JPH028702A - 半絶縁体の厚さ測定装置 - Google Patents
半絶縁体の厚さ測定装置Info
- Publication number
- JPH028702A JPH028702A JP15898788A JP15898788A JPH028702A JP H028702 A JPH028702 A JP H028702A JP 15898788 A JP15898788 A JP 15898788A JP 15898788 A JP15898788 A JP 15898788A JP H028702 A JPH028702 A JP H028702A
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- JP
- Japan
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- semi
- measured
- sensors
- measuring device
- thickness measuring
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Links
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、例えばＧ ａ Ａ ｓウェハなどの半絶縁
体の厚さを非接触測定する装置に関する。
体の厚さを非接触測定する装置に関する。
従来の技術
接触式のａｉ１定機器、例えばマイクロメータは、Ｇ
ａ Ａ ｓ等のようにもろい材料の測定には不向きであ
る。そこで、非接触式の測定Ｗｉ器であるレーザ方式、
すなわちウェハ上にレーザ光を投射しその反射光像をイ
メーノセンサに結像させ三角法にて測定を行なうもの、
あるいは静電容量方式、すなわち第４図に示すように基
準床１０とセンサ１とを間隔をおいて対向させ、その空
間にウェハを挿入し、挿入ウェハの厚さの関数である空
間の誘電率変化に伴なう静電容量変化を求めるようにし
たものが用いられている。
ａ Ａ ｓ等のようにもろい材料の測定には不向きであ
る。そこで、非接触式の測定Ｗｉ器であるレーザ方式、
すなわちウェハ上にレーザ光を投射しその反射光像をイ
メーノセンサに結像させ三角法にて測定を行なうもの、
あるいは静電容量方式、すなわち第４図に示すように基
準床１０とセンサ１とを間隔をおいて対向させ、その空
間にウェハを挿入し、挿入ウェハの厚さの関数である空
間の誘電率変化に伴なう静電容量変化を求めるようにし
たものが用いられている。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記のレーザ方式は、その投射を受けた被測定
対象の物性を変化させてしまう場合があり、適用対象が
限られるという問題がある。また、全体の構成が複雑、
高価になることも避けられない、これに対し、静電容量
式は、上記の問題点は生じない、しかし、これにおいて
は被測定対象が半絶縁体の場合、被測定体が基準床１０
とセンサ１の間の空間のどの位置にあるかによってセン
サ１の出力が変化するため、その挿入位置ずれに伴なう
誤差の発生が避けられない。
対象の物性を変化させてしまう場合があり、適用対象が
限られるという問題がある。また、全体の構成が複雑、
高価になることも避けられない、これに対し、静電容量
式は、上記の問題点は生じない、しかし、これにおいて
は被測定対象が半絶縁体の場合、被測定体が基準床１０
とセンサ１の間の空間のどの位置にあるかによってセン
サ１の出力が変化するため、その挿入位置ずれに伴なう
誤差の発生が避けられない。
課題を解決するための方法
この発明は、測定厚さを被測定体象の挿入位置と無関係
としたものである。すなわちこの発明は挿入位置とセン
サ出力との関係が単調変化であって略直線と見なせるこ
とに着目してなされたものであり、間隔をおいて対向し
て配置され、交互に選択的に動作させられる二つの静電
容量センサと、その両静電センサの出力の平均値を算出
する処理部とからなる。
としたものである。すなわちこの発明は挿入位置とセン
サ出力との関係が単調変化であって略直線と見なせるこ
とに着目してなされたものであり、間隔をおいて対向し
て配置され、交互に選択的に動作させられる二つの静電
容量センサと、その両静電センサの出力の平均値を算出
する処理部とからなる。
■
以上のものにおいて、第１図に示すように第１、第２の
静電容量センサ１．２間の間隔をｄ、その間に挿入され
た厚さ ｔの被測定対象３と上記第２の静電容量センサ
２間の距離をｙとおくと、スインナ４．４を介して選択
的に取り出される第１、第２の静電容量センサ１．２の
出力Ａ、Ｂは、厚さ ｔに対応したものとなるが、それ
に加えて第２図に示すように、それぞれｙの増加に対し
て単調に増加と減少をすることになり、ｙが（ｄ−ｔ）
／２の状態、すなわち被測定対象３がセンサ１．２の中
央に位置したとき、両出力Ａ、Ｂは−致し、文叉する。
静電容量センサ１．２間の間隔をｄ、その間に挿入され
た厚さ ｔの被測定対象３と上記第２の静電容量センサ
２間の距離をｙとおくと、スインナ４．４を介して選択
的に取り出される第１、第２の静電容量センサ１．２の
出力Ａ、Ｂは、厚さ ｔに対応したものとなるが、それ
に加えて第２図に示すように、それぞれｙの増加に対し
て単調に増加と減少をすることになり、ｙが（ｄ−ｔ）
／２の状態、すなわち被測定対象３がセンサ１．２の中
央に位置したとき、両出力Ａ、Ｂは−致し、文叉する。
したがって、いま、被測定体３を両センサ１．２間に挿
入し、その状態で第１、第２のセンサ１の出力を交互に
選択的に取り出すと、その各出力は第２図において、そ
のときの挿入位置、例えばａ点における出力Ａａ、Ｂａ
となり、それが処理部に送られ、その両出力の平均値に
対応した出力が形成される。
入し、その状態で第１、第２のセンサ１の出力を交互に
選択的に取り出すと、その各出力は第２図において、そ
のときの挿入位置、例えばａ点における出力Ａａ、Ｂａ
となり、それが処理部に送られ、その両出力の平均値に
対応した出力が形成される。
しかして、この出力Ａａ、Ｂａは一方が大になれば、能
力は小になるものであり、その平均値は挿入位置ｙとは
無関係に略一定となり、結局、挿入位置ｙによらず被測
定対象の厚さ Ｅが求められる。
力は小になるものであり、その平均値は挿入位置ｙとは
無関係に略一定となり、結局、挿入位置ｙによらず被測
定対象の厚さ Ｅが求められる。
実施例
第３図において、ｉＷ′！４容量式の第１、第２のセン
サ１．２は所定の間隔を隔てて対向して配置され、その
間に被測定体３が挿入されている。１０はその第１、第
２のセンサ１．２と結線された処理部であり、各センサ
１．２は各対応する位置検出モジュール１１．１２と結
線されている。この位置検出モノニール１１．１２は、
第４図に示すように、センサに交流信号Ｃ１を与え、両
センサ１．２間の静電容量Ｃ（と基準コンデンサの容量
Ｃ５を比較してセンサ１．２間の誘電率変化に対応した
出力Ｃ６、すなわち、そこに挿入された被測定体３の厚
さに対応した出力を形成し、さらに、それを図示されて
いない電流フィルタを介してＤＣ電圧として取出す要素
であり、そのＤＣ電圧が第３図に示すように各対応する
Ａ／Ｄ変換器１３．１４を介してディジタル符号化され
た後、演算ｒ３１５に送出される。
サ１．２は所定の間隔を隔てて対向して配置され、その
間に被測定体３が挿入されている。１０はその第１、第
２のセンサ１．２と結線された処理部であり、各センサ
１．２は各対応する位置検出モジュール１１．１２と結
線されている。この位置検出モノニール１１．１２は、
第４図に示すように、センサに交流信号Ｃ１を与え、両
センサ１．２間の静電容量Ｃ（と基準コンデンサの容量
Ｃ５を比較してセンサ１．２間の誘電率変化に対応した
出力Ｃ６、すなわち、そこに挿入された被測定体３の厚
さに対応した出力を形成し、さらに、それを図示されて
いない電流フィルタを介してＤＣ電圧として取出す要素
であり、そのＤＣ電圧が第３図に示すように各対応する
Ａ／Ｄ変換器１３．１４を介してディジタル符号化され
た後、演算ｒ３１５に送出される。
演算器１５は、前記位置検出モジュール１１．１２に対
し、選択的に動作、非動作の指令を送出すると共に動作
時の位置検出モノニール１１または１２からＡ／Ｄ変換
器１３または１４を介して導入出力される出力を順次交
互に読込み、その平均値を算出する。そして最終的には
予め被測定本と同一材質の基準体によって校正された平
均値と厚さの関係に基づいて、その平均値をリニアライ
ズし、外部に出力し、表示、記録などを行なわせる。
し、選択的に動作、非動作の指令を送出すると共に動作
時の位置検出モノニール１１または１２からＡ／Ｄ変換
器１３または１４を介して導入出力される出力を順次交
互に読込み、その平均値を算出する。そして最終的には
予め被測定本と同一材質の基準体によって校正された平
均値と厚さの関係に基づいて、その平均値をリニアライ
ズし、外部に出力し、表示、記録などを行なわせる。
以上のものにおいて、被測定体３を第１、第２のセンサ
１．２により形成される空間に挿入すると、位置検出モ
ノニール１１．１２は交互に動作状態となり、それぞれ
の動作状態において、前記第２図に示すように被測定本
３の厚さに関係し、かつ挿入位置にも関係した出力Ａ、
Ｂに対応した量が検出され、演算部１５に読込まれる。
１．２により形成される空間に挿入すると、位置検出モ
ノニール１１．１２は交互に動作状態となり、それぞれ
の動作状態において、前記第２図に示すように被測定本
３の厚さに関係し、かつ挿入位置にも関係した出力Ａ、
Ｂに対応した量が検出され、演算部１５に読込まれる。
そして、演痒部１５、においで、両読込値の平均値が演
算され、次いでその平均値は所定のリニアライＸ処理さ
れて出力される。
算され、次いでその平均値は所定のリニアライＸ処理さ
れて出力される。
尚、上記実施例は位置検出モジュールを選択的に動作さ
せた場合を例示したが、第１図に示すように第１、第２
のセンサ１．２、すなわち電極部分を交互に選択的に切
換え、共通の位置検出モジュールを用いるようにしても
よい。
せた場合を例示したが、第１図に示すように第１、第２
のセンサ１．２、すなわち電極部分を交互に選択的に切
換え、共通の位置検出モジュールを用いるようにしても
よい。
発明の効果
以上のとおりであり、本発明は対向して配置した二つの
静電容量式センサを交互に選択的に動作させてその両出
力の平均値を求めているので、その空間に配置される半
絶縁体の挿入位置変化に伴なう出力の変化分の相殺が行
なわれ、挿入位置と無関係の厚さに対応した測定値を得
ることができる。
静電容量式センサを交互に選択的に動作させてその両出
力の平均値を求めているので、その空間に配置される半
絶縁体の挿入位置変化に伴なう出力の変化分の相殺が行
なわれ、挿入位置と無関係の厚さに対応した測定値を得
ることができる。
２ ：
静電容量センサ
： スインナ
Claims (1)
- １、間隔をおいて対向して配置され、交互に選択的に動
作させられる二つの静電容量センサと、その両静電セン
サの出力の平均値を算出する処理部とからなるところの
半絶縁体の厚さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15898788A JPH028702A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半絶縁体の厚さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15898788A JPH028702A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半絶縁体の厚さ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028702A true JPH028702A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15683742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15898788A Pending JPH028702A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半絶縁体の厚さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH028702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009013787A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Fujitsu Limited | 紙葉厚み検出装置 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP15898788A patent/JPH028702A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009013787A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Fujitsu Limited | 紙葉厚み検出装置 |
| JP4755283B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2011-08-24 | 富士通株式会社 | 紙葉厚み検出装置 |
| US8028990B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-10-04 | Fujitsu Limited | Paper thickness detecting apparatus with applying electrodes |
| US20110309572A1 (en) * | 2007-07-26 | 2011-12-22 | Fujitsu Limited | Paper thickness detecting apparatus |
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