JPH0284016A - 保護回路付きサージ吸収回路 - Google Patents
保護回路付きサージ吸収回路Info
- Publication number
- JPH0284016A JPH0284016A JP23152688A JP23152688A JPH0284016A JP H0284016 A JPH0284016 A JP H0284016A JP 23152688 A JP23152688 A JP 23152688A JP 23152688 A JP23152688 A JP 23152688A JP H0284016 A JPH0284016 A JP H0284016A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mov
- bimetal
- heat
- circuit
- spring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、メタルオキサイドバリスタ（以下ＭＯＶと略
記基する）とその熱により動作するバイメタルスイッチ
回路とを直列に接続してなる回路に関する。
記基する）とその熱により動作するバイメタルスイッチ
回路とを直列に接続してなる回路に関する。
従来の技術
従来この種のサージ吸収回路は、第５図に示すように、
ＮＯＶ単独で使用する事が多かった。 ｌ４ＯＶの特性
としては常時使用する電圧ではできるだけ電流が少なく
（リーク電流が小さく）またサージ電圧が入ってきた場
合にはできるだけＭＯＶに電流を流してサージ電圧を吸
収する電圧値（抑制電圧という）を選ぶ必要がある。
ＮＯＶ単独で使用する事が多かった。 ｌ４ＯＶの特性
としては常時使用する電圧ではできるだけ電流が少なく
（リーク電流が小さく）またサージ電圧が入ってきた場
合にはできるだけＭＯＶに電流を流してサージ電圧を吸
収する電圧値（抑制電圧という）を選ぶ必要がある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、初期的に前記のような特性を呈してもＭ
ＯＶの定格以上のエネルギーのサージが入ってきた場合
には、ＭＯＶが発熱して劣化する事により抑制電圧が下
がり常時印加されている電圧でも電流が流れてさらに発
熱し、益々劣化するという悪循環が起き、遂にはＮＯＶ
の発火さらにはＮＯＶの周辺機器への引火等もあり得る
。
ＯＶの定格以上のエネルギーのサージが入ってきた場合
には、ＭＯＶが発熱して劣化する事により抑制電圧が下
がり常時印加されている電圧でも電流が流れてさらに発
熱し、益々劣化するという悪循環が起き、遂にはＮＯＶ
の発火さらにはＮＯＶの周辺機器への引火等もあり得る
。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、ＨＯｖの熱により電圧回路を切
断するようなバイメタルスイッチ回路をＮＯＶと直列に
設ける事により、従来の技術に内在する上記課題を解決
することを可能とした新規なサージ吸収回路を提供する
ことにある。
従って本発明の目的は、ＨＯｖの熱により電圧回路を切
断するようなバイメタルスイッチ回路をＮＯＶと直列に
設ける事により、従来の技術に内在する上記課題を解決
することを可能とした新規なサージ吸収回路を提供する
ことにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の技術に対し、本発明は、前述のように従
来のＨＯｖのサージ吸収回路にバイメタルスイッチを直
列に設けてＮＯＶの発熱状態によりＮＯＶ回路を切り離
すという動作をさせる相違点を有する。
来のＨＯｖのサージ吸収回路にバイメタルスイッチを直
列に設けてＮＯＶの発熱状態によりＮＯＶ回路を切り離
すという動作をさせる相違点を有する。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に、本発明に係る保護回路付きサ
ージ吸収回路は、ＭＯＶと、該１．ＩＯＶが発生する熱
により動作するバイメタルスイッチ回路とを直列に接続
して構成される。
ージ吸収回路は、ＭＯＶと、該１．ＩＯＶが発生する熱
により動作するバイメタルスイッチ回路とを直列に接続
して構成される。
実施例
次に本発明をその好ましい各実施例について図面を用い
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
第１図は本発明による第１の実施例を示す回路図である
が、構造的には第３図はバイメタルスイッチが°’ＯＮ
“状態、第４図はバイメタルスイッチが°’ＯＦＦ”状
態になったときを示す、尚、第３図、第４図において（
ａ）は正面から見た正面図、（ｂ）は横面より見た側面
図である。
が、構造的には第３図はバイメタルスイッチが°’ＯＮ
“状態、第４図はバイメタルスイッチが°’ＯＦＦ”状
態になったときを示す、尚、第３図、第４図において（
ａ）は正面から見た正面図、（ｂ）は横面より見た側面
図である。
第１図、第３図、第４図を参照するに、参照番号１はＮ
ＯＶであり、サージ吸収のための素子である。２はバイ
メタルであり、熱が加えられると反るようにされている
。３はばねであって、バイメタル２に引掛けて伸びてい
るが、バイメタル２が反ればバイメタル２とばね３の引
掛りがはずれてばね３は縮み、バイメタル２の温度が常
温に復帰して反りかえりが戻ってもばね３と接触しない
ようになっている。尚、バイメタル２とばね３とで１３
に示すバイメタルスイッチを形成している。ｔ。
ＯＶであり、サージ吸収のための素子である。２はバイ
メタルであり、熱が加えられると反るようにされている
。３はばねであって、バイメタル２に引掛けて伸びてい
るが、バイメタル２が反ればバイメタル２とばね３の引
掛りがはずれてばね３は縮み、バイメタル２の温度が常
温に復帰して反りかえりが戻ってもばね３と接触しない
ようになっている。尚、バイメタル２とばね３とで１３
に示すバイメタルスイッチを形成している。ｔ。
た、構造的にはＭＯＶ １の熱がバイメタル２に直ちに
伝わるような構造にしておく。
伝わるような構造にしておく。
４は内部の接続リード、５は外部接続リードをそれぞれ
示し、６は各種部品搭載用の基板であり、７は単なる固
定用のねじである。第１図の回路図では１１は１ｔＲ，
１２は負荷である。
示し、６は各種部品搭載用の基板であり、７は単なる固
定用のねじである。第１図の回路図では１１は１ｔＲ，
１２は負荷である。
次に、第１図及び第３図、第４図を参照して本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
通常、スイッチ１３は’ＯＮ”状態であり、１４０ｖ１
は電源１１に接続されているが、サージ等によりＭＯＶ
１が劣化すれば抑制電圧が下がってくるために常時印
加されている電圧でも電流が流れてさらに発熱し、益々
劣化するという悪循環が起きるが、ＨＯＶ １の熱がバ
イメタル２に伝達されるためにバイメタル２は反り、ば
ね３からはずれる。即ち。
は電源１１に接続されているが、サージ等によりＭＯＶ
１が劣化すれば抑制電圧が下がってくるために常時印
加されている電圧でも電流が流れてさらに発熱し、益々
劣化するという悪循環が起きるが、ＨＯＶ １の熱がバ
イメタル２に伝達されるためにバイメタル２は反り、ば
ね３からはずれる。即ち。
バイメタルスイッチ１３が°’ ＯＦＦ”状態となり、
ＭＯＶ １は電源から切断された状態となる。そのよう
な状態になればＭＯＶ ｌはこれ以上発熱する事はなく
、発火或は周辺機器への引火等は防止できる。
ＭＯＶ １は電源から切断された状態となる。そのよう
な状態になればＭＯＶ ｌはこれ以上発熱する事はなく
、発火或は周辺機器への引火等は防止できる。
尚、第４図の例ではバイメタル２とばね３の接触がはず
れればばね３が縮むためにＭＯＶ １の発熱がなくなり
常温になってもスイッチ回路は復帰しない、但し、手動
にて復帰させる事はばね３を伸ばせば可能である。
れればばね３が縮むためにＭＯＶ １の発熱がなくなり
常温になってもスイッチ回路は復帰しない、但し、手動
にて復帰させる事はばね３を伸ばせば可能である。
第２図は本発明による第２の実施例を示す回路構成図で
ある。
ある。
第２の実施例は交流を源１１の代わりに直流を源１１’
を用いた直流回路の実施例であるが、ＭＯＶ １は双
方向性のために基本的には交流回路と同じである。
を用いた直流回路の実施例であるが、ＭＯＶ １は双
方向性のために基本的には交流回路と同じである。
発明の詳細
な説明したように、１ＩｌＯｖとその熱により動作する
バイメタルスイッチ回路を直列に接続してなるｒＡａ！
８は以下のような効果を有する。
バイメタルスイッチ回路を直列に接続してなるｒＡａ！
８は以下のような効果を有する。
ＭＯＶが劣化して発熱しても発火が防止できる。
ＮＯＶの周辺機器に対する引火が防止できる。
第１図は本発明による第１の実施例を示す交流ｓ源時の
回路構成図、第２図は本発明による第２の実施例を示す
直流電源時の回路構成図、第３国保る回路が°’ＯＦＦ
”状態のときの構造を示す正面図、側面図、第５図は従
来の回路図である。 １・・・ＭＯＶ 、 ２・・・バイメタル、３・・・ば
ね、４・・・内部接続リード、５・・・外部接続リード
、６・・・基板、７・・・ねじ、１１・・・交流電源５
１１′・・・直流電源、１２・・・負荷、１３・・−バ
イメタル２、ばね３によるスイッチ回路 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人
回路構成図、第２図は本発明による第２の実施例を示す
直流電源時の回路構成図、第３国保る回路が°’ＯＦＦ
”状態のときの構造を示す正面図、側面図、第５図は従
来の回路図である。 １・・・ＭＯＶ 、 ２・・・バイメタル、３・・・ば
ね、４・・・内部接続リード、５・・・外部接続リード
、６・・・基板、７・・・ねじ、１１・・・交流電源５
１１′・・・直流電源、１２・・・負荷、１３・・−バ
イメタル２、ばね３によるスイッチ回路 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人
Claims (1)
- メタルオキサイドバリスタと、該メタルオキサイドバリ
スタの熱により動作するバイメタルスイッチ回路とを直
列に接続してなることを特徴とする保護回路付きサージ
吸収回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23152688A JPH0284016A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 保護回路付きサージ吸収回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23152688A JPH0284016A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 保護回路付きサージ吸収回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284016A true JPH0284016A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16924870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23152688A Pending JPH0284016A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 保護回路付きサージ吸収回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284016A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0583851A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-02 | Mitsubishi Materials Corp | サージ吸収器 |
| US6893994B2 (en) | 2002-08-13 | 2005-05-17 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Plasma spheroidized ceramic powder |
| US7728709B2 (en) | 2001-08-02 | 2010-06-01 | Epcos Ag | Electroceramic component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132747A (en) * | 1977-04-26 | 1978-11-18 | Toshiba Corp | Surge absorber |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23152688A patent/JPH0284016A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132747A (en) * | 1977-04-26 | 1978-11-18 | Toshiba Corp | Surge absorber |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0583851A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-02 | Mitsubishi Materials Corp | サージ吸収器 |
| US7728709B2 (en) | 2001-08-02 | 2010-06-01 | Epcos Ag | Electroceramic component |
| US6893994B2 (en) | 2002-08-13 | 2005-05-17 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Plasma spheroidized ceramic powder |
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