JPH02827A - 遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性パターンを有する透明基板および表面着色体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性パ
ターンを有する透明基板の製造方法およびこの方法を利
用した表面着色体の製造方法に関するものである。

［従来の技術及びその問題点］ 表示素子や固体撮像素子のカラーフィルター等に用いら
れる表面着色体を製造する従来方法として、高分子電着
法による方法が特開昭５９−１１５８８６号公報に開示
されている。この従来方法は、透明基板上に透明導電性
パターンを形成した後、得られた透明導電性パターンを
有する基板を色素含有高分子電着浴に浸漬し、前記透明
導電性パターンを電極として対極との間に電圧を印加し
て透明導電性パターン上に着色層を形成するものであり
、電着条件を広範囲に変動させることができるので極め
て汎用性が高く、また筒便であるという特長を有する。

ところで高分解能が要求されるカラーフィルターにおい
ては、青色、緑色、赤色の各着色層の面積が極めて小さ
くなるので、各着色層間の境界近傍を透過した光が一部
重なり合い色分解能を低下させることがあり、前述の特
開昭５９−１１５８８６号公報に記載の表面着色体も、
この色分解能の低下を防止する手段が講じられておらず
、カラーフィルターに応用した場合に色分解能の低下は
避けることができない。

そこで表面着色体を構成する各着色層の間隙に不要光を
遮光する遮光性絶縁膜を充填させることが行なわれてい
る。このような遮光性絶縁膜の形成のために考えられる
方法として、シルクスクリーン法あるいはオフセット法
などの印刷による方法およびフォトリソグラフィー法に
よる方法が挙げられるが、上記の印刷による方法は透明
導電性パターンの間隙が約１００μｍ程度までの粗い精
度のものしかできず、高分解能カラーフィルターにおけ
る遮光性絶縁膜の形成には適用できない。

またフォトリソグラフィー法による方法として、例えば
特開昭６２−２４７３３１号公報に記載されている方法
がある。この方法は、透明導電性パターン上に、高分子
電着法により青、緑及び赤の３色の着色層を形成した後
、顔料含有光硬化性樹脂を塗布し、次いで前記着色層を
遮光性膜として機能させて、透明基板の背面より透明導
電性パターンの間隙のみを露光し、この間隙の光硬化性
樹脂を硬化させた後、前記遮光性膜により露光されず、
未硬化の光硬化性樹脂部分を除去して、透明導電性パタ
ーンの間隙に顔料含有硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜を
形成するものである。

しかしながら上記特開昭６２−２４７３３１５号公報に
記載された方法においては、最終製品においてカラーフ
ィルターとして機能する、透明導電性パターン上の着色
層に遮光性膜としての機能ももたせているが、その遮光
性が通常は十分でなく、透明基板の背面露光時の紫外線
照射量が例えば７５Ｊ／−の如く強いと、着色層上の光
硬化性樹脂部分が望ましくない光硬化反応を起し、これ
を防止するために紫外線照射量を例えば５０Ｊ／−の如
く弱くすると、着色層上の光硬化性樹脂部分の光硬化は
起らないが、目的とする、透明導電性パターンの間隙の
光硬化性樹脂部分の硬化が不十分となり、前記パターン
間隙に緻密な遮光性絶縁膜が得られず、所望の緻密な遮
光性絶縁膜を形成するには、露光条件を厳密にコントロ
ールしなければならないという欠点があった。

従って本発明の第１の目的は、透明導電性パターン付き
透明基板の所定パターンを分離するための、形状、寸法
等の精度に優れ、緻密な遮光性絶縁膜を有する透明導電
性パターン付き透明基板を製造する方法を提供すること
にある。

また本発明の第２の目的は、透明導電性パターン付き透
明基板の所定パターンを分離するための、形状、寸法等
の精度に優れ、緻密な遮光性絶縁膜を有し、さらに前記
透明導電性パターン上に、これも形状、寸法等の精度に
優れ、緻密な着色層を有する表面着色体を製造する方法
を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 上述の本発明の第１の目的は、遮光性絶縁膜によって分
離された透明導電性パターンを有する透明基板の製造方
法において、 （Ｉ）　　その上に遮光性無機膜パターンを有する透明
導電性パターンを透明基板上に形成する工程、（ＩＩ）
　　前記透明基板上に、顔料及び／又は染料含有硬化性
樹脂を塗布する工程、 （ＩＩＩ）前記透明基板の背面より露光し、遮光性無機
膜パターンをマスクとして硬化性樹脂を選択的に硬化す
る工程、 （ＩＶ）　　前記硬化性樹脂の未硬化部分を除去して着
色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜を形成する工程、（Ｖ
）　　前記透明導電性パターン上の遮光性無機膜パター
ンを剥離する工程、 を順次実施することを特徴とする方法によって達成され
た。

また上述の本発明の第２の目的は、前記工程（Ｉ）〜（
Ｖ）を順次実施した後、 （ＶＩ）　　前記透明導電性パターン上に着色層を形成
する工程 を実施することを特徴とする表面着色体の製造方法によ
って達成された。

先ず工程（Ｉ）〜（Ｖ）からなる、遮光性絶縁膜によっ
て分離された透明導電性パターンを有する透明基板の製
造方法について説明する。

工程（Ｉ）は、透明基板上に、遮光性無機膜パターンを
有する透明導電性パターンを形成する工程である。

本発明において使用される透明基板としてはアルミノボ
ロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ
ケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、石英ガラス等のガ
ラス基板あるいはアクリル樹脂、ポリカーボネート等の
プラスチック基板が挙げられるが、透明なものであれば
他の材料例えばセラミックスやサファイヤ等も使用され
る。透明基板としては、ガラス基板等の表面に二酸化ケ
イ素等の透明薄膜を形成したものも含まれる。

この透明基板上への遮光性無機膜パターン付き透明導電
性パターンの形成は例えば下記の方法（＾）、　（Ｂ）
等により行なわれる。

方法旦り 透明基板上に、所定のパターン形成手段（例えばフォト
リソグラフィー法等）により、透明導電性パターンを形
成する工程（ａ１）と、工程（ａ１）で形成された透明
導電性パターン上に、所定の成膜手段（例えば電気メツ
キ法や無電解メツキ法等）により遮光性無機膜パターン
を形成する工程（ａ２）と、 を含む。

方法建り 透明基板上に透明導電性膜を形成した後、該透明導電性
膜上に、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を
有する遮光性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性無機
膜上にレジスト膜を形成する工程（ｂ１）と、 工程（ｂ１）で形成されたレジスト膜を選択的に露光現
像してレジストパターンを形成した後、該レジストパタ
ーンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエツチング手
段によりエツチングして遮光性無機膜パターンを形成し
、次いで該遮光性無機膜パターンをマスクとし前記透明
導電性膜をそのエツチング手段によりエツチングして透
明導電性パターンを形成する工程（ｂ２）と、 を含む。

先ず方法（Ａ）による、透明基板上への遮光性無機膜パ
ターン付き透明導電性パターンの形成について説明する
。

この方法（Ａ）によれば、先ず、工程（ａ１）において
、例えばＩＴＯ膜（酸化インジウム錫膜）やネサ膜（必
要によりアンチモンをドープした酸化錫膜）よりなる透
明導電性パターンを、所定のパターン形成手段、例えば
フォトリソグラフィー法等を用いて透明基板上に形成す
るが、この工程（ａ１）は当業者に良く知られているの
で、ここに詳述するのを省略する。

次に工程（ａ２）について説明すると、透明導電性パタ
ーン上に設けられる遮光性無機膜パターンの材料として
は、遮光性を有するものであれば、如何なる種類の金属
を用いても良く、例えばニツケル、銀、金、銅、クロム
、コバルト、白金等が挙げられる。遮光性無機膜パター
ンの厚さは、遮光性膜としての機能を果すに十分な厚さ
であれば良く、例えば５００〜１０，０００μｍである
。これらの遮光性無機膜パターンは、所定の成膜手段例
えば電気メツキ法や無電解メツキ法等により形成される
。

