JPS61265888A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS61265888A JPS61265888A JP10863585A JP10863585A JPS61265888A JP S61265888 A JPS61265888 A JP S61265888A JP 10863585 A JP10863585 A JP 10863585A JP 10863585 A JP10863585 A JP 10863585A JP S61265888 A JPS61265888 A JP S61265888A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0203—Etching
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は端面へのコーティング作業が簡単な半導体レー
ザの製造方法に関するものである。
ザの製造方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
半導体レーザはその端面にコーティングを施すことによ
り、種々の特性を改善することができん例えば、短波長
帯で発振するＡｊＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体レーザ
では、レーザ出力を増すと、端面においてｈｐの酸化等
による端面損傷（以下ＣＯＤと称する）が生じるが、こ
のＣＯＤは端面に誘電体膜等をコーティングすることに
よって防ぐことができる。従ってこの材料系の半導体レ
ーザでは端面にコーティングを施すことは常識となって
いる口また、半導体レーザの前端面に無反射コーティン
グ（以下人Ｒコーティングと称する）、後端面に反射コ
ーティング（以下Ｒコーティングと称する）を施せば、
端面反射率が非対称性となり、端面反射率の低いＡＲコ
コ−ィング端面から高出力のレーザ光が得られる（第９
回インターナシ■ナル・セミコンダクタ・レーザ・コン
ファレンス、番号Ｃ１の講演）。その他、半導体レーザ
の戻り光に対する雑音特性を改善するため、出射端面側
にＲコーティングを施す方法（１９８４年春季第３１回
応用物理学関係連合講演会予稿集、番号２９ａ−Ｍ−９
）や、あるいＦｉＡ１’Ｌコーティングを施すことによ
って超多モード発振させる方法（同上、番号２９ｐ−Ｍ
−７）′！にどが実際に試みられている。
り、種々の特性を改善することができん例えば、短波長
帯で発振するＡｊＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体レーザ
では、レーザ出力を増すと、端面においてｈｐの酸化等
による端面損傷（以下ＣＯＤと称する）が生じるが、こ
のＣＯＤは端面に誘電体膜等をコーティングすることに
よって防ぐことができる。従ってこの材料系の半導体レ
ーザでは端面にコーティングを施すことは常識となって
いる口また、半導体レーザの前端面に無反射コーティン
グ（以下人Ｒコーティングと称する）、後端面に反射コ
ーティング（以下Ｒコーティングと称する）を施せば、
端面反射率が非対称性となり、端面反射率の低いＡＲコ
コ−ィング端面から高出力のレーザ光が得られる（第９
回インターナシ■ナル・セミコンダクタ・レーザ・コン
ファレンス、番号Ｃ１の講演）。その他、半導体レーザ
の戻り光に対する雑音特性を改善するため、出射端面側
にＲコーティングを施す方法（１９８４年春季第３１回
応用物理学関係連合講演会予稿集、番号２９ａ−Ｍ−９
）や、あるいＦｉＡ１’Ｌコーティングを施すことによ
って超多モード発振させる方法（同上、番号２９ｐ−Ｍ
−７）′！にどが実際に試みられている。
ところで、従来半導体レーザの端面にこのようなコーテ
ィングを施す場合、既忙電極まで形成した半導体レーザ
用りエハ全幅３００μｍ程度のパー状に！？開し、この
臂開面に誘電体膜をコーティングする方法をとっていた
。この際コーテイング膜が電極側圧回り込まないように
注意する必要があり、を几極めて細いパーの１本１本を
手作業で取り扱わ危ければならず、更に１本のパーは半
導体レーザ数１０個分にしか々ら々いため、この工程は
多くの工数１ｆｔｌ！ Ｌ、大量生産向きではなかつ九
〇 （発明の目的） 本発明の目的は、これら問題点を解決すべく、端面への
コーティングが非常に簡単な製造方法を提供することに
ある。
ィングを施す場合、既忙電極まで形成した半導体レーザ
用りエハ全幅３００μｍ程度のパー状に！？開し、この
臂開面に誘電体膜をコーティングする方法をとっていた
。この際コーテイング膜が電極側圧回り込まないように
注意する必要があり、を几極めて細いパーの１本１本を
手作業で取り扱わ危ければならず、更に１本のパーは半
導体レーザ数１０個分にしか々ら々いため、この工程は
多くの工数１ｆｔｌ！ Ｌ、大量生産向きではなかつ九
〇 （発明の目的） 本発明の目的は、これら問題点を解決すべく、端面への
コーティングが非常に簡単な製造方法を提供することに
ある。
（発明の構成）
本発明によるその製造方法は、少くとも活性層を含む多
層構造を形成する工程と、前記活性層よシも深く且つ前
記活性層に対して垂直々側面を持つ複数の溝を形成する
工程と、少くとも前記溝の側面を覆うように誘電体膜を
形成する工程と、前記多層構造半導体フェノ・を前記溝
部分で切断する工程とを少くとも備えたことを特徴とし
ている。
層構造を形成する工程と、前記活性層よシも深く且つ前
記活性層に対して垂直々側面を持つ複数の溝を形成する
工程と、少くとも前記溝の側面を覆うように誘電体膜を
形成する工程と、前記多層構造半導体フェノ・を前記溝
部分で切断する工程とを少くとも備えたことを特徴とし
ている。
（発明の原理）
近年リアクティブ・イオンエツチング法（以下ＲＩＦｉ
法と称する）を用いて半導体レーザの端面を形成する方
法が盛んに試みられている。１９８３年３月発行のエレ
クトロ・レターズ誌、第１９巻、６号、ページ２１３〜
２１５にその一例が示されている。ＲＩＥ法では半導体
ウェハを垂直にエツチングすることができるため、その
エツチング面は従来の半導体レーザの臂開面に代わる反
射鏡として使用できる。実際、上記論文では、ＲＩＢ法
によって形成した端面を有する半導体レーザで、両端に
臂開面を有する素子と同程度の発振特性を得たと述べて
いる。このＲＩＩＩ法を用いれば、半導体ウェハの状態
でレーザの端面を形成でき、ま九そうして得られた半導
体フェノ・に誘電体膜全形成すれば、一度に数１００個
分の半導体レーザの端面にコーティングを施すことがで
きる。更に半導体ウェハは従来のパーよりも取り扱いが
楽である。このように、この発明ではエツチングで複数
の溝を形成しておき、少々くともこの溝の側壁を覆うよ
うに誘電体膜を形成するので一度に多数のレーザノ端面
をコーティングすることが可能となる。この結果生産性
が向上する。
法と称する）を用いて半導体レーザの端面を形成する方
法が盛んに試みられている。１９８３年３月発行のエレ
クトロ・レターズ誌、第１９巻、６号、ページ２１３〜
２１５にその一例が示されている。ＲＩＥ法では半導体
ウェハを垂直にエツチングすることができるため、その
エツチング面は従来の半導体レーザの臂開面に代わる反
射鏡として使用できる。実際、上記論文では、ＲＩＢ法
によって形成した端面を有する半導体レーザで、両端に
臂開面を有する素子と同程度の発振特性を得たと述べて
いる。このＲＩＩＩ法を用いれば、半導体ウェハの状態
でレーザの端面を形成でき、ま九そうして得られた半導
体フェノ・に誘電体膜全形成すれば、一度に数１００個
分の半導体レーザの端面にコーティングを施すことがで
きる。更に半導体ウェハは従来のパーよりも取り扱いが
楽である。このように、この発明ではエツチングで複数
の溝を形成しておき、少々くともこの溝の側壁を覆うよ
うに誘電体膜を形成するので一度に多数のレーザノ端面
をコーティングすることが可能となる。この結果生産性
が向上する。
（実施例１）
以下に本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図（ｄ１図は本発明の第１の実施例である半導体レ
ーザの断面図であり、第１図（ａ）〜（ｃ）はその製造
方法を説明する図である。まず（、ＩＩ）ではｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１の上に厚さ３μ廊のｎ−ＡＡ！０．３ＧａＯ
，７Ａｓバッファ層２、厚さ０．１μ専のノンドープＡ
７６、ｌＧａ０．ｇＡｓ活性層３、厚さ２μ罵のｐ−Ａ
Ｊｏ、３Ｇａ（１，７Ａｓクラッド層４、厚さ１μ専の
ｐ−ＧａＡｓキャップ層５を項にエピタキシャル成長し
た後、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５の上にＣｒ／Ａｕから
力るｐ側電極６、ｎ−ＧａＡｓ基板１の下Ｋ ＡｕＧｅ
Ｎｉからなるｎ側電極７を形成する。（ｂ）では半導体
ウェハに活性層３より深く且つ活性層３に対して側面が
垂直４幅２０μｍの溝８を３００μｍの間隔でＲＩＢ法
を用いて形成した後、全面に厚さ約ｚｓｏｏｉのＳ＋０
２膜９を形成する。（Ｃ）では溝８以外の平担部１０に
