が成長できる。ここ
で、本発明ではキャップ層を薄く形成できるようにキヤ
・７ブ層及び反導波層とは異なる組成のエツチングスト
・ツブ層をキャップ層と反導波層間に設けてエツチング
しており、キャップ層の厚さが例えば、数１００人とい
う非常に薄い厚さに形成でき、反導波層が活性層から大
きく離れないのでＳＡＳレーザと同等の動作原理で動作
することができる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例により得られる半導体レーザ
を説明するための模式断面図である。
を説明するための模式断面図である。
第１図に示すように本発明に係る半導体レーザはｎ”−
ＧａＡｓ基板１１、ｎ ’−ＧａＡｓバッファ層１２、
ｎｏ−へｊ２ＧａｌｎＰクラッド層１３、アンド−プＩ
ｎ （ｈ ａ Ｐ層１４、ｐ−へＪＧａｌｎＰ第１ク
ラット層１５、ｐ−１ｎＧａＰキ＋７プ層１６ 、Ｇａ
Ａｓエツチング２８７１層１７、ｎ−ＩｎＧａＰ反導波
層１８、ｐ＾ｊｌ！ Ｇａ１ｎＰ第１ｎＰッド層１９及
びｐ”−ＧａＡｓ層２２からなる。すなわち特に本実施
例ではｐ＾１ＧａｌｎＰ第１ＧａｌｎＰ１５とｎ Ｉ
ｎＧａＰ反導波層との間に例えば０．０１〜０．０３μ
ｍ程度の非常に薄い厚さのＩｎＧａＰギ＋７プキャップ
層び０．０４〜０．０６ｐ程度の厚さのＧａＡｓエツチ
ング２８７１層１７を新たに設け／ｌが比較的多く含有
されたｐＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ第１クラ、ド層が再成長工
程で表面に露出しない状態で製造されるのでＳＡＳレー
ザと同様の動作原理で動作する半導体レーザを得る。
ＧａＡｓ基板１１、ｎ ’−ＧａＡｓバッファ層１２、
ｎｏ−へｊ２ＧａｌｎＰクラッド層１３、アンド−プＩ
ｎ （ｈ ａ Ｐ層１４、ｐ−へＪＧａｌｎＰ第１ク
ラット層１５、ｐ−１ｎＧａＰキ＋７プ層１６ 、Ｇａ
Ａｓエツチング２８７１層１７、ｎ−ＩｎＧａＰ反導波
層１８、ｐ＾ｊｌ！ Ｇａ１ｎＰ第１ｎＰッド層１９及
びｐ”−ＧａＡｓ層２２からなる。すなわち特に本実施
例ではｐ＾１ＧａｌｎＰ第１ＧａｌｎＰ１５とｎ Ｉ
ｎＧａＰ反導波層との間に例えば０．０１〜０．０３μ
ｍ程度の非常に薄い厚さのＩｎＧａＰギ＋７プキャップ
層び０．０４〜０．０６ｐ程度の厚さのＧａＡｓエツチ
ング２８７１層１７を新たに設け／ｌが比較的多く含有
されたｐＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ第１クラ、ド層が再成長工
程で表面に露出しない状態で製造されるのでＳＡＳレー
ザと同様の動作原理で動作する半導体レーザを得る。
第２Ａ図ないし第２Ｄ図は本発明の一実施例の製造方法
を説明するための工程断面図である。
を説明するための工程断面図である。
第２Ａ図に示すようにｎ”−（１００）ＧａＡｓ基板Ｉ
ｌ上り有機金属ＣＶＤ法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて順次
Ｓｅ ドープ（ドープＩ Ｉ Ｘ ＩＱ１８ｃｍ−’）
のｎ”−ＧａＡｓパ７ファ層（厚さ０．５ ａｍ） 、
Ｓｅ ドープ（ドープＩｔ Ｉ Ｘ １０１Ｂｃ１０
１Ｂ のｎ＋−八ｌ ｏ、 ｚ、Ｇａｏ、 ｚｓｌｎ
ｏ、 ｓＰクラッド層（厚さ１卿）、アンドープのＩｎ
ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＰ層（厚さ０．１ｕｎ）、Ｚｎ
ドープ（ドープ！７Ｘ１０Ｉ？ｃｍ −’ ）のｐ
−１ｎｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＰキャップ層（厚さ０．０
２μｍ）、Ｚｎ トープ（トープｆｆｉ ７ Ｘ １
０”ｃｍ−３）のｐ −ＧａＡｓエッチングス［・ツブ
層（厚さ０．０５μｍ） 、Ｓｅ Ｆ −プ（トープ
Ｎ ７ Ｘ １０”Ｃｌｎ−’）のｎ −１ｎ６．５Ｇ
ａｏ、 ｓＰ反導波層（厚さ０．８μｌ１１）を成長温
度７００℃で形成する。
ｌ上り有機金属ＣＶＤ法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて順次
Ｓｅ ドープ（ドープＩ Ｉ Ｘ ＩＱ１８ｃｍ−’）
のｎ”−ＧａＡｓパ７ファ層（厚さ０．５ ａｍ） 、
Ｓｅ ドープ（ドープＩｔ Ｉ Ｘ １０１Ｂｃ１０
１Ｂ のｎ＋−八ｌ ｏ、 ｚ、Ｇａｏ、 ｚｓｌｎ
ｏ、 ｓＰクラッド層（厚さ１卿）、アンドープのＩｎ
ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＰ層（厚さ０．１ｕｎ）、Ｚｎ
ドープ（ドープ！７Ｘ１０Ｉ？ｃｍ −’ ）のｐ
