JPH0869954A - 現像終了基準時点検出方法 - Google Patents
現像終了基準時点検出方法Info
- Publication number
- JPH0869954A JPH0869954A JP6204685A JP20468594A JPH0869954A JP H0869954 A JPH0869954 A JP H0869954A JP 6204685 A JP6204685 A JP 6204685A JP 20468594 A JP20468594 A JP 20468594A JP H0869954 A JPH0869954 A JP H0869954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- development
- time point
- metal layer
- reference time
- monitor pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスク上の製品パターンに依存することなく
一定の現像終了基準時点を検出し得る方法を提供とする
ことを目的とする。 【構成】 現像終了基準時点検出方法は、マスク（２）
上に製品パターン領域（２１）のみならずモニタパター
ン領域（１１，１６，１６Ａ）をも設け、マスク（２）
の現像中にマスク（２）の金属層に電圧（Ｖ）を印加
し、そのモニタパターン領域（１１，１６，１６Ａ）内
の金属層がレジスト層から露出するに伴う電流（Ｉ）の
変化を選択的に検出することによって現像終了基準時点
を決定する。
一定の現像終了基準時点を検出し得る方法を提供とする
ことを目的とする。 【構成】 現像終了基準時点検出方法は、マスク（２）
上に製品パターン領域（２１）のみならずモニタパター
ン領域（１１，１６，１６Ａ）をも設け、マスク（２）
の現像中にマスク（２）の金属層に電圧（Ｖ）を印加
し、そのモニタパターン領域（１１，１６，１６Ａ）内
の金属層がレジスト層から露出するに伴う電流（Ｉ）の
変化を選択的に検出することによって現像終了基準時点
を決定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＬＳＩなどの半導体装
置の製造に用いられるマスクの現像方法に関するもので
あり、特に、現像終了基準時点の検出方法に関するもの
である。
置の製造に用いられるマスクの現像方法に関するもので
あり、特に、現像終了基準時点の検出方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴って、
微細パターンを高精度に形成することができる高寸法精
度のマスクが要求されている。ところで、高寸法精度の
マスクの作成プロセスにおけるマスク間の現像のばらつ
きを抑制する手段として、現像終了基準時点検出方法が
用いられている。
微細パターンを高精度に形成することができる高寸法精
度のマスクが要求されている。ところで、高寸法精度の
マスクの作成プロセスにおけるマスク間の現像のばらつ
きを抑制する手段として、現像終了基準時点検出方法が
用いられている。
【０００３】図９において、先行技術による現像終了基
準時点検出方法が概略的に図解されている。この方法に
おいて、容器４内に現像液３が注入されている。現像液
３内には対向電極１が配置されており、マスク２は対向
電極１と平行に現像液３内へ浸漬（ディップ）される。
マスク２は、透明基板上に形成された金属層と金属層上
に形成されたレジスト層とを含んでいる。
準時点検出方法が概略的に図解されている。この方法に
おいて、容器４内に現像液３が注入されている。現像液
３内には対向電極１が配置されており、マスク２は対向
電極１と平行に現像液３内へ浸漬（ディップ）される。
マスク２は、透明基板上に形成された金属層と金属層上
に形成されたレジスト層とを含んでいる。
【０００４】マスク２中の金属層には、電圧Ｖが印加さ
れ、マスク２と対向電極１との間において現像液３を通
して微小電流Ｉが流れる。この電流Ｉは、アンプ５を介
して検出される。すなわち、マスク２の現像中の電流Ｉ
の変化をモニタすることによって、現像終了基準時点が
決定される。
れ、マスク２と対向電極１との間において現像液３を通
して微小電流Ｉが流れる。この電流Ｉは、アンプ５を介
して検出される。すなわち、マスク２の現像中の電流Ｉ
の変化をモニタすることによって、現像終了基準時点が
決定される。
【０００５】図１０は、図９に示されているような方法
においてモニタされた電流Ｉの変化の一例を示すグラフ
である。横軸は現像時間を表わし、縦軸はモニタ電流Ｉ
を表わしている。マスク２のディップ現像を開始した後
のｔ1 秒間は、対向電極１およびマスク２の表面状態が
現像液中で変化することによって電流Ｉが減少する。ｔ
1 秒からｔ2 秒の間においては、マスク２の金属層はレ
ジスト層に覆われた状態であり、マスクの端面およびレ
ジスト層を通るリーク電流によって比較的安定した微小
電流Ｉが流れる。次に、ｔ2 秒からｔ3 秒の間において
は、現像が進行してマスク２の金属層が露出すれば電極
