JPH0284750A - 光学相互作用が増加された半導体装置 - Google Patents
光学相互作用が増加された半導体装置Info
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- JPH0284750A JPH0284750A JP1145039A JP14503989A JPH0284750A JP H0284750 A JPH0284750 A JP H0284750A JP 1145039 A JP1145039 A JP 1145039A JP 14503989 A JP14503989 A JP 14503989A JP H0284750 A JPH0284750 A JP H0284750A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H10F30/2863—Field-effect phototransistors having PN homojunction gates
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、装置のキャリア領域内にあるプローブビーム
と電荷キャリアの相互作用が増加するように長くされた
光学相互作用ビームパスが与えられた半導体装置に関す
る。
と電荷キャリアの相互作用が増加するように長くされた
光学相互作用ビームパスが与えられた半導体装置に関す
る。
「従来の技術」
最近、不侵入の光学技術が集結回路装置をプローブする
ために開発された。これらの技術は、半導体材料（例え
ばＧａＡｓおよびＳｔ）が材料の吸収帯域の外部の波長
を有する光学プローブビームによってプローブされるな
らば、プローブされた領域内の電荷密度がプローブビー
ムの位相および／または偏光内の変化を生じるという現
象を基礎としている。（例えば、」ル、Ｆｒｅｅｍａｎ
他によるＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｃｔｔ、 ４７．１０
８３頁（１９８５）と、Ｂ、Ｈ，Ｋｏ）ｎｅｔ他による
雑誌ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ−２２巻、１号、７９頁
１９８Ｇ年１月に記載の“Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｌｃ
Ｓａｍｐｌｉｎｇｉｎ ＧａＡｓ Ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ ｃ、ｒｃｕｉｔｓ と１および１１、に、Ｈｅ
１ｎｒｉｃｈ他による１９８６年４月２１日のＡｐｐＨ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ４Ｂ（１６）巻１
０８Ｂ乃至１０６８頁記載のＮｏｎ１ｎｖａｓｉｖｅ
５ｈｅｅｔ Ｃｈａｒｇｅ Ｄｅｎｓｌｔｙ Ｐｒｏｂ
ｅｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ５ｉ１１ｃｏｎ Ｄ
ｅｖ１ｃｅｓ’参照。）プローブビームの電荷は、検出
されることができ、電荷が存在するかどうか従ってＦＥ
Ｔのような電子装置が付勢されている、或は電荷を蓄積
しているかどうかを決定するのに使われる。複数の光学
メモリ素子は、アーロン ファルタ（Ａａｒｏｎ Ｆａ
ｌｋ）の出願（０ｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｌｃ Ｍｅ
ｍｏｒｙ ＤｅｖｉｃｅＡｔｔｏｒｎｅｙ Ｄｏｃｋｅ
ｔ ８７ＦＡＬ４１１ＤＡＢ ）に記載されたようなラ
ンダムアクセスメモリアレイを形成するために相互連結
され得る。
ために開発された。これらの技術は、半導体材料（例え
ばＧａＡｓおよびＳｔ）が材料の吸収帯域の外部の波長
を有する光学プローブビームによってプローブされるな
らば、プローブされた領域内の電荷密度がプローブビー
ムの位相および／または偏光内の変化を生じるという現
象を基礎としている。（例えば、」ル、Ｆｒｅｅｍａｎ
他によるＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｃｔｔ、 ４７．１０
８３頁（１９８５）と、Ｂ、Ｈ，Ｋｏ）ｎｅｔ他による
雑誌ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ−２２巻、１号、７９頁