−１ｎｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＰキャップ層（厚さ０．０
２μｍ）、Ｚｎ トープ（トープｆｆｉ ７ Ｘ １
０”ｃｍ−３）のｐ −ＧａＡｓエッチングス［・ツブ
層（厚さ０．０５μｍ） 、Ｓｅ Ｆ −プ（トープ
Ｎ ７ Ｘ １０”Ｃｌｎ−’）のｎ −１ｎ６．５Ｇ
ａｏ、 ｓＰ反導波層（厚さ０．８μｌ１１）を成長温
度７００℃で形成する。
次に第２Ｂ図に示ｔようにｎ −１ｎｏ、 ５Ｇａｏ、
ｓＰ反導波層上に約２０００ Ａの厚さのＳｉ３Ｎ、
膜１９を形成し、＜０１１＞方向に８ｕｎ巾の開口部を
通常のフォトリソグラフィ技術で形成し、次に該５ｉＪ
ｓ膜をマスクとして塩酸を用いた化学エツチングにより
ｌｎｏ、 ５Ｇａｏ、 、ｐ反導波層１８にストライプ
溝２０を形成する。このエツチングにより溝底面にＧａ
Ａｓエツチング２８７１層１７が露出する。
ｓＰ反導波層上に約２０００ Ａの厚さのＳｉ３Ｎ、
膜１９を形成し、＜０１１＞方向に８ｕｎ巾の開口部を
通常のフォトリソグラフィ技術で形成し、次に該５ｉＪ
ｓ膜をマスクとして塩酸を用いた化学エツチングにより
ｌｎｏ、 ５Ｇａｏ、 、ｐ反導波層１８にストライプ
溝２０を形成する。このエツチングにより溝底面にＧａ
Ａｓエツチング２８７１層１７が露出する。
次に第２Ｃ図に示すように硫酸と過酸化水素水と水の混
合液を用いた化学エツチングにより溝底部のＧａＡｓエ
ツチング２８７１層１７を除去する。
合液を用いた化学エツチングにより溝底部のＧａＡｓエ
ツチング２８７１層１７を除去する。
次に第１図に示すように５ｔ３Ｎａ膜マスクを弗酸によ
り除去した後、再度ＭＯＣＶＤ法によって順次Ｚｎ
ドープ（ドープ量Ｉ Ｘｌ０１ＢｃＩＩ＋−’） のｐ
−八ｊ’０．２ｓＧａ０． ｚｓｌｎｏ、 ５Ｐ第２グ
ランド層２１ （厚さｌｌｎ＠）及びＺｎ ドープ（
ドープ量４ ｘｌＱＩｌｌｃｆｌＩ−３）のｐ。
り除去した後、再度ＭＯＣＶＤ法によって順次Ｚｎ
ドープ（ドープ量Ｉ Ｘｌ０１ＢｃＩＩ＋−’） のｐ
−八ｊ’０．２ｓＧａ０． ｚｓｌｎｏ、 ５Ｐ第２グ
ランド層２１ （厚さｌｌｎ＠）及びＺｎ ドープ（
ドープ量４ ｘｌＱＩｌｌｃｆｌＩ−３）のｐ。
ＧａＡｓ層２２（厚さ１声）を７００℃の成長温度で形
成する。
成する。
次に、図示はしないがｐ側電極ＡｕＺｎ／Ａｕ、及びｎ
側電極ＡｕＧｅ／Ａｕを形成して共振器厚さ３００卿で
レーザ素子を形成すると、しきい値電流５０ｍＡ、効率
Ｑ、２ｍＷ／ｍＡであり、ＣＷ出力２０ｍＷで基本横モ
ード発振の特性が得られた。
側電極ＡｕＧｅ／Ａｕを形成して共振器厚さ３００卿で
レーザ素子を形成すると、しきい値電流５０ｍＡ、効率
Ｑ、２ｍＷ／ｍＡであり、ＣＷ出力２０ｍＷで基本横モ
ード発振の特性が得られた。
以上説明したように本発明によればＡ／を比較的多く含
有するＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ第１ｎＰッド層を露出させな
いで再成長し得るので低しきい値電流で横モード制御さ
れた半導体発光装置を得ることができる。
有するＡ Ｉ Ｇａ１ｎＰ第１ｎＰッド層を露出させな
いで再成長し得るので低しきい値電流で横モード制御さ
れた半導体発光装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例により得られる半導体レーザ
を説明するための模式断面図であり、第２Ａ図ないし第
２Ｃ図は本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程断面図であり、第３図は従来の半導体レーザを示す
断面図であり、 第４Ａ図ないし第４Ｃ図は従来例の製造方法を説明する
ための工程断面図である。 １ 、１１ ・＝ｎ”−ＧａＡｓ基板、２ 、１２・”
ｎ” −ＧａＡｓ バッファ層、３ 、１３ ＝−ｎ−
Ａｊ２ＧａｌｎＰクラッド層、４ 、 ｌ ４ ・・・
ＩｎＧａＰ活性層、５ 、１５ ・” ｐ−Ａｊ！Ｇａ
１ｎＰクラッド層、６ 、１８ ・＝ ｎ−１ｎＧａＰ
反導波層、７ 、２２−ｐ”−ＧａＡｓ層、 ８．２０・・・ストライプ溝、 １６ ＝−ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層、１７・・・Ｇａ
Ａｓエツチングストップ層、２１− ｐ −Ａ ｊ２
Ｇａ１ｎＰ第１ｎＰッド層。 第 回 第２Ａ回 第２Ｂ団 第２Ｃ回 ２・・・Ｐ’−ＧａＡｓ層 １６・・・ｐ ｎＧａＰキャップ磨 第 図 第 ４Ｂ図 第４Ａ図 第４Ｃ図
を説明するための模式断面図であり、第２Ａ図ないし第
２Ｃ図は本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程断面図であり、第３図は従来の半導体レーザを示す
断面図であり、 第４Ａ図ないし第４Ｃ図は従来例の製造方法を説明する
ための工程断面図である。 １ 、１１ ・＝ｎ”−ＧａＡｓ基板、２ 、１２・”
ｎ” −ＧａＡｓ バッファ層、３ 、１３ ＝−ｎ−
Ａｊ２ＧａｌｎＰクラッド層、４ 、 ｌ ４ ・・・
ＩｎＧａＰ活性層、５ 、１５ ・” ｐ−Ａｊ！Ｇａ
１ｎＰクラッド層、６ 、１８ ・＝ ｎ−１ｎＧａＰ
反導波層、７ 、２２−ｐ”−ＧａＡｓ層、 ８．２０・・・ストライプ溝、 １６ ＝−ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層、１７・・・Ｇａ
Ａｓエツチングストップ層、２１− ｐ −Ａ ｊ２
Ｇａ１ｎＰ第１ｎＰッド層。 第 回 第２Ａ回 第２Ｂ団 第２Ｃ回 ２・・・Ｐ’−ＧａＡｓ層 １６・・・ｐ ｎＧａＰキャップ磨 第 図 第 ４Ｂ図 第４Ａ図 第４Ｃ図
Claims (1)
- １、活性層が形成された基板上にＡｌを含有する化合物
半導体よりなる一導電型の第１クラッド層と、該第１ク
ラッド層よりＡｌの含有量が少ないかもしくはＡｌを含
有しない化合物半導体よりなるキャップ層、該キャップ
層とは異なる組成の化合物半導体よりなるエッチングス
トップ層、該エッチングストップ層とは異なる組成であ
って前記第１クラッド層よりＡｌの含有量が少ないかも
しくはＡｌを含有しない化合物半導体よりなり、且つ該
キャップ層より厚い反導波層を順に成長し、前記反導波
層を部分的にストライプ状にエッチング除去してエッチ
ングストップ層を露出させ、前記エッチングストップ層
を該反導波層をマスクに用いてエッチング除去してキャ
ップ層を露出させてストライプ溝を形成し、前記ストラ
イプ溝内部及び該反導波層上にＡｌを含有する化合物半
導体よりなる一導電型の第２クラッド層を形成してなる
ことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23372588A JPH0282678A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23372588A JPH0282678A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282678A true JPH0282678A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16959591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23372588A Pending JPH0282678A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282678A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210767A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US6690701B2 (en) * | 1999-12-10 | 2004-02-10 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2018518052A (ja) * | 2015-06-17 | 2018-07-05 | ツー−シックス レーザー エンタープライズ ゲーエムベーハー | 高次横モード抑制のためのアンチガイド領域を具える広域レーザ |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23372588A patent/JPH0282678A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210767A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US6690701B2 (en) * | 1999-12-10 | 2004-02-10 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2018518052A (ja) * | 2015-06-17 | 2018-07-05 | ツー−シックス レーザー エンタープライズ ゲーエムベーハー | 高次横モード抑制のためのアンチガイド領域を具える広域レーザ |
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