面積が増加したことに相当し、それに伴って電流Ｉが急
に増大する。この電流Ｉが所定のしきい値６に達したと
きが現像終了基準時点７として決定される。
においてモニタされた電流Ｉの変化の一例を示すグラフ
である。横軸は現像時間を表わし、縦軸はモニタ電流Ｉ
を表わしている。マスク２のディップ現像を開始した後
のｔ1 秒間は、対向電極１およびマスク２の表面状態が
現像液中で変化することによって電流Ｉが減少する。ｔ
1 秒からｔ2 秒の間においては、マスク２の金属層はレ
ジスト層に覆われた状態であり、マスクの端面およびレ
ジスト層を通るリーク電流によって比較的安定した微小
電流Ｉが流れる。次に、ｔ2 秒からｔ3 秒の間において
は、現像が進行してマスク２の金属層が露出すれば電極
面積が増加したことに相当し、それに伴って電流Ｉが急
に増大する。この電流Ｉが所定のしきい値６に達したと
きが現像終了基準時点７として決定される。
【０００６】従来はこのような方法によって、製品パタ
ーンを含むマスクの現像処理中に現像終了基準時点を検
出し、現像開始から現像終了基準時点検出までの時間を
計算し、その時間を基準として総現像時間を決定するこ
とによって現像処理が行なわれている。
ーンを含むマスクの現像処理中に現像終了基準時点を検
出し、現像開始から現像終了基準時点検出までの時間を
計算し、その時間を基準として総現像時間を決定するこ
とによって現像処理が行なわれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の現像終了基準時
点検出方法では、６４メガＤＲＡＭ以後の高集積度の半
導体装置の製造に用いられるマスクにおいては、パター
ンサイズが２μｍ以下であるパターンを含む場合に近接
効果の影響を受け、抜パターンのサイズが小さい部分ほ
ど金属面の露出が遅れる。また、一般にマスクごとにパ
ターンサイズの分布は異なるので、近接効果の影響を受
けるパターン部分と受けないパターン部分の割合がマス
クごとに異なる。
点検出方法では、６４メガＤＲＡＭ以後の高集積度の半
導体装置の製造に用いられるマスクにおいては、パター
ンサイズが２μｍ以下であるパターンを含む場合に近接
効果の影響を受け、抜パターンのサイズが小さい部分ほ
ど金属面の露出が遅れる。また、一般にマスクごとにパ
ターンサイズの分布は異なるので、近接効果の影響を受
けるパターン部分と受けないパターン部分の割合がマス
クごとに異なる。
【０００８】図１１は、近接効果の影響を受けるパター
ン部分の割合が多いマスクに関して、現像時間に対する
電流変化を示している。他方、図１２は、近接効果の影
響を受けるパターン部分の割合が少ないマスクに関して
現像時間に対する電流の変化を示している。これらの図
１１と図１２において、ｔ2 秒からｔ3 秒の間は、近接
効果の影響を受けないパターン部分において金属層がレ
ジスト層から露出するときの電流Ｉの変化を表わし、ｔ
3 秒からｔ4 秒の間は近接効果の影響を受けるパターン
部分の金属層が露出するときの電流Ｉの変化を示してい
る。
ン部分の割合が多いマスクに関して、現像時間に対する
電流変化を示している。他方、図１２は、近接効果の影
響を受けるパターン部分の割合が少ないマスクに関して
現像時間に対する電流の変化を示している。これらの図
１１と図１２において、ｔ2 秒からｔ3 秒の間は、近接
効果の影響を受けないパターン部分において金属層がレ
ジスト層から露出するときの電流Ｉの変化を表わし、ｔ
3 秒からｔ4 秒の間は近接効果の影響を受けるパターン
部分の金属層が露出するときの電流Ｉの変化を示してい
る。
【０００９】すなわち、図１１におけるマスクは近接効
果の影響を受けるパターン部分を多く含んでいるので、
電流Ｉはｔ3 秒からｔ4 の間でしきい値６に到達し、そ
の到達点８が現像終了基準時点として決定される。他
方、図１２におけるマスクは近接効果の影響を受けない
パターン部分を多く含んでいるので、電流Ｉはｔ2 秒か
らｔ3 秒の間でしきい値６に到達し、その到達点９が現
像終了基準時点として決定される。
果の影響を受けるパターン部分を多く含んでいるので、
電流Ｉはｔ3 秒からｔ4 の間でしきい値６に到達し、そ
の到達点８が現像終了基準時点として決定される。他
方、図１２におけるマスクは近接効果の影響を受けない
パターン部分を多く含んでいるので、電流Ｉはｔ2 秒か
らｔ3 秒の間でしきい値６に到達し、その到達点９が現
像終了基準時点として決定される。
【００１０】すなわち、近接効果の影響を受けるパター
ン部分とその影響を受けないパターン部分との割合はマ
スクごとに異なっているので現像終了基準時点が異な
り、半導体装置の各層（レイヤー）の形成に用いられる
マスクごとに現像処理条件が異なるという問題がある。
ン部分とその影響を受けないパターン部分との割合はマ
スクごとに異なっているので現像終了基準時点が異な
り、半導体装置の各層（レイヤー）の形成に用いられる
マスクごとに現像処理条件が異なるという問題がある。
【００１１】本発明は係る問題を解決するためになされ
たものであり、近接効果の影響を受けるパターン部分と
