JPH0285395A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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- JPH0285395A JPH0285395A JP63234370A JP23437088A JPH0285395A JP H0285395 A JPH0285395 A JP H0285395A JP 63234370 A JP63234370 A JP 63234370A JP 23437088 A JP23437088 A JP 23437088A JP H0285395 A JPH0285395 A JP H0285395A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子部品の製造方法に関し、特に、耐変色性や
半田付性等に優れ、かつ、加熱溶融時のボイドやデウェ
ッティング不良を防ぐようにした電子部品の製造方法に
関する。
半田付性等に優れ、かつ、加熱溶融時のボイドやデウェ
ッティング不良を防ぐようにした電子部品の製造方法に
関する。
従来、印刷配線板、可撓性印刷配線板、■Ｃ用フィルム
キャリア、半導体用リードフレーム、コネクタ一端子等
の電子部品を製造する場合、所定の金属基体上に錫およ
び半田のめっきを施しており、この錫および半田のめっ
きには無光沢、半光沢および光沢めっきの種類がある。
キャリア、半導体用リードフレーム、コネクタ一端子等
の電子部品を製造する場合、所定の金属基体上に錫およ
び半田のめっきを施しており、この錫および半田のめっ
きには無光沢、半光沢および光沢めっきの種類がある。
このうち、無光沢および半光沢めっきはめっき表面が比
較的粗雑でるあため、耐酸化性や耐湿性等に劣り、変色
や半田付性の低下を招きやすいという欠点を有している
る。このため、めっき結晶が緻密で平滑表面の得られる
光沢めっきがこれらの特性に優れていることから最近で
は盛んに用いられるようになっている。
較的粗雑でるあため、耐酸化性や耐湿性等に劣り、変色
や半田付性の低下を招きやすいという欠点を有している
る。このため、めっき結晶が緻密で平滑表面の得られる
光沢めっきがこれらの特性に優れていることから最近で
は盛んに用いられるようになっている。
以上述べた光沢めっきは、光沢錫めっきの場合、硫酸浴
、ホウフッカ浴、有機スルホン酸浴等の基本浴を用い、
また、光沢半田めっきの場合、ホウフッカ浴、有機スル
ホン酸浴等の基本浴を用いて各々に界面活性剤、アミン
−アルデヒド化合物等の有機化合物からなる光沢剤、ホ
ルマリン等の添加剤を加えて得ることができる。
、ホウフッカ浴、有機スルホン酸浴等の基本浴を用い、
また、光沢半田めっきの場合、ホウフッカ浴、有機スル
ホン酸浴等の基本浴を用いて各々に界面活性剤、アミン
−アルデヒド化合物等の有機化合物からなる光沢剤、ホ
ルマリン等の添加剤を加えて得ることができる。
しかし、従来の電子部品の製造方法においては、光沢錫
あるいは光沢半田のめっき膜中に添加剤、もしくは添加
剤の分解生成物等の有機物の共析が不可避であり、特に
無光沢めっきや半光沢めっきに比べると、はるかに高濃
度の有機物を含むため、これらの光沢めっきを施した部
品を半田付や半導体素子のボンディング等のため、めっ
きの融点以上に加熱した場合、溶融しためっき金属中で
これらの共析有機物が熱分解によって気化、発泡してボ
イドが発生したり、デウエツティングと呼ばれる不均一
な濡れ不良を生じ、不規則な凸凹の外観を呈するように
なる。このため、接合部の信顛性が低下し、外観的にも
商品価値を損なうという問題がある。
あるいは光沢半田のめっき膜中に添加剤、もしくは添加
剤の分解生成物等の有機物の共析が不可避であり、特に
無光沢めっきや半光沢めっきに比べると、はるかに高濃
度の有機物を含むため、これらの光沢めっきを施した部
品を半田付や半導体素子のボンディング等のため、めっ
きの融点以上に加熱した場合、溶融しためっき金属中で
これらの共析有機物が熱分解によって気化、発泡してボ
イドが発生したり、デウエツティングと呼ばれる不均一
な濡れ不良を生じ、不規則な凸凹の外観を呈するように
