JPH0284009A

JPH0284009A - 保護回路及び熱電センサ

Info

Publication number: JPH0284009A
Application number: JP1192447A
Authority: JP
Inventors: Iii Carleton M Cobb; カールトン　エム．コブ　ザサード; Stephen J Strobel; スチーブン　ジェイ．ストロベル; Norman E Lecomte; ノーマン　イー．レコムテ; Sepideh H Nott; セピデ　エイチ．ノット
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1988-07-26
Filing date: 1989-07-25
Publication date: 1990-03-26
Also published as: EP0352987A3; US4866559A; DE68914536D1; EP0352987A2; EP0352987B1; DE68914536T2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は固体回路保ＩＩ器に関し、より詳細には、回路
の故障を決定する固体回路及びそれと−緒に使用される
熱電センサに関する。

［従来の技術１特に高電流環境に適用する回路保護は、一般的に電子／
！１気／熱／機械遮断器（ＥＭＭ　　ＣＢ）として実施
されている。電流−時間−トリップ関係は熱的、磁気的
、機械的等とすることができる内部機構により決定され
る。

これらの７ｊ１Ｆ’ａは電気的負荷を電源へ接続し、代
表的には手動設定される。″耐流−時間−トリップ関係
は熱的、磁気的、機械的等とすることができる内部機構
により決定される。このような遮断器は監視及び手動切
替のために容易にアクセスすることができるパネル内に
通常配菖されている。

熱回路遮断器及びだの装置において、バイメタル熱アナ
ログ（ｂｉｍｅｔａｌ　ｔｈｅｒａ＋ａｌ　ａｎａｌｏ
ａ）が機械的ラッチに抗して作動する。このような装置
は、例えば、バイメタル素子が’ＲＱやケーブル中を流
れる電流により加熱され、バイメタルは電線の熱アナロ
グであることを特徴とする。これは、バイメタルがラッ
チに抗して働くことを必要とし、そのタイミング機能は
一層複雑となって変動を受ける。このような従来技術の
回路保護装置はそこから遠隔の場所からは容易に作動で
きないこともお判りと思う。

本発明に従って、従来技術の前２問題は最少限にする。

要約すれば、本発明に従って、例えば、コンピュータ、
フライトデツキ上のスイッチ等のある秤のフライトコン
トロールシステム等の入力システムとインターフェイス
する入出力回路（Ｉｌｏ）を含む回路保護システムが提
供され、入ノ〕システムはある方法でＩＩ　１１１され
て出力信号を送出する。

給電が電力線に接続され、保護システムを形成する制ｍ
＋論理及び他の回路へ制御された電力を供給する。給電
により給電されυ３６１１論理により制御されるゲート
コントロールがライン電力と負荷電の固体パワースイッ
チを作動させる。ラインは熱電センサ（ＥＴＳ）やトラ
ンスジューサシステムを介して負荷に接続される。

ＥＴＳシステムは抵抗素子上もしくはそれにぴったり隣
接して電力線と直列に負荷へ接続され、負荷電流を監視
してそこで感知される電流を示す信号をυＩＩ論理へ与
える熱電センサ素Ｔを含んでいる。電流値は流れる電流
による加熱岱もしくはＥ　Ｔ　Ｓに接続されたライン内
の加熱盪から決定され、熱量はＥＴＳにより決定される
。

ラインから負荷へ電力を供給したい場合には、指令信号
がＩｌｏへ与えられ、次にそれはＩＩＩ　ＩＩＩ論理内
の論理を指令してゲートコントロールを作動させパワー
スイッチを１１１する。パワースイッチはまたスイッチ
開成に対して前記したのと同様にパワースイッチが閉成
する時に適切な指令信号を与えることにより開放するこ
とができる。

パワースイッチを開成して負荷へＪＲを供給し、その後
、ＥＴＳの加熱により所定値よりも大きい電流が感知さ
れると、ＥＴＳはその電圧表示を制Ｗ論理へ与え、次に
、制御論理はゲートコントロールへ信号を与えて所定期
間の過負荷が感知された後パワースイッチをオフとする
。パワースイッチをオフ、すなわらトリップ、するのに
要する期間は、公知のように、時間−電流曲線に従って
制御することができ、待機期間は過負荷量が増大すると
所定の関数に従って減少する。オプションとして、Ｅ　
Ｔ　Ｓにより与えられる信号がそこにおける許容温度を
示す場合に、システムはパワースイッチを再ＩＴＩ成す
ることができる。