その影響を受けないパターン部分の割合が異なるマスク
間においても同一の現像終了基準時点を検出し得る方法
を提供することを目的としている。
たものであり、近接効果の影響を受けるパターン部分と
その影響を受けないパターン部分の割合が異なるマスク
間においても同一の現像終了基準時点を検出し得る方法
を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による現像終了基
準時点検出方法は、マスク上に製品パターン領域のみな
らずモニタパターン領域をも設け、マスクのディップ現
像中にそのマスクの金属層に電圧を印加し、その電圧に
よって現像液中を流れる微小電流をモニタし、モニタパ
ターン領域内の金属層がレジスト層から露出するに伴う
微小電流の変化を選択的に検出することによって現像終
了基準時点を決定することを特徴としている。
準時点検出方法は、マスク上に製品パターン領域のみな
らずモニタパターン領域をも設け、マスクのディップ現
像中にそのマスクの金属層に電圧を印加し、その電圧に
よって現像液中を流れる微小電流をモニタし、モニタパ
ターン領域内の金属層がレジスト層から露出するに伴う
微小電流の変化を選択的に検出することによって現像終
了基準時点を決定することを特徴としている。
【００１３】
【作用】本発明による現像終了基準時点検出方法におい
ては、モニタパターン領域内の金属層がレジスト層から
露出するに伴う微小電流の変化を選択的に検出すること
によって現像終了基準時点を決定するので、マスク上の
製品パターンに依存することなく現像処理を安定して行
なうことを可能ならしめる。
ては、モニタパターン領域内の金属層がレジスト層から
露出するに伴う微小電流の変化を選択的に検出すること
によって現像終了基準時点を決定するので、マスク上の
製品パターンに依存することなく現像処理を安定して行
なうことを可能ならしめる。
【００１４】
実施例１ 図１は、本発明の第１の実施例による現像終了基準時点
検出方法を概略的に図解している。この図において、容
器４内には現像液３が注入されている。現像液３内には
マスク２がディップされている。マスク２は、透明基板
上に形成された金属層と、その金属層上に形成されたレ
ジスト層を含んでいる。マスク２の金属層には電圧Ｖが
印加される。マスク２は、製品パターン領域を含むのみ
ならず、モニタパターン領域１１をも含んでいる。モニ
タパターン領域１１の近傍には、比較的小さな対向電極
１０が配置されている。電圧Ｖの印加によってマスク２
と対向電極１０との間において現像液３を通して流れる
電流Ｉは、アンプ５を介して検出される。マスク２の現
像中におけるこの電流Ｉの変化をモニタすることによっ
て、現像終了基準時点が決定される。
検出方法を概略的に図解している。この図において、容
器４内には現像液３が注入されている。現像液３内には
マスク２がディップされている。マスク２は、透明基板
上に形成された金属層と、その金属層上に形成されたレ
ジスト層を含んでいる。マスク２の金属層には電圧Ｖが
印加される。マスク２は、製品パターン領域を含むのみ
ならず、モニタパターン領域１１をも含んでいる。モニ
タパターン領域１１の近傍には、比較的小さな対向電極
１０が配置されている。電圧Ｖの印加によってマスク２
と対向電極１０との間において現像液３を通して流れる
電流Ｉは、アンプ５を介して検出される。マスク２の現
像中におけるこの電流Ｉの変化をモニタすることによっ
て、現像終了基準時点が決定される。
【００１５】図２は、図１における主要部を拡大した概
略的斜視図を示している。対向電極１０は、絶縁物１２
によって覆われた円筒形の電極１３を含んでいる。円筒
形の電極１３が現像液と接する部分は平面を形成してい
る。対向電極１０は、モニタパターン領域１１と平行に
対面して配置されており、モニタパターン領域１１を通
る電流の変化のみが選択的に検出され得る。
略的斜視図を示している。対向電極１０は、絶縁物１２
によって覆われた円筒形の電極１３を含んでいる。円筒
形の電極１３が現像液と接する部分は平面を形成してい
る。対向電極１０は、モニタパターン領域１１と平行に
対面して配置されており、モニタパターン領域１１を通
る電流の変化のみが選択的に検出され得る。
【００１６】図３は、この第１実施例による現像時間と
電流Ｉとの関係を示している。ディップ現像を開始した
後のｔ1 秒間は、対向電極１０およびマスク２の表面状
態が現像液中で変化することによって電流Ｉが減少す
る。現像開始後ｔ1 秒からｔ2秒の間は、モニタパター
ン１１の金属表面はレジストに覆われた状態であって、
安定した微小電流Ｉが流れる。その後のｔ2 秒からｔ3
秒の間では現像が進んで、モニタパターン領域１１内の
金属層がレジスト層から露出するに伴って、電流Ｉが急
に増大する。対向電極１０はモニタパターン領域１１に
接近して配置されているので、この電流Ｉの増加は、ほ
ぼモニタパターン領域内のみの金属層の露出に起因する
ものである。すなわち、モニタパターン領域１１内の金
属層が露出するときに電流Ｉがしきい値１４に到達する
時点１５が、現像終了基準時点として決定される。