おいてｓｉｏ、膜９を除去し、電極６を露出させる。こ
うして得られｔ半導体ウェハを溝部分８で切断すること
により、（ｄ）で示した所望の構造の半導体レーザが得
られ九〇この半導体レーザＦｉ２つの端面１１，１２が
８ＩＯ１膜９で覆われているため、１００ｍＷ以上の高
出力動作時に訃いてもＡＪＧａＡｓ７句ａＡｓ系半導体
レーザ特有のＣＯＤは発生しなかつ念。更に、この半導
体レーザは８１０．膜１１．１２の厚さを発振波長０．
８１ μｍの１／２ｎ６倍（ｎ６は８ｉ０．膜の屈折率
で約１．４５）としであるため、２つの端面１１，１２
の反射率はコーティングを施さない場合とほぼ同じであ
り、コーティングを施したことによる発振閾値電流、外
部微分量子効率等の変化はなかつｔｏ（実施例２） 第２図（ｄ）は本発明の第２の実施例である半導体レー
ザの断面図であり、第２図（、）〜（ｅ）はその製造工
程を説明する。図である。（、）でＦｉｎ−ＩｎＰ基板
２１の上に、厚さ３声のバッファ層２２、厚さ０．１μ
ｍ、波長組成１．３μ馬のノンドープＩｎＧａＡｓＰ活
性層２３、厚さ２μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層２４、厚
さ１μ専のｐ”−Ｉｎ（ｈＡｓＰ キャップ層２５を
順にエピタキシャル成長しｔ後、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層２５の上）？： Ｃｒ／Ａｕからなるｐ側
電極６、ｎ−ＩｎＰ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからなる
ｎ側電極７を形成する。（ｂ）ではこの半導体ウェハに
活性層２３よりも深く側面が垂直彦幅２０μ簿の溝８を
３００μｍの間隔でＲＩＦｔ法により形成し几後、全面
に厚さ１２００人のＳｉＮ膜２膜上６成する。更に厚さ
９３０大＋１Ｄ８ｉ膜及び厚す２２００ Ｘｏｓｔｏ、
膜が交互に繰り返す４層構造誘電体膜２７をウエノ・の
斜め上方からスパッタ法により堆積させる。この時４層
構造誘電体膜２７Ｆｉ溝８の一方の側面及び平担部１０
にのみ形成される。（ｃ）では平担部１００４層構造誘
電体膜２７及び８ｉＮ膜２６を除去し、ｐ側電極６を露
出させる。こうして得られた多層半導体ウェハを溝部分
８で切断することによシ、（ｄ）に示した所望の半導体
レーザが得られた。この半導体レーザＫｔ？込ては、Ｓ
ＩＮ膜２６の厚さが発振波長１．３μｍの１／６ｎＮ倍
（ｎＨｔｌ；ｔ Ｓ ｉＮの屈折率で約１．８５）とし
である九め、ＳＩＮ膜２６のみが形成された端面１１側
の反射率は約１０％と低く、また、４層構造誘電体膜２
７においては、Ｓｉ膜及び８ｉ０１膜の厚さをそれぞれ
発振波長の１／４ｎｓ（ｎｓは８ｉの屈折率で約３．５
）倍、１／４ｎ０倍としであるため、４層構造誘電体膜
２７が形成され几端面の反射率は約８０チと高くなつて
いる。従って、端面反射率の非対称性によシ、低反射率
端面１１側から１００ｍＷ以上の高出力を得ることがで
き九〇（実施例３） 以上の実施例では、半導体ウェハＫｐ側電極６を形成し
た後に溝８及び誘電体膜９，２６．２７を形成する方法
を示したが、第３の実施例ではｐ側電極６を後付けで形
成する方法について説明する。
ーザの断面図であり、第１図（ａ）〜（ｃ）はその製造
方法を説明する図である。まず（、ＩＩ）ではｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１の上に厚さ３μ廊のｎ−ＡＡ！０．３ＧａＯ
，７Ａｓバッファ層２、厚さ０．１μ専のノンドープＡ
７６、ｌＧａ０．ｇＡｓ活性層３、厚さ２μ罵のｐ−Ａ
Ｊｏ、３Ｇａ（１，７Ａｓクラッド層４、厚さ１μ専の
ｐ−ＧａＡｓキャップ層５を項にエピタキシャル成長し
た後、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５の上にＣｒ／Ａｕから
力るｐ側電極６、ｎ−ＧａＡｓ基板１の下Ｋ ＡｕＧｅ
Ｎｉからなるｎ側電極７を形成する。（ｂ）では半導体
ウェハに活性層３より深く且つ活性層３に対して側面が
垂直４幅２０μｍの溝８を３００μｍの間隔でＲＩＢ法
を用いて形成した後、全面に厚さ約ｚｓｏｏｉのＳ＋０
２膜９を形成する。（Ｃ）では溝８以外の平担部１０に
おいてｓｉｏ、膜９を除去し、電極６を露出させる。こ
うして得られｔ半導体ウェハを溝部分８で切断すること
により、（ｄ）で示した所望の構造の半導体レーザが得
られ九〇この半導体レーザＦｉ２つの端面１１，１２が
８ＩＯ１膜９で覆われているため、１００ｍＷ以上の高
出力動作時に訃いてもＡＪＧａＡｓ７句ａＡｓ系半導体
レーザ特有のＣＯＤは発生しなかつ念。更に、この半導
体レーザは８１０．膜１１．１２の厚さを発振波長０．
８１ μｍの１／２ｎ６倍（ｎ６は８ｉ０．膜の屈折率
で約１．４５）としであるため、２つの端面１１，１２
の反射率はコーティングを施さない場合とほぼ同じであ
り、コーティングを施したことによる発振閾値電流、外
部微分量子効率等の変化はなかつｔｏ（実施例２） 第２図（ｄ）は本発明の第２の実施例である半導体レー
ザの断面図であり、第２図（、）〜（ｅ）はその製造工
程を説明する。図である。（、）でＦｉｎ−ＩｎＰ基板
２１の上に、厚さ３声のバッファ層２２、厚さ０．１μ
ｍ、波長組成１．３μ馬のノンドープＩｎＧａＡｓＰ活
性層２３、厚さ２μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層２４、厚
さ１μ専のｐ”−Ｉｎ（ｈＡｓＰ キャップ層２５を
順にエピタキシャル成長しｔ後、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層２５の上）？： Ｃｒ／Ａｕからなるｐ側
電極６、ｎ−ＩｎＰ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからなる
ｎ側電極７を形成する。（ｂ）ではこの半導体ウェハに
活性層２３よりも深く側面が垂直彦幅２０μ簿の溝８を
３００μｍの間隔でＲＩＦｔ法により形成し几後、全面
に厚さ１２００人のＳｉＮ膜２膜上６成する。更に厚さ
９３０大＋１Ｄ８ｉ膜及び厚す２２００ Ｘｏｓｔｏ、
膜が交互に繰り返す４層構造誘電体膜２７をウエノ・の
斜め上方からスパッタ法により堆積させる。この時４層
構造誘電体膜２７Ｆｉ溝８の一方の側面及び平担部１０
にのみ形成される。（ｃ）では平担部１００４層構造誘
電体膜２７及び８ｉＮ膜２６を除去し、ｐ側電極６を露
出させる。こうして得られた多層半導体ウェハを溝部分
８で切断することによシ、（ｄ）に示した所望の半導体
レーザが得られた。この半導体レーザＫｔ？込ては、Ｓ
ＩＮ膜２６の厚さが発振波長１．３μｍの１／６ｎＮ倍
（ｎＨｔｌ；ｔ Ｓ ｉＮの屈折率で約１．８５）とし
である九め、ＳＩＮ膜２６のみが形成された端面１１側
の反射率は約１０％と低く、また、４層構造誘電体膜２
７においては、Ｓｉ膜及び８ｉ０１膜の厚さをそれぞれ
発振波長の１／４ｎｓ（ｎｓは８ｉの屈折率で約３．５
）倍、１／４ｎ０倍としであるため、４層構造誘電体膜
２７が形成され几端面の反射率は約８０チと高くなつて
いる。従って、端面反射率の非対称性によシ、低反射率
端面１１側から１００ｍＷ以上の高出力を得ることがで
き九〇（実施例３） 以上の実施例では、半導体ウェハＫｐ側電極６を形成し
た後に溝８及び誘電体膜９，２６．２７を形成する方法
を示したが、第３の実施例ではｐ側電極６を後付けで形
成する方法について説明する。
第３図（ｄ）は本発明の第３の実施例である半導体レー
ザの断面図であり、第３図（ａ）〜（。）はその製造工
程を示す図である。半導体レーザは第１の実施例と同じ
ＡｌＧａＡｓ／缶Ａｓ系のものである。（３）では□−
ＧａＡｓ基板１の上にｎ−ＡｊＯ，３０ｉｏ、７Ａａバ
、７ア層２、ノンドープＡ４．ｌＧａ０．ｇＡｓ活性層
３、ｐ−人！。、３ＧＩＯ，７ＡＩクラッド層’ 、Ｐ
−ＧａＡｓキャップ層Ｓｆｅ順忙エピタキシャル成長す
る。各層の厚さは第１の実施例と同じである。（ｂ）で
は半導体ウェハに活性層３より深く、活性層３に対して
側面が垂直な幅２０μｍの溝８を３００μｍの間隔で形
成する。更に全面に厚さ２８００Ａの８ｉ０．膜９を形
成しｔ後、平担部１０の８ｉ０ｚ膜９に窓を開ける。（
ｃ）では、平担部１０にのみＣｒ／Ａｕから々るｐ側電
極６を形成する。このｐ側電極６の形成方法は、まず全
面にｐ側電極６を形成し几後、溝部分８においてそれを
除去するか、あるいは、溝部分８にレジストを埋め、そ
の後全面にｐ側電極６を形成し、す７トオフ法により溝
部分８のｐ側電極６を除去すればよい。更にｎ−ＧａＡ
ｓ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからなるｎ側電極７を形成
する。こうして得られた半導体ウェハを溝部分８で切断
することにより、（ｄ）で示し几所望の半導体レーザが
得られ几。この半導体レーザも・第１の実施例で示した
素子と同様に１００ｍＷ以上の高出力動作時においても
ＣＯＤ等の発生は見られなかった。
ザの断面図であり、第３図（ａ）〜（。）はその製造工
程を示す図である。半導体レーザは第１の実施例と同じ
ＡｌＧａＡｓ／缶Ａｓ系のものである。（３）では□−
ＧａＡｓ基板１の上にｎ−ＡｊＯ，３０ｉｏ、７Ａａバ
、７ア層２、ノンドープＡ４．ｌＧａ０．ｇＡｓ活性層
３、ｐ−人！。、３ＧＩＯ，７ＡＩクラッド層’ 、Ｐ
−ＧａＡｓキャップ層Ｓｆｅ順忙エピタキシャル成長す
る。各層の厚さは第１の実施例と同じである。（ｂ）で
は半導体ウェハに活性層３より深く、活性層３に対して
側面が垂直な幅２０μｍの溝８を３００μｍの間隔で形
成する。更に全面に厚さ２８００Ａの８ｉ０．膜９を形
成しｔ後、平担部１０の８ｉ０ｚ膜９に窓を開ける。（
ｃ）では、平担部１０にのみＣｒ／Ａｕから々るｐ側電
極６を形成する。このｐ側電極６の形成方法は、まず全
面にｐ側電極６を形成し几後、溝部分８においてそれを
除去するか、あるいは、溝部分８にレジストを埋め、そ
の後全面にｐ側電極６を形成し、す７トオフ法により溝
部分８のｐ側電極６を除去すればよい。更にｎ−ＧａＡ
ｓ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからなるｎ側電極７を形成
する。こうして得られた半導体ウェハを溝部分８で切断
することにより、（ｄ）で示し几所望の半導体レーザが
得られ几。この半導体レーザも・第１の実施例で示した
素子と同様に１００ｍＷ以上の高出力動作時においても
ＣＯＤ等の発生は見られなかった。
尚、本発明の実施例では溝８の形成にＲＩＥ法を用い念
が、その形成方法はこれに限ることは々く、例えばイオ
ンミリング法あるいはウェットエツチング法等でもよい
。また、本発明の実施例では半導体ウェハを溝部分８で
切断することによって、２つのエツチング端面１１，１
２を持つ半導体レーザを製作する工程を示したが、本発
明によれば一方の端面のみがエツチングによって形成さ
れ、他方が骨間によって形成された半導体レーザも製作
可能であ夛、その場合、溝８の間隔を約６００μ肩とし
、半導体ウェハを溝部分８及び平担部１０の中央付近で
骨間すればよい。更に半導体レーザは素子内部に回折格
子を持つＤＦＢレーザであってもよい。
が、その形成方法はこれに限ることは々く、例えばイオ
ンミリング法あるいはウェットエツチング法等でもよい
。また、本発明の実施例では半導体ウェハを溝部分８で
切断することによって、２つのエツチング端面１１，１
２を持つ半導体レーザを製作する工程を示したが、本発
明によれば一方の端面のみがエツチングによって形成さ
れ、他方が骨間によって形成された半導体レーザも製作
可能であ夛、その場合、溝８の間隔を約６００μ肩とし
、半導体ウェハを溝部分８及び平担部１０の中央付近で
骨間すればよい。更に半導体レーザは素子内部に回折格
子を持つＤＦＢレーザであってもよい。
（発明による効果）
本発明による半導体レーザ端面へのコーティング作業の
工程は、半導体レーザをウエノ・の状態でをり扱うこと
ができ、且つ大量の素子を一度にコーティングすること
ができるため、作業工程が簡単で、大量生産に適してい
る。ま几、大量の素子を一度に製作することは、各素子
のコーティング端面の反射率のばらつきを小さく抑える
ことができ、従って、素子特性の面での均一性も向上す
る。
工程は、半導体レーザをウエノ・の状態でをり扱うこと
ができ、且つ大量の素子を一度にコーティングすること
ができるため、作業工程が簡単で、大量生産に適してい
る。ま几、大量の素子を一度に製作することは、各素子
のコーティング端面の反射率のばらつきを小さく抑える
ことができ、従って、素子特性の面での均一性も向上す
る。
第１〜第３図は本発明第１〜第３の実施例である半導体
レーザの構造及びその製造方法を示す図であり、それぞ
れの図において、（ｄ）は半導体レーザの断面図、（ａ
）〜（Ｃ）はその製造方法を説明する図である。図中１
はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａノ（Ｌ３Ｇａｏ、７Ａ
ｓバッファ層、３はノンドープＡＡ！ｏ、ＩＧａ□、ｇ
Ａｓ活性層、４はＩ’−Ａ”０．３ｏ”０．７”クラッ
ド層、５はｐ−ＧａＡｓキャップ層、６はｐ側電極、７
ｉｊｎ側電極、８Ｆｉ溝、９ ＦｉＳｉｆｔ膜、１０は
平担部、１１，１２Ｉ／ｉ端面、２１はｎ−ＩｎＰ基板
、２２ ｔｌ；ｔ ｎ−ＩｎＰバッファ層、２３はノン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、２４はｐ−ＩｎＰクラッ
ド層、２５はｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰキ＋ｙプ層、２６は
