JPH0287525A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0287525A JPH0287525A JP63239204A JP23920488A JPH0287525A JP H0287525 A JPH0287525 A JP H0287525A JP 63239204 A JP63239204 A JP 63239204A JP 23920488 A JP23920488 A JP 23920488A JP H0287525 A JPH0287525 A JP H0287525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor device
- internal circuit
- corrosion
- layout
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層配線構造を有する半導体装置に関し、特に
ポンディングパッドと内部回路を接続するレイアウト方
法に関する。
ポンディングパッドと内部回路を接続するレイアウト方
法に関する。
従来の多層配線構造を有する半導体装置のポンディング
パッド構造は、第２図の様になっていた。
パッド構造は、第２図の様になっていた。
すなわち第二Ａβ配線４で形成されたボンディングパッ
ド及び引き出し電極部から、第−Ａρ配線３を用いて内
部回路（第２図ではポリシリコン配線２）へ接続される
レイアウトとなっている。
ド及び引き出し電極部から、第−Ａρ配線３を用いて内
部回路（第２図ではポリシリコン配線２）へ接続される
レイアウトとなっている。
上述した従来のレイアウトでは、ポンディングパッドと
内部回路の接続は直列系となっている。
内部回路の接続は直列系となっている。
最近のパッケージ薄化、大型化、チップの大型化に伴う
耐湿性の劣化により、ポンディングパッド近傍のＡβ配
線腐蝕が問題となっている。この点に関し、従来のレイ
アウトでは、直列系の接続となっている為、上述の問題
が生じた。特にポリイミド等の有機膜を層間膜に用いた
場合、膜の吸湿特性のために、この問題はより顕著にな
り、特に上層Ａｆｆｌ配線（図２では、第二Ａβ配線）
の腐蝕が進行しやすい。
耐湿性の劣化により、ポンディングパッド近傍のＡβ配
線腐蝕が問題となっている。この点に関し、従来のレイ
アウトでは、直列系の接続となっている為、上述の問題
が生じた。特にポリイミド等の有機膜を層間膜に用いた
場合、膜の吸湿特性のために、この問題はより顕著にな
り、特に上層Ａｆｆｌ配線（図２では、第二Ａβ配線）
の腐蝕が進行しやすい。
本発明のレイアウトでは、少なくとも２層以上の配線層
でポンディングパッドと内部回路を接続する並列冗長系
となっている。
でポンディングパッドと内部回路を接続する並列冗長系
となっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。
ここではポリイミドを層間膜としたＡ４２２層配線構造
の半導体装置に本発明を適用した例としである。内部回
路としてポリシコン２を想定しており、第１Ａβ配線３
と第２Ａｎ配線４が並列系で接続されている。そのため
、第２Ａｕ配線が腐蝕等により断線しても、内部回路へ
の接続は第１Ａ４配線によって維持される。第１図の平
面図を第３図に示す。
の半導体装置に本発明を適用した例としである。内部回
路としてポリシコン２を想定しており、第１Ａβ配線３
と第２Ａｎ配線４が並列系で接続されている。そのため
、第２Ａｕ配線が腐蝕等により断線しても、内部回路へ
の接続は第１Ａ４配線によって維持される。第１図の平
面図を第３図に示す。
第４図は、本発明の他の実施例の平面図である。
内部回路として想定されたポリシコン２に対し、２つの
経路で接続された並列系である事は、第１の実施例と同
等であるが、レイアウト上、平面的に異なる領域を第１
．’１７配線３．第２ＡＡ配線４が占めている。これは
レイアウト上の種々の制限（トンネル構造等）を避ける
ために有効である。
経路で接続された並列系である事は、第１の実施例と同
等であるが、レイアウト上、平面的に異なる領域を第１
．’１７配線３．第２ＡＡ配線４が占めている。これは
レイアウト上の種々の制限（トンネル構造等）を避ける
ために有効である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ポンディングパッドか
らの内部素子への接続を２つ以上の配線層を用いて行う
事により、並列冗長系を構成する。
らの内部素子への接続を２つ以上の配線層を用いて行う
事により、並列冗長系を構成する。
その結果、どちらか一方の配線がＡρ配線腐蝕等により
断線しても、電気的接続が保たれ、信頼度の向上が計れ
る。
断線しても、電気的接続が保たれ、信頼度の向上が計れ
る。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図、第２図は、従
来レイアウトの縦断面図、第３図は、第り図の平面図、
第４図は、第２の実施例の平面図である。 代理人 弁理士 内 原 晋 万２図 第４回 乙グ ｆ・・・ へ゛、ノン１−シＢジオ、゛ソイミド：ＬＴ
：ｌｊ／を間万灸Ａでリイミド ボリンリコ〉 第−ＡＬＩｒＬ東（ タテニＡＬＩ、 屑藺刹謄を朋（ＢＦδｑつ 西美とイとＪｌが１ シソ］ンノｔ３旧（。 勇１−Δ乙−ボゾシソコシコンタクト ３Ｆ５−Ａ乙−ガニΔ乙コングクト １５−Ａ乙−１５二Ａｔ刀グクＦ（へ°、７１−苦（か
少］入−シへ゛−シｇレホ゛ハミＦユに１ｊノシ八へ斤
え１丁こ°ノイミＹ゛オごソシソｊン 万一ΔＬ配悴 ３テニＡＬａ巴矛稟 層間Ｍ！、＊Ａｆ（ＢＰ、５’？ ） 砺試ヒイ乙月歩（ シソボン＆うｌ
来レイアウトの縦断面図、第３図は、第り図の平面図、
第４図は、第２の実施例の平面図である。 代理人 弁理士 内 原 晋 万２図 第４回 乙グ ｆ・・・ へ゛、ノン１−シＢジオ、゛ソイミド：ＬＴ
：ｌｊ／を間万灸Ａでリイミド ボリンリコ〉 第−ＡＬＩｒＬ東（ タテニＡＬＩ、 屑藺刹謄を朋（ＢＦδｑつ 西美とイとＪｌが１ シソ］ンノｔ３旧（。 勇１−Δ乙−ボゾシソコシコンタクト ３Ｆ５−Ａ乙−ガニΔ乙コングクト １５−Ａ乙−１５二Ａｔ刀グクＦ（へ°、７１−苦（か
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え１丁こ°ノイミＹ゛オごソシソｊン 万一ΔＬ配悴 ３テニＡＬａ巴矛稟 層間Ｍ！、＊Ａｆ（ＢＰ、５’？ ） 砺試ヒイ乙月歩（ シソボン＆うｌ
Claims (1)
- 多層配線構造を有する半導体装置に於いて、ボンディン
グパッドから、内部素子への引き出し部分が少くとも２
層以上の配線層で構成される事を特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239204A JPH0287525A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239204A JPH0287525A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287525A true JPH0287525A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17041283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63239204A Pending JPH0287525A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353842U (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-24 | ||
| JPH0420231U (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-20 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63239204A patent/JPH0287525A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353842U (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-24 | ||
| JPH0420231U (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-20 |
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