JPH0283993A - 回路基板の製造法 - Google Patents
回路基板の製造法Info
- Publication number
- JPH0283993A JPH0283993A JP23482988A JP23482988A JPH0283993A JP H0283993 A JPH0283993 A JP H0283993A JP 23482988 A JP23482988 A JP 23482988A JP 23482988 A JP23482988 A JP 23482988A JP H0283993 A JPH0283993 A JP H0283993A
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- Japan
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- circuit board
- substrate
- aqueous solution
- enamel
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- Glass Compositions (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はボウロウ基板を用いた回路基板の製造法に関す
る。
る。
更に詳しくはホウロウ基板に無電解メッキにより回路を
形成させるに肖り表面の粗面化をはかり、メッキの密着
力を向上させる粗面化方法に関する。
形成させるに肖り表面の粗面化をはかり、メッキの密着
力を向上させる粗面化方法に関する。
従来、ホウロウ基板に回路を形成するには、金属導体ペ
ーストをスクリーン印１１ｉ１１１．た後、焼付（プる
υ膜回路形成法が採用されていた。
ーストをスクリーン印１１ｉ１１１．た後、焼付（プる
υ膜回路形成法が採用されていた。
しかし厚膜回路形成法では
（１）ファインなパターン形成が困難であり、／１−Ｐ
ｄ、ＡｔＧペーストで最小１５０１１ｍ巾、ＡＵで最小
１００μｍ巾が限度である。
ｄ、ＡｔＧペーストで最小１５０１１ｍ巾、ＡＵで最小
１００μｍ巾が限度である。
（２）スルーホールの内面の印刷が難しく、多数個では
特に困難である。
特に困難である。
（３）空気中で焼成するためには貴金属ベーストを使用
するためコスト高になる。
するためコスト高になる。
などの問題点があった。
この問題点に対し、ホウロウ基板表面にメッキを行なう
方法が提案されている。例えば特開昭５３−５４３８号
公報、特開昭６０ １９５０７８号公報に示されている。これらではホウロ
ウ基板表面の粗面化をｌｙＪ賃はフッ酸、１２者は水酸
化ナトリウム融解液の処理で行っている。
方法が提案されている。例えば特開昭５３−５４３８号
公報、特開昭６０ １９５０７８号公報に示されている。これらではホウロ
ウ基板表面の粗面化をｌｙＪ賃はフッ酸、１２者は水酸
化ナトリウム融解液の処理で行っている。
フッ酸や水酸化ナトリウム融解液を用いると腐食力が強
すぎるため、粗化面の凹凸の制御が困難な［に、表面付
近に脆弱層を形成するため後に施すメッキ膜がこの脆弱
層と共に剥離し、安定的な密６カを＋Ｓすることか困難
であった。またフッ酸や水酸化ナトリウム融解液は取扱
いが危険でもある。
すぎるため、粗化面の凹凸の制御が困難な［に、表面付
近に脆弱層を形成するため後に施すメッキ膜がこの脆弱
層と共に剥離し、安定的な密６カを＋Ｓすることか困難
であった。またフッ酸や水酸化ナトリウム融解液は取扱
いが危険でもある。
これらの問題を解決するものとして、特開昭６２−２３
００８５号公報、特開昭６２２３００８６号、特開昭６
２−２３００８７号公報、特開昭６２−２３００８８号
公報、特開昭６２−２３００８９号公報が提案されてい
る。これらはメッキによる回路形成法で基板とメッキと
の密着力を向上させるためにフッ化ナトリウム、フッ化
アンモニウム、フッ化ホウ承酸などのフッ化物塩水溶液