１９８Ｇ年１月に記載の“Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｌｃ
Ｓａｍｐｌｉｎｇｉｎ ＧａＡｓ Ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ ｃ、ｒｃｕｉｔｓ と１および１１、に、Ｈｅ
１ｎｒｉｃｈ他による１９８６年４月２１日のＡｐｐＨ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ４Ｂ（１６）巻１
０８Ｂ乃至１０６８頁記載のＮｏｎ１ｎｖａｓｉｖｅ
５ｈｅｅｔ Ｃｈａｒｇｅ Ｄｅｎｓｌｔｙ Ｐｒｏｂ
ｅｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ５ｉ１１ｃｏｎ Ｄ
ｅｖ１ｃｅｓ’参照。）プローブビームの電荷は、検出
されることができ、電荷が存在するかどうか従ってＦＥ
Ｔのような電子装置が付勢されている、或は電荷を蓄積
しているかどうかを決定するのに使われる。複数の光学
メモリ素子は、アーロン ファルタ（Ａａｒｏｎ Ｆａ
ｌｋ）の出願（０ｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｌｃ Ｍｅ
ｍｏｒｙ ＤｅｖｉｃｅＡｔｔｏｒｎｅｙ Ｄｏｃｋｅ
ｔ ８７ＦＡＬ４１１ＤＡＢ ）に記載されたようなラ
ンダムアクセスメモリアレイを形成するために相互連結
され得る。
通常の半導体装置において、電荷キャリア領域をプロー
ブするためにプローブビームは実質的な垂直の方法で装
置の基体に入射されなければならない。しかしながら、
電荷キャリア領域は、通常基体の表面に平行な長く薄い
領域から成る。従って、プローブビームと電荷キャリア
の相互作用バスの長さを限定する電荷キャリア領域の最
も短い長さを通る。
ブするためにプローブビームは実質的な垂直の方法で装
置の基体に入射されなければならない。しかしながら、
電荷キャリア領域は、通常基体の表面に平行な長く薄い
領域から成る。従って、プローブビームと電荷キャリア
の相互作用バスの長さを限定する電荷キャリア領域の最
も短い長さを通る。
「発明の解決すべき課題」
本発明の目的は、不侵入プローブビームのために与えら
れた長い相互作用パス長がある半導体装置を提供するこ
とである。
れた長い相互作用パス長がある半導体装置を提供するこ
とである。
「課題解決のための手段」
本発明の上記目的は、電荷キャリア領域と、前記電荷キ
ャリア領域を通る光学的バスを与える手段とを備え、光
学的パスは電荷キャリア領域の最大の長さを通って形成
されている半導体装置によって達成される。
ャリア領域を通る光学的バスを与える手段とを備え、光
学的パスは電荷キャリア領域の最大の長さを通って形成
されている半導体装置によって達成される。
本発明の好ましい実施例において、ミラーが電荷キャリ
ア領域の最も長い長さに沿ってプローブビームを反射す
るのに使用される半導体基体の表面にエツチングで形成
される。領域内で与えられたプローブビームと電荷キャ
リア間の相互作用は、それによって増加される。
ア領域の最も長い長さに沿ってプローブビームを反射す
るのに使用される半導体基体の表面にエツチングで形成
される。領域内で与えられたプローブビームと電荷キャ
リア間の相互作用は、それによって増加される。
「実施例」
第１図を参照すると、簡単な断面図には、基体１０とソ
ース源１２とキャリア領域１４とドレイン領域１６とを
有する通常のＦＥＴ半導体装置が示されている。対応す
るソースと、ゲートと、ドレイン電極１８．２０．およ
び２２は、基体の最上面に形成される。
ース源１２とキャリア領域１４とドレイン領域１６とを
有する通常のＦＥＴ半導体装置が示されている。対応す
るソースと、ゲートと、ドレイン電極１８．２０．およ
び２２は、基体の最上面に形成される。
第１図で示されたＦＥＴをプローブするために不侵入技
術を利用するために、プローブビームは基体１０の下面
に入射し、そしてゲート電極２０から反射される。明ら
かに示されているように、プローブビーム（すなわち読
出しビーム）は、キャリア領域の長さよりも短いキャリ
ア領域１４の厚さを通り過ぎ、従ってプローブビームと
キャリア領域１４に存在する任意の電荷キャリアとの相
互作用を制限する。
術を利用するために、プローブビームは基体１０の下面
に入射し、そしてゲート電極２０から反射される。明ら
かに示されているように、プローブビーム（すなわち読