電流Ｉとの関係を示している。ディップ現像を開始した
後のｔ1 秒間は、対向電極１０およびマスク２の表面状
態が現像液中で変化することによって電流Ｉが減少す
る。現像開始後ｔ1 秒からｔ2秒の間は、モニタパター
ン１１の金属表面はレジストに覆われた状態であって、
安定した微小電流Ｉが流れる。その後のｔ2 秒からｔ3
秒の間では現像が進んで、モニタパターン領域１１内の
金属層がレジスト層から露出するに伴って、電流Ｉが急
に増大する。対向電極１０はモニタパターン領域１１に
接近して配置されているので、この電流Ｉの増加は、ほ
ぼモニタパターン領域内のみの金属層の露出に起因する
ものである。すなわち、モニタパターン領域１１内の金
属層が露出するときに電流Ｉがしきい値１４に到達する
時点１５が、現像終了基準時点として決定される。
【００１７】以上のように、マスクの現像処理中に製品
パターンではなくてモニタパターンの現像に基づいて現
像終了基準時点を検出し、現像開始から現像終了基準時
点までの時間を計算し、この時間を基準にして総現像時
間を決定することによって現像処理を行なうことによ
り、製品パターンに依存することなくマスクの現像処理
を安定して行なうことが可能になる。
パターンではなくてモニタパターンの現像に基づいて現
像終了基準時点を検出し、現像開始から現像終了基準時
点までの時間を計算し、この時間を基準にして総現像時
間を決定することによって現像処理を行なうことによ
り、製品パターンに依存することなくマスクの現像処理
を安定して行なうことが可能になる。
【００１８】実施例２ 図４は、本発明の第２実施例による現像終了基準時点検
出方法を概略的に図解している。図４の実施例は図１の
ものに類似しているが、モニタパターン領域１６が変更
されている。
出方法を概略的に図解している。図４の実施例は図１の
ものに類似しているが、モニタパターン領域１６が変更
されている。
【００１９】図５は、図４の主要部を拡大して示す概略
的斜視図である。すなわち、この第２の実施例において
は、マスク２のモニタパターン領域における金属層１６
は製品パターン領域における金属層から電気的に分離さ
れている。そして、電圧Ｖはリード針１７を介してモニ
タパターン領域１６内の金属層にのみ印加される。リー
ド針１７は、好ましくは、絶縁物１８によって覆われて
いる。
的斜視図である。すなわち、この第２の実施例において
は、マスク２のモニタパターン領域における金属層１６
は製品パターン領域における金属層から電気的に分離さ
れている。そして、電圧Ｖはリード針１７を介してモニ
タパターン領域１６内の金属層にのみ印加される。リー
ド針１７は、好ましくは、絶縁物１８によって覆われて
いる。
【００２０】対向電極１０は第１実施例の場合と同様に
モニタパターン領域１６に接近して配置されており、絶
縁物１２によって覆われた円筒状の電極１３を含んでい
る。
モニタパターン領域１６に接近して配置されており、絶
縁物１２によって覆われた円筒状の電極１３を含んでい
る。
【００２１】このような第２実施例による現像終了基準
時点検出方法においては、モニタパターン領域を通過す
る電流Ｉのみをより確実に選択して検知することができ
る。
時点検出方法においては、モニタパターン領域を通過す
る電流Ｉのみをより確実に選択して検知することができ
る。
【００２２】図６は、第２実施例における現像時間と電
流Ｉとの関係を示している。第２実施例においても、第
１実施例の場合と同様に、ディップ現像開始後ｔ1 秒間
は電流Ｉが減少する。ｔ1 秒からｔ2 秒の間はモニタパ
ターン領域１６の金属層がレジストに覆われた状態で、
安定した微小電流Ｉが流れる。ｔ2 秒からｔ3 秒の間
は、現像が進んでモニタパターン領域１６内の金属層が
露出するに伴って、電流Ｉが急に増大する。電圧Ｖはモ
ニタパターン領域１６内の金属層のみに印加されるの
で、電流Ｉの増加はほぼモニタパターン１６内の金属層
の露出に直接的に起因するものであり、その電流Ｉが所
定のしきい値１９に達した時点が現像終了基準時点２０
として決定される。
流Ｉとの関係を示している。第２実施例においても、第
１実施例の場合と同様に、ディップ現像開始後ｔ1 秒間
は電流Ｉが減少する。ｔ1 秒からｔ2 秒の間はモニタパ
ターン領域１６の金属層がレジストに覆われた状態で、
安定した微小電流Ｉが流れる。ｔ2 秒からｔ3 秒の間
は、現像が進んでモニタパターン領域１６内の金属層が
露出するに伴って、電流Ｉが急に増大する。電圧Ｖはモ
ニタパターン領域１６内の金属層のみに印加されるの
で、電流Ｉの増加はほぼモニタパターン１６内の金属層
の露出に直接的に起因するものであり、その電流Ｉが所
定のしきい値１９に達した時点が現像終了基準時点２０
として決定される。
【００２３】このような第２実施例の方法によっても、
マスクの現像処理中にモニタパターン領域を通して流れ
る電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、現像
開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、この時