の中性または中性に近い水溶液で処理するもので′ある
。またＣｒＯ−１−１２３０４水溶液による処理も知ら
れでいる。
００８５号公報、特開昭６２２３００８６号、特開昭６
２−２３００８７号公報、特開昭６２−２３００８８号
公報、特開昭６２−２３００８９号公報が提案されてい
る。これらはメッキによる回路形成法で基板とメッキと
の密着力を向上させるためにフッ化ナトリウム、フッ化
アンモニウム、フッ化ホウ承酸などのフッ化物塩水溶液
の中性または中性に近い水溶液で処理するもので′ある
。またＣｒＯ−１−１２３０４水溶液による処理も知ら
れでいる。
フッ化物塩水溶液はフッ酸と同様に、処理液の廃水処理
が困難という問題点がある。
が困難という問題点がある。
またＣｒＯ３−Ｈ２Ｓ０４水溶液も、かなり濃厚液であ
ると共にクロムを含有しており、処理液の廃水処理が困
難である。
ると共にクロムを含有しており、処理液の廃水処理が困
難である。
本発明の目的は、粗化面の凹凸の制御が容易であり、表
面に脆弱層を形成するおそれがなく、処理液の廃水処理
が容易であると共に、１３ ａ □。
面に脆弱層を形成するおそれがなく、処理液の廃水処理
が容易であると共に、１３ ａ □。
Ｓ ｉ Ｏ、Ｍａｃ、Ｂ２０３をｇむ結晶化カラスに対
して、有効な粗面化を速成フるボウロウ回路基板の製造
法を提供することである。
して、有効な粗面化を速成フるボウロウ回路基板の製造
法を提供することである。
本発明者らは、前記課題を解決するため説息研究を行っ
た。その結果、Ｂａｄ、Ｓ ｉ０２゜ＭＣｌ０．Ｂ２０
３を主成分とする結晶化ガラスに対して、希酸により短
時間の処理を行うことにより解決しくすることを見い出
し本発明を完成した。
た。その結果、Ｂａｄ、Ｓ ｉ０２゜ＭＣｌ０．Ｂ２０
３を主成分とする結晶化ガラスに対して、希酸により短
時間の処理を行うことにより解決しくすることを見い出
し本発明を完成した。
ザなわら本発明は金属コアの表面の絶縁層がｔ３ ａ
Ｏ，Ｓ ｉ Ｏ、Ｍ ＯＯ，Ｂ２Ｏ３を主成分とする結
晶化ガラスからなるホウロウ単板において、該基板を希
酸で処理することにより基板表面の粗面化をはかり、後
に行う無電解メッキの密査力を向上させることを特徴と
する回路基板の製造法である。
Ｏ，Ｓ ｉ Ｏ、Ｍ ＯＯ，Ｂ２Ｏ３を主成分とする結
晶化ガラスからなるホウロウ単板において、該基板を希
酸で処理することにより基板表面の粗面化をはかり、後
に行う無電解メッキの密査力を向上させることを特徴と
する回路基板の製造法である。
希酸９１１Ｌ理としては、１．５〜２０重量％１」２Ｓ
０４水溶液で３０秒〜１０分間処理するか、１．０〜１
０重量％ＨＮＯ３水溶液で１５秒〜８分闇処理づるか、
あるいは１．５〜２０重量％ＨＣｊｌ水溶液で３０秒〜
１０分間の処理をするかいずれかの方法を採用する。
０４水溶液で３０秒〜１０分間処理するか、１．０〜１
０重量％ＨＮＯ３水溶液で１５秒〜８分闇処理づるか、
あるいは１．５〜２０重量％ＨＣｊｌ水溶液で３０秒〜
１０分間の処理をするかいずれかの方法を採用する。
希酸処理において、ｍ度、時間の下限未満では、基板表
面の粗面化が不十分であり、上限を超えると表面に過度
の凹凸を生じ、また脆弱層を形成するおそれがあり好ま
しくない。
面の粗面化が不十分であり、上限を超えると表面に過度
の凹凸を生じ、また脆弱層を形成するおそれがあり好ま
しくない。
ホウロウ基板は、先づアルコール洗浄などの洗浄を行っ
た後、本発明の希１！ｌ！ｌ処理を行い、表面を粗面化
する。水洗複塩化第−錫水溶液等で感受性化＜ ｓｅｎ
ｓｉｔｉｚｉｎｇ ）を、また水洗後塩化パラジウム水
溶液等で活性化（ａｃｔｉＶａｔｉｏｎ）を行った（Ｑ
、無電解メッキ液に浸漬して無電解メッキを行う。
た後、本発明の希１！ｌ！ｌ処理を行い、表面を粗面化
する。水洗複塩化第−錫水溶液等で感受性化＜ ｓｅｎ
ｓｉｔｉｚｉｎｇ ）を、また水洗後塩化パラジウム水
溶液等で活性化（ａｃｔｉＶａｔｉｏｎ）を行った（Ｑ
、無電解メッキ液に浸漬して無電解メッキを行う。
その１１体パターン形成用マスキングを行った後、パタ
