JPH0287614A - パターン位置精度診断方法および装置 - Google Patents
パターン位置精度診断方法および装置Info
- Publication number
- JPH0287614A JPH0287614A JP63240498A JP24049888A JPH0287614A JP H0287614 A JPH0287614 A JP H0287614A JP 63240498 A JP63240498 A JP 63240498A JP 24049888 A JP24049888 A JP 24049888A JP H0287614 A JPH0287614 A JP H0287614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- drawn
- positional
- developer
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は導電体基板上に形成されたレジスト膜上に描画
されるパターンの位置精度を診断するバタTン位置精度
診断方法および装置に関する。
されるパターンの位置精度を診断するバタTン位置精度
診断方法および装置に関する。
(従来の技術)
従来、導電体基板上に形成されたレジスト膜上に描画さ
れるパターンの位置精度を診断する方法としては、パタ
ーン位置精度マークを、主パターン領域外のレジスト膜
上に形成し、顕微鏡等を用いてそのズレ量を判断する方
法(特開昭61−11461号公報参照)が知られてい
る。
れるパターンの位置精度を診断する方法としては、パタ
ーン位置精度マークを、主パターン領域外のレジスト膜
上に形成し、顕微鏡等を用いてそのズレ量を判断する方
法(特開昭61−11461号公報参照)が知られてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
このような従来の方法においては、パターンの位置精度
はパターンが形成された後すなわち、描画され、現像さ
れた後でないと判断できないばかりでなく、人間が顕微
鏡を用いて位置精度マークをfl#J定することが必要
であり、不良品の早期発見ができないという問題があっ
た。
はパターンが形成された後すなわち、描画され、現像さ
れた後でないと判断できないばかりでなく、人間が顕微
鏡を用いて位置精度マークをfl#J定することが必要
であり、不良品の早期発見ができないという問題があっ
た。
本発明は上記問題点を考慮してなされたものであって、
描画されたパターンの良否を早期に診断することのでき
るパターン位置精度診断方法および装置を提供すること
を目的とする。
描画されたパターンの良否を早期に診断することのでき
るパターン位置精度診断方法および装置を提供すること
を目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、導電体基板上に積層されたレジスト膜上に形
成されるパターンの位置精度を診断するパターン位置精
度診断方法において、パターンをレジスト膜上に描画す
る前に、パターンが描画される領域以外の領域のレジス
ト膜上に第1の位置精度モニタパターンを描画する工程
と、パターンがレジスト膜上に描画された後、パターン
に位置ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパターン
と重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパターンを
描画する工程と、第1および第2の位置精度モニタパタ
ーンが描画された導電体基板を現像液に浸漬する工程と
、電極を現像液に浸漬し、この電極と導電体基板との間
に流れる電流に基づいてパターンの位置ズレ量を決定す
る工程とを備えていることを特徴とする。
成されるパターンの位置精度を診断するパターン位置精
度診断方法において、パターンをレジスト膜上に描画す
る前に、パターンが描画される領域以外の領域のレジス
ト膜上に第1の位置精度モニタパターンを描画する工程
と、パターンがレジスト膜上に描画された後、パターン
に位置ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパターン
と重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパターンを
描画する工程と、第1および第2の位置精度モニタパタ
ーンが描画された導電体基板を現像液に浸漬する工程と
、電極を現像液に浸漬し、この電極と導電体基板との間
に流れる電流に基づいてパターンの位置ズレ量を決定す
る工程とを備えていることを特徴とする。
本発明は、導電体基板上に形成されたレジスト膜上に描
画されるパターンの位置精度を診断するパターン位置精
度診断装置において、パターンをレジスト膜上に描画す
る前に、パターンが描画される領域以外の領域のレジス
ト膜上に第1の位置精度モニタパターンを描画する手段
と、パターンがレジスト膜上に描画された後、パターン
に位置ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパターン
と重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパターンを
描画する手段と、第1および第2の位置精度モニタパタ
ーンが描画された導電体基板を現像液に浸漬するととも
に、電極を現像液に浸漬し、この電極と導電体基板との
間に流れる電流に基づいてパターンの位置ズレ量を決定
する手段とを備えていることを特徴とする。
画されるパターンの位置精度を診断するパターン位置精
度診断装置において、パターンをレジスト膜上に描画す
る前に、パターンが描画される領域以外の領域のレジス
ト膜上に第1の位置精度モニタパターンを描画する手段
と、パターンがレジスト膜上に描画された後、パターン
に位置ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパターン
と重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパターンを
描画する手段と、第1および第2の位置精度モニタパタ
ーンが描画された導電体基板を現像液に浸漬するととも
に、電極を現像液に浸漬し、この電極と導電体基板との
間に流れる電流に基づいてパターンの位置ズレ量を決定
する手段とを備えていることを特徴とする。
(作 用)
このように構成された本発明によるパターン位置精度診
断方法によれば、パターンが描画される前に、このパタ
ーンが描画される領域以外の領域のレジスト膜上に第1
の位置精度モニタパターンが描画される。また、上記パ
ターンが描画された後、このパターンに位置ズレが有る
場合に第1の位置精度モニタパターンと重なる部分が生
じる第2の位置精度モニタパターンが描画される。そし
て、第1および第2の位置精度モニタパターンが描画さ
れた導電体基板が現像液に浸漬され、この導電体基板と
現像液中に浸漬された電極との間に流れる電流に基づい
て上記パターンの位置ズレ量が決定される。これにより
描画されたパターンの現像処理前にパターンの良否を診
断することができる。
断方法によれば、パターンが描画される前に、このパタ
ーンが描画される領域以外の領域のレジスト膜上に第1
の位置精度モニタパターンが描画される。また、上記パ
ターンが描画された後、このパターンに位置ズレが有る
場合に第1の位置精度モニタパターンと重なる部分が生
じる第2の位置精度モニタパターンが描画される。そし
て、第1および第2の位置精度モニタパターンが描画さ
れた導電体基板が現像液に浸漬され、この導電体基板と
現像液中に浸漬された電極との間に流れる電流に基づい
て上記パターンの位置ズレ量が決定される。これにより
描画されたパターンの現像処理前にパターンの良否を診
断することができる。
また、上述のようにして構成された本発明によるパター
ン位置精度診断装置によれば、第1および第2の位置精
度モニタパターンが描画された導電体基板を現像液に浸
漬し、この導電体基板と現保液に浸漬される電極との間
に流れる電流に基づいてパターン位置ズレ量が決定され
る。これにより描画されたパターンの現像処理前にバタ
ー二ノの良否を診断することができる。
ン位置精度診断装置によれば、第1および第2の位置精
度モニタパターンが描画された導電体基板を現像液に浸
漬し、この導電体基板と現保液に浸漬される電極との間
に流れる電流に基づいてパターン位置ズレ量が決定され
る。これにより描画されたパターンの現像処理前にバタ
ー二ノの良否を診断することができる。
(実施例)
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
本発明によるパターン位置精度診断方法の実施例の工程
を第1図のフローチャートに示す。この実施例のパター
ン位置精度診断方法は、まずステップF1において導電
体基板上にレジストを塗布し、レジスト膜を形成する。
を第1図のフローチャートに示す。この実施例のパター
ン位置精度診断方法は、まずステップF1において導電
体基板上にレジストを塗布し、レジスト膜を形成する。
次にステップF2において所定のパターン(以下、メイ
ンパターンという)2がレジスト膜が形成された導電体
基板1上に描画される前に、このメインパターン2が描
画される領域以外の領域に、例えば第2図(b)に示す
第1の位置精度モニタパターン3Aを描画する(第2図
(a)参照)。
ンパターンという)2がレジスト膜が形成された導電体
基板1上に描画される前に、このメインパターン2が描
画される領域以外の領域に、例えば第2図(b)に示す
第1の位置精度モニタパターン3Aを描画する(第2図
(a)参照)。
なお、第2図(b)に示す第1の位置精度モニタパター
ン3Aは、縦方向(X方向)に長く、横方向(X方向)
に2μmのピッチで配置されたパターン(斜線部)から
なっており、X方向のズレ量を見出すために使用される
。
ン3Aは、縦方向(X方向)に長く、横方向(X方向)
に2μmのピッチで配置されたパターン(斜線部)から
なっており、X方向のズレ量を見出すために使用される
。
ステップF3において、メインパターン2を描画し、こ
の後ステップF4において、例えば第1の位置精度モニ
タパターン3Aと同形状の第2の位置精度モニタパター
ン3B(第2図(C)参照)を、第1の位置精度モニタ
パターン3Aが描画された位置から2μmだけX方向に
ずれた位置に描画する。この時、メインパターンにX方
向の位置ズレが生じていなければ第1の位置精度モニタ
パターン3Aと第2の位置精度モニタパターン3Bとは
重ならないが、メインパターンにX方向の位置ズレが有
る場合は、この位置ズレ量だけ第1の位置精度モニタパ
ターン3Aと第2の位置精度モニタパターン3Bとは重
なることになる。そしてこの重なり部分の露光量は他の
部分のそれに比べて高くなっている。
の後ステップF4において、例えば第1の位置精度モニ
タパターン3Aと同形状の第2の位置精度モニタパター
ン3B(第2図(C)参照)を、第1の位置精度モニタ
パターン3Aが描画された位置から2μmだけX方向に
ずれた位置に描画する。この時、メインパターンにX方
向の位置ズレが生じていなければ第1の位置精度モニタ
パターン3Aと第2の位置精度モニタパターン3Bとは
重ならないが、メインパターンにX方向の位置ズレが有
る場合は、この位置ズレ量だけ第1の位置精度モニタパ
ターン3Aと第2の位置精度モニタパターン3Bとは重
なることになる。そしてこの重なり部分の露光量は他の
部分のそれに比べて高くなっている。
次にステップF5において、第1および第2の位置精度
モニタパターン3A、3Bが描画された部分のみを、第
3図に示すようにレジストを選択的に除去する現像液7
中に浸漬する。そしてステップF6において現像液7中
で安定な、例えば白金(Pt)または銀塩化銀(AgA
gC1)等からなる電極8を現像液7に浸漬するととも
に、この電極8と導電体基板1との間に流れる電流を増
幅器9(第3図参照)を介して検出し、この電流検出値
に基づいて例えば第3図に示す判定回路10によってメ
インパターンの位置ズレ量を判定する。
モニタパターン3A、3Bが描画された部分のみを、第
3図に示すようにレジストを選択的に除去する現像液7
中に浸漬する。そしてステップF6において現像液7中
で安定な、例えば白金(Pt)または銀塩化銀(AgA
gC1)等からなる電極8を現像液7に浸漬するととも
に、この電極8と導電体基板1との間に流れる電流を増
幅器9(第3図参照)を介して検出し、この電流検出値
に基づいて例えば第3図に示す判定回路10によってメ
インパターンの位置ズレ量を判定する。
次にこの位置ズレ量の判定方法を説明する。導電体基板
1と電極8との間に流れる電流の変化の様子を第4図に
示す。グラフA(実線)は第1および第2の位置精度モ
ニタパターンが重ならない場合、すなわちメインパター
ン2に位置ズレが生じていない場合の電流の変化を示し
、グラフB(破線)は、第1および第2の位置精度モニ
タパターンが0.5μm重なった場合、すなわちメイン
パターン2に0. 5μmの位置ズレが生じた場合の電
流の変化を示す。メインパターンに位置ズレが生じてい
る場合の、電流が立上がるまでの時間tBlと、位置ズ
レが生じていない場合の電流が立上がるまでの時間tA
lは、tBlくtAlの関係にある。これは位置ズレが
生じていれば第1および第2の位置精度モニタパターン
3A、3Bに重なり部分が生じ、この重なり部分の露光
量が他の部分の露光量に比べて高いためである。
1と電極8との間に流れる電流の変化の様子を第4図に
示す。グラフA(実線)は第1および第2の位置精度モ
ニタパターンが重ならない場合、すなわちメインパター
ン2に位置ズレが生じていない場合の電流の変化を示し
、グラフB(破線)は、第1および第2の位置精度モニ
タパターンが0.5μm重なった場合、すなわちメイン
パターン2に0. 5μmの位置ズレが生じた場合の電
流の変化を示す。メインパターンに位置ズレが生じてい
る場合の、電流が立上がるまでの時間tBlと、位置ズ
レが生じていない場合の電流が立上がるまでの時間tA
lは、tBlくtAlの関係にある。これは位置ズレが
生じていれば第1および第2の位置精度モニタパターン
3A、3Bに重なり部分が生じ、この重なり部分の露光
量が他の部分の露光量に比べて高いためである。
また、電流の立上がり時からピークに達するまでの、位
置ズレが生じた場合の時間tB2と、位置ズレが生じて
いない場合の時間tA2との関係はt^2くtBlとな
る。そしてこれらの時間の比、すなわち a”= tBl/lAt’ β−tB2/lA2は、
現像液7の温度、描画時の露光量等が同一であれば、位
置ズレ量によって変化する。したがって、電流が立上が
るまでの時間tAt”Bl又は電流の立上がり時からピ
ークまでの時間tA2” B2を測定することによって
位置ズレ量がわかることになる。
置ズレが生じた場合の時間tB2と、位置ズレが生じて
いない場合の時間tA2との関係はt^2くtBlとな
る。そしてこれらの時間の比、すなわち a”= tBl/lAt’ β−tB2/lA2は、
現像液7の温度、描画時の露光量等が同一であれば、位
置ズレ量によって変化する。したがって、電流が立上が
るまでの時間tAt”Bl又は電流の立上がり時からピ
ークまでの時間tA2” B2を測定することによって
位置ズレ量がわかることになる。
なお本実施例ではX方向の位置ズレについて説明したが
、第1および第2の位置精度モニタバタ−ン3A、3B
を90度回転させて、位置ズレが生じた場合に第1およ
び第2の位置精度モニタパターンが重なるように描画す
ればX方向と同様にしてy方向の位置ズレ量を決定でき
る。
、第1および第2の位置精度モニタバタ−ン3A、3B
を90度回転させて、位置ズレが生じた場合に第1およ
び第2の位置精度モニタパターンが重なるように描画す
ればX方向と同様にしてy方向の位置ズレ量を決定でき
る。
以上により本実施例によれば、メインパターン2が形成