間を基準にして総現像時間を決定することによって現像
処理を行なうので、製品パターンに依存することなくマ
スクの現像処理を安定して行なうことができる。
マスクの現像処理中にモニタパターン領域を通して流れ
る電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、現像
開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、この時
間を基準にして総現像時間を決定することによって現像
処理を行なうので、製品パターンに依存することなくマ
スクの現像処理を安定して行なうことができる。
【００２４】実施例３ 図７は、本発明の第３実施例による現像終了基準時点検
出方法を概略的に図解している。この第３実施例におい
ては、たとえばレティクルアライメントマークのように
マスク間で共通なパターンをモニタパターンとして利用
する。そして、従来と同様な比較的大きな対向電極１が
マスク２と平行に配置される。このような第３実施例に
おいては、光や電子線のようなエネルギ照射は、マスク
２上の製品パターン領域２１内よりもモニタパターン領
域１６Ａ内の方が高くされる。すなわち、製品パターン
領域２１内の金属層がレジスト層から露出する前にモニ
タパターン１６Ａ内の金属層を露出させることにより、
モニタパターン領域１６Ａの現像の進行のみによる電流
Ｉの変化を検出することが可能である。
出方法を概略的に図解している。この第３実施例におい
ては、たとえばレティクルアライメントマークのように
マスク間で共通なパターンをモニタパターンとして利用
する。そして、従来と同様な比較的大きな対向電極１が
マスク２と平行に配置される。このような第３実施例に
おいては、光や電子線のようなエネルギ照射は、マスク
２上の製品パターン領域２１内よりもモニタパターン領
域１６Ａ内の方が高くされる。すなわち、製品パターン
領域２１内の金属層がレジスト層から露出する前にモニ
タパターン１６Ａ内の金属層を露出させることにより、
モニタパターン領域１６Ａの現像の進行のみによる電流
Ｉの変化を検出することが可能である。
【００２５】図８は、この第３実施例における現像時間
と電流Ｉとの関係を示している。この第３実施例におい
ても、ディップ現像開始後ｔ1 秒間は、電流Ｉが減少す
る。ｔ1 秒からｔ2 秒の間は、モニタパターン領域１６
Ａと製品パターン領域２１のいずれの領域内の金属層も
レジストに覆われた状態であって、安定な微小電流Ｉが
流れる。ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては、比較的高い
エネルギ照射量を受けたモニタパターン領域１６Ａの現
像が進み、そのモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の
露出に伴って、電流Ｉが増加する。その後のｔ3 秒から
ｔ4 秒の間では、製品パターン領域２１内の金属層も露
出するので、電流Ｉはさらに増加する。このように、モ
ニタパターン領域１６Ａは製品パターン領域２１より高
いエネルギ照射が与えられているので、製品パターン領
域２１内で金属層が露出する前のｔ2 秒からｔ3 秒の間
において、モニタパターン領域１６Ａ内の金属層が露出
する。すなわち、ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては電流
Ｉの増加はモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の露出
に直接起因するものであり、そのときの電流Ｉが所定の
しきい値６に達した時点を現像終了基準時点２０として
決定する。
と電流Ｉとの関係を示している。この第３実施例におい
ても、ディップ現像開始後ｔ1 秒間は、電流Ｉが減少す
る。ｔ1 秒からｔ2 秒の間は、モニタパターン領域１６
Ａと製品パターン領域２１のいずれの領域内の金属層も
レジストに覆われた状態であって、安定な微小電流Ｉが
流れる。ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては、比較的高い
エネルギ照射量を受けたモニタパターン領域１６Ａの現
像が進み、そのモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の
露出に伴って、電流Ｉが増加する。その後のｔ3 秒から
ｔ4 秒の間では、製品パターン領域２１内の金属層も露
出するので、電流Ｉはさらに増加する。このように、モ
ニタパターン領域１６Ａは製品パターン領域２１より高
いエネルギ照射が与えられているので、製品パターン領
域２１内で金属層が露出する前のｔ2 秒からｔ3 秒の間
において、モニタパターン領域１６Ａ内の金属層が露出
する。すなわち、ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては電流
Ｉの増加はモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の露出
