JPH11186123A - ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 - Google Patents
ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法Info
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- JPH11186123A JPH11186123A JP10154617A JP15461798A JPH11186123A JP H11186123 A JPH11186123 A JP H11186123A JP 10154617 A JP10154617 A JP 10154617A JP 15461798 A JP15461798 A JP 15461798A JP H11186123 A JPH11186123 A JP H11186123A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエーハの回転速度を落してもウエーハ上に
溶解された感光膜粒子と現像液及び洗浄液の微細な残留
物が残らない現像方法を提供する。 【解決手段】 望みのパターンを形成するための物質層
１１とその上にコーティングされた感光膜１２が形成さ
れたウエーハ１０を、感光膜１２の表面が地面に対し下
へ向かうようにウエーハホルダー１４に装着する段階
と、感光膜１２の表面に現像液噴射装置１６を利用して
現像液２８を噴射して感光膜１２と現像液２８を反応さ
せる段階と、現像液２８が噴射された感光膜１２の表面
に洗浄液噴射装置１６を利用して洗浄液を噴射する段階
を具備し、現像液噴射段階と洗浄液噴射段階はウエーハ
１０が回転する状態で進行される。
溶解された感光膜粒子と現像液及び洗浄液の微細な残留
物が残らない現像方法を提供する。 【解決手段】 望みのパターンを形成するための物質層
１１とその上にコーティングされた感光膜１２が形成さ
れたウエーハ１０を、感光膜１２の表面が地面に対し下
へ向かうようにウエーハホルダー１４に装着する段階
と、感光膜１２の表面に現像液噴射装置１６を利用して
現像液２８を噴射して感光膜１２と現像液２８を反応さ
せる段階と、現像液２８が噴射された感光膜１２の表面
に洗浄液噴射装置１６を利用して洗浄液を噴射する段階
を具備し、現像液噴射段階と洗浄液噴射段階はウエーハ
１０が回転する状態で進行される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造方
法に係り、さらに詳細にはウエーハ上に形成された感光
膜の現像方法に関する。
法に係り、さらに詳細にはウエーハ上に形成された感光
膜の現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体素子は数多くの工程をた
どって製造される。このような数多くの工程中からウエ
ーハ上に形成された物質層を望みのパターンに形成する
ためのフォト工程は半導体素子の製造に必須に要求され
る工程である。このようなフォト工程はウエーハ上に感
光膜、例えばフォトレジスト膜を形成する塗布工程と、
前記フォトレジスト膜の所定領域に紫外線のような光を
選択的に照射する露光工程と、前記露光工程が完了した
ウエーハ上のフォトレジスト膜を現像し望みの形態のフ
ォトレジストパターンを形成する現像工程を含む。
どって製造される。このような数多くの工程中からウエ
ーハ上に形成された物質層を望みのパターンに形成する
ためのフォト工程は半導体素子の製造に必須に要求され
る工程である。このようなフォト工程はウエーハ上に感
光膜、例えばフォトレジスト膜を形成する塗布工程と、
前記フォトレジスト膜の所定領域に紫外線のような光を
選択的に照射する露光工程と、前記露光工程が完了した
ウエーハ上のフォトレジスト膜を現像し望みの形態のフ
ォトレジストパターンを形成する現像工程を含む。
【０００３】一方、従来の現像工程はウエーハ上に形成
された感光膜の表面が上に向かった状態で進行される。
この時、現像工程中現像液に溶解された感光膜は現像液
中に微細な粒子として存在するようになる。このような
従来の現像工程において、ウエーハ上に存在する溶解さ
れた感光膜粒子と現像液及び洗浄液の除去はウエーハを
回転させ遠心力によりウエーハの外に弾んで行くように
することによって遂行される。
された感光膜の表面が上に向かった状態で進行される。
この時、現像工程中現像液に溶解された感光膜は現像液
中に微細な粒子として存在するようになる。このような
従来の現像工程において、ウエーハ上に存在する溶解さ
れた感光膜粒子と現像液及び洗浄液の除去はウエーハを
回転させ遠心力によりウエーハの外に弾んで行くように
することによって遂行される。
【０００４】しかし、ウエーハ上に存在する溶解された
感光膜粒子と現像液及び洗浄液を取り除くために、感光
膜表面が上に向かった状態でウエーハを回転させれば、
現像液に溶解された感光膜粒子と現像液及び洗浄液は遠
心力により加速されながら感光膜パターンの側壁にぶつ
かるようになる。このように従来の現像工程は、感光膜
パターンの側壁に力が加えられることによって、下部膜
との接触面積が小さい感光膜パターンは押されたり倒れ
たりまたは基板から分離される現像が発生するようにな
って望みのパターンを十分に形成できない問題点があっ
た。
感光膜粒子と現像液及び洗浄液を取り除くために、感光
膜表面が上に向かった状態でウエーハを回転させれば、
現像液に溶解された感光膜粒子と現像液及び洗浄液は遠
心力により加速されながら感光膜パターンの側壁にぶつ
かるようになる。このように従来の現像工程は、感光膜
パターンの側壁に力が加えられることによって、下部膜
との接触面積が小さい感光膜パターンは押されたり倒れ
たりまたは基板から分離される現像が発生するようにな
って望みのパターンを十分に形成できない問題点があっ
た。
【０００５】このように感光膜パターンが押されたり倒
れたりする問題点は、特にウエーハのへり附近でたくさ
ん発生するようになり、ウエーハの口径が大きくなるほ
ど発生領域もさらに広くなって、半導体素子の不良率を
増やす原因になる。従来の現像工程では、このような遠
心力による問題点を最小化するために、ウエーハの回転
速度を減少させる方法が使われている。しかし、回転速
度を減少させると、溶解された感光膜粒子と現像液及び
洗浄液が十分に基板のそとに弾んで行かれなくなる。し
たがって現像工程が完了した後にも、ウエーハ上に溶解
された感光膜粒子と現像液及び洗浄液の微細な残留物が
残ることになり他の問題点が発生するようになる。
れたりする問題点は、特にウエーハのへり附近でたくさ
ん発生するようになり、ウエーハの口径が大きくなるほ
ど発生領域もさらに広くなって、半導体素子の不良率を
増やす原因になる。従来の現像工程では、このような遠
心力による問題点を最小化するために、ウエーハの回転
速度を減少させる方法が使われている。しかし、回転速
度を減少させると、溶解された感光膜粒子と現像液及び
洗浄液が十分に基板のそとに弾んで行かれなくなる。し
たがって現像工程が完了した後にも、ウエーハ上に溶解
された感光膜粒子と現像液及び洗浄液の微細な残留物が
残ることになり他の問題点が発生するようになる。
【０００６】一方、このような遠心力による問題点を最
小化するための他の方法としては、ウエーハの口径を小
さくしたりパターンサイズを大きくして感光膜パターン
と下部膜との接触面積を増やす方法があるが、これは半
導体素子が高集積化されウエーハの大きさが大口径化さ
れる現在の技術の趨勢から見た時、相反する方法であっ
て実現することが非常にむずかしい。
小化するための他の方法としては、ウエーハの口径を小
さくしたりパターンサイズを大きくして感光膜パターン
と下部膜との接触面積を増やす方法があるが、これは半
導体素子が高集積化されウエーハの大きさが大口径化さ
れる現在の技術の趨勢から見た時、相反する方法であっ
て実現することが非常にむずかしい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を解決するために案出されたもので、ウエーハの
回転速度を減少させてもウエーハ上に溶解された感光膜
粒子と現像液及び洗浄液の微細な残留物が残らない現像
方法を提供することにその目的がある。
問題点を解決するために案出されたもので、ウエーハの
回転速度を減少させてもウエーハ上に溶解された感光膜
粒子と現像液及び洗浄液の微細な残留物が残らない現像
方法を提供することにその目的がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明のウエーハ上に形成された感光膜の現像方法
は、望みのパターンを形成するための物質層と前記物質
層上にコーティングし露光され感光膜が形成されたウエ
ーハを前記感光膜の表面が下へ向かうようにウエーハホ
ルダーに装着する段階と、前記感光膜の表面に現像液噴
射装置を利用して現像液を噴射し前記感光膜と前記現像
液を反応させる段階と、前記現像液と反応された感光膜
の表面に洗浄液噴射装置を利用し洗浄液を噴射する段階
を具備する。前記現像液噴射段階と前記洗浄液噴射段階
は前記ウエーハが回転する状態で進行される。
の本発明のウエーハ上に形成された感光膜の現像方法
は、望みのパターンを形成するための物質層と前記物質