ーン部以外のエツチングを行って導体バクーンが完成す
る。その他、基板にメッキレジストを形成し、無電解メ
ッキのみで回路を形成づる方法や、基板全面に無電解メ
ッキを行い、メッキレジストを形成し、電気メッキを行
った後、メッキレジストを剥離し、クイック１ツチング
して回路を形成する方法８種々の方法が考えられる。
ーン部以外のエツチングを行って導体バクーンが完成す
る。その他、基板にメッキレジストを形成し、無電解メ
ッキのみで回路を形成づる方法や、基板全面に無電解メ
ッキを行い、メッキレジストを形成し、電気メッキを行
った後、メッキレジストを剥離し、クイック１ツチング
して回路を形成する方法８種々の方法が考えられる。
無電解メッキも、絶縁基板面に回路形成を行うための通
常の無電解メッキ液によって行うことができる。
常の無電解メッキ液によって行うことができる。
（実施例）
以下に実施例によって、本発明の詳細な説明するが、本
発明はこの実施例に限定されるものでないことは勿論で
ある。
発明はこの実施例に限定されるものでないことは勿論で
ある。
（実施例１）
ＭａＯ２７ｆＪｆｆｉ％、ＢａＯ３０重伍％、ＢＯ２２
重量％、Ｓｉ０ ２１１呈％の組成を右する結晶化ガ
ラスを用いて作成したホウロウ基板を下記の工程に従っ
て処理し、処理後のり板表面に無電解鋼メッキにより２
ａｎＸ２欄の銅導体パターンを形成した。
重量％、Ｓｉ０ ２１１呈％の組成を右する結晶化ガ
ラスを用いて作成したホウロウ基板を下記の工程に従っ
て処理し、処理後のり板表面に無電解鋼メッキにより２
ａｎＸ２欄の銅導体パターンを形成した。
■ アルコール洗浄
■ ホウロウ面相面化 ２５℃の２重量％Ｈ２ＳＯ４水
溶液に５分間浸漬 ■ 水 洗 ■ 感受性化 ３ｎＣｊ ０．２９／ρ水溶液に１
０分間浸漬 ■ 水 洗 ■ 活性化 ＰｄＣｊ ０．５ｇ／Ｉ水溶液に１０
分間浸漬 ■ 水 洗 ■ 無電解鋼メッキ ０ＰＣ−７５０（奥野製薬工業■
製、商品名）○ＰＣ−７５０Ａ液１００ｄ、／Ｊ 、０
ＰＣ−７５０Ｓ液１００＃ｌグ／ｆＪ、０ＰＣ−７５０
Ｃ液２Ｉｄ／！Ｊの混合液に３０分間浸）ｄ ■ 水 洗 ［株］ 乾 燥 Ｏ２１１＋１Ｘ２ＪＩＩ導体パターン形成用マスキング
を行う。
溶液に５分間浸漬 ■ 水 洗 ■ 感受性化 ３ｎＣｊ ０．２９／ρ水溶液に１
０分間浸漬 ■ 水 洗 ■ 活性化 ＰｄＣｊ ０．５ｇ／Ｉ水溶液に１０
分間浸漬 ■ 水 洗 ■ 無電解鋼メッキ ０ＰＣ−７５０（奥野製薬工業■
製、商品名）○ＰＣ−７５０Ａ液１００ｄ、／Ｊ 、０
ＰＣ−７５０Ｓ液１００＃ｌグ／ｆＪ、０ＰＣ−７５０
Ｃ液２Ｉｄ／！Ｊの混合液に３０分間浸）ｄ ■ 水 洗 ［株］ 乾 燥 Ｏ２１１＋１Ｘ２ＪＩＩ導体パターン形成用マスキング
を行う。
［株］ パターン部以外の箇所をエツチングする。過硫
酸アン七ン５％水溶液を使用した。
酸アン七ン５％水溶液を使用した。
■ 水 洗
■ 乾燥後、マスキングを除去する。
上記の手順により作成した２＃１ｌＩＸ２＃ｌＩｌ＋形
状の各導体パターンに０．８８径の錫メッキ軟銅線を゛
ｒ田付し、基板面に垂直に引張って、その荷重を測定し
た。
状の各導体パターンに０．８８径の錫メッキ軟銅線を゛
ｒ田付し、基板面に垂直に引張って、その荷重を測定し
た。
その結果３ 、９に！Ｊ／ ２＋１１１Ｘ ２＃＆１の
伯を得た。
伯を得た。
（実施例−２）
次記の工程を除いて、実施例１と同様のホウロウ基板を
用い、同様の工程で無電解Ｎｉメッキを行った。
用い、同様の工程で無電解Ｎｉメッキを行った。
（○ホウロウ面粗面化 ８重量％ＨＮＯ３水溶液（２８
℃）に３分間浸潤 ■無電解Ｎｉメッキ ブルシューマ（日本カニゼン社製
商品名）無電解 ニッケルメッキ液１５分 間浸漬。
℃）に３分間浸潤 ■無電解Ｎｉメッキ ブルシューマ（日本カニゼン社製
商品名）無電解 ニッケルメッキ液１５分 間浸漬。
実施例１の場合と同様に接着強度を測定した結果／Ｉ
、２に’ｊ／２ｍ×２履の値を得た。
、２に’ｊ／２ｍ×２履の値を得た。
本発明の方法によれば、ホウロウ基板の粗面化の凹凸の
Ｈｉｌｌ ＩＩＩが容易であり、極めて均一で、−様な
粗面が定常的に得られ、その結果無電解金属メッキ層の
接着強度も極めて大きい。
Ｈｉｌｌ ＩＩＩが容易であり、極めて均一で、−様な
粗面が定常的に得られ、その結果無電解金属メッキ層の
接着強度も極めて大きい。
使用する酸は通常使用されている酸であり、濃度も婢い
のでフッ酸や水酸化ナトリウム融解液のような危険性も
なく、また廃水処理が極めて容易である。
のでフッ酸や水酸化ナトリウム融解液のような危険性も
なく、また廃水処理が極めて容易である。
Claims (4)
- １．金属コアの表面の絶縁層がＢａＯ， ＳｉＯ＿２，ＭｇＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３を主成分とする結晶
化ガラスからなるホウロウ基板において、該基板を希酸
で処理することにより基板表面の粗面化をはかり、後に
行う無電解メッキの密着力を向上させることを特徴とす
る回路基板の製造法。 - ２．ホウロウ基板を１．５〜２０重量％硫酸水溶液で３
０秒〜１０分間表面処理することを特徴とする請求項１
記載の回路基板の製造法。 - ３．ホウロウ基板を１．０〜１０重量％硝酸水溶液で１
５秒〜８分間表面処理することを特徴とする請求項１記
載の回路基板の製造法。 - ４．ホウロウ基板を１．５〜２０重量％塩酸水溶液で３
０秒〜１０分間表面処理することを特徴とする請求項１
記載の回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23482988A JPH0283993A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23482988A JPH0283993A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 回路基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283993A true JPH0283993A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16977033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23482988A Pending JPH0283993A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283993A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0848087A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Techno Roll Kk | 印刷装置 |
| US8455769B2 (en) | 2008-01-30 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method of mounting the same |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23482988A patent/JPH0283993A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0848087A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Techno Roll Kk | 印刷装置 |
| US8455769B2 (en) | 2008-01-30 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method of mounting the same |
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