なる。このため、接合部の信顛性が低下し、外観的にも
商品価値を損なうという問題がある。
従って、本発明の目的は耐変色性や半田付性に優れ、か
つ、加熱溶融時のボイドやデウエツティング不良の発生
を防止することができる電子部品の製造方法を提供する
ことである。
つ、加熱溶融時のボイドやデウエツティング不良の発生
を防止することができる電子部品の製造方法を提供する
ことである。
本発明は以上述べた目的を実現するため、有機光沢剤を
添加した光沢錫、もしくは光沢半田のめっき浴を用いて
金属基体上に光沢錫、もしくは光沢半田のめっきを施し
、この後、光沢錫、もしくは光沢半田のめっきの融点未
満の温度で所定の時間加熱処理するようにした電子部品
の製造方法を提供するものである。
添加した光沢錫、もしくは光沢半田のめっき浴を用いて
金属基体上に光沢錫、もしくは光沢半田のめっきを施し
、この後、光沢錫、もしくは光沢半田のめっきの融点未
満の温度で所定の時間加熱処理するようにした電子部品
の製造方法を提供するものである。
即ち、本発明の電子部品の製造方法は、有機光沢剤を添
加した光沢錫、もしくは光沢半田のめっき浴を用いて金
属基体上に光沢錫、もしくは光沢半田のめっきを施す工
程と、前記光沢錫、もしくは光沢半田のめっきが施され
た前記金属基体を前記光沢錫、もしくは光沢半田のめっ
きの融点未満の温度で加熱処理する工程とを有するが、
特に、加熱処理は８０〜１２０℃の範囲が好適である。
加した光沢錫、もしくは光沢半田のめっき浴を用いて金
属基体上に光沢錫、もしくは光沢半田のめっきを施す工
程と、前記光沢錫、もしくは光沢半田のめっきが施され
た前記金属基体を前記光沢錫、もしくは光沢半田のめっ
きの融点未満の温度で加熱処理する工程とを有するが、
特に、加熱処理は８０〜１２０℃の範囲が好適である。
即ち、８０℃未満では熱処理の効果が小さく、長時間の
処理が必要になって不経済となり、１２０℃を超える温
度ではめっき表面に酸化や素地金属（例えば、銅）のめ
っき中への拡散等により半田付性やボンディング性が低
下しやすくなる。また、これを防止するには処理時間を
短くすれば良いが、多量の部品を同時に熱処理すると、
温度分布や昇温速度の不均一により熱処理効果が不均一
となる恐れがある。処理時間はめっきの種類、部品の大
きさ、形状等により異なるが、発泡、デウェッティング
に対する抑制効果と半田付性の低下しない範囲で適切な
条件を選定することができ、処理温度が低く、また、め
っき厚が厚い場合には処理時間を長くし、処理温度が高
く、めっき厚が薄い場合には処理時間を短くする。例え
ば、８０℃の場合、２〜５時間、１２０℃の場合、３０
分〜２時間の範囲が良好である。以上述べた熱処理によ
る前述の問題点の抑制効果はめっきに含まれる有機物の
形態が変わり、変質するためであると考えている。
処理が必要になって不経済となり、１２０℃を超える温
度ではめっき表面に酸化や素地金属（例えば、銅）のめ
っき中への拡散等により半田付性やボンディング性が低
下しやすくなる。また、これを防止するには処理時間を
短くすれば良いが、多量の部品を同時に熱処理すると、
温度分布や昇温速度の不均一により熱処理効果が不均一
となる恐れがある。処理時間はめっきの種類、部品の大
きさ、形状等により異なるが、発泡、デウェッティング
に対する抑制効果と半田付性の低下しない範囲で適切な
条件を選定することができ、処理温度が低く、また、め
っき厚が厚い場合には処理時間を長くし、処理温度が高
く、めっき厚が薄い場合には処理時間を短くする。例え
ば、８０℃の場合、２〜５時間、１２０℃の場合、３０
分〜２時間の範囲が良好である。以上述べた熱処理によ
る前述の問題点の抑制効果はめっきに含まれる有機物の
形態が変わり、変質するためであると考えている。
以下、本発明の電子部品の製造方法を詳細に説明する。
（実施例１）
ポリイミドフィルム上にフォトエツチング法により形成
された厚さ３５μｍの銅箔からなる配線パターンおよび
リードを持つＩＣ用フィルムキャリアの銅パターンおよ
びリード上に以下に示す■のめつき条件で平均１μｍ厚
の光沢錫めっきを施した後、温度および時間を変えて熱
処理を行い、光沢錫めっきフィルムキャリアを得た。
された厚さ３５μｍの銅箔からなる配線パターンおよび
リードを持つＩＣ用フィルムキャリアの銅パターンおよ
びリード上に以下に示す■のめつき条件で平均１μｍ厚
の光沢錫めっきを施した後、温度および時間を変えて熱
処理を行い、光沢錫めっきフィルムキャリアを得た。
■光沢錫めっきの条件
（１）浴組成
硫酸第一錫 ４０ｇ／ １硫酸
１００ｇ／ ＩＵＴＢ Ｃ３（石
原薬品製） ３０ｇ／ＩＵＴＢ Ｎ（Ｌｌ（〃
） ２０ｇ＃！ＵＴＢ 淘２（〃）１０ｇ／ｌ ホルマリン ５ｇ／２（２）浴温
１５℃（３） 陰極電流密度
２ Ａ／ｄａ″（実施例２） 実施例１と同様に得られたＩＣ用フィルムキャリアの銅
パターンおよびリード上に以下に示す■のめつき条件で
平均１μｍ厚の光沢半田めっきを施し、更に、加熱処理
を行って光沢半田めっきフィルムキャリアを得た。
１００ｇ／ ＩＵＴＢ Ｃ３（石
原薬品製） ３０ｇ／ＩＵＴＢ Ｎ（Ｌｌ（〃
） ２０ｇ＃！ＵＴＢ 淘２（〃）１０ｇ／ｌ ホルマリン ５ｇ／２（２）浴温
１５℃（３） 陰極電流密度
２ Ａ／ｄａ″（実施例２） 実施例１と同様に得られたＩＣ用フィルムキャリアの銅
パターンおよびリード上に以下に示す■のめつき条件で
平均１μｍ厚の光沢半田めっきを施し、更に、加熱処理
を行って光沢半田めっきフィルムキャリアを得た。
■光沢半田めっきの条件
（１）浴組成
ホウフッ化第−錫（４５％） ２００ｇ／ ｉ！。
ホウフッ化鉛（４５％） ４０ｇ／ １ホウフ
ツ化水素酸（４２％） ２４０ｇ／ ＩＵＴＢ
Ｎα１（石原薬品製） ２０ｇ／１ＵＴＢ Ｎａ２
（〃） ２０ｇ／ｉ！。
ツ化水素酸（４２％） ２４０ｇ／ ＩＵＴＢ
Ｎα１（石原薬品製） ２０ｇ／１ＵＴＢ Ｎａ２
（〃） ２０ｇ／ｉ！。
ホルマリン ５ｇ＃！（２）浴温
１５・ｃ（３）陰極電流密度
４ Ａ／ｄａ”以上のように得られた実施例１
および実施例２のフィルムキャリアについて、加熱リフ
ロー性および半田付性の実験を行った。加熱りフロー性
は２６０℃±５℃に保ったシリコン油浴に５秒間浸漬し
た後、付着した油を除去して外観を観察した。また、半
田付性はＭＩＬ法により２３０℃±５℃の半田浴に５秒
間浸漬した後の濡れ面積により評価した。次表はその実
験結果を示す。
１５・ｃ（３）陰極電流密度
４ Ａ／ｄａ”以上のように得られた実施例１
および実施例２のフィルムキャリアについて、加熱リフ
ロー性および半田付性の実験を行った。加熱りフロー性
は２６０℃±５℃に保ったシリコン油浴に５秒間浸漬し
た後、付着した油を除去して外観を観察した。また、半
田付性はＭＩＬ法により２３０℃±５℃の半田浴に５秒
間浸漬した後の濡れ面積により評価した。次表はその実
験結果を示す。
ｉフローノ 蕾、
○：均−性良好、ボイド微小
Δ：デウェッティング発生、ボイド中
×：デウエツティング顕著、ボイド大
生旦付性…値
○：濡れ面積９５〜１００％
Δ：〃８０〜９５％
Ｘ： ／／ ３Ｑ％未満
以上の実験結果から明らかなように、リフロー後の外観
評価および半田付性評価が共にＯとなる条件は加熱温度
が８０〜１２０″Ｃの範囲であり、８０℃の場合、２〜
５時間、１２０℃の場合、３０分〜２時間の範囲が良好
である。このように比較的低温度で熱処理を行うことに
より、半田付性やボンディング性を損なうことなく、光
沢めっきの欠点である加熱溶融時の共析有機物の熱分解
によるボイドの生成やデウェッティング不良を効果的に
抑制することができ、電子部品としての信幀性の向上や
外観不良の防止を図ることが可能となる。
評価および半田付性評価が共にＯとなる条件は加熱温度
が８０〜１２０″Ｃの範囲であり、８０℃の場合、２〜
５時間、１２０℃の場合、３０分〜２時間の範囲が良好
である。このように比較的低温度で熱処理を行うことに
より、半田付性やボンディング性を損なうことなく、光
沢めっきの欠点である加熱溶融時の共析有機物の熱分解
によるボイドの生成やデウェッティング不良を効果的に
抑制することができ、電子部品としての信幀性の向上や
外観不良の防止を図ることが可能となる。
以上説明した通り、本発明の電子部品の製造方法による
と、有機光沢剤を添加した光沢錫、もしくは光沢半田の
めっき浴を用いて金属基体上に光沢錫、もしくは光沢半
田のめっきを施し、この後、光沢錫、もしくは光沢半田