芽 １ 図 （ｂン （Ｃ］ （σ） 乙 洲Ｚ図 （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
レーザの構造及びその製造方法を示す図であり、それぞ
れの図において、（ｄ）は半導体レーザの断面図、（ａ
）〜（Ｃ）はその製造方法を説明する図である。図中１
はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａノ（Ｌ３Ｇａｏ、７Ａ
ｓバッファ層、３はノンドープＡＡ！ｏ、ＩＧａ□、ｇ
Ａｓ活性層、４はＩ’−Ａ”０．３ｏ”０．７”クラッ
ド層、５はｐ−ＧａＡｓキャップ層、６はｐ側電極、７
ｉｊｎ側電極、８Ｆｉ溝、９ ＦｉＳｉｆｔ膜、１０は
平担部、１１，１２Ｉ／ｉ端面、２１はｎ−ＩｎＰ基板
、２２ ｔｌ；ｔ ｎ−ＩｎＰバッファ層、２３はノン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、２４はｐ−ＩｎＰクラッ
ド層、２５はｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰキ＋ｙプ層、２６は
芽 １ 図 （ｂン （Ｃ］ （σ） 乙 洲Ｚ図 （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
Claims (1)
- 少くとも活性層を含む多層積層構造を形成する工程と、
前記活性層よりも深く且つ前記活性層に対して垂直な側
面を持つ複数の溝を前記多層積層構造に形成する工程と
、少くとも前記溝の側面を覆うように誘電体膜を形成す
る工程と、前記多層構造半導体ウェハを前記溝部分で切
断する工程とを少くとも備えたことを特徴とする半導体
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10863585A JPS61265888A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10863585A JPS61265888A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265888A true JPS61265888A (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=14489794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10863585A Pending JPS61265888A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265888A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08293642A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 |
| JP2008543090A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-11-27 | ビンオプテイクス・コーポレイシヨン | 空間フィルタ |
| CN114665375A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-06-24 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体芯片制造方法 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10863585A patent/JPS61265888A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08293642A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 |
| JP2008543090A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-11-27 | ビンオプテイクス・コーポレイシヨン | 空間フィルタ |
| CN114665375A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-06-24 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体芯片制造方法 |
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