JPH0285864A - ビスアゾ光導電性像形成材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光皿皇芽員 本発明は一般に多層型感光性像形成装置に関し、さらに
詳細には、ある種の新規なビスアゾ化合物を含有させた
光導電性装置に関する。従って、本発明の１つの実施態
様においては、ある種のビスアゾ化合物とアリールアミ
ン正孔輸送層とを含む光導電性多層型像形成材料が提供
される。本発明の１つの重要な実施態様においては、４
．４′ビス（１″−アゾ−２″−ヒドロキシ−３“−ナ
フトアニリド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン
；４．４’−ビス（１“−アゾ−２＃−ヒドロキシ−３
“−ナフト−ｐ−）リフルオロメチルアニリド）−１，
１’−ジアンスラキノニルアミンおよびその誘導体をは
じめとする種々の特定のビスアゾ化合物を含み、さらに
、電荷または正孔輸送層を含む光応答性装置が提供され
る。これらの光導電体は高感光性、約４００〜７５０ｎ
ｍ（ナノメーター）の波長に対する優れた感光度、およ
び高サイクル安定性を包含する多くの利点を有し；さら
に、極めて経済的であり、これらの装置を容易に使捨て
可能にする。従って、本発明の光応答性像形成材料は、
例えば、潜像を該材料上に形成させ、次いで現像し適当
な基体に転写する種々の電子写真および静電写真像形成
方法において有用である。さらに詳細には、約４００〜
約７５０ｎｍの感光度を有する本発明の像形成材料はそ
のような材料を電子写真像形成装置用として有用なもの
とし、また、これらの材料は光発生ダイオードプリンタ
ーおよび多機能プリンター電子写真装置にも組み込むこ
とができる。

従来技術 これまでに、種々のビスアゾ化合物を含有する複合電子
写真感光性材料が提案されている。例えば、１９８５年
４月１２日に公開されたリコーの特開昭６０−６４３５
４号には光導電性層の１つが例示されているような式の
ビスアゾ化合物を含有する複合光導電体が開示されてい
る。さらに、幾つかの米国特許においては、ビスアゾ、
トリアゾまたは関連化合物を含む多層型有機電子写真光
導電体要素が開示されている。これら特許の例には、米
国特許第４，５９６，７５４号、第４．５５５，５６７
号、第４，５５５，６６７号、第４，４４０，８４５号
、第４，４８６，５２２号、第４．４８６，８００号、
第４，２９９．８９６号、第４，５５１゜４０４号、第
４，３０９，６１１号、第４．４１８．１３３号、第４
゜２９３　、６２８号、第４．４２７，７５３号、第４
．４９５．２６４号、第４，３５９．５１３号、第３．
８９８．０８４号、第４，４００，４５５号、第４，３
９０，６０８号、第４，３２７．１６８号、第４，２９
９゜８９６号、第４，３１４．０１５号、第４，４８６
，５２２号、第４゜４８６．５１９号；およびコニシロ
クの特開昭６０１１１２４７号がある。

また、興味のあるのは米国特許第４，７１３，３０７号
であり、これは支持基体、２，７−ビス（１′アゾ−２
′−ヒドロキシ−３′−ナフトアニリド）ナフタレンお
よびその誘導体であるある種のアゾ顔料、および電荷輸
送層とを含む光導電性像形成材料を開示している。

ビスアゾ化合物を含む光導電性像形成材料は公知である
けれども、増大した赤色光または近赤外線応答性を有し
それによって光発生ダイオードによる像形成装置におい
ての使用を可能にする新規なビスアゾ光導電性装置が求
められている。さらに、ある種のビスアゾ化合物を含有
させ、受は入れ可能な高品質像の形成を可能とし、さら
に、多数回の像形成サイクルで機械環境または周囲条件
からの劣化を受けることなしに繰返し使用できる多層型
感光性像形成材料が求められている。さらにまた、層の
１つとして使用したビスアゾ化合物がそのような材料の
使用者に対して実質的に無害である改良された多層型感
光性像形成材料が求められている。さらに、低コスト、
高感度を有し、高サイクル安定性を存するビスアゾ化合
物含存多層型光導電体に対する重要な要求が存在する。

また、約６５０〜約７５０ｒｖの波長領域での感光性を
有して電子写真、特に、静電複写像形成装置；光発生ダ
イオードプリンター；および多機能プリンター電子写真
装置での使用を可能にするビスアゾ感光体が求められて
いる。

発明の内容 従って、本発明の目的はある種の新規なビスアゾ化合物
を含有する感光性像形成材料を提供することである。

さらに、本発明の別の目的においては、光発生性顔料と
して、４．４′−ビス（１’−アゾ−２＃−ヒドロキシ
−３＃−ナフトアニリド）−１，１’−ジアンスラキノ
ニルアミン；４，４’−ビス（１＃−アゾ−２＃−ヒド
ロキシ−３＃−ナフト−ｐ−トリフルオロメチルアニリ
ド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン；または４
，４′ビス（１＃−アゾ−２−ヒドロキシ−３＃−ナフ
ト−ｐ−フルオロアニリド）−１，１’−ジアンスラキ
ノニルアミンを含む光導電性像形成材料が提供される。

本発明の上記および他の目的はある種のビスアゾ化合物
を含有する多層型光導電性像形成材料を提供することに
よって達成される。さらに詳細には、本発明の多層型感
光性像形成材料は光発生源として機能し、好ましくはア
リールジアミンを含む正孔輸送層と接触した特定のビス
アゾ化合物を含んでいる。

従って、本発明の光導電性多層型像形成材料は、例えば
、支持体、電荷輸送層、および次式のビスアゾ化合物を
含む： 〔式中、Ｃｐは、 （式中、Ａｒは置換芳香族成分を包含する芳香族置換基
である） からなる群より選ばれたアゾカプラーである〕上記のシ
ス、トランス異性体はその、例えば、ｌ：１比の混合物
として通常存在する。また、芳香族置換基（Ａｒ）の例
は、例えば、フェニル、ナフチル、アンスリル等のよう
な約６〜約２４個の炭素原子を有するものである。

本発明の光導電性像形成材料において使用するビスアゾ
化合物の例を第１〜第１９図に示す。芳香族置換基は、
アルコキシ、好ましくはメトキシ、エトキシ、プロポキ
シのような１〜約１０個の炭素原子を有するもの；メチ
ル、エチル、ブチル、プロピルのような１〜約１０個の
炭素原子を有するアルキル基；ハロゲン、即ち、塩素、
臭素、フッ素、沃素；トリハロメチル；およびニトロ等
を包含する種々の基で置換され得る。

本発明の光導電性像形成材料において使用するビスアゾ
化合物の特定の例には、４，４′−ビス（１＃−アゾ−
２＃−ヒドロキシ−３“−ナフトアニリド）−１，１’
−ジアンスラキノニルアミンｉ４，４’−ビス（１“−
アゾ−２“−ヒドロキシ−３＃−ナフト−ｐ−フルオロ
アニリド）−１，１′−ジアンスラキノニルアミンｉ４
．４’−ビス（１＃−アゾ−２′−ヒドロキシ−３“ナ
フト−ｐ−）リフルオロメチルアニリド）−１゜１′−
ジアンスラキノニルアミン；４，４’−ビス（１“−ア
ゾ−２＃−ヒドロキシ−３＃−ナフト−ｐ−メトキシア
ニリド）−１，ｌ’−ジアンスラキノニルアミン、４．
４’−ビス（１“−アゾ−２＃−ヒドロキシ−３“−ナ
フト−〇−エチルアニリド）−１，１’−ジアンスラキ
ノニルアミン；４，４’−ビス（１＃−アゾ−２＃−ヒ
ドロキシ−３＃−ナフト−ｐ−クロロアニリド）■、１
′−ジアンスラキノニルアミン、４．４’−ビス（１＃
−アゾ−２“−ヒドロキシ−３＃ナフト−ｐ−ブロモア
ニリド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミンｉ４，
４’−ビス（１＃アゾ−２“−ヒドロキシ−３″−ナフ
ト−ｐ−ニトロアニリド）−１，１”−ジアンスラキノ
ニルアミン；４，４’−ビス（１＃−アゾ−２“−ヒド
ロキシ−３“−ナフト−ｐ−メチルアニリド）１．１′
−ジアンスラキノニルアミン；および４．４′−ビス（
１“−アゾ−２“−ヒドロキシ−３＃−ナフト−ｐ−ブ
ロモアニリド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン
がある。

さらに、本発明の光導電性像形成材料においては、光発
生ビスアゾ化合物は支持基体とアリールアミン正孔輸送
層との間に存在させることができ、あるいは、アリール
アミン正孔輸送層を支持基体と光発生ビスアゾ化合物を
含む層との間に存在させてもよい。

別の特定の例示的な実施態様においては、本発明の改良
された光導電性像形成材料は（１）支持基体；　（２）
正孔ブロッキング層；　（３）任意構成成分としての接
着界面層；　（４）第１図〜第１９図で示した化合物か
らなる群より選ばれたビスアゾ化合物を含む光発生層；
および（５）正孔輸送層とを含む。従って、１つの重要
な実施態様における本発明の光導電性像形成材料は伝導
性支持基体、該基体と接触した正孔ブロッキング金属酸
化物またはシロキサン層、接着層、該接着層上にオーバ
ーコーテイングした第２図〜第１９図の各式によって示
される化合物からなる群から選ばれたビスアゾ化合物を
含む光発生層、およびトップ層としての樹脂バインダー
中に分散させたある種のアリールアミンを含む正孔輸送
層とを含む。

種々の公知の方法を用いて本発明の光導電性像形成材料
を作製でき、そのプロセスパラメーターおよび各層のコ
ーティング順序は所望する材料による。例えば、１つの
方法においては、ビスアゾ光発生層を真空昇華により支
持基体上に付着させ、次いで、正孔輸送層をその上に溶
液コーティングにより付着させる。別の方法においては
、多層型光導電性装置は、任意構成成分としての接着層
中に正孔ブロッキング層を含有する伝導性基体を用意し
、この基体に、溶液コーティング法、ラミネーティング
法または他の方法によりビスアゾ光発生層および正孔輸
送層を適用することによって作製できる。

１つの特定の作製順序においては、厚さ約３ミル（７６
，２μ隅）の２０％透過性アルミニウム処理マイラー基
体を用意し、これをバードフィルムアプリケーターでも
って塩化メチレン−トリクロロエタン溶媒を含有する４
９．０００としてＥ、Ｉ。

デュポン社より入手できるもののような接着剤でコーテ
ィングし、１００℃で乾燥する。次に、この接着層に第
１図〜第１９図の各式の化合物からなる群より選ばれた
ビスアゾ光発生層を適用し、その適用もバードアプリケ
ーターで行い、１３５℃で熱処理し、続いてアミン輸送
層のコーティングを行う。このアミン輸送層は５ミル（
１２６，５μｍ）バードアプリケーターによる公知の溶
液コーティング法および１３５℃での熱処理によって適
用し、その溶液は約２０へ・約８０重量％のアミン輸送
分子および約８０〜約２０重量％のポリカーボネート物
質のような樹脂バインダー物質を含有する。

本発明の改良された光導電性像形成材料は静電複写像形
成法のような周知の方法を包含する多くの像形成方法お
よび装置中に組み込むことができる。また、本発明の像
形成材料は約６５０〜約７５０ｎｍの波長を発生させる
電子写真像形成装置において特に有用である。本発明の
像形成材料は静電複写像形成装置および光発生ダイオー
ド（ＬＥＤ）印刷装置とりわけ６６０ｎｍで機能する装
置において特に有用である。

本発明でのビスアゾ光発生化合物は多くの後述するよう
な方法によって調製し得る。さらに詳細には、例えば、
Ｃｐを含む式によって示されるビスアゾ顔料は、一般に
、４，４′−ジアミノ−１゜１′−ジアンスラキノニル
アミンを過剰量の約２〜約１０当量好ましくは２〜約６
当量の亜硝酸ナトリウムのような金属亜硝酸塩で約−１
０℃〜２５℃で塩酸のような酸水溶液中で先ずテトラゾ
化することによって調製する。テトラゾニウム塩は通常
フルオロはう酸塩またはへキサフルオロりん酸塩として
単離し、その単離は約２〜約５０当量好ましくは約１０
当量の１ｌＢＦ４またはＨＰＦ、をテトラゾニウム塩溶
液に添加することによって行う。その後、塩をジメチル
ホルムアミドまたは他の同様な溶媒中に０℃〜３０℃で
溶解し、得られた混合物を約２当量またはそれ以上の２
−ヒドロキシ−３−ナフトアニリドのようなアゾカプラ
ーと約０℃〜３０℃の温度で反応させ；その後、所望の
アゾ顔料を約２当量の酢酸ナトリウムのような塩基を溶
液中に導入して溶液から沈降させる。

続いて、アゾ顔料は濾過により単離し、繰返しの溶媒洗
浄により精製する。アゾ顔料生成物は元素分析、融点お
よびＩＲ分光分析により特性決定する。

第２図〜第１９図の各式で示される化合物においては、
使用したカプラーは、それぞれ、２−ヒドロキシ−３−
ナフトアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−０−メ
トキシアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−メ
トキシアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−０−メ
トキシアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−メ
チルアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−フル
オロアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−０−りロ
ワアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−クロロ
アニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｍ−１−リフ
ルオロメチルアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−
ｐ−）リフルオロメチルアニリド；２−ヒドロキシ−３
−ナフト−０−ニトロアニリド；２−ヒドロキシ−３−
ナフト−ｐ−ニトロアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナ
フト０−エチルアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト
−０−フルオロアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト
−ｐ−ブロモアニリド；ナフトールＡＳ−ＳＣ；ナフト
ールＡＳ−ＧＲ；および３−ヒドロキシ−１，８−ベン
ズイミダゾールであったゆ第２０図においては、支持基
体１、樹脂バインダー組成物４中に必要に応じて分散さ
せた、それぞれ、第１図〜第１９図で示された化合物、
好ましくは、４．４′−ビス（１“−アゾ−２＃−ヒド
ロキシ−３“−ナフトアニリド）−１，１’ジアンスラ
キノニルアミン；４，４’−ビス（１′アゾ−２“−ヒ
ドロキシ−３＃−ナフト−ｐ−フルオロアニリド）−１
，１’−ジアンスラキノニルアミン；４，４’−ビス（
１＃−アゾ−２＃−ヒドロキシ−３“−ナフト−ｐ−ト
リフルオロメチルアニリド）−１，１’−ジアンスラキ
ノニルアミンｉ４．４’−ビス（１“−アゾ−２１ヒド
ロキシ−３＃−ナフト−ｐ−メトキシアニリド）−１，
１’−ジアンスラキノニルアミン；４゜４′−ビス（１
＃−アゾ−２“−ヒドロキシ−３＃−ナフトー〇−エチ
ルアニリド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン：
４，４’−ビス（１＃アゾ−２″−ヒドロキシ−３９−
ナフト−ｐ−クロロアニリド）−１，１’−ジアンスラ
キノニルアミン；４，４’−ビス（１“−アゾ−２９ヒ
ドロキシ−３＃−ナフト−ｐ−ブロモアニリド）−１，
１’−ジアンスラキノニルアミン、４．４’−ビス（１
＃−アゾ−２＃−ヒドロキシ−３“ナフト−ｐ−ニトロ
アニリド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン；４
．４’−ビス（１＃アゾ−２“−ヒドロキシ−３“−ナ
フト−ｐ−メチルアニリド）−１，１’−ジアンスラキ
ノニルアミン；および４．４′−ビス（１＃−アゾ−２
“ヒドロキシ−３“−〇−メチルアニリド）−１゜１′
−ナフト−ｐ−ジアンスラキノニルアミンからなる群よ
り選ばれたビスアゾ顔料を含む光発生Ｎ３、および不活
性樹脂バインダー組成物９中に分散させた電荷キャリヤ
ー正孔輸送層５とを含む本発明の光導電性像形成材料が
例示されている。

第２１図においては、第２０図に示したのと本質的に同
じ部材を例示しているが、正孔輸送層を支持基体と光発
生層との間に存在させている。さらに詳細には、この図
面においては、支持基体２１、不活性樹脂バインダー組
成物２５中に分散させた正孔輸送化合物を含む正孔輸送
層２３、および樹脂バインダー組成物２９中に必要に応
じて分散させた第２０図の光導電性材料のビスアゾ化合
物を含む光発生層２７とを含む本発明の光導°電性像形
成材料が例示されている。

第２２図においては、支持基体３１；正孔ブロッキング
層３３；任意構成成分としての接着層３５；４，４’−
ビス（１“−アゾ−２“−ヒドロキシ−３＃−ナフトア
ニリド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン、４．
４′−ビス（１“アゾ−２１−ヒドロキシ−３“−ナフ
ト−ｐ−フルオロアニリド）−１，１”−ジアンスラキ
ノニルアミン、４．４′−ビス（１＃−アゾ−２“ヒド
ロキシ−３＃−ナフト−ｐ−＋−リフルオロメチルアニ
リド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン、４，４
′−ビス（１“−アゾ−２′ヒドロキシ−３＃−ナフト
−ｐ−メトキシアニリド）−１，１’−ジアンスラキノ
ニルアミン、４゜４′−ビス（１＃−アゾ−２“−ヒド
ロキシ−３＃−ナフト−０−エチルアニリド）−１，１
’−ジアンスラキノニルアミン、４，４′−ビス（１＃
−アゾ−２＃−ヒドロキシ−３“−ナフト−ｐクロロア
ニリド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン、４．
４′−ビス（１’−アゾ−２“ヒドロキシ−３＃−ナフ
トニｐ−）゛ロモアニリド）−１，１’−ジアンスラキ
ノニルアミン、４．４′−ビス（１＃−アゾ−２″−ヒ
ドロキシ−３″ナフト−ｐ−ニトロアニリド）−１，１
’−ジアンスラキノニルアミン、４．４’−ビス（１＃
アゾ−２“−ヒドロキシ−３“−ナフト−ｐ−メチルア
ニリド）−１，１”−ジアンスラキノニルアミン、およ
び４．４′−ビス（１′−アゾ−２″−ヒドロキシ−３
＃−ナフト−０−メチルアニリド）−１，１’−ジアン
スラキノニルアミンで示される化合物からなる群から選
ばれたビスアゾ化合物を含むビスアゾ光発生層３７；お
よび電荷または正孔輸送層３９とを含む本発明の光導電
性像形成材料が例示されている。光発生層は一般に必要
に応じて樹脂バインダー組成物中に分散させたビスアゾ
化合物を含み、同様に、アリールアミンのような電荷輸
送層は不活性樹脂バインダー中に分散されている。

さらに、第２０図〜第２２図に関連して、支持基体は市
販のポリマーであるマイラーをはじめとする有機または
無機高分子材料のような絶縁性材料の層；インジウム錫
酸化物またはアルミニウムのような半回性表面層を有す
る有機または無機材料の層；または例えば、アルミニウ
ム、クロム、ニッケル、黄銅等のような伝４性材料を含
み得る。

基体は可撓質または硬質であり得、例えば、プレート、
円筒状ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベルト等
のような多くの種々の形状を有し得る。好ましいのは、
基体はエンドレス可撓性ベルトの形状である。ある場合
には、特に、基体が有機高分子材料である場合、基体裏
面に、例えばマクロロン（Ｍａｋｒｏｌｏｎ）として商
業的に入手できるポリカーボネート材料のような抗カー
ル層をコーティングすることが望ましい。

基体層の厚さは経済性を含む多くの要因による、即ち、
この層は例えば１００ミル（２，５４ｍａ＋）以上のか
なりの厚さまたは系に悪影響を与えない限り最小の厚さ
を有し得る。１つの好ましい実施態様においては、この
層の厚さは約３ミル〜約１０ミル（約７６．２μｍ〜約
２５４μｍ）である。

正孔ブロッキング層は酸化アルミニウム、シロキサンま
たはシラン等を包含する種々の適当な公知の物質を含み
得る（米国特杵築４．４６４．４５０号を参照されたい
、その記載はすべて参考として本明細書に引用する）。

この層の主目的は正孔のブロッキングを与えること、即
ち、帯電中および帯電後の基体からの正孔注入を防止す
ることである。

典型的には、この層は５００オングストローム以下の厚
さを有する。

接着層はポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルピロリドン等を包含する高分子物質を典型的には含
む。典型的には、この層は約０．６ミクロン以下の厚さ
を有する。

光発生層の例には前述したようなビスアゾ化合物がある
。一般的には、この層は約０．０５〜約１０ミクロンま
たはそれ以上の厚さを有し、好ましくは、約０．２〜約
３ミクロンの厚さを有するが、この層の厚さは主として
約５〜１００％で変化し得る先発生体重量含有量に依存
している。また、この層は像形成または複写露光工程に
おいてこの層に向けられる照射光の約９０％以上を吸収
するのに十分な厚さで調製することが望ましい。この層
の最大限は、主として、機械的考慮、例えば、可撓性の
光導電性像形成材料が望まれるかどうか、他の層の厚さ
および使用する特定のビスアゾ化合物のような要因に依
存する。

種々の適当な電荷輸送層を本発明の光導電性像形成材料
において使用することができ、この層は約５〜約５０−
、クロンの厚さを有し好ましくは約１０〜約４０ミクロ
ンの厚さを有する。１つの好ましい実施態様においては
、この輸送層は高絶縁性の透明有機樹脂バインダー中に
分散させた次式；〔式中、Ｘはアルキルおよびアリール
、特に、（オルソ）ＣＨ３、（メタ）　ＣＨ，、（パラ
）　ＣＨ，、（オルソ）　　Ｃ１，（メタ）　Ｃβ、お
よび（パラ）ＣＩ！からなる群より選ばれる］ のアリールアミン分子を含む。高絶縁性樹脂は、少なく
とも１０−”オーム−ｃＩｌｌの抵抗性を有して不当な
暗減衰を防止するものであり、必ずしも正孔の注入を支
持し得えない材料である。しかしながら、絶縁性樹脂は
上述の式に相応する置換Ｎ。

Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラフェニル〔１，１−ビフェニ
ル］　４．　４’　−ジアミンを約１０〜７５重量％含
有するときに電気的に活性となる。

上述の式に相応する化合物には、例えば、Ｎ。

Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（アルキルフェニル
）−（１，１−ビフェニル）−４，４’ジアミンがあり
、式中、アルキルは２−メチル、３−メチル、４−メチ
ルのようなメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシ
ル等からなる群より選ばれる。ハロ置換においては、上
記アミンはＮ。

Ｎ’　−ジフェニ）Ｌｔ−Ｎ、Ｎ’−ヒス（ハロフェニ
ル）−〔ｔ、ｔ’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
であり、式中、ハロは２−クロロ、３−クロロまたは４
−クロロである。

電気的に不活性な樹脂中に分散させて正孔を輸送する層
を形成することのできる他の電気的に活性な小分子には
、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メトキシフェニル）
フェニルメタン；４’、４”ビス（ジエチルアミノ）−
２’、２’−ジメチルトリフェニルメタン；ビス−４−
（ジエチルアミノフェニル）フェニルメタン、および４
，４′ビス（ジエチルアミノ）−２，２’−ジメチルト
リフェニルメタンがある。

本発明の目的が達成される限りにおいて、他の電荷キャ
リヤー輸送分子も本発明の光導電性像形成材料において
使用できる。

輸送層用の高絶縁性で透明な樹脂材料即ち不活性バイン
ダー樹脂材料には米国特許第３，１２１．００６号に記
載されているような材料があり、該米国特許の記載はす
べて参考として本明細書に引用する。

有機脂肪材料の特定の例には、ポリカーボネート、アク
リレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマ
ー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリ
ウレタンおよびエポキシ、並びにこれらのブロック、ラ
ンダムまたは交互コポリマーがある。好ましい電気的に
不活性なバインダー材料は分子量（Ｍｗ）約２０．００
０〜約１００，０００（約５０，０００〜約１００，０
００の範囲の分子量が特に好ましい）を有するポリカー
ボネートである。−般に、樹脂バインダーは約１０〜約
７５重量％好ましくは約３５〜約５０重量％の上述の式
に相応する活性物質を含有する。

米国特許第３，１２１，００６号に記載されているもの
を包含する同様なバインダー材料をビスアゾ光発生層に
おいても使用でき、該米国特許の記載は参考としてすべ
て本明細書に引用する。ビスアゾ光発生層用の好ましい
バインダー材料はポリ　（ビニルアセクール）ポリマー
である。

また、本発明の範囲には、上述の感光性装置による像形
成方法も包含される。これらの像形成方法は、一般に、
静電潜像を像形成材料上に形成し、次いで、像をスチレ
ンメタクリレートのようなトナー樹脂粒子、カーボンブ
ラックのような顔料粒子、およびセチルピリジニウムク
ロライドのような帯電促進添加剤とを含有する組成物の
ような公知の現像剤組成物（米国特許第４，２８９，６
７２号参照、その記載はすべて参考として本明細書に引
用する）で現像し、その後、像を適当な基体に転写しそ
して像を基体に永久的に定着させることを含む。

実施例 実施例１ ４．４′−ジアミノ−１，１′−ジアンスラキノニルア
ミンのテトラゾニウム塩を、ジアミン化金物を濃塩酸中
でアゾ化することによって調製した。先ず、４．４′−
ジアミノ−１，１′−ジアンスラキノニルアミン（２，
０６ｇ、５ミリモル）を乳鉢中で１０ｎｊ！の濃塩酸中
の微粉末に粉砕した。得られたペーストを３００ｍＡ’
の三ツロフラスコに移し、９０＋ｍｊ！の濃塩酸で希釈
した。次いで、得られた混合物を温水浴中で約１時間攪
拌し、続いて、５℃以下に水浴中で冷却した。ジアミン
は過剰量の亜硝酸ナトリウム（４ｒｍβの水中１．６ｇ
のＮａＮ０ｚ）でテトラゾ化した。生成混合物を約１時
間攪拌し濾過してすべての不溶性固形物を除去した。不
溶性固形物は濃Ｈｃ１で洗浄した（２×２５１１＋ｊ？
）。−緒にした濾液に、３０Ｉ１１１の１ｌＰＦ６溶液
（アルドリッチ社より６０重量％物として入手できる）
および約２００ｍＪの水とを加えた。

約１時間攪拌後、沈澱テトラゾニウム生成物を濾過によ
り単離した。生成物を冷水、メタノールおよびエーテル
で洗浄し、真空乾燥して上記のテトラゾニウム塩生成物
を得た。ｒ　Ｒ（ＫＢｒ）　：２．２４６　ｃｍ−’　
（−Ｎ　＝　Ｎ）、１　、６８０および１．６６５　ｅ
ｌｍ−’（Ｃ＝Ｏ）、約２．１ｇ（６０％） 実施例２ 光発生性ビスアゾ顔料、４，４′−ビス（１″−アゾ−
２１−ヒドロキシ−３“−ナフトアニリド）−１，１’
−ジアンスラキノニルアミンを、実施例１の方法により
得たテトラゾニウム塩と過剰量の２−ヒドロキシ−３−
ナフトアニリドとのジメチルホルムアミド中の酢酸ナト
リウム水溶液の存在下でのカップリング反応により調製
した。

実施例１で得たテトラゾニウム塩（約２．１ｇ）を４０
１１の冷ジメチルホルムアミド中に溶解した。

その後、２−ヒドロキシ−３−ナフトアニリド（２００
ｍＩ　ＰＭＦ中１．９５ｇ）をゆっくりと上記塩溶液に
加え、水浴により５℃の温度に維持した。

次いで、酢酸ナトリウム（５５ｍｌ水中３．６６ｇ）を
約３０分間で滴下しながら加えた。得られた混合物を室
温で一夜攪拌した。濾過後、得られた粗生成物を温水（
２×２５０１ｍ７り、温ＤＭＦ　（ジメチルホルムアミ
ド、３×２５０１１１１）、アセトン（２５０ｍｌ）、
およびエーテル（２５０翔１）で洗浄して４，４′−ビ
ス（１′−アゾ−２＃ヒドロキシ−３５−ナフトアニリ
ド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン、１．５５
ｇ、５７％収率（テトラゾニウム塩基準）を得た。融点
：３００℃（ｄｅｃ、）　　；　Ｉ　Ｒ（ＫＢｒ）　：
　１．６５０および１．６８０　ｃｍ−’ Ｃ６ｚＨｔＪｆｆＯ３の計算（ＩＩＬ：　　Ｃ７３，８
８，Ｈ３，７０，Ｎ　９．７３分析値　　　　　　：　
　Ｃ７２，８０，Ｈ３，７５，Ｎ　９．００実施例３ 第１表に示す他のビスアゾ化合物を実施例１および２の
手順を繰返すことによって調製したが、アゾカプラーと
して、２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−フルオロアニ
リド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−）リフルオロ
メチルアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−Ｏ−メ
トキシアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−０−エ
チルアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−クロ
ロアニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−ブロモ
アニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−ニトロア
ニリド；２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｐ−メチルアニ
リド；および他の同様なアゾカブラを用いて、次の各ビ
スアゾ化合物を得た＝４．４′−ビス（１’−アゾ−２
′−ヒドロキシ−３′−ナフトアニリド）−１，１’　
−ジアンスラキノニルアミン；４．４’　−ビス（１′
−アゾ−２１−ヒドロキシ−３１−ナフト−ｐ−フルオ
ロアニリド）−１，１’　−ジアンスラキノニルアミン
：４．４’　−ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−
３′−ナフト−ｐ−）リフルオロメチルアニリドｌ−１
，１’　−ジアンスラキノニルアミン；４．４′−ビス
（１′−アゾ−２１−ヒドロキシ−３Ｆ−ナフト−ｐ−
メトキシアニリド）−１，１’ジアンスラキノニルアミ
ン；４，４’　−ビス（１′アゾ−２１−ヒドロキシ−
３１−ナフト−０−エチルアニリド）−１，１’−ジア
ンスラキノニルアミン；４，４’　−ビス（１′−アゾ
−２′ヒドロキシ−３１−ナフト−ｐ−クロロアニリド
）−１，１’−ジアンスフキノニルアミン；４．４’−
ビス（１′−アゾ−２１−ヒドロキシ−３′ナフト−ｐ
−ブロモアニリド）−１，１’　−ジアンスラキノニル
アミン；４．４’−ビス（１＃アゾ−２＃−ヒドロキシ
−３＃−ナフト−ｐ−ニトロアニリド）−１，１’−ジ
アンスラキノニルアミン；４，４’−ビス（１＃−アゾ
−２＃−ヒドロキシ−３１−ナフト−ｐ−メチルアニリ
ド）−１，１’−ジアンスラキノニルアミン；および４
．４′−ビス（１＃−アゾ−２５−ヒドロキシ−３“−
ナフト−ｐ−ブロモアニリド）−１，１’−ジアンスラ
キノニルアミン。

実施例４ 光発生性ビスアゾ化合物として、実施例２の方法により
調製した４、４′−ビス（１“−アゾ−２″−ヒドロキ
シ−３＃−ナフトアニリド）−１゜１′−ジアンスラキ
ノニルアミンを含有する光導電性像形成材料を作製した
。光発生性顔料分散体は先ず５２．８ミリグラムのポリ
　（ビニルホルマール）を１オンス褐色びん中で１０Ｉ
ｌ！！のテトラヒドロフランに溶解することによって調
製した。上記ビスアゾ化合物２１１．２ｇおよび〜９０
ｇのスチール球（３，２７５ｍｍ直径、＃３０２グレー
ド）を上記ポリマー溶液に加えた。次いで、褐色びんを
レッドデビルペイントコンディショナー（モデル５１０
０Ｘ）中に置き３０分間振とうさせた。

得られた分散体を７．５インチ×１０インチ（１９，０
５ｃｍＸ２５．４ｃｍ）アルミニウム基体上へ湿度調整
グローブボックス内で６インチ（１６，５Ｃ１１）幅バ
ードフィルムアプリケータ（０，５ミルウエツトギヤツ
プ）を有するガードナーメカニカルドライブフィルムア
プリケーターを用いてコーティングした。

グローブボックスの相対湿度は乾燥空気で調整し、行っ
たコーティングすべてにおいて〈２５％であった。得ら
れたキャリヤー発生層（ＣＧＬ）をさらなるコーティン
グを行うまえに〜３０分間風乾し、１００℃で〜１時間
真空乾燥させた。このＣＧＬの厚さはＴＥＭ顕微鏡写真
から計算して〜０．５μｍであった。

次に、４０重量％のＮ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４′−ジアミンと混
合した６０重量％のマクロロンポリカーボネート樹脂（
ラーベンサブリケンバイエル社より入手できる）からな
る輸送層を調製した。

４．２ｇのマクロロン、２．８ｇの上記ジアミン、およ
び３１ｍ１の塩化メチレンとを含む溶液をこはくびん中
に入れて溶解させた。電荷輸送層は上記ジアミン溶液を
上記のアゾ先発生層上へ５ミル（１２７μｍ）ウェット
ギャップバードフィルムアプリケーターを用いてコーテ
ィングすることによって得た。輸送層の厚さは〜２７μ
ｍであった。

得られた光導電性像形成材料を１時間風乾し、６時間以
上真空乾燥させた。次いで、この装置の静電複写特性を
フラットプレートスキャナー試験装置で評価した。結果
は次のとおりである：Ｖｄｄｐ（ホルト）−９４０ （暗現像電位） 暗減衰（ボルト７秒）−３０ ６００ｎｎ＋でのＥｏ、５ａａｐ　（エルグｃｒＡ）　
　　　１３．６（電位を半分に放電するエネルギー） ６５０　ｎｍでのＨｏ、５ａａｐ　（エルグｃｄ）　　
　　１０．８（電位を半分に放電するエネルギー） 実施例５ 他の光導電性像形成材料を実施例４を繰返すことによっ
て作製した。第２図〜第１９図において示すビスアゾ光
発生性顔料、即ち、光発生性化合物を各像形成材料にお
いて使用した。次に、これらの像形成部材の静電複写特
性をフラ・ノドブレニドスキャナー試験装置で評価した
。結果は第２表に示す。

第２図〜第１９図に示される各化合物の分析データ、融
点データ、ＩＲ分析および％収率を第１表に示しており
、この表において、（ｄｅｃ）は分解温度を示し、〉は
特定の温度で溶融しないことを示す。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１９図はビスアゾ光発生顔料の例を示す。 第２０図、第２１図および第２２図は本発明の感光性部
材の一部断面図を示す。 ■、２１．３１−・−支持基体、 ３．２７．３７−・−光発生層、 ５．２３．３９−・正孔輸送層、 ４．２９・−・樹脂バインダー組成物、９．２５−不活
性樹脂バインダー ３３・−・正孔ブロッキング層、 ３５−接着層。 ＦＩＧ。 ＦＩＧ。 ＦＩＧ。 ＦＩＧ。 ＦＩＧ、２０ ＦＩＧ、２１ ＦＩＧ、２２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、支持基体；式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｃ＿Ｐは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 （式中、Ａｒは芳香族置換基である） からなる群より選ばれたアゾカプラーである〕のビスア
   ゾ化合物を含む光発生層；および電荷輸送層とを含む光
   導電性像形成材料。