なおこの遮光性無機膜パターンはその目的を果した後、
後述の工程（Ｖ）において剥離しやすいものが好ましい
。特に好ましい遮光性無機膜パターンとして、無電解メ
ツキ法により形成されるニッケルメッキ膜パターンが挙
げられる。この無電解メツキ法によるニッケルメッキ膜
パターンの形成を更に詳しく述べると以下のとおりであ
る。即ち、透明導電性パターン付き透明基板上にフォト
レジストを全面塗布した後、透明導電性パターンの上部
のみのレジストをフォトリソグラフィー法により剥離し
、その後、露出している透明導電性パターン表面の活性
化、触媒付与、触媒活性化等の前処理の後、常法による
無電解ニッケルメッキ処理を施し、残存しているレジス
ト上に析出したニッケルをレジストごと剥離し、前記透
明導電性パターン上のみにニッケルメッキ膜にニッケル
メッキ膜パターンを形成させる。また、このニッケルメ
ッキ膜パターンの形成は、上述したフォトレジストの塗
布工程を含むフォトリソグラフィー法を省略して、通常
の無電解メツキ法によって行っても良い。

また、透明導電性パターン上への遮光性無機膜パターン
の形成は、上述したようにフォトリソグラフィー法によ
り透明導電性パターンの上部のみのレジストを剥離し、
次いでスパッタリング法や真空蒸着法等により、全面に
クロム等の遮光性無機膜を形成した後、残存しているレ
ジスト上の遮光性無機膜をレジスト膜ごと剥離すること
によって行なってもよい。

得られたニッケルメッキ膜等の遮光性無機膜パターンは
、従来遮光性膜として用いられていた顔料や染料を含む
着色膜と比べて、すぐれた遮光性を有するので、後述の
工程（ＩＩ）で塗布される硬化性樹脂の工程（ＩＩＩ）
での露光処理において、紫外線等の光線の透過を抑え、
その上部に存在する硬化性樹脂の硬化を著しく防止する
という利点を有する。

次に方法（８）による、透明基板上への遮光性無機膜パ
ターン付き透明導電性パターンの形成について説明する
。

この方法（８）によれば、先ず工程（ｂ１）において、
透明基板上に例えばＩＴＯ膜やネサ膜などからなる透明
導電性膜を形成した後、該透明導電性膜上に、透明導電
性膜のエツチング手段に対して耐性を有する遮光性無機
膜を形成し、しかる後、該遮光性無機膜上にレジスト膜
を形成する。

前記の透明導電性膜上に形成される遮光性無機膜として
は、チタン、クロム、タンタル、タングステン、モリブ
デン等の金属、シリコン、ホウ素等の半金属、炭素等の
非金属、またはそれらの窒化物、酸化物、炭化物、ホウ
化物、珪化物等からなるもの、さらにはそれらを混合し
てなるものであってもよい。さらに、セラミックスから
なる薄膜であってもよい。すなわち、遮光性無機膜の組
成としては、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐
性を有するものであればいずれも使用され得る。ここに
「透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を有する
」とは、透明導電性膜のエツチング手段により遮光性無
機膜がエツチングされないことのみならず、遮光性無機
膜が透明導電性膜よりもエツチングされにくいことをも
意味する。

また遮光性無機膜としては、透明導電性膜との付着性及
びレジスト膜との付着性の良好なものを用いるのが好ま
しい。遮光性無機膜の形成方法としてはスパッタリング
法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、真空蒸着法等
を採用し得る。この場合に、遮光性無機膜の膜厚は透明
導電性膜を均一に覆いかつ後述の工程（ＩＩＩ）におけ
る背面露光時に遮光性を有するに足る厚さであることが
望まれ、例えば５００Å以上の膜厚が推奨される。

遮光性無機膜は２層以上の多層膜であっても良く、この
場合、透明導電性膜に隣接する側のみが透明導電性膜と
の付着性の良好なものであれば良く、レジスト膜に隣接
する側はレジスト膜との付着性の良好なものが好ましい
。

前記の遮光性無機膜上に形成されるレジスト膜としては
、ポジ型フォトレジスト膜１、ネガ型フォトレジスト膜
、並びにポジ型及びネガ型電子線レジスト膜を用いても
よい。レジスト膜の形成方法は、スピンコード法、スプ
レーコート法、ロールコート法等を採用し得る。なお、
電子線レジスト膜の場合には、レジストパターンの形成
のために電子線露光法を採用すればよい。

方法（Ｂ）によれば、次に工程（ｂ２）において、レジ
スト膜を選択的に露光し現像してレジストパターンを形
成した後、該レジストパターンをマスクとし前記遮光性
無機膜をそのエツチング手段によりエツチングして遮光
性無機膜パターンを形成し、次いで該遮光性無機膜パタ
ーンをマスクとし前記透明導電性膜をそのエツチング手
段によりエツチングして透明導電性パターンを形成する
。

この工程（ｂ２）において、レジストパターンをマスク
とする遮光性無機膜のエツチング及び該エツチングで得
られた遮光性無機膜パターンをマスクとする透明導電性
膜のエツチングは、エツチング液を用いる湿式エツチン
グ法や、プラズマエツチング法、スパッタエツチング法
及びリアクティブイオンエツチング法等の乾式エツチン
グ法により行なわれる。

また遮光性無機膜のエツチング及び透明導電性膜のエツ
チングを上記湿式法又は乾式法により２工程で行なう場
合、最初の遮光性無機膜のエツチング工程で、透明導電
性膜が部分的にエツチングされても構わない。

またレジストパターンをマスクとして遮光性無機膜パタ
ーンを形成した後、遮光性無機膜パターンをマスクとし
透明導電性膜パターンを形成し、次いでレジストパター
ンを剥離しても良いが、これ以外に遮光性無機膜パター
ンを形成した後、レジストパターンを剥離し、遮光性無
機膜パターンのみをマスクとして透明導電性膜パターン
を形成しても良い。

この方法（８）によれば、工程（ｂｌ〉において、透明
導電性膜とレジスト膜との間に設けられた遮光性無機膜
が、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を有す
るので、工程（ｂ２）において、レジストパターンをマ
スクとして形成された遮光性無機膜パターンをマスクと
し、透明導電性膜をそのエツチング手段によりエツチン
グして透明導電性パターンを形成する際に、前記遮光性
無機膜パターンが、有機物からなるレジストパターンに
比べ透明導電性膜との付着性に優れ、その下にある透明
導電性膜のエツチングされるべきでない部分をエツチン
グ手段から保護する。従って透明導電性パターンがサイ
ドエツチングされるのが防止され、寸法精度に優れた遮
光性無機膜パターンを有する透明導電性パターンを得る
ことができるという利点がある。

透明導電性パターンには、複数本のパターン要素がスト
ライプ状に配列されたストライブパターンの他に、ピク
セルパターンとリードパターンとからなり、ピクセルパ
ターンがリードパターンを介してトライアングル状又は
モザイク状に配列されたトライアングルパターン又はモ
ザイクパターンとがある。

このトライアングルパターン又はモザイクパターンでは
、ピクセルパターンのみに着色層が形成され、ピクセル
パターン以外の、リードパターンを含む領域に遮光性絶
縁膜が形成されるので、工程（Ｉ）においてピクセルパ
ターン上にのみ遮光性無機膜パターンを形成する必要が
ある、これは、例えば下記の方法（ｃ）　、　（Ｄ）に
よって行なわれる。

方法包し 所定のパターン形成手段（例えばフォトリソグラフィー
法等）により、ピクセルパターンとリードパターンとか
らなる透明導電性パターンを透明基板上に形成する工程
（ｃ１）と、 工程（ｃ１）で得られた透明導電性パターン付き透明基
板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜を選択的
に露光現像して、ピクセルパターン以外の、リードパタ
ーンを含む領域にレジストパターンを形成する工程（ｃ
２）と、 工程（ｃ２）で形成されたレジストパターンの間隙のピ
クセルパターン上に所定の成膜手段（例えば方法（Ａ）
の工程（ａ２）で用いた電気メツキ法や無電解メツキ法
など）により遮光性無機膜パターンを形成する工程（ｃ
３）と、 を含む。