に直接起因するものであり、そのときの電流Ｉが所定の
しきい値６に達した時点を現像終了基準時点２０として
決定する。
【００２６】このような第３実施例による方法において
も、マスクの現像処理中にモニタパターンの現像の進行
による電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、
現像開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、こ
の時間を基準にして総現像時間を決定することによって
現像処理が行なわれる。したがって、製品パターンに依
存することなくマスクの現像処理を安定して行なうこと
が可能となる。
も、マスクの現像処理中にモニタパターンの現像の進行
による電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、
現像開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、こ
の時間を基準にして総現像時間を決定することによって
現像処理が行なわれる。したがって、製品パターンに依
存することなくマスクの現像処理を安定して行なうこと
が可能となる。
【００２７】上述の実施例ではマスクの現像中における
電流変化をモニタし、この電流値が所定のしきい値に達
したときを現像終了基準時点としたが、電流の増加の割
合が最も急峻となる点を現像終了基準時点とし、その基
準時に基づいて総現像時間を決定して現像処理を行なっ
ても同様の効果が得られる。
電流変化をモニタし、この電流値が所定のしきい値に達
したときを現像終了基準時点としたが、電流の増加の割
合が最も急峻となる点を現像終了基準時点とし、その基
準時に基づいて総現像時間を決定して現像処理を行なっ
ても同様の効果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】請求項１に記載の発明においては、モニ
タパターン領域内の金属層がレジスト層から露出するに
伴う微小電流の変化を選択的に検出することによって現
像終了基準時点を決定するので、製品パターンに依存す
ることなくマスクの現像処理を安定して行なうことが可
能となる。
タパターン領域内の金属層がレジスト層から露出するに
伴う微小電流の変化を選択的に検出することによって現
像終了基準時点を決定するので、製品パターンに依存す
ることなくマスクの現像処理を安定して行なうことが可
能となる。
【００２９】請求項２に記載の発明においては、対向電
極がモニタパターン領域に接近して配置されるので、モ
ニタパターン領域を通過する電流変化をより確実に選択
して検知することが可能となる。
極がモニタパターン領域に接近して配置されるので、モ
ニタパターン領域を通過する電流変化をより確実に選択
して検知することが可能となる。
【００３０】請求項３に記載の発明においては、対向電
極が平面形状を有しかつモニタパターン領域と平行に対
面して配置されるので、モニタパターン領域を通過する
電流の変化をより正確に検出することができる。
極が平面形状を有しかつモニタパターン領域と平行に対
面して配置されるので、モニタパターン領域を通過する
電流の変化をより正確に検出することができる。
【００３１】請求項４に記載の発明においては、モニタ
パターン領域内の金属層が製品パターン領域内の金属層
と電気的に分離されており、かつ電圧がモニタパターン
領域内の金属層のみに印加されるので、モニタパターン
領域の現像の進行に伴う電流の変化をより確実に選択し
て正確に検知することができる。
パターン領域内の金属層が製品パターン領域内の金属層
と電気的に分離されており、かつ電圧がモニタパターン
領域内の金属層のみに印加されるので、モニタパターン
領域の現像の進行に伴う電流の変化をより確実に選択し
て正確に検知することができる。
【００３２】請求項５に記載の発明においては、モニタ
パターン領域は製品パターン領域と同一平面上にあっ
て、かつそのモニタパターンは現像によって金属層が露
出する時間がパターンサイズやパターン形状およびエネ
ルギ照射時間による影響を受けにくいものであるので、
製品パターンに依存しないマスクの安定した現像処理を
行なうことをより確実ならしめる。
パターン領域は製品パターン領域と同一平面上にあっ
て、かつそのモニタパターンは現像によって金属層が露
出する時間がパターンサイズやパターン形状およびエネ
ルギ照射時間による影響を受けにくいものであるので、
製品パターンに依存しないマスクの安定した現像処理を
行なうことをより確実ならしめる。
【００３３】請求項６に記載の発明においては、いずれ
のマスクにも共通に存在するレティクルアライメントマ
ークがモニタパターンとして用いられるので、製品パタ
ーンに依存することなくマスクを安定して現像処理する
ことが可能になる。
のマスクにも共通に存在するレティクルアライメントマ
ークがモニタパターンとして用いられるので、製品パタ
ーンに依存することなくマスクを安定して現像処理する
ことが可能になる。
【図１】 本発明の第１実施例による現像終了基準時点
検出方法を示す概略的な斜視図である。
