JPH028310A - 高炉の低Si操業法 - Google Patents
高炉の低Si操業法Info
- Publication number
- JPH028310A JPH028310A JP15748988A JP15748988A JPH028310A JP H028310 A JPH028310 A JP H028310A JP 15748988 A JP15748988 A JP 15748988A JP 15748988 A JP15748988 A JP 15748988A JP H028310 A JPH028310 A JP H028310A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blast furnace
- auxiliary raw
- raw material
- operation method
- hot metal
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- Pending
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- Manufacture Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高炉の低Si操業法に関するものである。
高炉から出銑される溶銑中のSi含有量を低下させるこ
とについては、従来から種々の検討が重ねられてきたと
ころであり、このSi含有量の低減は、SiO□(J)
+c (s) −+ 5lo(y) 十co (y)
・・・(1)SiO(#) + C(JL)−+
5i(J)+co(y) ・・・(2)上記(1)式
に従って、レースウェイ近傍のコークス中の灰分からS
iOガスが発生し、そして、上記(2)式に従って、S
iOが溶銑中のCによって還元され、銑中に移行する。
とについては、従来から種々の検討が重ねられてきたと
ころであり、このSi含有量の低減は、SiO□(J)
+c (s) −+ 5lo(y) 十co (y)
・・・(1)SiO(#) + C(JL)−+
5i(J)+co(y) ・・・(2)上記(1)式
に従って、レースウェイ近傍のコークス中の灰分からS
iOガスが発生し、そして、上記(2)式に従って、S
iOが溶銑中のCによって還元され、銑中に移行する。
第3図に、上記(1)式の反応に及ぼす、C/20およ
びM2Oの影響を示す。なお、このときの試験条件は、
第1表に示す通シである。
びM2Oの影響を示す。なお、このときの試験条件は、
第1表に示す通シである。
第1表
第3図から明らかなように、Cユ0またはMgOの添加
量が増大するにつれて、Si0ガスの発生量が減少する
ことがわかる。
量が増大するにつれて、Si0ガスの発生量が減少する
ことがわかる。
従来、高炉内にC(10まだはMgO源からなる副原料
を装入するために、例えば、高炉羽口から粉状の副原料
を炉内に吹き込む方法がとられている。
を装入するために、例えば、高炉羽口から粉状の副原料
を炉内に吹き込む方法がとられている。
しかし、高炉羽目から粉状のC,20’4たはM2O源
からなる副原料を炉内に吹き込む方法は、以下の問題を
有している。即ち、副原料を粉状に粉砕するための設備
が必要である。また、粉状の副原料を炉内に吹き込むた
めの設備が必要である。さらに、副原料の吹込みによっ
て高炉羽目に摩耗や破損が生じる。
からなる副原料を炉内に吹き込む方法は、以下の問題を
有している。即ち、副原料を粉状に粉砕するための設備
が必要である。また、粉状の副原料を炉内に吹き込むた
めの設備が必要である。さらに、副原料の吹込みによっ
て高炉羽目に摩耗や破損が生じる。
従って、この発明の目的は、CaO4たはM2O源から
−なる副原料を、高炉羽口から吹き適寸ずに、溶銑のS
i含有量を低減することができる、高炉の低Si操業法
を提供することにある。
−なる副原料を、高炉羽口から吹き適寸ずに、溶銑のS
i含有量を低減することができる、高炉の低Si操業法
を提供することにある。
この発明は、C,,0またはMgO源からなる粒状副原
料を、炉内のコークス層内に装入し、かくして、溶銑中
のSi含有量を低下させることに特徴を有するものであ
る。
料を、炉内のコークス層内に装入し、かくして、溶銑中
のSi含有量を低下させることに特徴を有するものであ
る。
次に、この発明の高炉の低Si操業法の一実施態様を図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第1図は、この発明の一実施態様によって高炉に原料を
装入したときの高炉の概略断面図である。
装入したときの高炉の概略断面図である。
第1図に示すように、この発明は、交互に層状に且つ上
下多段に装入されるコークスlと鉱石2のうち・、コー
クスlの層内に、粒径5から301TrrnのCaO4
たはMgO源からなる副原料(フランクス)3を装入す
るものである。高炉の安定操業を図るために、副原料3
は、コークスlの層の炉内周縁部に装入するのが良い。
下多段に装入されるコークスlと鉱石2のうち・、コー
クスlの層内に、粒径5から301TrrnのCaO4
たはMgO源からなる副原料(フランクス)3を装入す
るものである。高炉の安定操業を図るために、副原料3
は、コークスlの層の炉内周縁部に装入するのが良い。
コークス層中に装入された副原料3は、コークスと共に
レースウェイ4近傍脣で降下し、コークス中の灰分から
発生するSiOガスの発生を抑制して、溶銑中のSi含
有量を低下させる。
レースウェイ4近傍脣で降下し、コークス中の灰分から
発生するSiOガスの発生を抑制して、溶銑中のSi含
有量を低下させる。
マクネサイ) (Myco3)を5から30調の粒径に
整粒したものからなる副原料を、第1図に示すように、
炉内周縁部のコークス層内に装入して、高炉操業を行っ
た。そして、副原料原単位と溶銑(温度1480から1
490°C)中のSi含有量との関係を調べた。この結
果を第2図に示す。
整粒したものからなる副原料を、第1図に示すように、
炉内周縁部のコークス層内に装入して、高炉操業を行っ
た。そして、副原料原単位と溶銑(温度1480から1
490°C)中のSi含有量との関係を調べた。この結
果を第2図に示す。
次に、副原料を5から30論の粒径を有する生ドロマイ
ト(J、CO3,%CO3)に代えて、同様に、副原料
原単位と溶銑中のSi含有量との関係について調べた。
ト(J、CO3,%CO3)に代えて、同様に、副原料
原単位と溶銑中のSi含有量との関係について調べた。
この結果を第2図に合わせて示す。
第2図から明らかなように、副原料原単位量が増加する
につれて、溶銑中のSi含有量が低下することがわかる
。
につれて、溶銑中のSi含有量が低下することがわかる
。
以上説明したように、この発明によれば、CO,Oまた
はM2C源からなる副原料を、コークス層内に装入する
ことによって、従来のように高炉羽口に損傷を与えるこ
となく、高炉の低Si操業が図れるといった有用な効果
がもたらされる。
はM2C源からなる副原料を、コークス層内に装入する
ことによって、従来のように高炉羽口に損傷を与えるこ
となく、高炉の低Si操業が図れるといった有用な効果
がもたらされる。
第1図は、この発明の一実施態様にょシ、高炉に鉱石お
よびコークスを装入した状態を示す断面図、第2図は、
副原料原単位と溶銑中のSi含有量との関係を示すグラ
フ、第3図は、M、))O/ 5i02とSiOガス発
生速度との関係を示すグラフである。 図面において、 l・・コークス 2・・・鉱石、3・・・副原料
。
よびコークスを装入した状態を示す断面図、第2図は、
副原料原単位と溶銑中のSi含有量との関係を示すグラ
フ、第3図は、M、))O/ 5i02とSiOガス発
生速度との関係を示すグラフである。 図面において、 l・・コークス 2・・・鉱石、3・・・副原料
。
Claims (1)
- 1 CaOまたはMgO源からなる粒状副原料を、炉内
のコークス層内に装入し、かくして、溶銑中のSi含有
量を低下させることを特徴とする、高炉の低Si操業法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15748988A JPH028310A (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 高炉の低Si操業法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15748988A JPH028310A (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 高炉の低Si操業法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028310A true JPH028310A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15650804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15748988A Pending JPH028310A (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 高炉の低Si操業法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH028310A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419599A (en) * | 1993-07-01 | 1995-05-30 | E. J. Brooks Company | Rotatable seal |
| JPH07138624A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Nkk Corp | 高炉操業方法 |
| JP2011512314A (ja) * | 2008-02-20 | 2011-04-21 | シービーディー エナジー リミテッド | シリカの還元 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153209A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-11 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 低s高炉操業法 |
| JPS61201709A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高炉の低Si操業方法 |
-
1988
- 1988-06-25 JP JP15748988A patent/JPH028310A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153209A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-11 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 低s高炉操業法 |
| JPS61201709A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高炉の低Si操業方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419599A (en) * | 1993-07-01 | 1995-05-30 | E. J. Brooks Company | Rotatable seal |
| JPH07138624A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Nkk Corp | 高炉操業方法 |
| JP2011512314A (ja) * | 2008-02-20 | 2011-04-21 | シービーディー エナジー リミテッド | シリカの還元 |
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