出しビーム）は、キャリア領域の長さよりも短いキャリ
ア領域１４の厚さを通り過ぎ、従ってプローブビームと
キャリア領域１４に存在する任意の電荷キャリアとの相
互作用を制限する。
しかしながら本発明に従う装置において、読出しビーム
と電荷キャリア間の光学的相互作用は、装置の相互作用
のパス長を拡大することによって、増加される。第２図
に示された好ましい実施例において、ミラー表面２４．
２６は、基体１０′の表面に形成される。装置に供給さ
れたプローブビームの光学的パスが電荷キャリア領域１
４′の最も長い長さを通過するように基体１０′中にミ
ラー表面２４および２６を形成するために通常のイオン
加工またはエツチング技術が使用される。示されている
ＦＥＴの場合において、最も長い長さは、装置の最上面
に平行なキャリア°領域の縦方向である。ミラー表面２
４．２６は、製造過程の各々の時間で基体内に形成され
得るが、しかしソース領域１２′とドレイン領域１６′
の堆積の後に形成されることが好ましい。従って、第２
図に示されている装置の相互作用の長さは、電荷キャリ
アのバスに垂直な基体に入射する読出しビームを有する
通常のＦＥＴに比較して有効に拡大される。
と電荷キャリア間の光学的相互作用は、装置の相互作用
のパス長を拡大することによって、増加される。第２図
に示された好ましい実施例において、ミラー表面２４．
２６は、基体１０′の表面に形成される。装置に供給さ
れたプローブビームの光学的パスが電荷キャリア領域１
４′の最も長い長さを通過するように基体１０′中にミ
ラー表面２４および２６を形成するために通常のイオン
加工またはエツチング技術が使用される。示されている
ＦＥＴの場合において、最も長い長さは、装置の最上面
に平行なキャリア°領域の縦方向である。ミラー表面２
４．２６は、製造過程の各々の時間で基体内に形成され
得るが、しかしソース領域１２′とドレイン領域１６′
の堆積の後に形成されることが好ましい。従って、第２
図に示されている装置の相互作用の長さは、電荷キャリ
アのバスに垂直な基体に入射する読出しビームを有する
通常のＦＥＴに比較して有効に拡大される。
電荷キャリア領域を通過する光学的パスは、少なくとも
半導体装置の最上面にほぼ平行であるために都合よく選
択され、電荷キャリア領域の厚さよりも実質的に大きい
電荷キャリア領域を通る距離を伝播する。
半導体装置の最上面にほぼ平行であるために都合よく選
択され、電荷キャリア領域の厚さよりも実質的に大きい
電荷キャリア領域を通る距離を伝播する。
本発明にしたがった半導体装置は、光学的メモリシステ
ムで使用され得る。例えば、光フリップフロップ２８（
第３図参照）は、第２図に示されているミラー表面２４
と２６を利用する２つのフォトＦＥＴ３０および３２か
ら成り、完全に光学的なメモリ内の素子的メモリ装置と
して使用され得る。１つのフォトＦＥＴ３０は、電荷が
装置間を流れるか否かを決定するために読出しビームに
よってプローブされる。例えば、論理“１”を“貯蔵”
するために、書き込みビームは、電流をフォトＦＥＴ３
０を通過し流すようにフォトＦＥＴ３０を付勢する。反
射された読出しビームの位相および／または偏光の変化
は、フォトＦＥＴ３０がオンされそれによって′１”が
貯蔵されたことを表すために使用される。メモリ（フォ
トＦＥＴ３０）から“１“が消去されるために書き込み
光は、フォトＦＥＴ３０を“オフ″に切り替えるように
フォト３２に向けられる。
ムで使用され得る。例えば、光フリップフロップ２８（
第３図参照）は、第２図に示されているミラー表面２４
と２６を利用する２つのフォトＦＥＴ３０および３２か
ら成り、完全に光学的なメモリ内の素子的メモリ装置と
して使用され得る。１つのフォトＦＥＴ３０は、電荷が
装置間を流れるか否かを決定するために読出しビームに
よってプローブされる。例えば、論理“１”を“貯蔵”
するために、書き込みビームは、電流をフォトＦＥＴ３
０を通過し流すようにフォトＦＥＴ３０を付勢する。反
射された読出しビームの位相および／または偏光の変化
は、フォトＦＥＴ３０がオンされそれによって′１”が
貯蔵されたことを表すために使用される。メモリ（フォ
トＦＥＴ３０）から“１“が消去されるために書き込み
光は、フォトＦＥＴ３０を“オフ″に切り替えるように
フォト３２に向けられる。
第３図に示されている複数の素子的メモリ装置から成る
メモリアレイは完全に光学的なランダムアクセスメモリ
を形成するために固体装置製作技術を使用し形成され得
る。第４図に示されているように、単一のイツトリウム
アルミニウムガーネット（ＹＡＧ）レーザ３２は、Ｇａ
Ａｓで作られた光学的ランダムアクセスメモリアレイ３
４をアドレスするために使用される読出しビームと書き
込みビームの両方を供給するために利用される。
メモリアレイは完全に光学的なランダムアクセスメモリ
を形成するために固体装置製作技術を使用し形成され得
る。第４図に示されているように、単一のイツトリウム
アルミニウムガーネット（ＹＡＧ）レーザ３２は、Ｇａ
Ａｓで作られた光学的ランダムアクセスメモリアレイ３
４をアドレスするために使用される読出しビームと書き
込みビームの両方を供給するために利用される。
ビームスプリッタ３６は、レーザ３２から変調器３８お
よび４０にそれぞれに供給される読出しビームと書き込
みビームへビームを分割する。変調器３８および４０は
、ビームの“オン−オフ”制御を行うために読出しビー
ムおよび書き込みビームを選択的に阻止する。しかしな
がら書き込みビームの周波は、変調器４０に供給される
前に２倍化結晶４２によってまず初めに２倍にされる。
よび４０にそれぞれに供給される読出しビームと書き込
みビームへビームを分割する。変調器３８および４０は
、ビームの“オン−オフ”制御を行うために読出しビー
ムおよび書き込みビームを選択的に阻止する。しかしな
がら書き込みビームの周波は、変調器４０に供給される
前に２倍化結晶４２によってまず初めに２倍にされる。
書き込みビームの波長は約５３２ｎｍであり、また読出
しビームは１０６４ ｎｍであることが好ましい。走査
ユニット・４４および４６は、読出しおよび書き込み用
にそれぞれ選択的に素子的メモリ装置にアドレスするた
めメモリアレイを横切って変調された読出しおよび書き
込みビームで独立に走査する。
しビームは１０６４ ｎｍであることが好ましい。走査
ユニット・４４および４６は、読出しおよび書き込み用
にそれぞれ選択的に素子的メモリ装置にアドレスするた
めメモリアレイを横切って変調された読出しおよび書き
込みビームで独立に走査する。
検出装置４８は、読出しビームによってプローブされた
領域内に存在する電荷密度を決定するために、反射され
た読出しビーム内の位相および／または偏光の変化を分
析する。検出装置４８は、ハインリッヒ（Ｈｅ１ｎｒｌ
ｔｈ）他による前記参照文献（“ＮｏｎＩｖａｓｌｖｅ
５ｈｅｅｔ Ｃｈａｒｇｅ Ｄｅｎｓｌｔｙ Ｐｒｏ
ｂｅｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ５ｌ１１ｃｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅｓ” ）に記載されているような不侵入技
術である高解像度干渉計を使用することによって電子光
学効果または電荷変調から生じる屈折率変化を検出する
。
領域内に存在する電荷密度を決定するために、反射され
た読出しビーム内の位相および／または偏光の変化を分
析する。検出装置４８は、ハインリッヒ（Ｈｅ１ｎｒｌ
ｔｈ）他による前記参照文献（“ＮｏｎＩｖａｓｌｖｅ
５ｈｅｅｔ Ｃｈａｒｇｅ Ｄｅｎｓｌｔｙ Ｐｒｏ
ｂｅｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ５ｌ１１ｃｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅｓ” ）に記載されているような不侵入技
術である高解像度干渉計を使用することによって電子光
学効果または電荷変調から生じる屈折率変化を検出する
。
検出装置４８は、第５図に示されている。変調器３８か
らの読出しビームは、偏光ビームスプリッタ５０を通過
され、さらに直交偏光の２つのビームを生成する複屈折
ビームスプリッタ５２を通過される。対物レンズ５４は
、メモリアレイ３４上で走査ユニット４４によって偏光
された２つのビームの焦点を結ぶ。１つのビームは、プ
ローブするためにメモリアレイのアクチブ領域を通過し
、一方第２のビームは、参照点として作用するメモリア
レイ３４の金属領域から反射される。
らの読出しビームは、偏光ビームスプリッタ５０を通過
され、さらに直交偏光の２つのビームを生成する複屈折
ビームスプリッタ５２を通過される。対物レンズ５４は
、メモリアレイ３４上で走査ユニット４４によって偏光
された２つのビームの焦点を結ぶ。１つのビームは、プ
ローブするためにメモリアレイのアクチブ領域を通過し
、一方第２のビームは、参照点として作用するメモリア
レイ３４の金属領域から反射される。
複屈折ビームスプリッタ５２とメモリアレイ３４を対物
レンズ５４の後方および前方焦点平面に配置することに
よって、２つのビームは同じ光学的バスに沿って反射さ
れて戻り、複屈折ビームスプリッタ５２によって単一ビ
ームに再結合される。
レンズ５４の後方および前方焦点平面に配置することに
よって、２つのビームは同じ光学的バスに沿って反射さ
れて戻り、複屈折ビームスプリッタ５２によって単一ビ
ームに再結合される。
偏光ビームスプリッタ５０およびレンズ５５は、変調さ
れた干渉積の強度を生成する光検出回路５６へ反射され
た光を向ける。光検出回路５６の出力は、電荷密度に関
しては直線である強度変調された電気信号を与える。
れた干渉積の強度を生成する光検出回路５６へ反射され
た光を向ける。光検出回路５６の出力は、電荷密度に関
しては直線である強度変調された電気信号を与える。
本発明は、上記参照されたファルタの出版で開示された
ようなアレイをアドレスする並列なメモリにおいて使用
されることも可能である。
ようなアレイをアドレスする並列なメモリにおいて使用
されることも可能である。
本発明は、特定の好ましい実施例に関しては記載されて
いる。しかしながら、本発明の技術的範囲内で変形およ
び変更されることは理解されるべきである。例えば、本
発明は開示された特定のＦＥＴ構造に限定されるもめで
はなく、容量素子を含む任意の形式の半導体装置に応用
できる。さらに本発明は、メモリアレイまたは特定の開
示されたミラー表面配置で使用されるこれらの装置だけ
に限定されるものでもない。
いる。しかしながら、本発明の技術的範囲内で変形およ
び変更されることは理解されるべきである。例えば、本
発明は開示された特定のＦＥＴ構造に限定されるもめで
はなく、容量素子を含む任意の形式の半導体装置に応用
できる。さらに本発明は、メモリアレイまたは特定の開
示されたミラー表面配置で使用されるこれらの装置だけ
に限定されるものでもない。
３４・・・メモリアレイ。
第１図は、通常のＦＥＴの断面図である。
第２図は、本発明に従ったＦＥＴの断面図である。
第３図は、フォトＦＥＴを使用する光学的メモリ素子の
断面図である。 第４図は、第３図で示された型の光学的メモリ素子のア
レイを有する光学的メモリ装置を走査するためのシステ
ムのブロック図である。 第５図は、第４図で示されたシステムで使用される検出
装置のブロック図である。 １０・・・基体、１２・・・ソース領域、１４・・・キ
ャリア領域、１６・・・ドレイン領域、１８，２０゜２
２・・・ドレイン電極、２４．２６・・・ミラー表面、
２８・・・光フリップフロップ、３２・・・フォトＦＥ
Ｔ。
断面図である。 第４図は、第３図で示された型の光学的メモリ素子のア
レイを有する光学的メモリ装置を走査するためのシステ
ムのブロック図である。 第５図は、第４図で示されたシステムで使用される検出
装置のブロック図である。 １０・・・基体、１２・・・ソース領域、１４・・・キ
ャリア領域、１６・・・ドレイン領域、１８，２０゜２
２・・・ドレイン電極、２４．２６・・・ミラー表面、
２８・・・光フリップフロップ、３２・・・フォトＦＥ
Ｔ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電荷キャリア領域と、前記電荷キャリア領域を通る
光学的パスを与える手段とを備え、前記光学的パスは前
記電荷キャリア領域の最大の長さを通って形成されてい
る半導体装置。 ２、光学的パスを与えるための前期手段が前記半導体装
置の基体内に形成された少なくとも一対のミラー表面を
含む請求項１記載の半導体装置。 ３、前記電荷領域内の前記光学的パスの距離が前記電荷
キャリア領域の厚さよりも大きい請求項２記載の半導体
装置。 ４、ａ、基体と、 ｂ、前記基体の表面に近接した電荷キャリア領域と、 ｃ、前記基体に形成され、前記表面に平行な前記電荷キ
ャリア領域の長さを通る光学的パスを与えるために配置
された複数のミラー表面とを含む半導体装置。 ５、ａ、基体と、 ｂ、前記基体に形成されたソース領域およびドレイン領
域と、 ｃ、前期表面に近接し、前記ソース領域と前記ドレイン
領域間に位置されたキャリア領域と、ｄ、前記ソースお
よびドレイン領域間の方向に沿って前記キャリア領域の
長さを通る光学的パスを与えるための手段とを含む半導
体装置。 ６、前記キャリア領域の長さを通る光学的パスを与える
ための前期手段が前記基体内に形成された複数のミラー
表面を含む請求項５記載の半導体装置。 ７、少なくとも１つのミラー表面が前記ソース領域に近
接して位置され、少なくとも１つのミラー表面が前記ド
レイン領域に近接し位置された請求項６記載の半導体装
置。 ８、少なくとも１つの電荷キャリア領域と、少なくとも
前記基体の最上面にほぼ平行な前記電荷キャリア領域の
長さを通る光学的パスを与えるための手段とを有する半
導体装置。 ９、光学的パスを与えるための前期手段が前記半導体装
置の基体に形成された少なくとも一対のミラー表面を含
む請求項８記載の半導体装置。 １０、ａ、基体と、 ｂ、前記基体の表面に近接した電荷キャリア領域と、 ｃ、前記基体に形成され、少なくとも前記基体の最上面
にほぼ平行な前記キャリア領域の長さを通る光学的パス
を与えるために配置された複数のミラー表面とを含む半
導体装置。 １１、ａ、基体と、 ｂ、前記基体に形成されたソース領域およびドレイン領
域と、 ｃ、前期表面に近接し、前記ソース領域と前記ドレイン
領域間に位置されたキャリア領域と、ｄ、少なくとも前
記基体の最上面にほぼ平行な前記キャリア領域の長さを
通る光学的パスを与えるための手段とを含む半導体装置
。 １２、前記キャリア領域を縦方向に通る光学的パスを与
えるための前期手段が前記基体内に形成された複数のミ
ラー表面を含む請求項１１記載の半導体装置。 １３、少なくとも１つのミラー表面が前記ソース領域に
近接して位置され、少なくとも１つのミラー表面が前記
ドレイン領域に近接し位置された請求項１３記載の半導
体装置。 １４、ａ、光・電子基体に形成された複数の光学メモリ
素子と、 ｂ、前記光・電子基体の吸収帯域内の波長を有する書き
込みビームを複数の前記光学メモリ素子に選択的に供給
するための手段と、 ｃ、前記光・電子基体の吸収帯域外部の波長を有する読
出しビームを前記複数の光学メモリ素子に選択的に供給
するための手段と、 ｄ、読出しビームが複数の光学メモリ素子から反射され
て戻るとき、読出しビームの位相および偏光の変化の少
なくとも一つを検出するための手段と含み、 ｅ、各前記光学メモリ素子が電荷キャリア領域と前記電
荷キャリア領域の最大の長さを通る読出しビームと書き
込みビームの少なくとも１つのための光学的パスを与え
る手段とを有することを特徴とする光学ランダムアクセ
スメモリ。 １５、ａ、光・電子基体の吸収帯域内の波長を有する書
き込みビームによって複数の光学メモリ素子を選択的に
走査する段階と、 ｂ、前記光・電子基体の吸収帯域外部の波長を有する読
出しビームによって前記複数の光学メモリ素子を選択的
に走査する段階と、 ｃ、前記読出しビームが複数の光・電子メモリ素子から
反射され戻るとき、前記読出しビームの位相および偏光
の変化の少なくとも一つを検出する段階と、 ｄ、各前記光学メモリ素子の電荷キャリア領域の最長の
パスを通って読み出しおよび書き込みビームの少なくと
も１つを導く段階とを含む光・電子基体から形成された
複数の光学メモリ素子を有する光学ランダムアクセスメ
モリを動作する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US203,726 | 1988-06-07 | ||
| US07/203,726 US5150182A (en) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | Semiconductor device enhanced for optical interaction |
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|---|---|
| JPH0284750A true JPH0284750A (ja) | 1990-03-26 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH0284750A (ja) |
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-
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- 1989-06-07 JP JP1145039A patent/JPH0284750A/ja active Pending
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