JPH0420231U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0420231U JPH0420231U JP1990062517U JP6251790U JPH0420231U JP H0420231 U JPH0420231 U JP H0420231U JP 1990062517 U JP1990062517 U JP 1990062517U JP 6251790 U JP6251790 U JP 6251790U JP H0420231 U JPH0420231 U JP H0420231U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor substrate
- aluminum film
- film formed
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例を示す半導体集積
回路はボンテイングパツド部の断面図、第２図は
この考案の他の実施例を示す半導体集積回路装置
のボンデイングパツド部の平面図、第３図は従来
のボンテイングパツド部の平面図、第４図は従来
の半導体集積回路装置のボンテイングパツド部の
断面図、第５図は第４図の半導体集積回路装置の
問題点を示すボンテイングパツト部の断面図であ
る。 １……半導体基板、２……熱酸化膜、３……ボ
ンテイングパツド下層部、４……絶縁膜、５……
ボンテイングパツド上層部、６……表面保護膜、
７……アルミ引き出し膜、８……金ボール。なお
、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
回路はボンテイングパツド部の断面図、第２図は
この考案の他の実施例を示す半導体集積回路装置
のボンデイングパツド部の平面図、第３図は従来
のボンテイングパツド部の平面図、第４図は従来
の半導体集積回路装置のボンテイングパツド部の
断面図、第５図は第４図の半導体集積回路装置の
問題点を示すボンテイングパツト部の断面図であ
る。 １……半導体基板、２……熱酸化膜、３……ボ
ンテイングパツド下層部、４……絶縁膜、５……
ボンテイングパツド上層部、６……表面保護膜、
７……アルミ引き出し膜、８……金ボール。なお
、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
Claims (1)
- 半導体基板と、この半導体基板上に形成された
酸化膜または絶縁膜上に形成された第１層目のア
ルミ膜と、さらにこの上に形成され第２層目のア
ルミ膜により構成される外部電極を備え、上記半
導体基板上に形成された能動域との接続を上記第
１層目のアルミ膜を上記電極よりの引き出し線と
したことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990062517U JPH0420231U (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990062517U JPH0420231U (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0420231U true JPH0420231U (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=31591740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990062517U Pending JPH0420231U (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0420231U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245655A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH0287525A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP1990062517U patent/JPH0420231U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245655A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH0287525A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Nec Corp | 半導体装置 |