JPH0287817A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0287817A JPH0287817A JP63241455A JP24145588A JPH0287817A JP H0287817 A JPH0287817 A JP H0287817A JP 63241455 A JP63241455 A JP 63241455A JP 24145588 A JP24145588 A JP 24145588A JP H0287817 A JPH0287817 A JP H0287817A
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- circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に出力トランジスタ
の過電流状態を検出する回路に関する。
の過電流状態を検出する回路に関する。
従来、出力トランジスタのオン抵抗の電圧降下から過電
流を検出する回路としては、第５図に示す回路が用いら
れていた。この回路は、基準電圧発生回路１と、バッフ
ァ２と、抵抗Ｒ，，Ｒ２と、比較器３と、出力トランジ
スタＱ、とから構成されている。基準電圧発生回路１は
、電源電圧依存性および温度依存性が小さい回路、例え
ばバンドギャップリファレンス回路環が使用される。こ
の基準電圧発生回路１の出力をバッファ２を通してから
抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧し、過電流検出用のリファレンス
電圧Ｖｒを得ている。このリファレンス電圧Ｖｒは出力
トランジスタＱ１の出力電圧と比較器３により比較され
、過電流検出信号出力端子５から出力される。また、出
力トランジスタＱ１の出力端は、負荷Ｒｏをもつ出力端
子４と接続されている。
流を検出する回路としては、第５図に示す回路が用いら
れていた。この回路は、基準電圧発生回路１と、バッフ
ァ２と、抵抗Ｒ，，Ｒ２と、比較器３と、出力トランジ
スタＱ、とから構成されている。基準電圧発生回路１は
、電源電圧依存性および温度依存性が小さい回路、例え
ばバンドギャップリファレンス回路環が使用される。こ
の基準電圧発生回路１の出力をバッファ２を通してから
抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧し、過電流検出用のリファレンス
電圧Ｖｒを得ている。このリファレンス電圧Ｖｒは出力
トランジスタＱ１の出力電圧と比較器３により比較され
、過電流検出信号出力端子５から出力される。また、出
力トランジスタＱ１の出力端は、負荷Ｒｏをもつ出力端
子４と接続されている。
上述した従来の過電流検出回路は、基準電圧発生回路１
にバンドギャップリファレンス回路を使ファレンス電圧
の温度特性が良いため、リファレンス電圧にダイオード
の順方向電圧を使用した場合に比べかなり改善はされて
いるが、出力トランジスタのオン抵抗ＲＯＭの温度依存
性があるため、充分とは言えない。
にバンドギャップリファレンス回路を使ファレンス電圧
の温度特性が良いため、リファレンス電圧にダイオード
の順方向電圧を使用した場合に比べかなり改善はされて
いるが、出力トランジスタのオン抵抗ＲＯＭの温度依存
性があるため、充分とは言えない。
従来の回路を用いて測定した過電流検出値Ｉｓの温度依
存性を示す特性図は、−例として、第６図に示される。
存性を示す特性図は、−例として、第６図に示される。
この場合、過電流検出回路ｓは、電源電圧Ｖ＝１２Ｖ、
オン抵抗几ＯＮ ＝ ０．１０とした時、１℃の温度変
化に対し０．４ ％変動するという温度依存性がある。
オン抵抗几ＯＮ ＝ ０．１０とした時、１℃の温度変
化に対し０．４ ％変動するという温度依存性がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、温度特性を出
力トランジスタのオン抵抗の温度特性に等しくして全体
としての温度依存性を少くした半導体集積回路を提供す
ることにある。
力トランジスタのオン抵抗の温度特性に等しくして全体
としての温度依存性を少くした半導体集積回路を提供す
ることにある。
本発明の構成は、出力トランジスタのオン抵抗の電圧降
下を被測定電圧とし、リファレンス電圧に対して比較器
で比較することによって前記出力トランジスタの過電流
状態を検出する半導体集積回路において、前記り７アレ
ンス電圧の発生回路が、温度依存性の小さい基準電圧発
生回路と、この基準電圧発生回路の出力電圧を複数のダ
イオードおよび分圧抵抗を直列接続した分圧回路とを備
え、前記出力トランジスタおよび前記ダイオードの温度
特性が補償されるようにしたことを特徴とする。
下を被測定電圧とし、リファレンス電圧に対して比較器
で比較することによって前記出力トランジスタの過電流
状態を検出する半導体集積回路において、前記り７アレ
ンス電圧の発生回路が、温度依存性の小さい基準電圧発
生回路と、この基準電圧発生回路の出力電圧を複数のダ
イオードおよび分圧抵抗を直列接続した分圧回路とを備
え、前記出力トランジスタおよび前記ダイオードの温度
特性が補償されるようにしたことを特徴とする。
次、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。本実施例は
、基準電圧発生回路１と、バッファ２と、抵抗Ｒ１，Ｒ
，と、比較器３と、温度補償用のｎ個のダイオードＤ！
〜Ｄｎと抵抗Ｒ３から構成される。