(現像完了)される前にパターンの良否を診断でき、こ
れによりスルーコストの低減を計ることができる。
(現像完了)される前にパターンの良否を診断でき、こ
れによりスルーコストの低減を計ることができる。
なお、第1および第2の位置精度モニタパターンは、製
品毎に定めている位置ズレ誤差以上のズレが生じた場合
に重なり部分が生じるようなものであっても上記実施例
と同様の効果を得ることができるし、第1の位置精度モ
ニタパターンと第2の位置精度モニタパターンは互いに
逆の関係にあるパターンであっても上記実施例と同様の
効果を得ることができる。
品毎に定めている位置ズレ誤差以上のズレが生じた場合
に重なり部分が生じるようなものであっても上記実施例
と同様の効果を得ることができるし、第1の位置精度モ
ニタパターンと第2の位置精度モニタパターンは互いに
逆の関係にあるパターンであっても上記実施例と同様の
効果を得ることができる。
また、上記実施例では第1および第2の位置精度モニタ
パターンが描画された部分だけを現像液に浸漬したが、
第1および第2の位置精度モニタパターンの描画の露光
量をメインパターン2の描画の露光量よりも高く (例
えば2倍以上)し、第1および第2位置精度モニタパタ
ーンならびにメインパターンが描画された導電体基板全
体を現像液に浸漬し、導電体基板と電極との間に流れる
電流に基づいてパターンの良否を上記実施例と同様にし
て判定できる。この場合の導電体基板と電極との間に流
れる電流を第5図に示す。第5図において実線で表した
グラフCは位置ズレが生じていない場合の電流の変化を
示し破線で表したグラフDは位置ズレが有る場合の電流
の変化を示す。なお時刻Tにおけるピークはメインパタ
ーンの現像が完了したことによるものである。
パターンが描画された部分だけを現像液に浸漬したが、
第1および第2の位置精度モニタパターンの描画の露光
量をメインパターン2の描画の露光量よりも高く (例
えば2倍以上)し、第1および第2位置精度モニタパタ
ーンならびにメインパターンが描画された導電体基板全
体を現像液に浸漬し、導電体基板と電極との間に流れる
電流に基づいてパターンの良否を上記実施例と同様にし
て判定できる。この場合の導電体基板と電極との間に流
れる電流を第5図に示す。第5図において実線で表した
グラフCは位置ズレが生じていない場合の電流の変化を
示し破線で表したグラフDは位置ズレが有る場合の電流
の変化を示す。なお時刻Tにおけるピークはメインパタ
ーンの現像が完了したことによるものである。
また、本発明によるパターン位置精度診断装置はパター
ン描画手段と、位置ズレ量決定手段とを有している。こ
のパターン描画手段は、電子ビームを用いて導電体基板
上に形成されたレジスト膜上に、第1の位置精度モニタ
パターン(例えば、第2図(a)に示すパターン)、お
よびメインパターン、ならびに第2の位置精度モニタパ
ターン(例えば、第2図(b)に示すパターン)を描画
するのに用いられる。そしてこれらのパターンを描画す
る順序としては、まず第1の位置精度モニタパターンを
、メインパターンが描画される領域以外の領域に描画し
、次にメインパターンを描画する。その後、メインパタ
ーンに位置ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパタ
ーンと重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパター
ンを描画する。
ン描画手段と、位置ズレ量決定手段とを有している。こ
のパターン描画手段は、電子ビームを用いて導電体基板
上に形成されたレジスト膜上に、第1の位置精度モニタ
パターン(例えば、第2図(a)に示すパターン)、お
よびメインパターン、ならびに第2の位置精度モニタパ
ターン(例えば、第2図(b)に示すパターン)を描画
するのに用いられる。そしてこれらのパターンを描画す
る順序としては、まず第1の位置精度モニタパターンを
、メインパターンが描画される領域以外の領域に描画し
、次にメインパターンを描画する。その後、メインパタ
ーンに位置ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパタ
ーンと重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパター
ンを描画する。
位置ズレ量決定手段は、上記第1および第2の位置精度
モニタパターンが描画された導電体基板を、露光された
レジストを選択的に除去する現像液に浸漬し、この浸漬
された導電体基板と現像液に浸漬される電極との間に流
れる電流に基づいてメインパターンの位置ズレ量を決定
する(第3図参照)。
モニタパターンが描画された導電体基板を、露光された
レジストを選択的に除去する現像液に浸漬し、この浸漬
された導電体基板と現像液に浸漬される電極との間に流
れる電流に基づいてメインパターンの位置ズレ量を決定
する(第3図参照)。
このパターン位置精度診断装置を用いても描画されたメ
インパターンの良否を早期に診断することができる。
インパターンの良否を早期に診断することができる。
本発明によればパターンの良否を早期に診断することが
でき、これによりスルーコストの低減を計ることができ
る。
でき、これによりスルーコストの低減を計ることができ
る。
第1図は本発明によるパターン位置精度診断方法の実施
例の工程を示すフローチャート、第2図は第1および第
2位置精度モニタパターンとその配置を示す図、第3図
は導電体基板と電極との間に流れる電流を測定する装置
を示すブロック図、第4図および第5図は第3図に示す
装置を用いて測定した場合の電流の変化を示すグラフで
ある。 1・・・レジスト膜が形成された導電体基板、2・・・
メインパターン、3A、3B・・・位置精度モニタパタ
ーン、7・・・現像液、8・・・電極、9・・・アンプ
、10・・・判定回路。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第1図 CO,) (C) 第2図 嘉3図
例の工程を示すフローチャート、第2図は第1および第
2位置精度モニタパターンとその配置を示す図、第3図
は導電体基板と電極との間に流れる電流を測定する装置
を示すブロック図、第4図および第5図は第3図に示す
装置を用いて測定した場合の電流の変化を示すグラフで
ある。 1・・・レジスト膜が形成された導電体基板、2・・・
メインパターン、3A、3B・・・位置精度モニタパタ
ーン、7・・・現像液、8・・・電極、9・・・アンプ
、10・・・判定回路。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第1図 CO,) (C) 第2図 嘉3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電体基板上に形成されたレジスト膜上に描画され
るパターンの位置精度を診断するパターン位置精度診断
方法において、 前記パターンをレジスト膜上に描画する前に、前記パタ
ーンが描画される領域以外の領域のレジスト膜上に第1
の位置精度モニタパターンを描画する工程と、 前記パターンがレジスト膜上に描画された後、前記パタ
ーンに位置ズレが有る場合に前記第1の位置精度モニタ
パターンと重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパ
ターンを描画する工程と、前記第1および第2の位置精
度モニタパターンが描画された前記導電体基板を現像液
に浸漬する工程と、 電極を前記現像液に浸漬し、この電極と前記導電体基板
との間に流れる電流に基づいて前記パターンの位置ズレ
量を決定する工程と、 を備えていることを特徴とするパターン位置精度診断方
法。 2、導電体基板上に形成されたレジスト膜上に描画され
るパターンの位置精度を診断するパターン位置精度診断
装置において、 前記パターンをレジスト膜上に描画する前に、前記パタ
ーンが描画される領域以外の領域のレジスト膜上に第1
の位置精度モニタパターンを描画する手段と、 前記パターンがレジスト膜上に描画された後、前記パタ
ーンに位置ズレが有る場合に前記第1の位置精度モニタ
パターンと重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパ
ターンを描画する手段と、前記第1および第2の位置精
度モニタパターンが描画された前記導電体基板を現像液
に浸漬するとともに、電極を前記現像液に浸漬し、この
電極と前記導電体基板との間に流れる電流に基づいて前
記パターンの位置ズレ量を決定する手段と、を備えてい
ることを特徴とするパターン位置精度診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240498A JPH0287614A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | パターン位置精度診断方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240498A JPH0287614A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | パターン位置精度診断方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287614A true JPH0287614A (ja) | 1990-03-28 |
| JPH0532898B2 JPH0532898B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17060410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63240498A Granted JPH0287614A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | パターン位置精度診断方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287614A (ja) |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63240498A patent/JPH0287614A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532898B2 (ja) | 1993-05-18 |
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