のめっきの融点未満の温度で所定時間加熱処理するよう
にしたため、耐変色性、ボンディング性および半田付性
に優れ、かつ、加熱溶融時のボイドやデウエツティング
不良の発生を防止することができる。
と、有機光沢剤を添加した光沢錫、もしくは光沢半田の
めっき浴を用いて金属基体上に光沢錫、もしくは光沢半
田のめっきを施し、この後、光沢錫、もしくは光沢半田
のめっきの融点未満の温度で所定時間加熱処理するよう
にしたため、耐変色性、ボンディング性および半田付性
に優れ、かつ、加熱溶融時のボイドやデウエツティング
不良の発生を防止することができる。
Claims (2)
- （１）有機光沢剤を添加した光沢錫浴、もしくは光沢半
田浴を用いて金属基体上に光沢錫、もしくは半田のめっ
きを施す工程と、 前記光沢錫、もしくは光沢半田のめっきが 施された前記金属基体を前記めっきの融点未満の温度で
所定の時間加熱処理する工程とを有することを特徴とす
る電子部品の製造方法。 - （２）前記加熱処理は、８０〜１２０℃の範囲の加熱温
度で処理する請求項第１項記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234370A JPH0678595B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234370A JPH0678595B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285395A true JPH0285395A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH0678595B2 JPH0678595B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16969944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63234370A Expired - Lifetime JPH0678595B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678595B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006249460A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Kobe Steel Ltd | ウイスカー発生抑制に優れたＳｎめっきまたはＳｎ合金めっき |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149899A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-07-03 | Kobe Steel Ltd | 錫めつき銅合金よりなる端子・コネクタの製造方法 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63234370A patent/JPH0678595B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149899A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-07-03 | Kobe Steel Ltd | 錫めつき銅合金よりなる端子・コネクタの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006249460A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Kobe Steel Ltd | ウイスカー発生抑制に優れたＳｎめっきまたはＳｎ合金めっき |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0678595B2 (ja) | 1994-10-05 |
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