、基準電圧発生回路１と、バッファ２と、抵抗Ｒ１，Ｒ
，と、比較器３と、温度補償用のｎ個のダイオードＤ！
〜Ｄｎと抵抗Ｒ３から構成される。
次に、この回路の動作を簡単に説明する。まず、基準電
圧発生回路１の出力電圧ＶＢＧをバッファ２を熾して抵
抗Ｒ，，Ｒ２で分圧し、さらにその電圧をｎ個の温度補
償用のダイオードＤ１〜Ｄｎ と抵抗Ｒ３とで分圧し
て温度依存性を有するリファレンス電圧Ｖｒを得ている
。
圧発生回路１の出力電圧ＶＢＧをバッファ２を熾して抵
抗Ｒ，，Ｒ２で分圧し、さらにその電圧をｎ個の温度補
償用のダイオードＤ１〜Ｄｎ と抵抗Ｒ３とで分圧し
て温度依存性を有するリファレンス電圧Ｖｒを得ている
。
リファレンス電圧Ｖｒは抵抗Ｒ３が抵抗Ｒ１に比べ充分
大きいとき次式で計算される。
大きいとき次式で計算される。
ランジスタのオン抵抗ＲＯＭの１℃当υの相対変化うに
選ぶ。すなわち、ダイオードの段数ｎは次式で求められ
るＮに一番近い整数を選ぶ。
選ぶ。すなわち、ダイオードの段数ｎは次式で求められ
るＮに一番近い整数を選ぶ。
ここで、Ｒ１１凡２は分圧用抵抗、ｖｎｏは基準電圧発
生回路の出力電圧、ｎはダイオードの個数、ＶＦはダイ
オードの順方向電圧である。
生回路の出力電圧、ｎはダイオードの個数、ＶＦはダイ
オードの順方向電圧である。
また、リファレンス電圧ｖｒの温度係数は、（１）式を
温度Ｔで微分して次式となる。
温度Ｔで微分して次式となる。
ＨＩＯＮ
Ｔ
第２図はＮ型ＭＯ８ＦＥＴについて測定したオン抵抗Ｒ
ＯＭの温度特性図であシ、この場合の１℃当９の相対変
化率は１．０〔％／℃〕である。
ＯＭの温度特性図であシ、この場合の１℃当９の相対変
化率は１．０〔％／℃〕である。
第３図はダイオードの順方向電圧ＶＦの温度特従ってリ
ファレンス電圧Ｖｒの１’Ｃ当シの相対 ＝１．７
（ｍＶ／℃）である。
ファレンス電圧Ｖｒの１’Ｃ当シの相対 ＝１．７
（ｍＶ／℃）である。
変化率は次式となる。
リファレンス電圧Ｖｒが０．３ Ｖの場合は、（４）
式・・・・・・（３） この場合、ダイオードの段数ｎは（３）式が出カドより ＲＯＮ Ｔ となるからｎ＝２と選定すれば良い。
リファレンス電圧Ｖｒが０．３ Ｖの場合は、（４）
式・・・・・・（３） この場合、ダイオードの段数ｎは（３）式が出カドより ＲＯＮ Ｔ となるからｎ＝２と選定すれば良い。
リファレンス電圧Ｖｒを０．３ｖに設定するには、（１
）式でｎ ＝ ２とおき抵抗Ｒ１とＲ２の比を調整すれ
ば良い。
）式でｎ ＝ ２とおき抵抗Ｒ１とＲ２の比を調整すれ
ば良い。
第４図は本発明の第２の実施例の過電流検出回路の回路
図である。第２の実施例の過電流検出回路は、基準電圧
発生回路１と、バッファ２と、抵抗Ｒ１，Ｒ２と温度補
償用のｎ個のダイオードＤ。
図である。第２の実施例の過電流検出回路は、基準電圧
発生回路１と、バッファ２と、抵抗Ｒ１，Ｒ２と温度補
償用のｎ個のダイオードＤ。
〜Ｄｎとから構成される。
この例では、温度補償用のｎ個のダイオードをリファレ
ンス電圧設定用の抵抗Ｒ１，Ｒ２に対して直列に接続し
ておシ、第１の実施例の抵抗孔３が不要となる。
ンス電圧設定用の抵抗Ｒ１，Ｒ２に対して直列に接続し
ておシ、第１の実施例の抵抗孔３が不要となる。
以上説明したように本発明の過電流検出回路は、電源電
圧依存性の少ない基準電圧回路と温度補償回路とを組み
合せることによシ、電源電圧依存性および温度依存性の
良好な過電流検出を行うことが出来るという効果がある
。
圧依存性の少ない基準電圧回路と温度補償回路とを組み
合せることによシ、電源電圧依存性および温度依存性の
良好な過電流検出を行うことが出来るという効果がある
。
第１図は本発明の過電流検出回路の一実施例の回路図、
第２図は第１図の出力トランジスタのオン抵抗孔ＯＮの
温度特性図、第３図は第１図のダイオード順方向電圧ｖ
Ｆの温度特性図、第４図は本発明の第２の実施例の回路
図、第５図は従来の過電流検出回路の一例の回路図、第
６図は第５図の過電流検出値の温度特性図である。 ｌ・・・・・・基準電圧発生回路、２・・・・・・バッ
ファ、３・・・・・・比較器、４・・・・・・出力端子
、５・・・・・・過電流検出端子、ＤＩ−Ｄｎ・・・・
・−ダイオード、Ｑｌ・・・・・・出力トランジスタ、
几。〜１（１３・・・・・・抵抗。 代理人 弁理士 内 原 晋 ガ４度（てリ− ｆｆｉ２［］ 方 ４ 図
第２図は第１図の出力トランジスタのオン抵抗孔ＯＮの
温度特性図、第３図は第１図のダイオード順方向電圧ｖ
Ｆの温度特性図、第４図は本発明の第２の実施例の回路
図、第５図は従来の過電流検出回路の一例の回路図、第
６図は第５図の過電流検出値の温度特性図である。 ｌ・・・・・・基準電圧発生回路、２・・・・・・バッ
ファ、３・・・・・・比較器、４・・・・・・出力端子
、５・・・・・・過電流検出端子、ＤＩ−Ｄｎ・・・・
・−ダイオード、Ｑｌ・・・・・・出力トランジスタ、
几。〜１（１３・・・・・・抵抗。 代理人 弁理士 内 原 晋 ガ４度（てリ− ｆｆｉ２［］ 方 ４ 図
Claims (1)
- 出力トランジスタのオン抵抗の電圧降下を被測定電圧と
し、リファレンス電圧に対して比較器で比較することに
よって前記出力トランジスタの過電流状態を検出する半
導体集積回路において、前記リファレンス電圧の発生回
路が、温度依存性の小さい基準電圧発生回路と、この基
準電圧発生回路の出力電圧を複数のダイオードおよび分
圧抵抗を直列接続した分圧回路とを備え、前記出力トラ
ンジスタおよび前記ダイオードの温度特性が補償される
ようにしたことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241455A JP2797336B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241455A JP2797336B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287817A true JPH0287817A (ja) | 1990-03-28 |
| JP2797336B2 JP2797336B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=17074567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63241455A Expired - Fee Related JP2797336B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2797336B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315588A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-11-14 | Yazaki Corp | 電源供給制御装置 |
| US6392392B1 (en) * | 1999-03-01 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Over-current detecting circuit |
| US7248452B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-07-24 | Yazaki Corporation | Method of protecting semiconductor device and protection apparatus for semiconductor device using the same |
| WO2008126907A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-23 | Yazaki Corporation | 負荷回路の過電流保護装置 |
| CN103852628A (zh) * | 2012-11-28 | 2014-06-11 | 深圳市海洋王照明工程有限公司 | 一种过压保护电路及其过压检测电路 |
| JP2019208092A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | ローム株式会社 | 半導体集積回路、オーディオ出力装置、電子機器および過電流保護方法 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63241455A patent/JP2797336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315588A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-11-14 | Yazaki Corp | 電源供給制御装置 |
| US6392392B1 (en) * | 1999-03-01 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Over-current detecting circuit |
| US7248452B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-07-24 | Yazaki Corporation | Method of protecting semiconductor device and protection apparatus for semiconductor device using the same |
| WO2008126907A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-23 | Yazaki Corporation | 負荷回路の過電流保護装置 |
| JP2008263278A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Yazaki Corp | 負荷回路の過電流保護装置 |
| US8089742B2 (en) | 2007-04-10 | 2012-01-03 | Yazaki Corporation | Overcurrent protection apparatus for load circuit |
| CN103852628A (zh) * | 2012-11-28 | 2014-06-11 | 深圳市海洋王照明工程有限公司 | 一种过压保护电路及其过压检测电路 |
| JP2019208092A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | ローム株式会社 | 半導体集積回路、オーディオ出力装置、電子機器および過電流保護方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2797336B2 (ja) | 1998-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |