JPH028732A - 周期的信号記録方法および装置 - Google Patents
周期的信号記録方法および装置Info
- Publication number
- JPH028732A JPH028732A JP1016085A JP1608589A JPH028732A JP H028732 A JPH028732 A JP H028732A JP 1016085 A JP1016085 A JP 1016085A JP 1608589 A JP1608589 A JP 1608589A JP H028732 A JPH028732 A JP H028732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- laser
- sonde
- sample
- clk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 title 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 8
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001550 time effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F10/00—Apparatus for measuring unknown time intervals by electric means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザーゾンデによる周期的信号の記録方
法およびこの方法を実施するための装置に関するもので
ある。
法およびこの方法を実施するための装置に関するもので
ある。
レーザーゾンデがパルス化されて試料の第１の信号を導
く少なくとも１つの点に向けられ、またレーザーゾンデ
により試料の中または上で解放された二次信号が記録さ
れ測定信号に変換されるような方１ムはたとえばＥマイ
クロエレクトロニック拳エンジニアリングＣＭｉｃｒｏ
ａｌｅｃｔｒｏｎｉｃ １４ｎｇｉｎｅｏｒｉｎｇ）Ｊ
、第５７８（１９８６年）、第５４７〜５５３貝および
ヨーロッパ特許出願公開第０１８００７８０Ａ１号明細
書から公知である。
く少なくとも１つの点に向けられ、またレーザーゾンデ
により試料の中または上で解放された二次信号が記録さ
れ測定信号に変換されるような方１ムはたとえばＥマイ
クロエレクトロニック拳エンジニアリングＣＭｉｃｒｏ
ａｌｅｃｔｒｏｎｉｃ １４ｎｇｉｎｅｏｒｉｎｇ）Ｊ
、第５７８（１９８６年）、第５４７〜５５３貝および
ヨーロッパ特許出願公開第０１８００７８０Ａ１号明細
書から公知である。
電子ビーム測定技術では、マイクロエレクトロニクスの
構成要素内の高速の周期的過程の記録および（または）
写像のためにストロボスコープ法が用いられる（たとえ
ば「マイクロエレクトロニック・エンジニアリング（Ｍ
Ｌｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｈｎｇｉｎｅａｒｉｎ
ｇ） Ｊ 、第４巻、第２号、第７７〜１０６頁参照）
、ストロボスコープ効果を利用するすべての方法がそう
であるように、この場合にも、変更された走査電子顕＠
鏡および多くのエレクトロニクスから成る測定装置を、
検査すべき構成要素内で励起される過程と同期させなけ
ればならない。
構成要素内の高速の周期的過程の記録および（または）
写像のためにストロボスコープ法が用いられる（たとえ
ば「マイクロエレクトロニック・エンジニアリング（Ｍ
Ｌｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｈｎｇｉｎｅａｒｉｎ
ｇ） Ｊ 、第４巻、第２号、第７７〜１０６頁参照）
、ストロボスコープ効果を利用するすべての方法がそう
であるように、この場合にも、変更された走査電子顕＠
鏡および多くのエレクトロニクスから成る測定装置を、
検査すべき構成要素内で励起される過程と同期させなけ
ればならない。
従って、回路またはその駆動部から、電子線のスイッチ
オン時点を制ｊ■するため記録すべき過程と同期したト
リガ信号が導き出される。電子線測定技術から公知の方
法を、より高い時間的分解能を可能にするレーザー測定
技術（たとえば［アイ、イー、イー、イー、ジャーナル
、オブ、クアンクム、エレクトロニクス（ＩＥＩｉｌ！
Ｊｏｕｒｎ、 ｏｆ Ｌｌｕａｎｔｕｍｌ！１ｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ）」、第２２巻、第１号、第６９〜７Ｂ頁
参照）に移転するためには、それぞれ利用される交番作
用および効果（光電子の発生、電気光学的結晶内の偏向
面の回転など）に無関係に著しい困難に逢着する。なぜ
ならば、短いレーザーを１つのトリガ信号に基づいて発
生させることは非常に難しいからである。従って、モジ
ュールクロックをたとえばレーザーのパルス反復周波数
から導き出すことによって、構成要素を測定装置と同期
させることに努められる。この形式の同期化は、クロッ
ク周波数がレーザーのパルス反復周波数よりも高いとき
、特に高い装置費用を必要とする。
オン時点を制ｊ■するため記録すべき過程と同期したト
リガ信号が導き出される。電子線測定技術から公知の方
法を、より高い時間的分解能を可能にするレーザー測定
技術（たとえば［アイ、イー、イー、イー、ジャーナル
、オブ、クアンクム、エレクトロニクス（ＩＥＩｉｌ！
Ｊｏｕｒｎ、 ｏｆ Ｌｌｕａｎｔｕｍｌ！１ｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ）」、第２２巻、第１号、第６９〜７Ｂ頁
参照）に移転するためには、それぞれ利用される交番作
用および効果（光電子の発生、電気光学的結晶内の偏向
面の回転など）に無関係に著しい困難に逢着する。なぜ
ならば、短いレーザーを１つのトリガ信号に基づいて発
生させることは非常に難しいからである。従って、モジ
ュールクロックをたとえばレーザーのパルス反復周波数
から導き出すことによって、構成要素を測定装置と同期
させることに努められる。この形式の同期化は、クロッ
ク周波数がレーザーのパルス反復周波数よりも高いとき
、特に高い装置費用を必要とする。
本発明の課題は、Ｗ頭に記載した４！１頚の方法であっ
て、測定装置および検査すべき試料の同期化を必要とし
ない方法を提供することである。さらに、本発明の課題
は、本方法を実施するための装置？２′を提供すること
である。
て、測定装置および検査すべき試料の同期化を必要とし
ない方法を提供することである。さらに、本発明の課題
は、本方法を実施するための装置？２′を提供すること
である。
この課題は、本発明によれば、レーザーゾンデがパルス
化されて試料の第１の信号を導く少なくとも１つの点に
向けられ、またレーザーゾンデにより試料の中または上
で解放された二次信号が記録され測定信号に変換される
方法において、レーザーゾンデが非同期でスイッチオン
され、第１の信号と同期した第２の信号に対するレーザ
−ゾンデのパルスの時間的間隔が決定され、またレーザ
ーゾンデのそのつどのパルスに対応付けられているｆｌ
ｌｌ定信号の値と第２の信号に対するパルスの測定され
た時間的間隔とが記録される方法およびパルス化された
レーザーゾンデを発生するための装置と、試料上にレー
ザーゾンデの焦点を合わせるためのレンズ系と、試料の
第１の信号を導く少なくとも１つの点にレーザーゾンデ
を位置決めするだめの装置と、レーザーゾンデにより試
料の中または上で発生された二次信号を検知するための
検知装置と、検知装置に対応付けられており１ｌｌｌ＋
定信号を発生するための評価装置と、記録ユニットとを
含んでいる装置において、出力側で記録ユニットと接続
されており時間差を測定するための装置を含んでおり、
その第１の入力端が第１の信号と同期した第２の信号を
与えられており、また放射検出器を含んでおり、その出
力信号が時間差を測定するための装置の第２の入力端に
与えられている装置により解決される。
化されて試料の第１の信号を導く少なくとも１つの点に
向けられ、またレーザーゾンデにより試料の中または上
で解放された二次信号が記録され測定信号に変換される
方法において、レーザーゾンデが非同期でスイッチオン
され、第１の信号と同期した第２の信号に対するレーザ
−ゾンデのパルスの時間的間隔が決定され、またレーザ
ーゾンデのそのつどのパルスに対応付けられているｆｌ
ｌｌ定信号の値と第２の信号に対するパルスの測定され
た時間的間隔とが記録される方法およびパルス化された
レーザーゾンデを発生するための装置と、試料上にレー
ザーゾンデの焦点を合わせるためのレンズ系と、試料の
第１の信号を導く少なくとも１つの点にレーザーゾンデ
を位置決めするだめの装置と、レーザーゾンデにより試
料の中または上で発生された二次信号を検知するための
検知装置と、検知装置に対応付けられており１ｌｌｌ＋
定信号を発生するための評価装置と、記録ユニットとを
含んでいる装置において、出力側で記録ユニットと接続
されており時間差を測定するための装置を含んでおり、
その第１の入力端が第１の信号と同期した第２の信号を
与えられており、また放射検出器を含んでおり、その出
力信号が時間差を測定するための装置の第２の入力端に
与えられている装置により解決される。
（発明の効果）
本発明により得られる利点は特に、非同期で動作する回
路部分を有する構成要素内の信号も記録され得ることに
ある。
路部分を有する構成要素内の信号も記録され得ることに
ある。
（実施例）
以下、図面により本発明を一層詳細に説明する。
試料ＩＣのなかの周期的信号を記録するだめの第１図に
＋Ｕ要を示されている装置は１つの走査型レーザー顕微
鏡と、試料ＩＣ上で解放された光電子ＰＥを検知するだ
めの検出２３ Ｄ Ｔと、後に接続されているメモリユ
ニットＭＥＭを有する測定エレクトロニクスとを含んで
いる。放射源Ｑとしては特にヨーロッパ特許出願公開節
０１８０７８０号明細占から公知のレーザーシステムが
使用され、そのパルス化されたビームＬＡ（パルス反復
周波数５ないし１０ＭＨｚ、パルス幅１ないし２ｐｓ、
光子エネルギー≧５ｅＶ）が１つの半透過性のｉＨ８で
偏向され、また光学系りにより試料ＩＣの上に焦点を結
ばれる。試料表面の１つの任意の点の上にレーザービー
ムＬＡを位置決めするため、たとえば直交軸の回りを回
転可能な２つのガルバノメータ鏡から成る偏向ユニット
ＲＥが設けられており、この偏向ユニットは第１図には
示されていないディジタル走査発生器により有利に駆動
される。試料ＩＣの斜め上に配置されており、定量的電
位測定のために１つのスペクトロメータ、好ましくは１
つの逆電界スペクトロメータを前に接続されていてよい
検出器ＤＴは主として、１つの吸引電極と、１つのシン
チレータと、１つの先導波路と、シンチレータ内で発生
された放射強度を電気的信号に変換する１つの光電子増
倍管ＰＭとから成っている。この信号は１つの晶感度の
前置増幅器ＰＡのなかで増幅され、また１つのゲート回
路ＳＨ，特に１つのサンプル・アンド・ホールド回路の
入力端に供給され、その出力端はメモリユニットＭＵＭ
のデータ入力端１と接続されている。
＋Ｕ要を示されている装置は１つの走査型レーザー顕微
鏡と、試料ＩＣ上で解放された光電子ＰＥを検知するだ
めの検出２３ Ｄ Ｔと、後に接続されているメモリユ
ニットＭＥＭを有する測定エレクトロニクスとを含んで
いる。放射源Ｑとしては特にヨーロッパ特許出願公開節
０１８０７８０号明細占から公知のレーザーシステムが
使用され、そのパルス化されたビームＬＡ（パルス反復
周波数５ないし１０ＭＨｚ、パルス幅１ないし２ｐｓ、
光子エネルギー≧５ｅＶ）が１つの半透過性のｉＨ８で
偏向され、また光学系りにより試料ＩＣの上に焦点を結
ばれる。試料表面の１つの任意の点の上にレーザービー
ムＬＡを位置決めするため、たとえば直交軸の回りを回
転可能な２つのガルバノメータ鏡から成る偏向ユニット
ＲＥが設けられており、この偏向ユニットは第１図には
示されていないディジタル走査発生器により有利に駆動
される。試料ＩＣの斜め上に配置されており、定量的電
位測定のために１つのスペクトロメータ、好ましくは１
つの逆電界スペクトロメータを前に接続されていてよい
検出器ＤＴは主として、１つの吸引電極と、１つのシン
チレータと、１つの先導波路と、シンチレータ内で発生
された放射強度を電気的信号に変換する１つの光電子増
倍管ＰＭとから成っている。この信号は１つの晶感度の
前置増幅器ＰＡのなかで増幅され、また１つのゲート回
路ＳＨ，特に１つのサンプル・アンド・ホールド回路の
入力端に供給され、その出力端はメモリユニットＭＵＭ
のデータ入力端１と接続されている。
試料ＩＣは特に１つの集積されたディジタル回路であり
、そのなかに検査プログラムがビットパターンの形態で
駆動部ＣＯＮを介して供給される。
、そのなかに検査プログラムがビットパターンの形態で
駆動部ＣＯＮを介して供給される。
回路構造に相応して検査サイクルの間に、そのつどの作
動状態を明らかにする特徴的な信号が節点および導体路
に生じ、そのレーザービームＬＡとの時間的関係が回路
ＩＣ上で解放された光電子ＰＥの検知により決定され、
またシミュレーション計算から得られた信号と比較され
得る。電子線測定技術と相似して、この際に、検出器Ｄ
Ｔのなかで記録された光電子流と測定点の電位との関係
が、信号の振幅をレーザーパルスにより定められた時点
で走査するために利用される。測定装置と試料ＩＣとが
同間化されていない（レーザーのパルス反復周波数が回
路クロックの周波数と等しくなく、または該１４波数の
分数およまたは倍数と等しくない）ので、相続くレーザ
ーパルスは信号を周期中の種々の位相点において走査す
る。また信号の走査と同期してそれぞれ光電子流の付属
の値がゲート回路ＳＨにより走査される。ゲート回路Ｓ
Ｒの出力信号ｇ （ｔ）に信号の同期中の正しい時点を
対応付けるため、出力信号ｇ （Ｌ）のそのつどの値に
対応付けられているレーザーパルスと当該の測定点に存
在する信号と同期したトリガ信号ＣＬＫとの時間的間隔
Δｔが決定される。この際にトリガ信号ＣＬＫとしては
特に、駆動部ＣＯＨの出力端Ｃから取り出されて計時装
置ＺＭ（テクトロニックスＤＣ５０５Ａ汎用カウンタ／
タイマー）のストップ人力８ＩａＥに供給される回路ク
ロックが用いられる。この際に、試料ＩＣを走査するレ
ーザーパルスの生起は半透過性の鏡Ｈ３のすぐ後に配置
されている放射検出器ＳＤ、たとえばホトダイオードに
より検出され、そのパルス状の出力信号ＳＤＡは、場合
によっては検出器ＤＴへの光電子ＰＥの伝播時間だけ遅
らされて、計時装置ＺＭのスタート入力端へに、また同
時にゲート回路ＳＨの制御入力端に与えられる。伝播時
間作用の補償のために必要な遅延時間は第１図および第
４図中に参照符号ＬＧを付されている。
動状態を明らかにする特徴的な信号が節点および導体路
に生じ、そのレーザービームＬＡとの時間的関係が回路
ＩＣ上で解放された光電子ＰＥの検知により決定され、
またシミュレーション計算から得られた信号と比較され
得る。電子線測定技術と相似して、この際に、検出器Ｄ
Ｔのなかで記録された光電子流と測定点の電位との関係
が、信号の振幅をレーザーパルスにより定められた時点
で走査するために利用される。測定装置と試料ＩＣとが
同間化されていない（レーザーのパルス反復周波数が回
路クロックの周波数と等しくなく、または該１４波数の
分数およまたは倍数と等しくない）ので、相続くレーザ
ーパルスは信号を周期中の種々の位相点において走査す
る。また信号の走査と同期してそれぞれ光電子流の付属
の値がゲート回路ＳＨにより走査される。ゲート回路Ｓ
Ｒの出力信号ｇ （ｔ）に信号の同期中の正しい時点を
対応付けるため、出力信号ｇ （Ｌ）のそのつどの値に
対応付けられているレーザーパルスと当該の測定点に存
在する信号と同期したトリガ信号ＣＬＫとの時間的間隔
Δｔが決定される。この際にトリガ信号ＣＬＫとしては
特に、駆動部ＣＯＨの出力端Ｃから取り出されて計時装
置ＺＭ（テクトロニックスＤＣ５０５Ａ汎用カウンタ／
タイマー）のストップ人力８ＩａＥに供給される回路ク
ロックが用いられる。この際に、試料ＩＣを走査するレ
ーザーパルスの生起は半透過性の鏡Ｈ３のすぐ後に配置
されている放射検出器ＳＤ、たとえばホトダイオードに
より検出され、そのパルス状の出力信号ＳＤＡは、場合
によっては検出器ＤＴへの光電子ＰＥの伝播時間だけ遅
らされて、計時装置ＺＭのスタート入力端へに、また同
時にゲート回路ＳＨの制御入力端に与えられる。伝播時
間作用の補償のために必要な遅延時間は第１図および第
４図中に参照符号ＬＧを付されている。
ストップ信号のレリーズの後に、測定された時間差Δｔ
に相応する計時装ＷＺＭの出力信号がデータ入力端２を
介して、データ入力端ｌに存在する信号値ｇ （Ｌ）と
同時にメモリユニットＭＥＭのなかに読込まれる。そこ
に格納されている値対（ｇ（ｔ）、Δｔ）は次いで測定
の終了の後に測定された値Δｔにより時間的順序で配列
され、また１つの記録ユニット、たとえばモニタに表示
される。信号対雑音比の改善のために測定値ｇ （ｔ）
は予め場合によっては平均化され得る。
に相応する計時装ＷＺＭの出力信号がデータ入力端２を
介して、データ入力端ｌに存在する信号値ｇ （Ｌ）と
同時にメモリユニットＭＥＭのなかに読込まれる。そこ
に格納されている値対（ｇ（ｔ）、Δｔ）は次いで測定
の終了の後に測定された値Δｔにより時間的順序で配列
され、また１つの記録ユニット、たとえばモニタに表示
される。信号対雑音比の改善のために測定値ｇ （ｔ）
は予め場合によっては平均化され得る。
これまで、モジュールクロックＣＬＫの周波数はレーザ
ーのパルス反復周波数よりも大きいことが仮定された（
第２図参照）、そうでない場合には、すなわちレーザー
のパルス反復周波数がモジュールクロックＣＬＫの周波
数よりも大きい場合（第３図および第５図参照）には、
計時装″１１ＺＭの入力端ＡおよびＥが交１０されなけ
ればならない（入力端ＡにＣＬＫ、入力端Ｅに５ＤＡ）
。しかしながら、その場合、信号ＳＤＡによるゲート回
路ＳＨの駆動およびレーザーＬＡの高いパルス反復周Ｏ
ＪＬ数に基づいて非常に多くの測定値ｇ （Ｌ）が、計
時装置ＺＭの１つの相応の出力信号がデータ入力端２に
与えられることなしに、メモリユニットＭＥＭのなかに
読込まれる。測定値ｇ （ｔ）の時間的順序での配列は
時間測定値Δｔによってのみ可能であるので、形式（ｇ
（ｔ）、 −）の値対は評価の際に考慮され得ない、
その結果、メモリユニットＭＥＭのなかに格納されてい
るデータの１つの小さい部分のみが利用可能である。従
って、測定信号ｇ （ｔ）の値を、１つのトリガ信号Ｃ
ＬＫも存在するときにのみ格納することは有利である。
ーのパルス反復周波数よりも大きいことが仮定された（
第２図参照）、そうでない場合には、すなわちレーザー
のパルス反復周波数がモジュールクロックＣＬＫの周波
数よりも大きい場合（第３図および第５図参照）には、
計時装″１１ＺＭの入力端ＡおよびＥが交１０されなけ
ればならない（入力端ＡにＣＬＫ、入力端Ｅに５ＤＡ）
。しかしながら、その場合、信号ＳＤＡによるゲート回
路ＳＨの駆動およびレーザーＬＡの高いパルス反復周Ｏ
ＪＬ数に基づいて非常に多くの測定値ｇ （Ｌ）が、計
時装置ＺＭの１つの相応の出力信号がデータ入力端２に
与えられることなしに、メモリユニットＭＥＭのなかに
読込まれる。測定値ｇ （ｔ）の時間的順序での配列は
時間測定値Δｔによってのみ可能であるので、形式（ｇ
（ｔ）、 −）の値対は評価の際に考慮され得ない、
その結果、メモリユニットＭＥＭのなかに格納されてい
るデータの１つの小さい部分のみが利用可能である。従
って、測定信号ｇ （ｔ）の値を、１つのトリガ信号Ｃ
ＬＫも存在するときにのみ格納することは有利である。
このことは、本発明によれば、第１図による装置に、出
力側でゲート回路ＳＲの制御入力端と接続されているア
ンドゲートＡＮＤと、入力端にトリガ信号ＣＬＫを与え
られる単安定マルチバイブレータＭＦＩとから成る回路
部分を追加することにより達成される。（第４図参照）
、この際に単安定マルチバイブレータＭＦＩの時定数は
、相続くレーザーパルスの時間的間隔よりも小さく選定
される。この時定数の選定により、時間的にトリガ信号
ＣＬＫのすぐ後に続く（ゲー１−ＡＮＤの入力端に時間
的に同時に生ずる信号ＳＤＡにより表される）レーザー
パルスのみがゲート回路ＳＨを能動化することが保証さ
れている。
力側でゲート回路ＳＲの制御入力端と接続されているア
ンドゲートＡＮＤと、入力端にトリガ信号ＣＬＫを与え
られる単安定マルチバイブレータＭＦＩとから成る回路
部分を追加することにより達成される。（第４図参照）
、この際に単安定マルチバイブレータＭＦＩの時定数は
、相続くレーザーパルスの時間的間隔よりも小さく選定
される。この時定数の選定により、時間的にトリガ信号
ＣＬＫのすぐ後に続く（ゲー１−ＡＮＤの入力端に時間
的に同時に生ずる信号ＳＤＡにより表される）レーザー
パルスのみがゲート回路ＳＨを能動化することが保証さ
れている。
レーザービームＬＡによる試料の負荷を減少するため、
測定はトリガ信号ＣＬＫの生起時に開始する特に設定可
能な時間窓に制限され得る。従って、駆動部ＣＯＮの出
力端Ｃから取り出し可能なトリガ信号ＣＬＫは設定可能
な単安定マルチバイブレータＭＦ２の入力端にも供給さ
れ、その出力信号が走査型レーザー顕微鏡のビーム経路
のなかに配置されている切換要素ＰＺ、たとえばポッケ
ルスセルを駆動する。レーザーＱが自ら切換えられ得る
ならば（Ｑスイッチング）、切換要素ＰＺは必要でない
。この場合には、単安定マルチバイブレータＭＦ２の出
力端は直接にレーザーＱの相応の制御入力端と接続され
ている。
測定はトリガ信号ＣＬＫの生起時に開始する特に設定可
能な時間窓に制限され得る。従って、駆動部ＣＯＮの出
力端Ｃから取り出し可能なトリガ信号ＣＬＫは設定可能
な単安定マルチバイブレータＭＦ２の入力端にも供給さ
れ、その出力信号が走査型レーザー顕微鏡のビーム経路
のなかに配置されている切換要素ＰＺ、たとえばポッケ
ルスセルを駆動する。レーザーＱが自ら切換えられ得る
ならば（Ｑスイッチング）、切換要素ＰＺは必要でない
。この場合には、単安定マルチバイブレータＭＦ２の出
力端は直接にレーザーＱの相応の制御入力端と接続され
ている。
本発明はもちろん前記の実施例に限定されない。
すなわち、モジュールクロックの代わりに、記録すべき
経過と同期した各信号、たとえば集積回路ｔＣの他の内
部信号もトリガ信号ＣＬＫとして使用され得る。それ成
木発明による方法は、トリガ信号ＣＬＫが駆動部ＣＯＮ
から取り出すことのできない非同ルＩ弐に動作する回路
部分を有する集積モジュールの検査に特に適している。
経過と同期した各信号、たとえば集積回路ｔＣの他の内
部信号もトリガ信号ＣＬＫとして使用され得る。それ成
木発明による方法は、トリガ信号ＣＬＫが駆動部ＣＯＮ
から取り出すことのできない非同ルＩ弐に動作する回路
部分を有する集積モジュールの検査に特に適している。
光電子ＰＥの代りに、誘起した試料電流（光ビーム誘起
電流）を測定し記録することももちろん可能である。こ
の際にレーザービームＬＡは集積回路ＩＣのなかに、ｐ
ｎ接合の付近で隔てられ、またそれにより回路の外部端
子において検知可能な１つの電流を生しさせる電子−正
孔対を発生する。
電流）を測定し記録することももちろん可能である。こ
の際にレーザービームＬＡは集積回路ＩＣのなかに、ｐ
ｎ接合の付近で隔てられ、またそれにより回路の外部端
子において検知可能な１つの電流を生しさせる電子−正
孔対を発生する。
電気光学的効果が高周波の信号の記録のために利用され
るべきであれば、第１図および第２図により説明された
測定エレクトロニクスの構成は不変にとどまる。しかし
ながら、その場合、光電子の代りに１つの電気光学的媒
体のなかでレーザービームの偏向面の回転が検出されな
ければならない。この場合、走査型レーザー顕微鏡はた
とえば、回路上に配置されている電気光学的結晶の下側
で反射されたレーザービームをビーム経路からそらして
１つの偏光子−検出ユニットに供給する第２の半透過性
の鏡を設けられている。この測定に通した装置の原理的
構成は当業者にたとえば［アイ、イー、イー、イー、ジ
ャーナル、オブ、クワンタム、エレクトロニクス（ＩＥ
Ｅ［！Ｊｏｕｒｎ、 ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ） Ｊ 、第２２巻、第１号、第６９〜７
８頁（特に第２図参照）から知られている。
るべきであれば、第１図および第２図により説明された
測定エレクトロニクスの構成は不変にとどまる。しかし
ながら、その場合、光電子の代りに１つの電気光学的媒
体のなかでレーザービームの偏向面の回転が検出されな
ければならない。この場合、走査型レーザー顕微鏡はた
とえば、回路上に配置されている電気光学的結晶の下側
で反射されたレーザービームをビーム経路からそらして
１つの偏光子−検出ユニットに供給する第２の半透過性
の鏡を設けられている。この測定に通した装置の原理的
構成は当業者にたとえば［アイ、イー、イー、イー、ジ
ャーナル、オブ、クワンタム、エレクトロニクス（ＩＥ
Ｅ［！Ｊｏｕｒｎ、 ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ） Ｊ 、第２２巻、第１号、第６９〜７
８頁（特に第２図参照）から知られている。
測定１ｇ（ｔ）およびΔｔは、レーザービームＬＡを行
状に試料ＩＣ上を偏向させ、さらに値対（ｇＤＬΔｔ）
のほかに、偏向ユニットＲＥを駆動するラスクー発生器
の出力信号により定められるレーザービームＬＡの試料
表面上の位置をも格納することによって、位置に関係し
ても記録され得る。
状に試料ＩＣ上を偏向させ、さらに値対（ｇＤＬΔｔ）
のほかに、偏向ユニットＲＥを駆動するラスクー発生器
の出力信号により定められるレーザービームＬＡの試料
表面上の位置をも格納することによって、位置に関係し
ても記録され得る。
メモリユニットＭＥＭとしては特に計算機または高速大
容量メモリが使用され得る。
容量メモリが使用され得る。
第１図および第４図は本発明による装置の実施例のブロ
ック図、第２図、第３図および第５図は時間測定のため
に重要な信号を示す図である。 ＡＮＤ・・・アンドゲート ＣＬＫ・・・トリガ信号 ＣＯＮ・・・駆動部 ＤＴ・・・検出器 Ｈ３・・・半透過性鏡 Ｉｃ・・・試料 Ｌ・・・光学系 ＬＡ・・・レーザービーム ＬＧ・・・遅延要素 ＭＥＭ・・・メモリユニット ＭＦＩ、ＭＦ２・・・単安定マルチパイブレＰＡ・・・
前置増幅器 ＰＥ・・・光電子 ＰＭ・・・光電子増倍管 ＰＺ・・・切換要素 Ｑ・・・放射み、レーザー ＲＥ・・・偏向ユニット ＳＤ・・・放射検出器 ＳＨ・・・げ−七回路 ＳＰ・・・スペクトロメータ ＺＭ・・・計時装置 り ′“゛ゝ４ゞ１１！ｌ！ＡＷモア竺・７・へＦＩＧ ２ ＦＩＧ３ ＦＩＧ４ ＦＩＧ ５
ック図、第２図、第３図および第５図は時間測定のため
に重要な信号を示す図である。 ＡＮＤ・・・アンドゲート ＣＬＫ・・・トリガ信号 ＣＯＮ・・・駆動部 ＤＴ・・・検出器 Ｈ３・・・半透過性鏡 Ｉｃ・・・試料 Ｌ・・・光学系 ＬＡ・・・レーザービーム ＬＧ・・・遅延要素 ＭＥＭ・・・メモリユニット ＭＦＩ、ＭＦ２・・・単安定マルチパイブレＰＡ・・・
前置増幅器 ＰＥ・・・光電子 ＰＭ・・・光電子増倍管 ＰＺ・・・切換要素 Ｑ・・・放射み、レーザー ＲＥ・・・偏向ユニット ＳＤ・・・放射検出器 ＳＨ・・・げ−七回路 ＳＰ・・・スペクトロメータ ＺＭ・・・計時装置 り ′“゛ゝ４ゞ１１！ｌ！ＡＷモア竺・７・へＦＩＧ ２ ＦＩＧ３ ＦＩＧ４ ＦＩＧ ５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）レーザーゾンデ（ＬＡ）により周期的信号を記録す
るための方法であって、レーザーゾンデ（ＬＡ）がパル
ス化されて試料（ＩＣ）の第１の信号を導く少なくとも
１つの点に向けられ、またレーザーゾンデ（ＬＡ）によ
り試料（ＩＣ）の中または上で解放された二次信号（Ｐ
Ｅ）が記録され測定信号（ｇ（ｔ））に変換される方法
において、レーザーゾンデ（ＬＡ）が非同期でスイッチ
オンされ、第１の信号と同期した第２の信号（ＣＬＫ）
に対するレーザーゾンデ（ＬＡ）のパルスの時間的間隔
（Δｔ）が決定され、またレーザーゾンデ（ＬＡ）のそ
のつどのパルスに対応付けられている測定信号（ｇ（ｔ
））の値と第２の信号（ＣＬＫ）に対するパルスの測定
された時間的間隔（Δｔ）とが記録されることを特徴と
する周期的信号の記録方法。 ２）測定信号（ｇ（ｔ））が検出器（ＤＴ）のなかで測
定された二次粒子信号から導き出されることを特徴とす
る請求項１記載の方法。 ３）測定信号（ｇ（ｔ））が誘導された試料電流から導
き出されることを特徴とする請求項１記載の方法。 ４）電気光学的媒体のなかで発生されたレーザーゾンデ
（ＬＡ）の偏向面の回転が測定され、またこれから測定
信号（ｇ（ｔ））が導き出されることを特徴とする請求
項１記載の方法。 ５）レーザーゾンデ（ＬＡ）が試料表面上を偏向され、
また測定された時間差（Δｔ）および測定信号（ｇ（ｔ
））の付属の値から成る値対が試料（ＩＣ）上のレーザ
ーゾンデ（ＬＡ）の位置に関係して記録されることを特
徴とする請求項１ないし３の１つに記載の方法。 ６）レーザーゾンデにより周期的信号を記録するための
装置であって、パルス化されたレーザーゾンデ（ＬＡ）
を発生するための装置（Ｑ）と、試料（ＩＣ）上にレー
ザーゾンデ（ＬＡ）の焦点を合わせるためのレンズ系（
Ｌ）と、試料（ＩＣ）の第１の信号を導く少なくとも１
つの点にレーザーゾンデ（ＬＡ）を位置決めするための
装置（ＲＥ）と、レーザーゾンデ（ＬＡ）により試料（
ＩＣ）の中または上で発生された二次信号（ＰＥ）を検
知するための検知装置（ＤＴ）と、検知装置（ＤＴ）に
対応付けられており測定信号（ｇ（ｔ））を発生するた
めの評価装置と、記録ユニット（ＭＥＭ）とを含んでい
る装置において、出力側で記録ユニット（ＭＥＭ）と接
続されており時間差（Δｔ）を測定するための装置（Ｚ
Ｍ）を含んでおり、その第１の入力端（Ａ）が第１の信
号と同期した第２の信号（ＣＬＫ）を与えられており、
また放射検出器（ＳＤ）を含んでおり、その出力信号（
ＳＤＡ）が時間差（Δｔ）を測定するための装置（ＺＭ
）の第２の入力端（Ｅ）に与えられていることを特徴と
する周期的信号記録装置。 ７）評価電子回路がゲート回路（ＳＨ）を有することを
特徴とする請求項６記載の装置。８）ゲート回路として
サンプル・アンド・ホールド回路（ＳＨ）を有すること
を特徴とする請求項７記載の装置。 ９）ゲート回路（ＳＨ）の制御入力端が放射検出器（Ｓ
Ｄ）の出力信号（ＳＤＡ）を与えられていることを特徴
とする請求項７または８記載の装置。 １０）出力側でゲート回路（ＳＨ）の制御入力端と接続
されているアンドゲート（ＡＮＤ）と、入力側に第２の
信号（ＣＬＫ）を与えられる単安定マルチバイブレータ
（ＭＦ１）とを含んでおり、アンドゲート（ＡＮＤ）の
第１の入力端が放射検出器（ＳＤ）の出力信号（ＳＤＡ
）を、また第２の入力端が単安定マルチバイブレータ（
ＭＦ１）の出力信号を与えられていることを特徴とする
請求項６ないし８の１つに記載の装置。 １１）出力側でレーザーゾンデ（ＬＡ）の強度を変調す
るための装置（ＰＺ）と接続されている第２の単安定マ
ルチバイブレータ（ＭＦ２）を含んでおり、その入力端
に第２の信号（ＣＬＫ）が与えられていることを特徴と
する請求項６ないし１０の１つに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3802566.3 | 1988-01-28 | ||
| DE3802566 | 1988-01-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028732A true JPH028732A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=6346193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016085A Pending JPH028732A (ja) | 1988-01-28 | 1989-01-25 | 周期的信号記録方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4902963A (ja) |
| EP (1) | EP0326858B1 (ja) |
| JP (1) | JPH028732A (ja) |
| DE (1) | DE58902394D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3738453A1 (de) * | 1987-11-12 | 1989-08-03 | Brust Hans Detlef | Verfahren und anordnung zur messung des signalverlaufs an einem messpunkt einer probe |
| US4972258A (en) * | 1989-07-31 | 1990-11-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Scanning laser microscope system and methods of use |
| US5034903A (en) * | 1989-01-30 | 1991-07-23 | Alfano Robert R | Apparatus and method for measuring the time evolution of carriers propogating within submicron and micron electronic devices |
| EP0429739B1 (en) * | 1989-11-28 | 1993-10-27 | International Business Machines Corporation | Method for photoemission inspection of via studs in integrated circuit packages |
| WO2014022681A1 (en) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Gentex Corporation | Assembly with laser induced channel edge and method thereof |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3110138A1 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur darstellung logischer zustandsaenderungen mehrerer benachbarter schaltungsknoten in integrierten schaltungen in einem logikbild mittels einer gepulsten elektronensonde |
| DE3235700A1 (de) * | 1982-09-27 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur aufzeichnung von signalverlaeufen an einer zyklisch betriebenen probe in abhaengigkeit von einem sporadisch auftretenen ereignis |
| US4706018A (en) * | 1984-11-01 | 1987-11-10 | International Business Machines Corporation | Noncontact dynamic tester for integrated circuits |
| WO1987007028A2 (en) * | 1986-05-16 | 1987-11-19 | Bell Communications Research, Inc. | High speed laser probe |
| FR2777407B1 (fr) * | 1998-04-10 | 2000-06-30 | Wavecom Sa | Signal de radiotelephonie cellulaire a canal supplementaire affecte au sens descendant, procede, systeme, mobile et station de base correspondant |
-
1989
- 1989-01-11 US US07/295,500 patent/US4902963A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-18 DE DE8989100812T patent/DE58902394D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-18 EP EP89100812A patent/EP0326858B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-25 JP JP1016085A patent/JPH028732A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0326858A1 (de) | 1989-08-09 |
| US4902963A (en) | 1990-02-20 |
| EP0326858B1 (de) | 1992-10-07 |
| DE58902394D1 (de) | 1992-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0660912B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| JPH0447269B2 (ja) | ||
| JPS63308572A (ja) | 電圧検出装置 | |
| JP4644342B2 (ja) | 集積回路デバイスの波形による精査のための二パルス利用型光干渉計 | |
| JPS6150033A (ja) | タイム・ドメイン・リフレクトメ−タ | |
| EP0041858B1 (en) | Method and apparatus for deep level transient spectroscopy scanning | |
| Shinagawa et al. | A laser-diode-based picosecond electrooptic prober for high-speed LSIs | |
| JPH028732A (ja) | 周期的信号記録方法および装置 | |
| JPH02262038A (ja) | 光波形測定装置 | |
| US7679358B2 (en) | System and method for voltage noise and jitter measurement using time-resolved emission | |
| CA1232975A (en) | Noncontact full-line dynamic ac tester for integrated circuits | |
| US5847570A (en) | Low jitter trigger circuit for electro-optic probing apparatus | |
| US5030829A (en) | Method and apparatus for investigating latch-up propagation in complementary-metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuits | |
| JPH0512657B2 (ja) | ||
| EP0806678A2 (en) | Laser voltage probe methods and apparatus | |
| JPH04500270A (ja) | 信号の経過を非同期的に測定する方法及び装置 | |
| US6486952B2 (en) | Semiconductor test apparatus | |
| US5281909A (en) | Process and system for measuring the course of a signal at a point of measurement on a sample | |
| US6075234A (en) | Non-contact method and apparatus to obtain a timing signal from internal integrated circuit nodes | |
| JP2941328B2 (ja) | 荷電ビーム装置 | |
| Baur et al. | High voltage resolution with a laser diode based electro-optic measurement system | |
| JP3039822B2 (ja) | 信号波形検出装置 | |
| RU2066870C1 (ru) | Бесконтактное электрооптическое измерительное устройство для сверхбыстродействующих тестеров ис | |
| JPH0886816A (ja) | 電圧測定装置 | |
| JPH0540133A (ja) | 信号波形測定装置 |