友汰伊と 透明基板上に透明導電性膜を形成した後、該透明導電性
膜上に、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を
有する遮光性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性無機
膜上にレジスト膜を形成する工程（ｄ１）と、 工程（ｄ１）で形成されたレジスト膜を選択的に露光現
像してレジストパターンを形成した後、該レジストパタ
ーンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエツチング手
段によりエツチングして遮光性無機膜パターンを形成し
、次いで該遮光性無機膜パターンをマスクとし前記透明
導電性膜をそのエツチング手段によりエツチングして、
ピクセルパターンとリードパターンとからなる透明導電
性パターンを形成する工程（ｄ２）と、 工程（ｄ２）で形成された、その上に遮光性無機膜パタ
ーンを有する透明導電性パターン付き透明基板上にレジ
スト膜を形成しノご後、該レジスト膜を選択的に露光現
像し、遮光性無機膜パターンを有するリードパターン以
外の部分にレジストパターンを形成し、その後、リード
パターン上の露出している遮光性無機膜パターンおよび
レジストパターンを順次除去する工程（ｄ３）と、を含
む。

なお透明導電性パターン（（イ）ストライプパターンや
（ロ）トライアングルパターン又はモザイクパターン中
のピクセルパターン）上に形成される遮光性無機膜パタ
ーンの形状は、透明導電性パターンの形状と同一であっ
ても良く、また透明導電性パターンの形状よりも小さく
ても良い。なお、後者の場合、後記工程（ＩＩ）〜（Ｖ
）により、透明導電性パターン上にも着色硬化樹脂が部
分的に存在する遮光性絶縁膜が形成され、さらに後記工
程（ＶＩ）により、透明導電性パターンの形状よりも小
さい着色層が形成される。

さらに、透明導電性パターン、例えばストライプパター
ン上に形成される遮光性無機膜パターンは、ストライプ
パターン上に所定形状（例えば矩形状）で所定間隔を保
って並べ設けたものであってもよく、この場合、後記工
程（ＴＩ）〜（Ｖ）により、ストライブパターン上にも
遮光性絶縁膜が形成され、さらに後記工程（ｖｒ）によ
りストライプパターン上に所定形状（例えば矩形状）で
所定間隔を保って着色層が形成される。

次に本発明の工程（ＩＩ）は、顔料及び又は染料含有硬
化性樹脂を透明基板上に塗布する工程である。

この工程（ＩＩ）において用いられる硬化性樹脂として
紫外線領域の光線で硬化反応する所謂紫外線硬化型の材
料がその使用の容易なことから好ましい。かかる材料の
主成分としてはアクリル系、ウレタン系、エポキシ系、
合成ゴム系、ポリビニルアルコール系、ポリケイ皮酸ビ
ニル系等の各樹脂、さらには還元ゴム（シスイソプレン
）とアリルジアジドの架橋剤の組合せからなるものや、
ゼラチンがあり、それぞれ単独であるいは混合して使用
することができる。これらは光硬化型塗料あるいはネガ
型レジストとして市販されており、市販品の代表例とし
て東京応化（株）製ＯＭＲ−８５が挙げられる。これら
の樹脂の光硬化性やその他の物性を更に向上させるため
反応性希釈剤、光反応開始剤、光増悪剤等を適宜加える
ことができる。

硬化性樹脂は、透明導電性パターンを分離する薄膜を遮
光性絶縁膜とするために、必須成分として顔料及び／又
は染料を含有する。顔料の例としては、カーボンブラッ
ク、酸化鉄、チタン白、フタロシアニン系顔料、スレン
系顔料、アニリンブラック等が挙げられ、また染料の例
としては、アゾ系、アントラキノン系、インジゴイド系
、ベンゾキノン系、ナフトキノン系、ナフタルイミド系
、メチン系、キノリン系、ニトロ系、ニトロソ系、フタ
ロシアニン系、カルボニウム系、キノイミン系、ペリノ
ン系、サルファイド系染料等が挙げられる。なお、顕色
剤との反応により着色生成物を生じる無色染料を用いて
も良いが、無色染料を用いる場合には、顕色剤を併用し
、後述する工程（ＩＩＩ）の露光後、適当な時期に加熱
し、着色生成物を形成させる必要がある。しかし無色染
料を用いた場合、硬化性樹脂混合物が工程（ＩＩＩ）の
露光時に無色で透光性が良いので、低い紫外線照射量で
露光できるという利点がある。この無色染料としては、
感熱記録材料において発色剤として用いられるものが原
則的に全て使用でき、その例としてラクトン系、トリフ
ェニルメタン系、フルオラン系、ローダミンラクタム系
、フルオレン系、スピロピラン系等の化合物が挙げられ
る。この無色染料の市販品として、ＰＳＤ−１５０（新
日曹化工（株））、ＴＨ−１０７（保土谷化学（株））
、Ｓ−２０５（山田化学（株）＞、ＤＥＯＣ（山田化学
（株））等が挙げられる。また加熱により上記無色染料
と反応する顕色剤としては、感熱記録材料において顕色
剤として用いられているものが原則的に全て使用でき、
その例としてビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ベ
ンジル−ｐ−ヒドロキシベンゾエート等が挙げられる。

この顔料及び／又は染料含有硬化性樹脂の透明基板上へ
の塗布は、スクリーン法やオフセット法などの印刷によ
る方法、ロールコート法、デイツプ法、スピンコード法
等により行なわれる。なお、顔料及び／又は染料含有硬
化性樹脂に炭化水素、アルコール、エステル、ケトン、
エチルセロソルブ等の希釈剤を加えて低粘度化すること
により、塗布性を向上させることも適宜性なわれる。

また塗布後、塗布膜にある程度の強度をもたせせ、透明
基板との密着性を向上させるため、そして希釈剤を用い
た場合はこれを揮散させるために硬化性樹脂を予備硬化
しても良い。予備硬化の条件は、例えば５０〜１２０℃
で１０〜６０分間程度である。

なお光硬化性樹脂の代りに電子線硬化型樹脂を用いても
よい。

次に本発明の工程（ＩＩＩ）は、前記透明基板の背面す
なわち基板の透明導電性パターンを有しない側より露光
する工程である。

この工程により、透明導電性パターン上の遮光性無機膜
パターン（ＯＤ　（光学濃度）１．５以上が望ましい）
の上に存在する硬化性樹脂は露光されないことから硬化
せず、それ以外の領域の硬化性樹脂は露光されて硬化す
る。この遮光性無機膜パターンは遮光性にすぐれている
ので、背面露光により硬化性樹脂の硬化部分と未硬化部
分とがシャープに形成されるという利点がある。

硬化性樹脂として光硬化型樹脂を用い、これに有色の顔
料や染料を加えた場合には、紫外線照射量は５０〜１０
０Ｊ／ｃｄであるのが好ましいが、場合によりこれ以外
の紫外線照射量を採用することもできる。また同種の樹
脂に無色染料及び顕色剤を加えた場合には、紫外線照射
量は１０〜２００ｍＪ／−で良い。この方法によれば、
上述の如く遮光性無機膜パターンが遮光性にすぐれてい
るので、遮光性無機膜パターン上の硬化性樹脂は硬化せ
ず、それ以外の領域の硬化性樹脂が目的とする厚さで硬
化するに必要な紫外線照射量を与えれば良いので、露光
条件のコントロールが容易であるという利点もある。

次に本発明の工程（ＩＶ）は硬化性樹脂の未硬化部分を
除去する工程である。

この硬化性樹脂の未硬化部分の除去は適当な溶解力を有
する薬剤（以下現像液という）を用いることによって行
なわれる。現像液は前記工程（ＩＩ）で塗布された硬化
性樹脂の種類によって種々選択されるが、通常は苛性ソ
ーダ、炭酸ナトリウム等のアルカリ性水溶液、あるいは
エステル、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、脂肪
族炭化水素、塩素化炭化水素等の有機溶剤が適宜選択使
用される。この除去処理は浸漬あるいはシャワーなどに
より１０秒ないし５分程度行なえばよく、またこの処理
を超音波を与えながら行なってもよい。この工程（ＩＶ
）により硬化性樹脂の未硬化部分は除去され、硬化部分
において、着色硬化樹脂が所定の厚さで残存し、これが
遮光性絶縁膜となる。

この方法によれば、上述の如く、露光により硬化性樹脂
の硬化部分と未硬化部分とがシャープに形成されるので
、所定の透明導電性パターンを明確に分離する遮光性絶
縁膜が形成され、遮光性無機膜パターン上には硬化され
た樹脂が全く形成されないという利点がある。

この未硬化樹脂の除去処理の後、水、有機溶剤等による
通常の洗浄処理が行なわれる。またこの洗浄処理の後、
後硬化処理（焼付けともいう）が通常行なわれる。なお
硬化性樹脂に加えられる染料として無色染料を用い、顕
色剤と併用した場合には、この後硬化により無色染料と
顕色剤とが反応して着色生成物を生じ、この段階で遮光
性が付与される。後硬化の条件としては樹脂の種類によ
るが、通常は１５０〜２５０℃で３０分〜２時間である
。

次に本発明の工程（Ｖ）は、前述の工程（ＩＶ）の後、
その目的を終えた、透明導電性パターン上の遮光性無機
膜パターンを剥離する工程である。

通常、この剥離処理はそれぞれの遮光性無機膜パターン
を溶解する薬液を用いる湿式法により行なわれる。ニッ
ケル膜の場合は、濃硝酸や濃塩酸−濃硝酸−水混液（モ
ル濃度比１／１／３）を用いて行なわれ、通常はこの後
にアルカリ水溶液、水、イソプロピルアルコール、フロ
ン等をこの順序で用いる洗浄処理が行なわれる。

このようにして得られた製品は、透明基板上の透明導電
性パターンを明確に分離する、形状、寸法等の精度にす
ぐれ、かつ緻密な遮光性絶縁膜が形成されているので、
遮光膜付き透明電極基板として好ましく使用される。

次に、本発明の表面着色体の製造方法は、工程（Ｉ）〜
（Ｖ）を順次実施した後、得られた上記製品について、
更に工程（ＶＩ）として、透明導電性パターン上に着色
層を形成する工程を実施するものである。

この工程（Ｖ１）における着色層を形成する方法として
は、オフセット、シルクスクリーン等の印刷による方法
、フォトリソグラフィーによる方法、更には高分子電着
法による方法等があるが、これらのうち、高分子電着法
が透明導電性パターン上に忠実に精度良く着色層を形成
することができるため有用である。この高分子電着法は
一最に電着塗装として知られており、公知の方法である
。この電着塗装にはアニオン系電着塗装とカチオン系電
着塗装があり、何れの方法も使用できる。

上記着色層に使用しうる材料としては、マレイン化油系
、アクリル系、ポリエステル系、ポリブタジェン系、ポ
リオレフィン系等の樹脂材料が挙げられる。これらの樹
脂材料はそれぞれ単独であるいは混合して使用される。

この工程（ｖｉ）で形成される着色層が特にカラーフィ
ルターとして機能する薄膜である場合には、例えば赤、
緑、青の３種の顔料を使用し、この３種の顔料のそれぞ
れを含有する高分子電着層を赤、緑、青の順で規則的に
形成する。かかる顔料としてはベンガラ、アゾ系赤色顔
料、キナクリドン系赤色顔料、ペリレン系赤色顔料、フ
タロシアニン系緑色顔料、フタロシアニン系青色顔料等
が使用し得る。上述したように３種の顔料を用いて３色
の着色層を形成する以外に、単色に着色してもよく、あ
るいは２色以上で種々の色の組み合せを選択して着色し
てもよい。

上述の如く、工程（Ｉ）〜（Ｖ）を順次実施することに
より形状、寸法等の精度にすぐれ、かつ緻密な遮光性絶
縁膜が形成されているので、更に工程（ＶＩ）を実施す
ることにより、前記遮光性絶縁膜の間隙にこれも形状、
寸法等の精度にすぐれ、かつ緻密な着色層を有する表面
着色体を製造し得るという利点がある。

［実施例］ 以下実施例により本発明を更に具体的に説明する。

実施例１ （１）　　第１図において、透明基板１として、表面を
研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い、こ
の基板１上に通常のフォトリソグラフィー法により１０
００人の厚さのＩＴＯからなる、ストライブ状の透明導
電性パターン２ａを形成した。

次に透明基板１上に透明導電性パターン２ａが完全に被
覆されるようにフォトレジスト（例：ヘキスト社製Ａ２
１３５０）を全面塗布し、９０℃で３０分間ベークした
後、透明導電性パターン２ａの上部のみのフォトレジス
トを通常のフォトリソグラフィー法により剥離し、次い
で透明導電性パターン２ａの表面活性化、触媒付与、触
媒活性化等の通常の前処理の後、通常の無電解ニッケル
メッキ処理を施し、次いで残存しているフォトレジスト
上に析出したニッケルをレジストごと剥離し、前記透明
導電性パターン２ａ上のみにニッケルからなる遮光性無
機膜パターン３ａ（膜厚５００人）を形成させなく第１
図（ａ）参照）。

（２）　　次に酸化鉄１５重量部とフタロシアニン系顔
料５重量部とを混合して得た顔料混合物２０重量部に硬
化性樹脂として光硬化性アクリル樹脂（東京応化（株）
　　ＯＭＲ−８５）を８０重量部、さらに硬化開始剤と
してイルガキュア１８１（チバガイギー社）を５ＰＨＲ
加えた後、得られた樹脂混合物をスクリーン印刷法によ
り基板１上に塗布し、膜厚４〜６μｍの顔料含有光硬化
性樹脂塗膜４を形成したく第１図（ｂ）参照）。

（３）　　次に顔料含有光硬化性樹脂塗膜４を５０〜１
２０℃で３０分間予備硬化した後、基板１の背面（透明
導電性パターン２ａ、が存在しない側）から５０〜１０
０Ｊ／−の紫外線照射量の紫外線５を日本電池（株）製
紫外線露光装置ＡＳＥ−２０型を用いて照射した（第１
図（ｃ）参照）、上述の如く透明導電性パターン２ａ上
には遮光性無機膜パターン３ａが存在するので、その上
の光硬化性樹脂塗膜４の部分は全く露光されずに未硬化
のままであり、透明導電性パターン２ａの間隙の光硬化
性樹脂塗膜４の部分のみがシャープに露光されて、厚さ
１．６μｍの硬化塗膜部分が形成された（第１図（ｃ）
において塗膜４のスマッジング部分が硬化塗膜部分を、
それ以外の部分が未硬化塗膜部分を示す）。

（４）　　露光後、基板全体を２５℃の現像液（エッソ
社製ツルペッツ１００）に浸漬し、４０ＨＨ２の超音波
を与えながら２〜３分間現像処理した後、新規なツルペ
ッツ１００を用いて、上の現像処理と同一条件で洗浄処
理し、次いで２００℃で６０分間かけて後硬化（焼付け
）して、黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜４ａを形成
した（第１図（ｄ）参照）。なお透明導電性パターン２
ａ上の遮光性無機膜パターン３ａ上には樹脂の硬化部分
は認められなかった。

（５）　　次に基板全体を濃硝酸中に浸漬して、遮光性
無機膜パターン３ａを剥離した後、洗浄液としてアルカ
リ水溶液、水、イソプロピルアルコール、フロンをこの
順序で用いて洗浄して基板１上の透明導電性パターン２
ａの間隙に厚さ１．６μｍの黒色硬化樹脂からなる遮光
性絶縁膜４ａを有する製品を得た（第１図（ｅ）参照）
。

この遮光性絶縁膜４ａは、遮光性を有するだけでなく、
形状、寸法等の精度にすぐれ、かつ緻密であるため、本
実施例で得られた製品は、精度の良い遮光性絶縁膜付き
透明電極基板として使用することができた。

実施例２ 実施例１で得られた、基板１上の透明導電性パターン２
ａの間隙に、黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜４ａを
有する製品を高分子電着塗装処理して、透明導電性パタ
ーン２ａ上に着色層を形成した。

電着溶液として下記の３種のものを用いた。

（以下余白） 着色層の形成は、先ず電着溶液（Ａ−１＞を用いて青色
着色層６ｂを形成させ、次いで電着溶液（Ａ−２＞を用
いて緑色着色層６ｇを形成させ、最後に電着溶液（Ａ−
３）を用いて赤色着色層６ｒを形成させる３段階法によ
り行ない、着色層６ｂ、６ｇ、６ｒを透明導電性パター
ン２上に形成した（第１図（ｆ）参照）。なお各段階に
おいて印加電圧は約４０Ｖ、印加時間は１０秒間であり
、各段階後、純水にて洗浄しその後８０℃で１０分間乾
燥させた。

実施例１で述べたように、遮光性絶縁膜４ａが形状、寸
法等の精度にすぐれているため、この遮光性絶縁膜４ａ
の間隙に形成された着色層６ｂ。

６ｇ、６ｒも形状、寸法等の精度にすぐれたものであっ
た。また、透明導電性パターン２ａ上に形成された着色
層は、青色着色層６ｂ、緑色着色層６ｇ、赤色着色層６
ｒの順で規則的に配列されているので、カラーフィルタ
ー用薄膜として有効であった。

従って本実施例で得られた製品は、透明導電性パターン
上に精度の良い３色着色層を、そして透明導電性パター
ンの間隙にこれも精度の良い黒色遮光性絶縁膜を有する
ので、遮光性絶縁膜付きカラーフィルターとして好適に
使用することができた。

実施例３ （１）　　第２図において、透明基板１として、表面を
精密研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い
、この透明基板１の表面上に１０００人の厚さのＩＴＯ
からなる透明導電性膜２を、酸化インジウム（９５重１
％）と酸化錫（５重量％）とを混合してなる蒸発源を用
いる真空蒸着法により形成した。次いでこの透明導電性
膜２上に膜厚８００人のクロム窒化物からなる遮光性無
機膜３を、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気（Ｎ２含
有率２０体積％、圧力３　Ｘ　１０　’Ｔｏｒｒ）中チ
クロムからなるターゲットを用い直流マグネトロンスパ
ッタリング法により形成した。このクロム窒化物からな
る遮光性無機膜３は透明導電性膜２のエツチング手段に
対して耐性を有する。さらにこの遮光性無機膜３上に膜
厚５０００人のレジスト膜７をポジ型フォトレジスト（
ヘキスト社製ＡＺ−１３５０＞をスピンコード法により
塗布することにより形成した（第２図（ａ）参照）。そ
の後、温度９０℃の雰囲気下で３０分間レジスト膜７を
ベークした。

次に、所定のパターンが形成しであるフォトマスクを通
して紫外線によりレジスト膜７を選択的に露光し、ＡＺ
−１３５０専用現像液により現像してレジスト膜７の未
露光部分からなるレジストパターン７ａを形成した（第
２図（ｂ）参照）。

次にレジストパターン７ａをマスクとし、硫酸第２セリ
ウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍ
ｌに純水を加えて１０１００Ｏにした溶液からなるエツ
チング液（液温：２３℃）を用い、遮光性膜３を５０秒
間エツチングして遮光性無機膜パターン３ａを形成した
（第２図（ｃ）参照）０次いで４０ボ一メ度塩化第２鉄
水溶液及び３６重量％塩酸を１：１に混合し、５０℃に
加熱したエツチング溶液を用い、遮光性無機膜パターン
３ａをマスクとし透明導電性膜２を６６秒間エツチング
して、透明導電性パターン２ａを形成した（第２図（ｄ
）参照）。

次に、レジストパターン７ａを５重量％苛性ソーダ水溶
液からなるレジスト剥離液にて剥離し、透明導電性パタ
ーン２ａおよび遮光性無機膜パターン３ａを順次有する
透明基板１を得な（第２図（ｅ）参照）。

この方法によれば、透明導電性パターン２ａを形成する
際に、透明導電性膜２のエツチング手段に対して耐性を
有する遮光性無機膜パターン３ａをマスクとしているた
め、透明導電膜２のサイドエツチングを防止して、より
高精度な透明導電性パターン２ａが形成されるという利
点がある。

（２）　　上記（１）で得られた遮光性無機膜パターン
３ａ付き透明導電性パターン２ａを有する透明基板１（
第１図（ａ）参照）について、実施例１の（２）〜（５
）と同様に処理して（第１図の（ｂ）〜（ｄ）参照）、
第１図（ｅ）に示されたような、透明基板１上の透明導
電性パターン２ａの間隙に黒色硬化樹脂からなる遮光性
絶縁膜４ａを有する製品を得な。本実施例の方法では、
上述の如く透明導電性パターン２ａを形成する際、透明
導電性膜２のエツチング手段に対して耐性を有する遮光
性無機膜パターン３ａをマスクとしているため、透明導
電性膜２のサイドエツチングを防止して、実施例１の場
合よりも高精度な形状を有する透明導電性パターン２ａ
が形成されているので、その間隙に形成される黒色硬化
樹脂からなる遮光性絶縁膜４ａも高精度な形状を有する
という利点がある。

実施例４ 実施例３で得られた、基板１上の透明導電性パターン２
ａの間隙に、寸法精度の良い遮光性絶縁膜４ａを有する
製品（第１図（ｅ）参照）を、実施例２と同様に高分子
電着塗装処理して、第１図（ｆ）に示されたような、透
明導電性パターン２ａ上に青色着色層６ｂ、緑色着色層
６ｇ、赤色着色層６ｒが規則的に配列された表面着色体
を得な。

本実施例の方法では、高精度な形状を有する遮光性絶縁
膜４ａの間隙に着色層６ｂ、６ｇ、６ｒを形成するので
、着色層も形状精度に優れている。

すなわち、本実施例で得られた製品は、透明導電性パタ
ーン２ａ上に精度の良い３色着色層６ｂ。

６ｇ、６ｒを、そして透明導電性パターンの間隙にこれ
も精度の良い黒色遮光性絶縁膜を有するので、遮光性絶
縁膜付きカラーフィルターとして極めて好適に使用する
ことができた。

実施例５ （１）第３図において、透明基板１として、表面を精密
研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い、こ
の上に透明導電性膜としてＩＴ○からなる膜を１．７０
０人の厚さに真空蒸着し、さらにその上にフォトレジス
トとしてポジ型フォトレジスト（例；ヘキスト社製Ａ２
１３５０）をスピンコード法により１０，０００人の厚
さに塗布した後、９０°Ｃで３０分間ベークして、透明
導電性膜及びフォトレジストを有する基板を作成した。

次に所定のパターンを有するフォトマスクを用い、前記
フォトレジストを紫外線により選択的に露光し、次いで
所定の現像液（例：ＡＺ専用現像液）により現像処理し
て、所望のレジストパターンを形成した後、１２０℃で
３０分間ポストベークして、透明導電性膜とレジストパ
ターンとの密着性を高めな上で、前記レジストパターン
をマスクとじ４０ボ一メ度塩化第２鉄水溶液と３６重量
％塩酸の１／１混合液からなるエツチング液（５０℃）
を用いて、透明導電性膜をエツチングし、レジストパタ
ーンに対応した透明導電性パターンを形成した。このと
きのエツチング時間は１．７００人の透明導電性膜がエ
ツチングされるに要する最少限の時間である５６秒の倍
の１分５２秒であった。

次にレジストパターンを、先ずメチルセロソルブを用い
て１０分間超音波洗浄し、次いでイソプロピルアルコー
ルを用いて１０分間超音波洗浄することにより剥離し、
さらにイソプロピルアルコール蒸気を用いて乾燥するこ
とにより、透明導電性膜からなるピクセルパターン２ｐ
及びリードパターン２ｉ！を有する透明基板１を得た（
第３図（ａ）参照）。

（２）次に、上記の（１）で用いたと同一のフォトレジ
スト（ヘキスト社製Ａ２１３５０）を上記（１）で用い
たと同様の方法で１０，０００人の厚さに塗布した後、
９０℃で３０分間ベークして、密着性を高めた上で、ピ
クセルパターン２ｐの上方の部分のみが露光されるマス
クを用いて、前記レジストを選択的に露光し、次いで所
定の現像液（ＡＺ専用現像液）を用いて現像処理して、
リードパターン２１を含む、ピクセルパターン２Ｐ。

２ｐの間隙部分にレジストパターン７ａを形成した（第
３図（ｂ）参照）。

次いで、塩酸を含有する溶液を用いて露出透明導電性膜
（ピクセルパターン２ｐ＞の活性化、浸漬法によるＰｄ
、Ｓｎの錯塩を主成分とする触媒の付与、Ｐｄ、Ｓｎの
錯塩から触媒金属（Ｐｄ）を析出させるための触媒の活
性化処理等の前処理を、ホウフッ化水素酸等のフッ化物
を含有した強酸性溶液を用いることによって行ない、塩
化ニッケルもしくは硫酸ニッケル及び還元剤として次亜
リン酸ナトリウムを主成分とするメツキ洛中で８０℃に
加熱し、無電解ニッケルメッキを施し、リンその他の不
純物を少量含有するニッケルからなる遮光性無機膜パタ
ーン３ａをピクセルパターン２ｐ上に形成した（第３図
（ｃ）参照）。このパターン３ａはＯＤ（光学濃度）が
２以上となるように膜厚を１．０００人とした。

次にメチルセロソルブを用いて、レジストパターン７ａ
上のニッケルメッキ層３ｂをレジストパターン７ａごと
剥離し、ピクセルパターン２ｐ上にのみニッケルからな
る遮光性無機膜パターン３ａを形成させた（第３図（ｄ
）参照）。ピクセルパターン２ｐ以外の部分に予めレジ
ストパターン７ａが形成されているので、ニッケルから
なる遮光性無機膜パターン３ａはピクセルパターン２ｐ
上にのみ形成され、それ以外の部分においてニッケルメ
ッキ層の形成は観察されなかった。

（３）　　次にカーボンブラック及び酸化鉄を含む透性
顔料と光硬化性アクリル樹脂（東京応化（株）ＯＭＲ−
８５＞との混合物（顔料／樹脂の重量比は２０／８０〜
４０／６０、望ましくは３５／６５であり、この３５／
６５の場合において、顔料骨３５の内訳はカーボンブラ
ックが５、酸化鉄が３０であって、カーボンブラックと
酸化鉄がこのような割合であると、抵抗値が約１０９Ω
であり、絶縁性を有する）を基板１全体に、ピクセルパ
ターン２ｐ及びリードパターン２１が存在しない部分の
膜厚が３μｍとなるように塗布して絶縁性を有する顔料
含有光硬化性樹脂塗膜４を形成した（第３図（ｅ）参照
）。これを８０〜９０°Ｃで１０分間ベークした後、紫
外線照射量７５Ｊ／−の紫外線５により透明基板１の背
面（基板１のピクセルパターン２ｐ及びリードパターン
２１を有しない側）より露光した（第３図（ｆ）参照）
。この露光において、ピクセルパターン２ｐ上のニッケ
ルからなるパターン３ａが遮光性膜として機能するので
、このパターン３ａ上の顔料含有光硬化性樹脂塗膜４の
部分は露光されず未硬化のままであり、ピクセルパター
ン２９．２ｐの間隙の部分（リードパターン２βのある
部分を含み、第３図げ）におけるスマッジング部分）の
みが紫外線を透過して光硬化しな。

次にニッケルからなる遮光性無機膜パターン３ａ上の顔
料含有光硬化性樹脂塗膜４の未硬化部分を前記光硬化性
アクリル樹脂用専用現像液（エッソ社製ツルペッツ１０
０：液温２２℃）を用いて溶解除去した後、純水からな
る洗浄液によりスクラブ洗浄し、更に２００℃で６０分
間かけて焼付けして、ピクセルパターン２Ｐ、２Ｐの間
隙に黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜パターン４ａを
形成した（第３図（９）参照）。次にピクセルパターン
２ｐ上のニッケルからなる遮光性無機膜パターン３ａを
濃塩酸−濃硝酸−水混液（モル濃度比１／１／２）にて
溶解除去して、ピクセルパターン２Ｐ、２ｐの間隙に遮
光性絶縁膜４ａを有する製品を得た（第３図（ｈ）参照
）。得られた製品において、遮光性絶縁膜４ａは、その
形成過程において、前記ニッケルからなる遮光性無機膜
パターン３ａの存在により、顔料含有光硬化性樹脂４の
未露光未硬化部分と露光硬化部分とがシャープに形成さ
れているので、形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密な
ものであった。従って本実施例で得られた製品は、精度
の良い遮光性絶縁膜付き透明電極基板として使用するこ
とができた。

実施例６ 実施例５で得られた、透明基板１上のピクセルパターン
２ｐ、２ｐの間隙に遮光性絶縁膜４ａを有する製品を以
下のように高分子電着法により処理してピクセルパター
ン２ｐ上に着色層６ａを形成しな（第３図（ｉ）参照）
。

この高分子電着法による着色層の形成を更に詳細に述べ
ると以下の通りである。

電着溶液として実施例２で用いたと同一の３種の電着溶
液（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）を用いた。

先ず、以下のようにして青色に着色した。すなわち、第
４図に示すごとく、ピクセルパターンとリードパターン
とからなる透明導電性パターン１１．１２．１３が形成
されている透明基板１をフタロシアニンブルーを含有す
る電着溶液（Ａ−１）に浸漬し、透明導電性パターン１
１を陽極として対極との間に約４０Ｖの電圧を１０秒間
印加して、導電性膜パターン１１中のピクセルパターン
上のみに青色着色層６Ｂを形成させた後、これを取り出
して純水にて洗浄し、その後８０℃で１０分間乾燥させ
た。なお、導電性パターン１１中のリードパターン（第
４図において青色着色層６Ｂが形成されているピクセル
パターン以外の導電性パターン部分）上には、第３図（
ｈ）に示すように、遮光性絶縁膜４ａが存在するので、
青色着色層は形成されない。

次に、以下のようにして緑色に着色した。すなわち、上
で導電性パターン１１中のどクセルパターンが青色着色
層６Ｂにより青色に着色されている透明基板１をフタロ
シアニングリーンを含有する電着浴液（Ａ−２＞に浸漬
し、導電性パターン１２を陽極として、対極との間に同
様の条件で電圧を印加して、導電性パターン１２中のピ
クセルパターン上のみに緑色着色層６Ｇを形成させた後
、同様に洗浄、乾燥処理した。なお、この緑色着色処理
において、既に青色に着色されている導電性パターン１
１は高温乾燥されて電気絶縁層となっているので、第４
図においてＸの部分の基板上に導電性ゴム（銀ペースト
を用いても良い）を接触させることにより導電性パター
ン１２のみに通電させることができた。またこの緑色着
色処理において、導電性パターン１２中のリードパター
ン上に着色層が形成されないのは、前記の青色着色処理
の場合と同様である。

さらに以下のようにして赤色に着色した。すなわち、上
で導電性パターン１１．１２のピクセルパターン上が青
色着色層６Ｂ、緑色着色層６Ｇにより青色、緑色にそれ
ぞれ着色されている透明基板１をアゾ系赤色顔料を含有
する電着浴液（Ａ−３）に浸漬し、導電性パターン１３
を陽極として対極との間に同様の条件で電圧を印加して
、導電性パターン１３中のピクセルパターン上のみに赤
色着色層６Ｒを形成させた後、同様に洗浄、乾燥処理し
た。なお、この赤色着色処理において、既に青色、緑色
に着色されている導電性パターン１１．１２は高温乾燥
により電気絶縁層となっているため、第４図においてｙ
の部分の基板上に導電性ゴムを接触させることにより導
電性パターン１３のみに通電させることができな。まな
この赤色着色処理において、導電□性パターン１３中の
リードパターン上に着色層が形成されないのは、前記の
青色着色処理及び緑色着色処理の場合と同様である。