検出方法を示す概略的な斜視図である。
【図２】 図１の主要部を拡大した斜視図である。
【図３】 本発明の第１実施例における現像時間と電流
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図４】 本発明の第２実施例による現像終了基準時点
検出方法を概略的に示す斜視図である。
検出方法を概略的に示す斜視図である。
【図５】 図４の主要部を拡大して示す斜視図である。
【図６】 本発明の第２実施例における現像時間と電流
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図７】 本発明の第３実施例による現像終了基準時点
検出方法を図解する概略的な斜視図である。
検出方法を図解する概略的な斜視図である。
【図８】 本発明の第３実施例における現像時間と電流
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図９】 先行技術による現像終了基準時点検出方法を
図解する概略的な斜視図である。
図解する概略的な斜視図である。
【図１０】 先行技術による現像終了基準時点検出方法
における現像時間と電流との関係の一例を示すグラフで
ある。
における現像時間と電流との関係の一例を示すグラフで
ある。
【図１１】 先行技術による現像終了基準時点検出方法
における現像時間と電流との関係のもう１つの例を示す
グラフである。
における現像時間と電流との関係のもう１つの例を示す
グラフである。
【図１２】 先行技術による現像終了基準時点検出方法
における現像時間と電流との関係のさらにもう１つの例
を示すグラフである。
における現像時間と電流との関係のさらにもう１つの例
を示すグラフである。
１ 比較的大きな対向電極、２ マスク、３ 現像液、
４ 現像容器、５ アンプ、６ しきい値電流、７、
８、９ 現像終了基準時点、１０ 対向電極、１１ モ
ニタパターン領域、１２ 電極を覆う絶縁物、１３ 電
極、１４ しきい値電流、１５ 現像終了基準時点、１
６、１６Ａ モニタパターン領域、１７リード針、１８
リード針を覆う絶縁物、１９ しきい値電流、２０
現像終了基準時点、２１ 製品パターン。
４ 現像容器、５ アンプ、６ しきい値電流、７、
８、９ 現像終了基準時点、１０ 対向電極、１１ モ
ニタパターン領域、１２ 電極を覆う絶縁物、１３ 電
極、１４ しきい値電流、１５ 現像終了基準時点、１
６、１６Ａ モニタパターン領域、１７リード針、１８
リード針を覆う絶縁物、１９ しきい値電流、２０
現像終了基準時点、２１ 製品パターン。
Claims (6)
- 【請求項１】 マスク上に製品パターン領域のみならず
モニタパターン領域をも設け、 前記マスクのディップ現像中に前記マスクの金属層に電
圧を印加し、 前記電圧によって現像液中を流れる微小電流をモニタ
し、 前記モニタパターン領域内の金属層がレジスト層から露
出するに伴う前記微小電流の変化を選択的に検出するこ
とによって現像終了基準時点を決定することを特徴とす
る現像終了基準時点検出方法。 - 【請求項２】 前記モニタパターン領域に接近して対向
電極を配置することによって、前記モニタパターン領域
内の前記金属層が前記フォトレジスト層から露出するこ
とに起因する微小電流変化のみを選択的に検出して現像
終了基準時点を決定することを特徴とする請求項１に記
載の現像終了基準時点検出方法。 - 【請求項３】 前記対向電極は平面形状を有しており、
前記モニタパターン領域と平行に対面して配置されるこ
とを特徴とする請求項２に記載の現像終了基準時点検出
方法。 - 【請求項４】 前記モニタパターン領域内の金属層は前
記製品パターン領域内の金属層と電気的に分離されてお
り、前記電圧は前記モニタパターン領域内の金属層のみ
に印加されることを特徴とする請求項１に記載の現像終
了基準時点検出方法。 - 【請求項５】 前記モニタパターン領域は前記製品パタ
ーン領域と同一平面上にあり、前記モニタパターンは、
現像によって前記金属層が露出する時間がパターンサイ
ズ、パターン形状および露出エネルギ照射量の変動によ
る影響を受けにくいものであることを特徴とする請求項
１に記載の現像終了基準時点検出方法。 - 【請求項６】 前記マスクのレティクルアライメントマ
ークがモニタパターンとして用いられることを特徴とす
る請求項１ないし３および５のいずれかの項に記載され
