JPH028294Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、半導体装置を製造するために必要
な写真製版作業で、現像工程に用いられる自動現
像装置に関するものである。

写真製版作業は、レジスト塗布工程、マスク合
せ露光工程、現像工程から成り、現工程は、現
像、リンス、乾燥のそれぞれの工程から成つてい
る。自動現像装置は上記の現像、リンス、乾燥の
それぞれの工程を自動で連続的に処理するために
考案された装置である。

第１図は従来の自動現像装置の断面図を示し、
第２図に第１図の各部分の位置関係を説明するた
めの斜視図を示す。なお、第２図には上カバー
１、および下カバー２は図示していない。この自
動現像装置の操作手順は、上カバー１を取りはず
し真空チヤツク４の上へ現像しようとする試料、
たとえばウエハ（図示せず）を置き固定し、上カ
バー１をかぶせる。次にモータ６により回転台５
を回転させながらパイプ７で導びかれた現像液、
リンス液、乾燥用のチツ素ガス（それぞれ図示せ
ず）をスプレーノズル３によりウエハ上へ順次霧
状にして吹き付ける。８はその霧の流れを示す。
また、現像、リンス、乾燥の時間は外部に設けら
れたタイマー（図示せず）により設定される。

ここで現像液のスプレーノズル３からの噴出量
と現像時間の関係を第３図に示し、現像時間とパ
ターンの幅との関係を第４図に示す。この第３図
および第４図から、幅のせまいパターンを形成す
るには現像時間を短くしなくてはならず、そのた
めには現像液のスプレーノズル３からの噴出量を
多くしなければならないことがわかる。

最近の半導体装置で、特に超高周波帯で用いら
れるマイクロ波通信用GaAsS.B.D.（ガリウム・ヒ
素・シヨツトキ・バリア・ダイオード）や
GaAsFET（ガリウム・ヒ素・電界効果トランジ
スタ）は、数μｍ〜サブミクロンパターンを形成
する技術が必要とされている。しかしこのような
超微細パターンの形成を必要とする写真製版工程
に自動現像装置を用いると、上記のようにスプレ
ーノズル３からの現像液の噴出量を多くしなけれ
ばならない。しかし従来の自動現像装置では、現
像液の噴出量を多くすると第１図のように上カバ
ー１の内側天井部分に現像液のしずく９が溜りウ
エハ上へ落下してくる。このしずく９がウエハ上
に落下すると、現像むらやピンホール等の不良の
原因となり、サブミクロン形成の歩留りを低下さ
せる原因の一つとなつていた。

この考案は、上記従来の欠点を取り除くために
なされたものである。以下、この考案を詳細に説
明する。

第５図はこの考案の一実施例を示す自動現像装
置の断面図で、第１図と同一符号は同一構成部分
を示す。この実施例は、上カバー１の内側天井部
に回転板１３を設け、これをモータ１１でギヤ１
２Ａ，１２Ｂを介して回転するようにし、さらに
反射防止板１４を設けたことを特徴としている。
この考案による自動現像装置の操作手順は従来装
置とほぼ同じであり、上カバー１を取りはずし真
空チヤツク４の上へ現像しようとする試料、たと
えばウエハを置き固定し、上カバー１をかぶせ
る。次にモータ６と１１により回転台５と回転板
１３をそれぞれ回転させながらパイプ７で導びか
れた現像液、リンス液、乾燥用チツ素ガス（それ
ぞれ図示せず）をスプレーノズル３によりウエハ
上へ順に霧状にして吹き付ける。また現像、リン
ス、乾燥の時間の設定は従来同様に外部に設けら
れたタイマーにより設定する。

ここで従来の装置では、上カバー１の内側天井
部分にしずく９が溜りウエハ上へ落下するわけで
あるが、この考案による装置では、上カバー１の
内側天井部分に回転板１３が設けてあるのでしず
く９は回転板１３に溜ることになる。しかし、回
転板１３はモータ１１により回転しているため回
転板１３に溜つたしずく９は回転の遠心力により
図中矢印の方向、つまり上カバー１の側面方向に
吹き飛ばされるために、ウエハ上へしずく９が落
下することはなくなる。さらにこの考案では、吹
き飛ばされたしずく９が上カバー１の側面に当つ
てはね返ることによるしずく９の落下防止のため
に反射防止板１４を設けてあるので、この反射防
止板１４により上カバー１の側面に当つてはね返
つてきたしずく９は、反射防止板１４へ当り上カ
バー１の側面または反射防止板１４の内側をつた
い下方へ行き排出パイプ１０により装置外部に排
出される。

第６図で示した回転板１３と反射防止板１４と
の距離ＨおよびＡとＢは、回転板１３の回転数お
よび使用する現像液の粘度等により適宜選びうる
ものである。

なお、上記実施例では自動現像装置について述
べてきたが、この考案は、スプレー式のエツチン
グ装置や各種洗浄装置に応用できることはいうま
でもない。

以上のようにこの考案による自動現像装置を用
いると、従来装置のように現像液のしずくの落下
による現像工程の不良が防げるため歩留りを向上
させるとともに超微細パターンの形成を可能にす
ることができる利点が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の自動現像装置の断面図、第２図
は従来の自動現像装置の各部分の位置関係を説明
するための斜視図、第３図および第４図は現像液
のノズルからの噴出量と現像時間およびパターン
幅と現像時間の関係を示すグラフ、第５図はこの
考案の一実施例を示す自動現像装置の断面図、第
６図は回転板と反射防止板の位置関係を示す部分
断面図である。 図中、１は上カバー、２は下カバー、３はスプ
レーノズル、４は真空チヤツク、５回転台、６，
１１はモータ、７はパイプ、８はスプレーノズル
からの霧の流れ、９はしずく、１０は排出パイ
プ、１２Ａ，１２Ｂはギヤ、１３は回転板、１４
は反射防止板である。なお、図中の同一符号は同
一または相当部分を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 天井に設けたスプレーノズルから現像に必要な
   液やガスを噴出し、下方の回転台上に置かれたウ
   エハの現像処理を行うものにおいて、前記天井部
   分に発生したしずくを遠心力により側面方向に吹
   き飛ばす回転板を設け、さらに前記遠心力により
   吹き飛ばされたしずくの反射を防止する反射防止
   板を前記回転板の下方で、装置の内側面部分に設
   けたことを特徴とする自動現像装置。