層上にコーティングし露光され感光膜が形成されたウエ
ーハを前記感光膜の表面が下へ向かうようにウエーハホ
ルダーに装着する段階と、前記感光膜の表面に現像液噴
射装置を利用して現像液を噴射し前記感光膜と前記現像
液を反応させる段階と、前記現像液と反応された感光膜
の表面に洗浄液噴射装置を利用し洗浄液を噴射する段階
を具備する。前記現像液噴射段階と前記洗浄液噴射段階
は前記ウエーハが回転する状態で進行される。
【０００９】前記現像液噴射装置と前記洗浄液噴射装置
は同一な噴射装置または各々異なる噴射装置でありう
る。前記現像液噴射装置の数及び前記洗浄液噴射装置の
数は複数であることが望ましく、前記現像液噴射装置と
前記洗浄液噴射装置は前記感光膜の表面に沿って移動す
ることが望ましい。前記現像液の反応時円滑な反応のた
めにウエーハに微少な振動を加えることが望ましい。
は同一な噴射装置または各々異なる噴射装置でありう
る。前記現像液噴射装置の数及び前記洗浄液噴射装置の
数は複数であることが望ましく、前記現像液噴射装置と
前記洗浄液噴射装置は前記感光膜の表面に沿って移動す
ることが望ましい。前記現像液の反応時円滑な反応のた
めにウエーハに微少な振動を加えることが望ましい。
【００１０】前記ウエーハの回転速度は、前記現像反応
段階で溶解された前記感光膜の微細な粒子と前記洗浄液
及び前記現像液の重力による自重とウエーハの回転運動
による遠心力との力の合成成分の方向が感光膜パターン
の側壁に対し傾斜した方向になるよう調節することが望
ましい。前記現像液反応段階を遂行する前にまず前リン
ス段階をさらに含むことができる。
段階で溶解された前記感光膜の微細な粒子と前記洗浄液
及び前記現像液の重力による自重とウエーハの回転運動
による遠心力との力の合成成分の方向が感光膜パターン
の側壁に対し傾斜した方向になるよう調節することが望
ましい。前記現像液反応段階を遂行する前にまず前リン
ス段階をさらに含むことができる。
【００１１】本発明にともなうウエーハ上に形成された
感光膜の現像方法は、従来の方法に比べて重力による効
果によって充分なリンス効果をおさめながらウエーハの
回転速度を概略、1,000rpm程度減少させることができる
ため、遠心力によるフォトレジストパターンの倒れや押
される現像を防止して半導体素子の不良率を低めること
ができる。
感光膜の現像方法は、従来の方法に比べて重力による効
果によって充分なリンス効果をおさめながらウエーハの
回転速度を概略、1,000rpm程度減少させることができる
ため、遠心力によるフォトレジストパターンの倒れや押
される現像を防止して半導体素子の不良率を低めること
ができる。
【００１２】また、現在使用中の8インチウエーハだけ
でなく12インチウエーハに適用しても望ましい結果を期
待することができる。これはウエーハの大口径化に従う
現像工程においてウエーハの回転速度をさらに低くしな
がら充分なリンス効果をおさめることが要求される趨勢
に鑑みる時、望ましいことである。
でなく12インチウエーハに適用しても望ましい結果を期
待することができる。これはウエーハの大口径化に従う
現像工程においてウエーハの回転速度をさらに低くしな
がら充分なリンス効果をおさめることが要求される趨勢
に鑑みる時、望ましいことである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面を参照して
本発明にともなう望ましい実施の形態を詳細に説明す
る。但し、本発明が下記の実施の形態に限定されるよう
に解釈されるようなことはない。また、図面で層や領域
等の厚さは説明を明確にするために誇張されたことであ
る。図面で同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
本発明にともなう望ましい実施の形態を詳細に説明す
る。但し、本発明が下記の実施の形態に限定されるよう
に解釈されるようなことはない。また、図面で層や領域
等の厚さは説明を明確にするために誇張されたことであ
る。図面で同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
【００１４】通常、現像工程は前リンス段階から現像段
階、そして、後リンス段階を経るようになる。前リンス
段階ではフォトレジストのような感光膜の表面を洗浄し
温度を調節し、後リンス段階では現像工程中感光膜表面
に吐出された現像液を洗い落とす。望みのパターンを形
成するための物質層と前記物質層上にコーティングされ
た感光膜を具備するウエーハは、露光工程及び前リンス
工程をたどった後、現像段階が進行される。現像段階は
現像液吐出段階と現像反応段階とに大別される。
階、そして、後リンス段階を経るようになる。前リンス
段階ではフォトレジストのような感光膜の表面を洗浄し
温度を調節し、後リンス段階では現像工程中感光膜表面
に吐出された現像液を洗い落とす。望みのパターンを形
成するための物質層と前記物質層上にコーティングされ
た感光膜を具備するウエーハは、露光工程及び前リンス
工程をたどった後、現像段階が進行される。現像段階は
現像液吐出段階と現像反応段階とに大別される。
【００１５】現像液吐出段階では、現像液がノズルのよ
うな噴射装置により感光膜が形成されたウエーハ上に吐
出される。この時、現像液は感光膜の全面に均一でかつ
同時に吐出されるべきである。現像反応段階では、現像
液吐出段階で感光膜上に均一に吐出された現像液が感光
膜の露光された部分を選択的に溶解させる。この時、現
像液が物理的力の影響を受けるようになれば露光されな
い感光膜側壁の一部分が現像液と反応するようになるの
で、感光膜の露光された部分と現像液は物理的力の影響
を受けずに、純粋に化学的反応がおこるようにウエーハ
の回転速度が調節されるのが望ましい。
うな噴射装置により感光膜が形成されたウエーハ上に吐
出される。この時、現像液は感光膜の全面に均一でかつ
同時に吐出されるべきである。現像反応段階では、現像
液吐出段階で感光膜上に均一に吐出された現像液が感光
膜の露光された部分を選択的に溶解させる。この時、現
像液が物理的力の影響を受けるようになれば露光されな
い感光膜側壁の一部分が現像液と反応するようになるの
で、感光膜の露光された部分と現像液は物理的力の影響
を受けずに、純粋に化学的反応がおこるようにウエーハ
の回転速度が調節されるのが望ましい。
【００１６】現像反応段階の間、現像液と反応して溶解
された感光膜及び現像液をウエーハから取り除くため
に、ウエーハは続けて後リンス段階を経るようになる。
後リンス段階では、ノズルのような噴射装置から噴射さ
れる洗浄液を利用して溶解された感光膜及び現像液をウ
エーハから取り除き、この時、ウエーハを回転させ溶解
された感光膜及び現像液に適切な遠心力を加えることに
よって効率的に除かれるようにする。
された感光膜及び現像液をウエーハから取り除くため
に、ウエーハは続けて後リンス段階を経るようになる。
後リンス段階では、ノズルのような噴射装置から噴射さ
れる洗浄液を利用して溶解された感光膜及び現像液をウ
エーハから取り除き、この時、ウエーハを回転させ溶解
された感光膜及び現像液に適切な遠心力を加えることに
よって効率的に除かれるようにする。
【００１７】ところが、既に記述した遠心力による問題
点は主に後リンス段階から発生するようになる。したが
って、本発明は後リンス段階を改善して遠心力による問
題点を最小化するためのことである。図1は本発明の現
像方法を説明するための概略図である。
点は主に後リンス段階から発生するようになる。したが
って、本発明は後リンス段階を改善して遠心力による問
題点を最小化するためのことである。図1は本発明の現
像方法を説明するための概略図である。
【００１８】図1を参照すれば、まず酸化膜のような物
質層11とフォトレジストのような感光膜12とが順に形成
されたウエーハ10を、真空チャックを具備するようなウ
エーハホルダー14に設置する。この時、感光膜12の表面
12aを上向きに設置する従来の方法と異なり、本発明の
方法では感光膜12の表面12aを下向きに設置する。感光
膜12の表面12aを下向きに設置することは現像反応段階
から溶解された感光膜と現像液がウエーハから取除かれ
る時、遠心力だけでなく重力による自重を受けることに
よって、既に説明した遠心力による問題点を最小化する
ためのことである。 そして、感光膜12を現像するため
にノズルのような噴射装置16から感光膜12の表面12aに
向かって現像液を噴射する(現像液吐出段階)。前記現像
液吐出段階を経る前に前リンス段階を経ることが望まし
い。
質層11とフォトレジストのような感光膜12とが順に形成
されたウエーハ10を、真空チャックを具備するようなウ
エーハホルダー14に設置する。この時、感光膜12の表面
12aを上向きに設置する従来の方法と異なり、本発明の
方法では感光膜12の表面12aを下向きに設置する。感光
膜12の表面12aを下向きに設置することは現像反応段階
から溶解された感光膜と現像液がウエーハから取除かれ
る時、遠心力だけでなく重力による自重を受けることに
よって、既に説明した遠心力による問題点を最小化する
ためのことである。 そして、感光膜12を現像するため
にノズルのような噴射装置16から感光膜12の表面12aに
向かって現像液を噴射する(現像液吐出段階)。前記現像
液吐出段階を経る前に前リンス段階を経ることが望まし
い。
【００１９】現像液吐出段階が遂行された後、続いて現
像液反応段階が進行される。この時、円滑な反応のため
にウエーハに微細な振動を与えることが望ましい。現像
液反応段階は以下で再び詳細に説明する。現像液反応段
階で溶解された感光膜と現像液をウエーハから取り除く
ために、噴射装置16から感光膜12の表面12aに向かって
洗浄液18を噴射する(後リンス段階)。図1には一つの噴
射装置16だけを示したが、図2に示したように複数の噴
射装置26a、26b、26cから洗浄液27、28、29が噴射で
き、噴射装置の数は必要によって変わることができる。
また、現像液と洗浄液は図1に示したように同一な噴射
装置から噴射されることができ、各々別の噴射装置から
噴射されることもできる。図2で参照番号20、21、22は
図1と同じく各々ウエーハ、望みのパターンを形成する
ための物質層、感光膜を示す。参照番号22aは感光膜の
表面を示し、参照番号24はウエーハホルダーを示す。噴
射装置16または26a、26b、26cは効率的なリンスのため
に感光膜12または感光膜22の表面22aまたは22aに沿って
移動することもできる。
像液反応段階が進行される。この時、円滑な反応のため
にウエーハに微細な振動を与えることが望ましい。現像
液反応段階は以下で再び詳細に説明する。現像液反応段
階で溶解された感光膜と現像液をウエーハから取り除く
ために、噴射装置16から感光膜12の表面12aに向かって
洗浄液18を噴射する(後リンス段階)。図1には一つの噴
射装置16だけを示したが、図2に示したように複数の噴
射装置26a、26b、26cから洗浄液27、28、29が噴射で
き、噴射装置の数は必要によって変わることができる。
また、現像液と洗浄液は図1に示したように同一な噴射
装置から噴射されることができ、各々別の噴射装置から
噴射されることもできる。図2で参照番号20、21、22は
図1と同じく各々ウエーハ、望みのパターンを形成する
ための物質層、感光膜を示す。参照番号22aは感光膜の
表面を示し、参照番号24はウエーハホルダーを示す。噴
射装置16または26a、26b、26cは効率的なリンスのため
に感光膜12または感光膜22の表面22aまたは22aに沿って
移動することもできる。
【００２０】現像液吐出段階と現像液反応段階とからな
る現像段階と後リンス段階において、ウエーハホルダー
14またはウエーハホルダー24に設置されたウエーハ10ま
たはウエーハ20はモーターのような回転運動を発生させ
る装置(図示せず)によってaまたはb方向に回転したり、
またはその反対方向に回転する。この時、ウエーハの回
転速度は現像段階と後リンス段階において相異なること
がある。図３は図１のＡ部分の拡大断面図であり、現像
反応段階で現像液に溶解された感光膜部分と現像液が後
リンス段階をたどりながらウエーハ外に除くことを示
す。
る現像段階と後リンス段階において、ウエーハホルダー
14またはウエーハホルダー24に設置されたウエーハ10ま
たはウエーハ20はモーターのような回転運動を発生させ
る装置(図示せず)によってaまたはb方向に回転したり、
またはその反対方向に回転する。この時、ウエーハの回
転速度は現像段階と後リンス段階において相異なること
がある。図３は図１のＡ部分の拡大断面図であり、現像
反応段階で現像液に溶解された感光膜部分と現像液が後
リンス段階をたどりながらウエーハ外に除くことを示
す。
【００２１】図3を参照すれば、露光工程で露光された
感光膜12の部分32は現像液に溶解され、反対に露光工程
で露光されてない感光膜12の部分34は現像液に溶解され
ない。溶解された感光膜12の部分32は現像液中に微細な
粒子36として残っているようになる。図3に示したよう
に、本発明の現像方法は、後リンス段階で、このような
微細な粒子36と現像液及び洗浄液がウエーハ10に残留し
なく、また露光されてない感光膜12の部分34(すなわ
ち、感光膜パターン)に微細な粒子36と液体の遠心力に
よる影響を最小化するためである。このためにウエーハ
の回転速度を適切に調節し微細な粒子36と液体の重力に
よる自重とウエーハの回転にともなう遠心力を調整する
ことによって、微細な粒子36と液体がウエーハ10からc
またはd方向に(すなわち、感光膜パターンの側壁にぶつ
けられない方向に)弾んで行けるようにすることであ
る。この時ウエーハの回転速度は前記感光膜パターンの
線幅と高さに依存し、また感光膜パターンと下部膜との
接着度(すなわち、下部膜の種)に依存する。以上ではポ
ジティブフォトレジストの現像工程に対し説明したが、
ネガティブフォトレジストの現像工程の場合でも感光膜
の露光されてない部分が現像されるということを除いて
は同一である
感光膜12の部分32は現像液に溶解され、反対に露光工程
で露光されてない感光膜12の部分34は現像液に溶解され
ない。溶解された感光膜12の部分32は現像液中に微細な
粒子36として残っているようになる。図3に示したよう
に、本発明の現像方法は、後リンス段階で、このような
微細な粒子36と現像液及び洗浄液がウエーハ10に残留し
なく、また露光されてない感光膜12の部分34(すなわ
ち、感光膜パターン)に微細な粒子36と液体の遠心力に
よる影響を最小化するためである。このためにウエーハ
の回転速度を適切に調節し微細な粒子36と液体の重力に
よる自重とウエーハの回転にともなう遠心力を調整する
ことによって、微細な粒子36と液体がウエーハ10からc
またはd方向に(すなわち、感光膜パターンの側壁にぶつ
けられない方向に)弾んで行けるようにすることであ
る。この時ウエーハの回転速度は前記感光膜パターンの
線幅と高さに依存し、また感光膜パターンと下部膜との
接着度(すなわち、下部膜の種)に依存する。以上ではポ
ジティブフォトレジストの現像工程に対し説明したが、
ネガティブフォトレジストの現像工程の場合でも感光膜
の露光されてない部分が現像されるということを除いて
は同一である
【００２２】次に、上記本発明との比較例について説明
する。従来の現像方法と本発明の現像方法を比較するた
めに、まず図4に示したように酸化膜41と感光膜42が順
に形成された複数の8インチウエーハ40を準備して、こ
の8インチウエーハ40上に形成された感光膜42に露光工
程を進行した。そして、各々異なるウエーハ40を利用し
て前記露光された感光膜42に従来の現像方法と本発明の
現像方法に従って、幅が0.15〜0.5μm(概略0.3μm )
で、高さが4,000〜10,000オングストロームである感光
膜パターンを形成した。その結果、8インチウエーハ40
において線幅が0.3μm以下である場合、従来の現像方法
ではウエーハ40の回転速度が概略3,500rpm以下では遠心
力によるリンス効果が落ちることによってウエーハ40の
へりに溶解された感光膜粒子と現像液及び洗浄液の微細
な残留物が残っていた。
する。従来の現像方法と本発明の現像方法を比較するた
めに、まず図4に示したように酸化膜41と感光膜42が順
に形成された複数の8インチウエーハ40を準備して、こ
の8インチウエーハ40上に形成された感光膜42に露光工
程を進行した。そして、各々異なるウエーハ40を利用し
て前記露光された感光膜42に従来の現像方法と本発明の
現像方法に従って、幅が0.15〜0.5μm(概略0.3μm )
で、高さが4,000〜10,000オングストロームである感光
膜パターンを形成した。その結果、8インチウエーハ40
において線幅が0.3μm以下である場合、従来の現像方法
ではウエーハ40の回転速度が概略3,500rpm以下では遠心
力によるリンス効果が落ちることによってウエーハ40の
へりに溶解された感光膜粒子と現像液及び洗浄液の微細
な残留物が残っていた。
【００２３】一方、本発明による現像方法の場合には、
ウエーハ40の回転速度が概略2,500rpm近くでも、ウエー
ハ40のへりに、溶解した感光膜粒子と現像液及び洗浄液
の微細な残留物が残っていなかった。ここで、8インチ
ウエーハ上に形成された感光膜を現像する場合、線幅が
0.3μmの時、ウエーハの回転にともなう遠心力によって
感光膜パターンが押されたり倒れたりする問題点を最小
化するためにはウエーハの回転速度が概略3,000rpm以下
にすべきである。
ウエーハ40の回転速度が概略2,500rpm近くでも、ウエー
ハ40のへりに、溶解した感光膜粒子と現像液及び洗浄液
の微細な残留物が残っていなかった。ここで、8インチ
ウエーハ上に形成された感光膜を現像する場合、線幅が
0.3μmの時、ウエーハの回転にともなう遠心力によって
感光膜パターンが押されたり倒れたりする問題点を最小
化するためにはウエーハの回転速度が概略3,000rpm以下
にすべきである。
【００２４】したがって、8インチウエーハの回転速度
を3,000rpm以下に低くめることができる本発明の現像方
法は、遠心力にともなう問題点を最小化できながら充分
なリンス効果をおさめることができる。
を3,000rpm以下に低くめることができる本発明の現像方
法は、遠心力にともなう問題点を最小化できながら充分
なリンス効果をおさめることができる。
【００２５】以上の実施の形態において本発明に対して
説明したが、本発明は前述した実施の形態に示されてい
る例に限定されることでなく、単に、本実施の形態は本
発明の開示を完全にし、通常の知識を持った者に発明の
範疇を完全に知らせるために提供されることであり、本
発明の技術思想及び範囲内で当分野の通常の知識を持っ
た者によって各種変形及び改良が可能なことは明白であ
る。
説明したが、本発明は前述した実施の形態に示されてい
る例に限定されることでなく、単に、本実施の形態は本
発明の開示を完全にし、通常の知識を持った者に発明の
範疇を完全に知らせるために提供されることであり、本
発明の技術思想及び範囲内で当分野の通常の知識を持っ
た者によって各種変形及び改良が可能なことは明白であ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上で見たように本発明にともなうウエ
ーハ上に形成された感光膜の現像方法は、従来の方法に
比べて重力による効果によって充分なリンス効果をおさ
めながらもウエーハの回転速度を概略1,000rpm程度減少
させることができるために遠心力によるフォトレジスト
パターンの倒れや押される現像を防止して半導体素子の
不良率を低減することができる。
ーハ上に形成された感光膜の現像方法は、従来の方法に
比べて重力による効果によって充分なリンス効果をおさ
めながらもウエーハの回転速度を概略1,000rpm程度減少
させることができるために遠心力によるフォトレジスト
パターンの倒れや押される現像を防止して半導体素子の
不良率を低減することができる。
【００２７】また、現在使用中の8インチウエーハだけ
でなく12インチウエーハに適用しても望ましい結果を期
待することができる。これはウエーハの大口径化によっ
て現像工程においてウエーハの回転速度をさらに低くし
ながら充分なリンス効果をおさめることが要求される趨
勢に鑑みる時、望ましいと言える。
でなく12インチウエーハに適用しても望ましい結果を期
待することができる。これはウエーハの大口径化によっ
て現像工程においてウエーハの回転速度をさらに低くし
ながら充分なリンス効果をおさめることが要求される趨
勢に鑑みる時、望ましいと言える。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の現像方法を示す概念図である。
【図２】 図1に示した噴射装置が複数であることを示
す図面である。
す図面である。
【図３】 図1のAを拡大した拡大断面図である。
【図４】 本発明と従来技術を比較するための試料を示
す断面図である。
す断面図である。
【符号の説明】 10: ウエーハ 11:物質層 12:感光膜 12a: 感光膜12の表面 14:ウエーハホルダー 16:噴射装置 18: 洗浄液
Claims (10)
- 【請求項１】 望みのパターンを形成するための物質層
と前記物質層上にコーティングされ露光された感光膜が
形成されたウエーハを前記感光膜の表面が下へ向かうよ
うにウエーハホルダーに装着する段階と、 前記感光膜の表面に現像液噴射装置を利用して現像液を
噴射し前記感光膜と前記現像液を反応させる段階と、 前記現像液と反応された感光膜の表面に洗浄液噴射装置
を利用し洗浄液を噴射する段階を具備し、 前記現像液噴射段階と前記洗浄液噴射段階は前記ウエー
ハが回転する状態で進行されることを特徴とするウエー
ハ上に形成された感光膜の現像方法。 - 【請求項２】 前記現像液噴射装置と前記洗浄液噴射装
置は同一な噴射装置であることを特徴とする請求項１に
記載のウエーハ上に形成された感光膜の現像方法。 - 【請求項３】 前記現像液噴射装置と前記洗浄液噴射装
置は各々異なる噴射装置であることを特徴とする請求項
１に記載のウエーハ上に形成された感光膜の現像方法。 - 【請求項４】 前記現像液噴射装置の数は複数であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のウエーハ上に形成され
た感光膜の現像方法。 - 【請求項５】 前記洗浄液噴射装置の数は複数であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のウエーハ上に形成され
た感光膜の現像方法。 - 【請求項６】 前記現像液噴射装置は前記感光膜の表面
に沿って移動することを特徴とする請求項１に記載のウ
エーハ上に形成された感光膜の現像方法。 - 【請求項７】 前記洗浄液噴射装置は前記感光膜の表面
に沿って移動することを特徴とする請求項１に記載のウ
エーハ上に形成された感光膜の現像方法。 - 【請求項８】 前記現像液の反応時ウエーハに微少な振
動を加えることを特徴とする請求項１に記載のウエーハ
上に形成された感光膜の現像方法。 - 【請求項９】 前記ウエーハの回転速度は、前記現像反
応段階で溶解された前記感光膜の微細な粒子と前記洗浄
液及び前記現像液の重力による自重とウエーハの回転運
動による遠心力との力の合成成分の方向が感光膜パター
ンの側壁に対し傾斜した方向になるように調節すること
を特徴とする請求項１に記載のウエーハ上に形成された
感光膜の現像方法。 - 【請求項１０】 前記現像液反応段階を遂行する前にま
ず前リンス段階をさらに含むことを特徴とする請求項１
に記載のウエーハ上に形成された感光膜の現像方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970070671A KR100269318B1 (ko) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 웨이퍼상에형성된감광막의현상방법 |
| KR199770671 | 1997-12-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186123A true JPH11186123A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=19527856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10154617A Pending JPH11186123A (ja) | 1997-12-19 | 1998-06-03 | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186123A (ja) |
| KR (1) | KR100269318B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG106643A1 (en) * | 2000-10-19 | 2004-10-29 | Laserfront Technologies Inc | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| JP2013140881A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100511928B1 (ko) * | 1998-11-26 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 세정액 제거방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0391232A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Fujitsu Ltd | 現像装置 |
| JPH03181118A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの現像装置 |
-
1997
- 1997-12-19 KR KR1019970070671A patent/KR100269318B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-03 JP JP10154617A patent/JPH11186123A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG106643A1 (en) * | 2000-10-19 | 2004-10-29 | Laserfront Technologies Inc | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| US6890387B2 (en) | 2000-10-19 | 2005-05-10 | Laserfront Technologies, Inc. | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| JP2013140881A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
| US9307653B2 (en) | 2012-01-05 | 2016-04-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and storage medium for cleaning substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990051354A (ko) | 1999-07-05 |
| KR100269318B1 (ko) | 2000-12-01 |
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