ＥＴＳは、例えば、短絡状態において負荷への最大重２
！　ＩＩＩ　ｍを助ける所定抵抗値の抵抗素子を具備し
ている。第１の温度センサすなわちトランスジューサが
素子上の中央領域へ配置されていて素子温度を測定し、
第２のセンサすなわちトランスジュー１すが素子に隣接
して素子周囲に近接配置されていて周囲温度を測定する
。このようにして、周囲と素子間の編ａ差を容易に決定
することができる。この温度差は各センサからの測定温
度を示す信号を比較器へ与え、それを示す出力電圧を出
力づることにより決定される。差信号は制ｔｍ論理によ
り使用されて警報状態が存在する時を決定する。

前記したように、抵抗素子とセンサを使用して瞬時トリ
ップ回路が提供される。所定の抵抗値を有する抵抗素子
には温度センサが載置されており、温度センサ１よ素子
の温度表示を比較器へ与える。

比較器の他方の入力は前記したように周囲温度を示す信
号であり、比較器は差信号を出力する。さらに、線電流
の増大と共に増大する、抵抗素子両端間の電ｊ玉は瞬時
トリップ比較器へ与えられる。

瞬時トリップ比較器はこの電圧を基準電圧と比較して、
そこからの出力がある所定鎗に達するとトリップ信号を
出しｄ延なく論理を介したパワースイッチの開放を行う
。

ＥＴＳ自体は多くの形状をとることができる。

好ましい形状は、１１１素子がその上に形成されている
、好ましくはステアタイトの、セラミック基数を含んで
いる。導電素子を流れる電流により基板が加熱される。

ＰＩＩＩＩＩ−ミスタら基板上に形成され、８１電素子
のＪぐ隣りもしくは上に１個の導電素子から所定距離に
１個形成されて実質的に周囲温度読取りを与える。２つ
のサーミスタ位ｄ間の温度差によりサーミスタの異なる
抵抗値が生じ、それにより前記したように導体内の電流
表示が与えられる。基板と導体が適切なサイズを取るこ
とにより及びサーミスタの適切な配置により、さまざま
な電流／時間／温度特性を実現することができる。この
ＥＴＳの実施例は、セラミック及び他の部分の熱膨張が
このような熱膨張による誤差を最小限とするように調和
されるという利点を提供する。また、厚膜処理は低コス
ト、大組生産に適合している。アルミナ上に焼きつけら
れる導体及びサーミスタは非常に信頼度が高く且つ繰返
し可能であり、生産信頼度を高めて校正コストを低減す
る。サーミスタはレーザトリミングすることができ、独
立したトリミング抵抗器の必要性がなくなる。また、２
１１！ｌｉのサーミスタが一緒に処理されるため、その
温度係数は良く一致する。

もう一つのＥＴＳ実／１１例は、好ましくは鋼−ニッケ
ルーンンガン合金の、マンガニンである導電性金庄の分
路メタル層（ヒータ）を設けて形成される。好ましくは
ポリイミドのカプトンである電気的絶縁材の裏張層が分
路メタル層上に堆積されている。好ましくはニッケルで
ある、実質的に線型の抵抗温度係数を示す材料のグリッ
ドパターンが次に裏張層上に堆積されて抵抗濁度装置（
ＲＴ　Ｄ　）を形成する。好ましくはカプトンである、
第２の電気的絶縁層が次にグリッド上に形成される。こ
の実施例において、［１電流は分路端子間を分路層に沿
って通過して、そこを通る電流に比例する熱を与える。

この熱は分路上に間隔をおいて配置されたＲＴＤにより
感知され、前記したのと同じ方法で分路を通る電流を示
す信号を与える。

［実施例］最初に第１図を参照として、本発明に従った回路保護シ
ステムのブロック図を示す。本システムは、例えばコン
ピュータ、フライトデツキ上のスイッチ等の、ある種の
フライト１ｌｌｔｌｌｌシステム等の入力システムとイ
ンターフェイスする入出力回路（Ｉｌｏ）を含んでおり
、入力システムはある方法で制御されて信号を送出する
。Ｉｌｏへの入ノｊはコマンド及び共通として示されて
おり、後者はシステム基準であって必ずしも接地である
必要はない。さらに、ＩＩＩ　＠　Ｑ理からＩｌｏへ入
力が与えられる。Ｉｌｏからの出力はステータス及びト
リップとして示されている。さらに、Ｉｌｏからの一つ
の出力はｉＪ　ｔＩＩＪ　ＦＡ　ＩＩへ与えられる。３
本の全てのＩ１０線が、好ましくはテキサスインスツル
メント社１１ＴＩＬ１１Ｂ等のオプトアイソレターを使
用して残りのシスデム電子機器から電気的に絶縁されて
いる。入力コマンド信号がハイとされてシステムをオン
とし、ローとされてシステムをオフとする。ステータス
及びトリップライン共オーブンコレクタ出力である。ス
テータスラインの高インピーダンスはシステムがオンで
あることを示し、そのローレベルはシステムがオフであ
ることを示す。トリップライン上の高インピーダンスは
過電流トリップによりシステムがオフであることを示づ
。両ライン上の高インピーダンスはビルトインテスト故
障を示す。

給電が電力線に接続されていて、保護システムを形成す
るｔＩＩＪ　ｔｌｌｌ　ｍ理及び他の回路へｉ、ＩＩ　
ｔｉｌｌされた電力を供給する。給電により給゛Ｍされ
て制御論理により制御されるゲートコントロールがライ
ン電力と負荷間のパワースイッチを作動させる。パワー
スイッチはラインに接続されたドレーンとＥＴＳを介し
て負荷に接続されたソースを有するパワーＭ　ＯＳ　Ｆ
　Ｅ　Ｔである。ＭＯＳＦＥＴのゲートはＭＯ８ＦＥＴ
動作を制御するゲート制御回路に接続されている。

制御論理はＩ１０モジュールからコマンド信号を取り入
れその各モジュールから時間−電流及びＭＯ８ＦＥＴ保
護トリップ信号を取り入れて、それに従ってパワースイ
ッチを開開する。制御論理はまたステータス及びトリッ
プラインを適切な論理値ヘセットして、ピットモジュー
ルが検出する時にビルトインテスト故障を示す。さらに
、制御論理はパワーアップ遅延を与えて、パワースイッ
チをオンすることができる前に全てのシステムモジュー
ルが給電されることを保証する。模記づるように、熱雷
センサ（ＥＴＳ）が抵抗素子上に直列に且つ負荷への電
力線の一部を形成して配置され、負荷ｔＵｔ流を監視し
てそこで感知される電流を示す信号を制御論理へ与える
。電流値はＥＴＳに接続されるライン内の抵抗素子を流
れる電流により生じる加熱量から決定され、熱量はＥＴ
Ｓにより決定される。

次に第７図を参照として、本発明に従って使用すること
ができる代表的な制御論理を示す。回路はコマンド入力
及びステータス及びトリップ出力を含んでいる。標準設
計のラッチ回路４１は”　Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ保護“
゛時間−１！流″及び“過剰湯度″として示す外部信号
によりＯＲゲート４７を介して制御されて゛トリップ出
力及び″コマンド“入力を制御する。コマンド入力は、
ＡＮＤゲート４３及びインバータ４５を介して、システ
ムのターンオンを制御する。ラッチ回路４１はまた、ト
リップもしくはターンオン回路が動作する前に１０■Ｓ
遅延を与える遅延回路４９の制御下にある。

システムがオンとされると、コマンド入力はローとなっ
てラッチ回路４１がリセットされ、ゲート４３をハイと
してターンオン出力をインバータ４５を介してローとす
る。このアクションによりパワースイッチ（第１図）が
開成して、ステータス出力はローとなる。ゲート４７の
３つの入力のいずれかがハイとなると、ラッチ４１がセ
ットされてゲート４３をローとしパワースイッチを開く
。

これによりトリップ出力がＯ−となり、ステータス出力
はハイとなる。コマンドラインがローとなると、ラッチ
４１がリセットされてトリップ出力はハイとなる。シス
テムはオンに戻される準備は完了していない。コマンド
ラインをローとしてシステムがオフとされたばかりであ
ると、ラッチ４１はリセットされたままであるが、コマ
ンド入力はハイとなってゲート４３をローとしＭＯ８ＦＥＴパワースイッチを開く。回路４９はパワー
アップに対して１０■Ｓ時間遅延であり、コマンドライ
ンがパワーアップ時にハイであってもライン電力を加え
てから１０−８後までＭＯ８ＦＥＴスイッチが閉成され
るのを防ぐ。

ラインから負荷へ電力を供給したい場合には、コマンド
信号がＩｌｏへ与えられ、次にそれが制御論理内の論理
をｌ１ｔｌｌｌてゲートコントロールを作動させパワー
スイッチを閉じる。パワースイッチは、スイッチ開成に
対して前記したようにパワースイッチが閉成されている
時に適切なコマンド信号を与えることにより開放づるこ
ともできる。

パワースイッチが閉成して負荷にａｆ流を供給し、その
ＩＩＥＴＳの加熱により所定値よりも大きい電流が感知
されると、ＥＴＳは抵抗値変化による電圧表示を制御論
理に与え、次にそれはゲートコントロールへ信号を与え
て所定１１１Ｊ＠の過負荷が感知された後にパワースイ
ッチをオフとする。パワースイッチのターンオフに要す
る１ｉｌＸｌは、公知のように、第２図に、示すＶ７＃
間−電流曲線に従って制御され、待機時間は過負荷量の
増大に伴い所定の関数に従って減少する。このような状
態をＩｌｏからのステータス出力に与えることにより、
システム状態を遠隔に与えることができる。また、警報
範囲内の温度を感知することによりパワースイッチが開
放されていると、制御論理によりそこからのトリップ出
力に信号が与えられて、遠隔位置において電力がカット
オフされていることを示す。

ＥＴＳから供給される信号が負荷ｌｉ流が（所定値より
も小さい）許容範囲であることを示す場合にパワースイ
ッチを再閉成できるようにシステムを設計することがで
きる。

ＥＴＳＩは第３図に示すように所定の抵抗性の抵抗素子
３からなっている。第１の温度センサすなわちトランス
ジューサ５が素子上の中央領域に配置されていて素子温
度を測定し、第２のセンサすなわらトランスジューサ７
が素子に隣接して近接配置されて周囲温度を測定する。

素子３はヒートシンクスタッド９．１１上に載δされ、
その位置で素子３はラインおよび負荷に接続されている
。

このようにして、周囲と素子間のｔＭＩｆ差を決定する
ことができる。温度差は各センサからの測定温度を示す
信号をライン１３．１５に沿って温度差を示す出力電圧
を出力する（図示せぬ）コンパレタヘ与えることにより
決定される。差信号は制御論理により使用されて、第１
図に示すような警報状態が存在する時を決定する。コン
バータは制御論理の一部とすることができる。

第４図を参照として、前記抵抗索子３及びセンサ５を使
用して得られる瞬時トリップ回路を示す。

図示するように、所定の抵抗値を有する抵抗索子３には
温度センサ５が載置されており、温度センサは信号調整
器１７を介して素子温度の表示を与え、次に信号調整器
はコンバータ１９の２人力の一方へ信号を与える。コン
パレタ１９の他方の入力は前記した周囲温度を示す信号
であり、それは、例えば、センサ７からライン１５及び
（図示せぬ）中門信号調整器を介して与えられる。さら
に、抵抗素子３の両端聞電圧が感知され、この電圧は線
電流の関数である。この電圧は差動電圧増幅器２１によ
り感知され、それは前＆ｌ！電圧を示す出力を瞬時トリ
ップコンバレタ２３へ与える。瞬時トリップコンバレタ
２３はコンバータ２１からの出力を基準信号と比較して
、そこからの出力がある所定値に達するとトリップ信号
を与える。

ＥＴＳ自体はさまざまな形状をとることができる。第５
図に示ずような、好ましい形状はシルクスクリーニング
によりパラジウム／銀の導電線がその上に形成されたス
テアタイト１１２５を含んでいる。ＩＩ？ｔ１１５を流
れる電流により基板２５が加熱される。他の材料（ＰＴ
Ｃ／ＮＴＣ）でも良いが、ニッケルのシルクスクリーニ
ングにより厚膜サーミスタ５．７も基板上に形成され、
サーミスタ５は導電線３にすぐ隣にサーミスタ７は導電
線から所定距離離されている。２つのサーミスタ位置間
の温度差によりサーミスタ５，７の抵抗値が異なり、そ
れが前記した方法で導体内の電流の表示を与える。基板
２５及び導電線３を適切なサイズとし且つサーミスタ５
．７の位置を適切とすることにより、さまざまなＮ流／
時間／温度特性を利用することができる。

第６図に示すような、もう一つのＥＴＳの実施例が、好
ましくは銅−ニッケルーマンガン合金である導電性マン
ガニンの分路メタル（スタンピング）２７を設けて形成
される。好ましくはポリイミドのカプトンである、電気
絶縁材２９のセパレータ層が分路メタル層２７トに堆積
される。実質的に線型の抵抗温度係数を示す、好ましく
はニッケルの、グリッドパターン３１が次にセパレータ
層２９上に堆積されて抵抗温度デバイス（ＲＴＤ）を形
成する。好ましくはカプトンの第２の電気絶縁１１ｉｉ
３３が次にグリッド層３１上に堆積される。

第６図の実施例において、ｔｉｌ電流が分路層２７に沿
って分路端子３５．３７問を通り、そこを通るＮ流に比
例した熱を与える。この熱は分路２７上に間隔をとって
配置されたＲＴＤ３１により感知され、前記したのと同
じ方法で分路を通る電流を示す信号を与える。

本発明を特定実施例について説明してきたが、同業者で
あればさまざまな変更や修正がすぐお判りと思う。従っ
て、本発明は従来技術の観点においてできるだけ広範に
解釈されるものとし、このような変更や修正を全て含む
ものとする。

■上の説明に関して更に以下の項を開示する。

（１１（ａ）　　電源に接続可能な第１の端子と、（ｂ
）　　ｊｌ荷に接続可能な第２の端子と、（ｃ）　　ｒ
ｉＪ記第１及び第２の端子間に接続された所定抵抗値の
電気導体と、（ｄ）　　前記導体の第１の温度表示を与える第１の熱
電センサと、（ｅ）　　前記導体付近の第２の周囲温度表示を与える
第２の熱電センサと、（ｆ）　　前記第１及び第２の表示量の差の表示を与え
る差手段、とを具備する保護回路。

（２）　　第（１）項記載の保護回路において、さらに
前記第１及び第２の端子の一方に接続され、前記差手段
に応答して動作を制御するスイッチ手段を含む保護回路
。

（３）　　第（２）項記載の保護回路において、前記ス
イッチ手段はパワーＦ　Ｅ　Ｔである保護回路。

（４）　　第（２）項記載の保護回路において、さらに
外部信号に応答して前記スイッチ手段の動作を制御する
制御論理手段を含み、前記論理手段はさらに前記差手段
に応答して前記スイッチ手段の動作を制御する手段を含
む保護回路。

（５）　　第（３）項記載の保護回路において、ざらに
外部信号に応答して前記スイッチ手段の動作をｉｔ、Ｉ
Ｉ御するｌｌｌ１ｔｉＵ論理手段を含み、前記論理手段
はさらに前記差手段に応答して前記スイッチ手段の動作
を制御する手段を含む保護回路。

（６）　　第（１）項記載の保護回路において、前記第
１のセンサは前記導体と密着して配置され、前記第２の
センサはｌｙｉ記導体から離されている保護回路。

（７）　　第（２）項記載の保護回路において、前記第
１のセンサは前記導体と密着して配置され、前記第２の
センサは前記導体から離されている保護回路。

（８）　　第（３）項記載の保護回路において、ｉｙｉ
記第１のセンサは前記導体と密着して配置され、前記第
２のセンサは前記導体から離されている保護回路。

（９）　　第（４）項記載の保護回路において、前記第
１のセンサは前記導体と密着して配置され、前記第２の
センサは前記導体からＩｌｌされている保護回路。

（１０）第（５）項記載の保護回路において、前記第１
のセンサは′＃Ｊ記導体と密着して配置され、前記第２
のセンサは前記導体からａｌｌされている保護回路。

（１１）（ａ）セラミック語根と、（ｂ）前記基板上に形成された所定の電気抵抗値の電気
導体と、（ｃ）前記基根上に形成されて前記導体の温度を監視す
る第１の熱電センサと、（ｄ）前記基根上に前記導体から離されて形成され、前
記基板の周囲温度を監視する第２の熱雷センサ、とを具備する熱電センサ。

（１２）第（１１）項記載の熱雷センサにおいて、前記
導体及び前記センサは前記基根上に層として堆積されて
いる熱電センサ。

（１３）（ａ）所定の電気抵抗値の導電ｔ４層と、（ｂ
）前記導電材層上に堆積された電気絶縁裏張りと、（ｃ）実質的にａ型の抵抗温度係数を有し、前記絶縁層
上に堆積されてその上に抵抗温度デバイスを形成する熱
応答材のグリッドと、（ｄ）前記グリッド上に堆積された電気絶縁層、からな
る熱電センサ。

（１４）第（１３）項記載の熱電センサにおいて、さら
に前記導電材層の両端に配置された一対の端子を含む熱
電センサ。

（１５）第（１３）項記載の熱電センサにおいて、前記
グリッドはニッケルにより形成されている熱雷センサ。

（１６）第（１４）項記載の熱電センサにおいて、前記
グリッドはニッケルにより形成されている熱雷センサ。

（１７）第（１３）項記載の熱電センサにおいて、前記
電気絶縁層はポリイミドにより形成されている熱電セン
サ。

（１８）第（１４）項記載の熱雷センサにおいて、前記
電気絶縁層はポリイミドにより形成されている熱雷セン
サ。

（１つ）第（１５）項記載の熱雷センサにおいて、前記
電気絶縁層はポリイミドにより形成されている熱電セン
サ。

（２０）第（１６）項記載の熱電センサにおいて、前記
電気絶縁層はポリイミドにより形成されている熱電セン
サ。

（２１）負荷への電力を遠隔切替することができ且つ１
Ａ荷及び電源に直列に接続された所定の抵抗値４゜の加熱素子を有する熱雷センサシステムを含み、加熱素
子の温度を周囲温度に対して監視してヒータ内の゛電流
を決定する保護回路。−実施例に従って、熱雷センサは
その上にヒータが形成されたセラミック基板を含み、そ
の上に堆積された第１の熱監視素子がヒータの温度を監
視しその上の第２の熱監視素子がヒータから離れて基板
の周囲温度を監視する。第２の実施例に従った熱電セン
サは導電材層と、その上の電気絶縁材の裏張層と、ＲＴ
Ｄを形成する熱応答材の裏張層上のグリッドと、前記グ
リッド上の第２の電気絶縁材層を含む。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従った固体回路保護システムのブロッ
ク図、第２図は本発明に従って使用する時間−電流曲線
、第３図は本発明に従った熱電システムの略図、第４図
は本発明に従ったトリップ回路の回路図、第５図は本発
明の第１の実施例に従った熱雷センサの図、第６図は本
発明の第２の実施例に従った熱電センサの図、第７図は
本発明に従って使用する代表的な制ｔＩｌ論理の回路図
である。参照符号の説明１・・・ＥＴＳ（熱電センサ）３・・・抵抗素子５．７・・・トランスジューサ９．１１・・・ヒートシンクスタッド１７・・・信号３１１１Ｗ器１９・・・コンバレタ２１・・・差動電圧増幅器２３・・・瞬時トリップコンバレタ２５・・・基板２７・・・分路メタル層２９・・・カプトンセパレータ層３１・・・ニッケルグリッドパターン３３・・・カプトン絶縁層３５．３７・・・分路端子

Claims

【特許請求の範囲】

（１）（ａ）電源に接続可能な第１の端子と、（ｂ）負荷に接続可能な第２の端子と、（ｃ）前記第１及び第２の端子間に接続された所定抵抗
値の電気導体と、（ｄ）前記導体の第１の温度表示を与える第１の熱電セ
ンサと、（ｅ）前記導体付近の第２の周囲温度表示を与える第２
の熱電センサと、（ｆ）前記第１及び第２の表示間の差の表示を与える差
手段、とを具備する保護回路。
（２）第（１）項記載の保護回路において、さらに前記
第１及び第２の端子の一方に接続され、前記差手段に応
答して動作を制御するスイッチ手段を含む保護回路。
（３）第（２）項記載の保護回路において、さらに外部
信号に応答して前記スイッチ手段の動作を制御する制御
論理手段を含み、前記論理手段はさらに前記差手段に応
答して前記スイッチ手段の動作を制御する手段を含む保
護回路。
（４）第（１）項記載の保護回路において、前記第１の
センサは前記導体と密着して配置され、前記第２のセン
サは前記導体から離されている保護回路。