最後に２００℃で６０分間焼付けを行ない、架橋反応を
生ぜしめ、着色層を硬化させて、第４図に示すように、
導電性パターン１１のピクセルパターン上に青色着色層
６Ｂが、そして導電性パターン１２のピクセルパターン
上に緑色着色層６Ｇが、更に導電性パターン１３のピク
セルパターン上に赤色着色層６Ｒがトライアングル状に
配列された表面着色体を得な。

得られた表面着色体において、着色層（第３図（ｉ）に
おける６ａ及び第４図における６Ｂ、６Ｇ、６Ｒ）は、
これら着色層が形成されるビクセルパターン以外の部分
に予め、形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密な黒色硬
化樹脂からなる遮光性絶縁膜４ａが形成されているなめ
、同様に形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密なもので
あり、色のはみ出しは認められなかった。

また電着による着色層の形成に先立ち、遮光性無機膜パ
ターン３ａであるニッケルメッキ層を完全に溶解除去し
たので、残存ニッケルメッキ片による電着時のショート
は皆無であった。また仮に溶解不良によりニッケルメッ
キ片が残存したとしても、ピクセルパターンの間隙に遮
光性絶縁膜がケルメツキ片が残存したとしても、ピクセ
ルパターンの間隙に遮光性絶縁膜が既に形成されている
ので、前記電着時のショートは起り得ない。

また上述のようにリードパターン上には着色層は形成さ
れないので、色分解能に優れていた。

実施例７ （１）　　第５図において、透明基板１として、表面を
精密研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い
、この透明基板１の表面上に１゜７００人の厚さのＩＴ
Ｏからなる透明導電性Ｍ２を、酸化インジウム（９５重
量％）と酸化錫（９５重量％）とを混合してなる蒸発源
を用いる真空蒸着法により形成した。次いでこの透明導
電性膜２上に膜厚８００人のクロム窒化物からなる遮光
性無機膜３を、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気（Ｎ
２含有率２０体積％、圧力３　ｘ　１０−５Ｔｏｒｒ）
中でクロムからなるターゲットを用い直流マグネトロン
スパッタリング法により形成しな。このクロム窒化物か
らなる遮光性無機膜３は透明導電性膜２のエツチング手
段に対して耐性を有する。さらにこの遮光性無機［３上
に膜厚５，０００人のレジスト膜７をポジ型フォトレジ
スト（ヘキスト社製ＡＺ−１３５０）をスピンコード法
により塗布することにより形成した（第５図（ａ）参照
）。

その後、温度９０℃の雰囲気中で３０分間レジスト膜７
をベークした。

次に、所定のパターンが形成しであるフォトマスクを通
して紫外線によりレジスト膜７を選択的に露光しＡＺ−
１３５０専用現像液により現像してレジスト膜７の未露
光部分からなるレジストパターン７ａ、７ｂを形成した
（第５図（１））参照）。

次にレジストパターン７ａ、７ｂをマスクとし、硝酸第
２セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素ｉ！（７０％
＞４２ｍ１に純水を加えて１０１００Ｏにした溶液から
なるエツチング液（液温：２３℃）を用い、遮光性無機
膜３を５０秒間エツチングして遮光性無機膜パターン３
ａ、３ｂを形成した（第５図（ｃ）参照）。

次いで４０ボ一メ度塩化第２鉄水溶液及び３６重量％塩
酸を１：１に混合し、５０℃に加熱したエツチング液を
用い、遮光性無機膜パターン３ａ。

３ｂをマスクとし透明導電性膜２をエツチングして、透
明導電性パターン２ｐ、２１を形成した（第５図（ｄ）
参照）。このときエツチング時間は上記膜厚の透明導電
膜２がちょうど基板１の表面までエツチングされるに要
する時間（ジャストエツチング時間〉の２倍の１１２秒
である。

次にレジストパターン？ａ、７ｂを５重量％苛性ソーダ
水溶液からなるレジスト剥難液にて剥離し、上部に遮光
性無機膜パターン３ａ、３ｂをそれぞれ有する透明導電
性パターン２ｐ、２１を、透明基板１の表面に形成した
く第５図（ｅ）参照）。

なお、パターン２ｐがビクセルパターンに、パターン２
ｆｔがリードパターンに相当する。

この方法によれば、ピクセルパターン２Ｐ及びリードパ
ターン２ｊ２を形成するに際に、透明導電性Ｊｌ！２の
エツチング手段に対して耐性を有する遮光性無機膜パタ
ーン３ａ、３ｂをマスクとしているため、透明導電性膜
２のサイドエツチングを防止で、より高精度なピクセル
パターン２ｐ及びリードパターン２１が形成されるとい
う利点がある。

（２）　　次に、透明導電性パターン２ｐ、２１２を表
面に形成した透明基板１の前記表面に、膜厚５゜０００
人のレジスト膜８をポジ型フォトレジスト（ヘキスト社
製ＡＺ−１３５０＞をスピンコード法により塗布するこ
とにより形成した（第５図（ｆ）参照）。その後、温度
９０℃の雰囲気下で３０分間レジスト膜８をベークした
。

次に、遮光性無機膜パターン３ｂの上方のレジスト膜の
みを露光するパターンを有するフォトマスフを通して、
紫外線によりレジスト膜８を選択的に露光し、次いで前
記したと同様の現像液により現像して、レジスト膜８の
未露光部分からなるレジストパターン８ａを形成した（
第５図（ｇ）参照）。なお、遮光性無機膜パターン３ａ
上にのみレジストパターン８ａを形成しても良い。

次いで、前記した遮光性無機膜３のエツチング液を用い
て、レジストパターン８ａにより被覆されていない遮光
性パターン３ｂを５０秒間エツチングして除去した（第
５図（ｈ）参照）。

その後、５重量％苛性ソーダ水溶液からなるレジスト剥
離液を用いてレジストパターン８ａを剥離して、上部に
遮光性無機膜パターン３ａを有するビクセルパターン２
ｐと、リードパターン２１とを表面に形成した透明基板
１を得た（第５図（ｉ）参照）。

この方法によれば、フォトリソグラフィー法により、遮
光性無機膜パターン３ｂ付きリードパターン２１以外の
部分に形状、寸法等の精度にすぐれたレジストパターン
８ａを形成できるので、遮光性無機膜３のエツチング液
により、遮光性無機膜パターン３ｂのみが完全に除去さ
れるという利点がある。

（３）　　上記（２）で得られた遮光性無機膜パターン
３ａ付きピクセルパターン２ｐと、リードパターン２ｆ
ｌとを有する透明基板１について、実施例５の（３）と
同様に処理して、第３図（ｈ）に示されるような、ピク
セルパターン２ｐ、２Ｐの間隙の、リードパターン２１
を含む領域に黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜４ａを
有する製品を得た。

本実施例の方法は、上述の如くピクセルパターン２ｐを
形成する際、透明導電性＠２のエツチング手段に対して
耐性を有する遮光性無機膜パターン３ａをマスクとして
いるため、透明導電性膜２のサイドエツチングを防止し
て、実施例５の場合よりも高精度な形状を有するピクセ
ルパターン２ｐが形成されているので、その間隙に形成
される黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜４ａも高精度
な形状を有するという利点がある。

実施例８ 実施例７で得られた、透明基板１上のピクセルパターン
２ｐ、２ｐの間隙に遮光性無機膜４ａを有する製品を実
施例６と同様に高分子電着法により処理して、第３図（
ｉ）に示すように、ビクセルパターン２ｐ上に着色層６
ａを有する表面着色体を得た。この表面着色体は、これ
を平面的に見れば、第４図に示すように、透明導電性パ
ターン１１のピクセルパターン上に青色着色層６Ｂが、
そして透明導電性パターン１２のビクセルパターン上に
緑色着色層６Ｇが、更に透明導電性パターン１３のピク
セルパターン１３のビクセルパターン上に赤色着色層６
Ｒがトライアングル状に配列されている。

得られた表面着色体において、着色層（第３図（１）に
おける６ａ及び第４図における６Ｂ、６Ｇ。

６Ｒ）は、これら着色層が形成されるビクセル以外の部
分に予め、形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密な黒色
硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜４ａが形成されているた
め、同様に形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密なもの
であり、色のはみ出しは認められなかった。

［発明の効果］ 本発明の透明導電性パターン付き透明基板の製造方法に
よれば、高精度かつ緻密な遮光性絶縁膜を有する透明導
電性パターン付き透明基板を得ることができる。

また本発明の表面着色体の製造方法によれば、透明電導
性パターン上に高精度かつ緻密な着色層を有し、しかも
高精度かつ緻密な遮光性絶縁膜を有する表面着色体を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性
パターンを有する透明基板を製造し、次いで表面着色体
を製造するための工程図、第２図は、その上に遮光性無
機膜パターンを有する透明導電性パターンを透明基板上
に形成するための工程図、 第３図は、遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性
パターンを有する透明基板を製造し、次いで表面着色体
を製造するための他の工程図、第４図は、得られた表面
着色体の一例を示す平面図、 第５図は、その上に遮光性無機膜パターンを有する透明
導電性パターンを透明基板上に形成するための他の工程
図である。 １・・・透明基板、２・・・透明導電性膜、２ａ・・・
透明導電性パターン、２ｐ・・・ビクセルパターン、２
１・・・リードパターン、３・・・遮光性無機膜、３ａ
、３ｂ・・・遮光性無機膜パターン、４・・・顔料及び
／又は染料含有硬化性樹脂塗膜、４ａ・・・遮光性絶縁
膜、５・・・紫外線、６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｒ、６Ｂ、
６Ｇ６Ｒ・・・着色層、７，８・・・レジスト膜、７ａ
、８ｂ・・・レジストパターン、１１．１２．１３・・
・透明導電性パターン 出願人　株式会社シントーケミトロン ホーヤ株式会社 代理人　弁理士　中　村　静　男 第 図 ！！ １１に５ 第 図 弔 図 畳 脅 音 畳 ｆ　＋　ｆ　＋　！５ 第 図 第 図 第４ 図 第 図 第 図 第 図

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）遮光性絶縁膜によって分離された、所定の透明導
   電性パターンを有する透明基板の製造方法において、 （ I ）その上に遮光性無機膜パターンを有する透明導
   電性パターンを透明基板上に形成する工程、（II）前記
   透明基板上に顔料及び／又は染料含有硬化性樹脂を塗布
   する工程、 （III）前記透明基板の背面より露光し、遮光性無機膜
   パターンをマスクとして硬化性樹脂を選択的に硬化する
   工程、 （IV）前記硬化性樹脂の未硬化部分を除去して着色硬化
   樹脂からなる遮光性絶縁膜を形成する工程、（Ｖ）前記
   透明導電性パターン上の遮光性無機膜パターンを剥離す
   る工程、 を順次実施することを特徴とする方法。
2. （２）前記工程（ I ）における透明基板上への遮光性
   無機膜パターン付き透明導電性パターンの形成が、 前記透明基板上に、所定のパターン形成手段により、透
   明導電性パターンを形成する工程（ａ＿１）と、 工程（ａ＿１）で形成された透明導電性パターン上に、
   所定の成膜手段により、遮光性無機膜パターンを形成す
   る工程（ａ＿２）と、 を含む方法（Ａ）によって実施される、請求項（１）に
   記載の方法。
3. （３）前記工程（ I ）における透明基板上への遮光性
   無機膜パターン付き透明導電性パターンの形成が、 前記透明基板上に透明導電性膜を形成した後、該透明導
   電性膜上に、透明導電性膜のエッチング手段に対して耐
   性を有する遮光性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性
   無機膜上にレジスト膜を形成する工程（ｂ＿１）と、 工程（ｂ＿１）で形成されたレジスト膜を選択的に露光
   現像してレジストパターンを形成した後、該レジストパ
   ターンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエッチング
   手段によりエッチングして遮光性無機膜パターンを形成
   し、次いで該遮光性無機膜パターンをマスクとし前記透
   明導電性膜をそのエッチング手段によりエッチングして
   透明導電性膜パターンを形成する工程（ｂ＿２）、 を含む方法（Ｂ）によって実施される、請求項（１）に
   記載の方法。
4. （４）透明導電性パターンが、トライアングルパターン
   又はモザイクパターンであり、工程（ I ）において、
   実質的に透明導電性パターン中のピクセルパターンの領
   域上にのみ遮光性無機膜パターンが形成される、請求項
   （１）に記載の方法。
5. （５）透明導電性パターン中のピクセルパターンの領域
   上への遮光性無機膜パターンの形成が、所定のパターン
   形成手段により、ピクセルパターンとリードパターンと
   からなる透明導電性パターンを透明基板上に形成する工
   程（ｃ＿１）と、工程（ｃ＿１）で得られた透明導電性
   パターン付き透明基板上にレジスト膜を形成した後、該
   レジスト膜を選択的に露光現像して、ピクセルパターン
   以外の、リードパターンを含む領域にレジストパターン
   を形成する工程（ｃ＿２）と、 工程（ｃ＿２）で形成されたレジストパターンの間隙の
   ピクセルパターン上に、所定の成膜手段により、遮光性
   無機膜パターンを形成する工程（ｃ＿３）と、 を含む方法（ｃ）によって実施される、請求項（４）に
   記載の方法。
6. （６）透明導電性パターン中のピクセルパターンの領域
   上への遮光性無機膜パターンの形成が、前記透明基板上
   に透明導電性膜を形成した後、該透明導電性膜上に、透
   明導電性膜のエッチング手段に対して耐性を有する遮光
   性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性無機膜上にレジ
   スト膜を形成する工程（ｄ＿１）、 工程（ｄ＿１）で形成されたレジスト膜を選択的に露光
   現像してレジストパターンを形成した後、該レジストパ
   ターンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエッチング
   手段によりエッチングして遮光性無機膜パターンを形成
   し、次いで該遮光性膜パターンをマスクとし前記透明導
   電性膜をそのエッチング手段によりエッチングして、ピ
   クセルパターンとリードパターンとからなる透明導電性
   パターンを形成する工程（ｄ＿２）と、 工程（ｄ＿２）で形成された、その上に遮光性無機膜パ
   ターンを有する透明導電性パターン付き透明基板上にレ
   ジスト膜を形成した後、該レジスト膜を選択的に露光現
   像し、遮光性無機膜パターンを有するリードパターン以
   外の部分にレジストパターンを形成し、その後、リード
   パターン上の露出している遮光性無機膜パターン及びレ
   ジストパターンを順次除去する工程（ｄ＿３）と、 を含む方法（Ｄ）によつて実施される、請求項（４）に
   記載の方法。
7. （７）遮光性絶縁膜によつて分離された、所定の透明導
   電性パターンを透明基板上に有し、さらに前記透明導電
   性パターン上に着色層を有する表面着色体の製造方法に
   おいて、 （ I ）その上に遮光性無機膜パターンを有する透明導
   電性パターンを透明基板上に形成する工程、（II）前記
   透明基板上に、顔料及び／又は染料含有硬化性樹脂を塗
   布する工程、 （III）前記透明基板の背面より露光し、遮光性無機膜
   パターンをマスクとして硬化性樹脂を選択的に硬化する
   工程、 （IV）前記硬化性樹脂の未硬化部分を除去して着色硬化
   樹脂からなる遮光性絶縁膜を形成する工程、（Ｖ）前記
   透明導電性パターン上の遮光性無機膜パターンを剥離す
   る工程、 （VI）前記透明導電性パターン上に着色層を形成する工
   程、 を順次実施することを特徴とする方法。
8. （８）工程（VI）における着色層の形成が、高分子電着
   法により実施される、請求項（７）に記載の方法。