た現像終了基準時点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20468594A JP3337563B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 現像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20468594A JP3337563B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 現像処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869954A true JPH0869954A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3337563B2 JP3337563B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=16494618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20468594A Expired - Fee Related JP3337563B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 現像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3337563B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20468594A patent/JP3337563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3337563B2 (ja) | 2002-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000516355A (ja) | 塩基性薬剤を用いて凹角プロファイルを有するフォトレジストフィーチャを形成するための方法 | |
| US6507474B1 (en) | Using localized ionizer to reduce electrostatic charge from wafer and mask | |
| JP3337563B2 (ja) | 現像処理方法 | |
| JPH10135099A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| US8426315B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR0137636B1 (ko) | 현상률 측정 패턴을 구비한 포토마스크 및 현상률 측정방법 | |
| US5891749A (en) | Process for forming photoresist pattern in semiconductor device | |
| CN106919015B (zh) | 一种半导体器件制作光刻对准方法 | |
| KR100192433B1 (ko) | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 | |
| JPH05241350A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS60260129A (ja) | レジストパタ−ンの検査方法 | |
| JPS594019A (ja) | パタ−ン比較検査方法 | |
| JPH03283544A (ja) | 半導体装置におけるコンタクトホールの導通性検査方法 | |
| JP3244861B2 (ja) | パタ−ン現像方法 | |
| KR960011469B1 (ko) | 감광막 두께 설정 방법 | |
| KR100234171B1 (ko) | 박막 자기헤드용 코어 제조방법 | |
| JPH0414235A (ja) | レジスト膜欠陥の検出方法 | |
| KR100197519B1 (ko) | 감광막 현상율 측정방법 | |
| KR960005036B1 (ko) | 노광공정에서의 포카스상태 측정용 패턴 및 포카스상태 측정 방법 | |
| JPH04305916A (ja) | 露光精度評価方法 | |
| JPH0644550B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62263633A (ja) | パタ−ン描画方法 | |
| JPS63202914A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH01218037A (ja) | 半導体ウェハの検査方法 | |
| KR20010026189A (ko) | 패드의 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020716 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070809 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080809 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080809 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090809 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |