JPH0287879A - 撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高解像度の撮像装置、特に、記憶機能を備えて
いるような高解像度を有する撮像装置に関する。

（従来の技術） 被写体の光学像を撮像装置により撮像して得た映像信号
は、編集、トリミング、その他の画像信号処理が容易で
あるとともに、既記録信号を消去できる可逆性を有する
記録部材を使用して記録再生が容易に行えるという特徴
を有しているが、映像信号の発生のために従来から一般
的に使用されて来ている撮像装置は、撮像レンズによっ
て撮像素子における光電変換部に結像された被写体の光
学像を、撮像素子の光電変換部で被写体の光学像に対応
する電気的な画像情報に変換し、その電気的な画像情報
を時間軸上で直列的な映像信号として出力させうるよう
な構成形態のものであり、撮像装置の構成に当っては前
記した撮像素子として従来から各種の撮像管や各種の固
体撮像素子が使用されていることは周知のとおりである
。

（発明が解決しようとする問題点） さて、近年になって高画質・高解像度の再生画像に対す
る要望が高まるのに応じて、テレビジョン方式について
も、いわゆるＨＤＴＶ、ＨＤＴＶなどの新しい諸方式が
提案されて来ていることも周知のとおりである。

ところで、高画質・高解像度の再生画像が得られるよう
にするためには、高画質・高解像度の再・生画像を再生
させうるような映像信号を発生させることのできる撮像
装置が必要とされるが、撮像素子として撮像管が使用さ
れている撮像装置においては、撮像管における電子ビー
ム径の微小化に限界があるために、電子ビーム径の微小
化による高解像度化が望めないこと、及び、撮像管のタ
ーゲット容量はターゲット面積と対応して増大するもの
であるために、ターゲット面積の増大による高解像度化
も実現することができないこと、また、例えば動画の撮
像装置の場合には高解像度化に伴って映像信号の周波数
帯域が数十Ｍ　Ｈｚ〜数百ＭＨｚ以上にもなるためにＳ
／Ｎの点で問題になる、等の理由によって、撮像装置に
より高画質・高解像度の再生画像を再生させつるような
映像信号を発生させることは困難である。

前記の点を具体的に説明すると次のとおりである。すな
わち、撮像素子として撮像管が使用されている撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよう
な映像信号を発生させるのには、撮像管における電子ビ
ーム径を微小化したす、ターゲットとして大面積のもの
を使用したりすることが考えられるが、撮像管の電子銃
の性能。

及び集束系の構造などにより撮像管の電子ビーム径の微
小化には限界があるために電子ビーム径の微小化による
高解像度化には限界があり、また、撮像イメージサイズ
の大きな撮像レンズを使用した上で、ターゲットの面積
の増大によって高解像度を得ようとした場合には、ター
ゲット面積の増大による撮像管のターゲット容量の増大
による撮像管の出力信号における高域信号成分の低下に
よって、撮像管出力信号のＳ／Ｈの低下が著るしくなる
ことにより、撮像管を使用した撮像装置によっては高画
質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信号
を良好に発生させることはできないのである。

また、撮像素子として固体撮像素子を使用した撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させるのには
１画素数の多い固体撮像素子を使用することが必要とさ
れるが、画素数の多い固体撮像素子はそれを駆動するた
めのクロックの周波−数が高くなる（例えば、動画カメ
ラの場合における固体撮像素子の駆動のためのクロック
の周波数は数百ＭＨｚとなる）とともに、駆動の対象に
されている回路の静電容量値は画素数の増大によって大
きくなっているために、そのような固体撮像装置は、固
体撮像素子のクロックの周波数の限界が２０ＭＨｚとい
われている現状からすると実用的なものとして構成でき
ないと考えられる。

このように、従来の撮像装置はそれの構成のために使用
される撮像素子が高画質・高解像度の再生画像を再生さ
せうるような映像信号を良好に発生させ難いものであっ
たために、高画質・高解像度の再生画像を再生させうる
ような映像信号を発生できる撮像装置を容易に提供する
ことができなかった。

また、従来の撮像装置で使用されている撮像素子は、記
録の対象にされる光情報を光電変換して発生させた電気
信号が映像信号として送出された後に、被写体の新らた
な光学像と対応する映像信号が発生されうるような構成
のものであって、順次の被写体像と対応して発生された
電気信号を記憶しておく機能は撮像装置自体には有して
いなかったから、従来、撮像によって得た電気的な情報
信号を記録しておくことが必要とされる場合には、撮像
装置によって発生された映像信号を例えば磁気録画装置
を用いるなどして記録しておくようにされていたが、撮
像内容が記録されていることは種々の点で有益なために
、撮像装置自体に記憶機能を有するような装置の出現が
待望された。

前記のような問題点を解決しうる撮像装置として、本出
願人会社では先に所定の電圧が与えられている２つの電
極の間に配置された少なくとも光導電層部材及び電荷保
持層部材とにおける光導電層部材に、撮像レンズにより
被写体の光学像を結像させて、被写体の光学像と対応し
ている電荷潜像を電荷保持層部材に形成させる手段と、
電荷保持層部材における前記の電荷潜像の形成部分から
被写体の光学像と対応している電荷潜像を読出して映像
信号を発生させる手段とを備えてなる撮像装置を提案し
た。

第１図においてＥｔは透明電極、Ｅは電極、ＰＣＬは光
導電層部材、ＣＭＬは電荷保持層部材、Ｖｓは電源であ
って、前記した各構成部分は光−電荷変換部を構成して
おり、前記の透明電極Ｅｔと電極８間に接続されている
電源Ｖｓにより前記した透明電極Ｅｔと電極Ｅとの間に
は所定の電界が発生されるようになされている。前記の
構成部分は適当な構成の暗箱に収容されて、光導電層部
材ＰＣＬに不要な外光が当らないようにする。

前記した透明電極Ｅしは、撮像の対象にされるべき光情
報の波長帯の光が透過しうるような分光透過特性を有す
るような透明電極（例えば、ＩＴＯ）として構成されて
おり、また、前記した光導電層部材ＰＣＬとしてはそれ
の一方の端面に高精細度の光学像が与えられた場合に、
適当な強度の電界の印加の下において、他方の端面に対
して高精細度の電荷潜像を発生させることができるよう
な特性を有する光導電体材料（例えば、アモルファス・
シリコン）を用いて作られたものが使用され、さらに、
前記した電荷保持層部材ＣＭＬとしては、それの表面に
付着形成された電荷潜像が長期間にわたりそのままのパ
ターンで残留しうるような高い絶縁抵抗値を有する材料
（例えば、シリコン樹脂）で作られたものが使用される
。

前記した電荷保持層部材ＣＭＬは、それの形状が円盤状
、テープ状、あるいはシート状等、任意の形状とするこ
とができ、何れの場合であっても前記した電荷保持層部
材ＣＭＬは予め定められた移送の態様で移送されるよう
になされているのである。

撮像レンズＬを介して光−電荷変換部の透明電極Ｅｔ側
に入射した光束が光−電荷変換部における透明電極Ｅｔ
を透過して光導電層部材ＰＣＬに入射すると、光導電層
部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに入射した光束の光量に
応じて変化するから。

光電体層部材ＰＣＬの各部の電気抵抗値は被写体の各部
の光量と対応して変化している状態になる。

そして光−電荷変換部における透明電極Ｅｔと電極Ｅと
の間には既述のように１！源Ｖｓによって所定の電圧が
与えられているから、前記した光電体層部材ＰＣＬと対
向するように設けられている電荷保持層部材ＣＭＬには
、光電体層部材ＰＣＬにおける電気抵抗値の変化の状態
と対応している電荷が付着されることになり、電荷保持
層部材ＣＭＬには被写体の光学像と対応している電荷潜
像が形成されるのである。

第３図は光−電荷変換部に与えられた露光量、すなわち
、（面照度Ｘ照射時間）の変化と対応して電荷保持層部
材ＣＭＬに生じる電荷潜像によって電荷保持層部材ＣＭ
Ｌの表面電位がどのように変化するのかを示す曲線図で
あり、電荷保持層部材ＣＭＬには露光量とは無関係にか
ぶり電圧が存在している。

前記のようにして電荷保持層部材ＣＭＬの表面に順次に
形成された完全な１枚づつの電荷潜像は、光導電層部材
ＰＣＬに与えられた記録の対象にされる光情報における
各部の光量に対応した電荷量を有する電荷潜像であって
、その電荷潜像は充分に高い解像度を有する光導電層部
材ＰＣＬと対応する高い精細度を有するものになってい
るから、第２図に例示されているように被写体の光学像
と対応している電荷潜像が形成された電荷保持層部材Ｃ
ＭＬを、電荷保持層部材ＣＭＬにおける電荷潜像の形成
部分を電荷潜像の読出し部まで移動させ、電荷潜像の読
出し部で高い分解能を有する電荷潜像の読出し手段によ
って読出すことにより、極めて高い精細度の再生像を再
現できるような映像信号を発生させることができる。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、高い分解能を有する電荷潜像の読出し手段に
よって電荷保持層部材ＣＭＬから読出された電荷潜像と
対応する映像信号には光学的な黒が無い状態になってい
るために、例えば、その映像信号をモニタ受像機によっ
て映出してもコントラスト比の小さな画像しか得られな
い。

この点について第８図乃至第１２図を参照して説明する
と次のとおりである。第１１図及び第１２図は電荷潜像
が形成された電荷保持層部材ＣＭＬにおける電荷潜像の
電荷量と対応して光量の変化を示す光が発生できるよう
にした構成配置を例示したもので、この第１１図及び第
１２図においてＰＱはレーザ光、１０は偏光子、１１は
検光子。

１２は波長板、１３は光変調材（例えば、印加された電
圧によって光の状態を変化させうるような特性を示す電
気光学効果を有するニオブ酸すチュウム単結晶、あるい
は電界散乱効果を示すネマチック液晶）を含んで構成さ
れている読取り素子であり、第１２図における１４はビ
ームスプリッタである。

第１１図は電荷保持層部材ＣＭＬにおける電荷潜像の電
荷量と対応して光量の変化を示す光が電荷保持層部材Ｃ
ＭＬの透過光として得られるようにした場合の構成例で
あり、また第１２図は電荷保持層部材ＣＭＬにおける電
荷潜像の電荷量と対応して光量の変化を示す光が電荷保
持層部材ＣＭＬに接近して配置されている例えば第８図
に例示されているような構成を有する読取り素子の反射
光として得られるようにした場合の構成例であって、第
８図に示す読取り素子１３においてＥｔｒは透明電極、
ＰＭＬは光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶
）、ＤＭＬは誘電体ミラーである。

さて、光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）
を含んで構成されている読取り素子１３における光変調
材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）には電荷保持
層部材ＣＭＬの電荷潜像による電界Ｖｍが印加されてい
るから、読取り素子１３の光変調材層（例えば、ニオブ
酸リチウム単結晶）を通過する光は、前記した光変調材
層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）に印加されてい
る電界に対応して光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウ
ム単結晶）に生じた一次電気光学効果によって偏光面が
変化するから、読取り素子１３に入射するレーザ光ＰＱ
を偏光素子１ｏによって直線偏光としておくと、読取り
素子１３から出射したレーザ光の偏光面は読取り素子１
３における光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結
晶）に対して電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像から印加
されている電界Ｖｍの大きさに応じて変化しているもの
になる。

それで、読取り素子１３から出射したレーザ光を検光子
１１に通過させることにより検光子１１からの８射光の
強度（第９図乃至第１２図中の光量Ｉ　）は電荷保持層
部材ＣＭＬの電荷潜像の電荷量と対応しているものにな
るから、この電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像の電荷量
と対応して光量が変化している光を光電変換することに
より電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像に対応する映像信
号が得られる。

ところで、前記した読取り素子１３における光変調材層
（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）の印加電圧Ｖｍと
一次電気光学効果との関係は、光変調材層（例えば、ニ
オブ酸リチウム単結晶）の印加電圧Ｖｍと、光変調材層
（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）を通過した光をさ
らに検光子を通過させた光の光量工とについて示すと第
９図に例示されるようなものとなる。

また、第１０図は読取り素子１３における光変調材層と
して液晶を使用して構成されている読取り素子からの出
力光をさらに検光子を通過させた光の光ｉＩと、液晶に
印加された電圧Ｖｍとの関係とを例示したものである。

第９図及び第１０図中で図中の縦方向に時間軸が示され
ている波形は電荷潜像によって光変調材層に印加された
電圧の変化波形を示しており、また、第９図及び第１０
図中の横方向に時間軸が示されている波形は電荷潜像に
よって光変調材層に印加された電圧の変化と対応して光
量が変化している検光子からの出力光を示している。

第９図及び第１０図を参照すれば判かるように。

電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像の電荷址と対応して光
量が変化している光は、電荷潜像の黒レベルが光学的な
情報の黒レベルとはなっていないから、この光を光電変
換して得た映像信号をモニタ受像機によって映出しても
コントラスト比の小さな画像しか得られない。

（問題点を解決するための手段） 本発明は所定の電圧が与えられている２つの電極の間に
配置された少なくとも光導電層部材及び電荷保持層部材
とにおける光導電層部材に、撮像レンズにより被写体の
光学像を結像させて、被写体の光学像と対応している電
荷潜像を電荷保持層部材に形成させる手段と、電荷保持
層部材における前記の電荷潜像の形成部分から被写体の
光学像と対応している電荷潜像を読出して映像信号を発
生させる手段とを備えてなる撮像装置において。

被写体の光学像における黒の部分と対応する電荷潜像を
読出して発生させた映像信号の信号レベルを映像信号の
黒レベルに設定するようにした撮像装置、及び所定の電
圧が与えられている２つの電極の間に配置された少なく
とも光導電層部材及び電荷保持層部材とにおける光導電
層部材に、撮像レンズにより被写体の光学像を結像させ
て、被写体の光学像と対応している電荷潜像を電荷保持
層部材に形成させる手段と、電荷保持層部材における前
記の電荷潜像の形成部分から被写体の光学像と対応して
いる電荷潜像を読出して映像信号を発生させる手段とを
備えてなる撮像装置において。

電荷保持層部材の記録領域における少なくとも一辺に光
学的な黒と対応する電荷潜像の形成部を設定しておき、
前記した光学的な黒と対応する電荷潜像の形成部の電荷
潜像を映像信号における帰線消去期間に読出して得た情
報を基準として映像信号の黒レベルを設定するようにし
た撮像装置を提供する。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の具体的な
内容について詳細に説明する。本発明の撮像装置は光学
情報を光−電荷変換部における電荷保持層部材ＣＭＬに
電荷潜像として記録した後に、電荷保持層部材ＣＭＬに
記録されている電荷潜像を、電荷潜像の読出し部におい
て高い分解能を有する電荷潜像の読出し手段により読出
すことにより、極めて高い精細度の再生像を再現できる
ような映像信号を発生させうるように構成されるもので
あるが、光−電荷変換部としては例えば第１図に示され
ているような構成のものが使用できる。

既述もしたように第１図に示されている光−電荷変換部
は、透明電極Ｅｔ、電極Ｅ、光導電層部材ＰＣＬ、電荷
保持層部材ＣＭＬ、スイッチＳＷ、電源Ｖｓなどの各構
成部分で構成されていて、前記の透明電極Ｅｔと電極Ｅ
間にスイッチＳＷを介して接続されている電源Ｖｓによ
って前記した透明電極Ｅｔと電極Ｅとの間に所定の電界
が発生されるようになされており、また、前記の構成部
分は適当な構成の暗箱に収容されて、光導電層部材ＰＣ
Ｌに不要な外光が当らないようにされている。

０５７記した透明電極Ｅｔは、撮像の対象にされるべき
光情報の波長帯の光が透過しつるような分光透過特性を
有するような透明電極（例えば、ＩＴＯ）であり、また
、前記した光導電層部材ＰＣＬとしてはそれの一方の端
面に高精細度の光学像が与えられた場合に、適当な強度
の電界の印加の下において、他方の端面に対して高精細
度の電荷潜像を発生させることができるような特性を有
する光導電体材料（例えば、アモルファス・シリコン）
で構成されたものが使用され、さらに、前記した電荷保
持層部材ＣＭＬとしては、それの表面に付着形成された
電荷潜像が長期間にわたりそのままのパターンで残留し
うるような高い絶縁抵抗値を有する材料（例えば、シリ
コン樹脂）で作られたものを使用できる。

前記した電荷保持層部材ＣＭＬは、それの形状が円盤状
、テープ状、あるいはシート状等、任意の形状とするこ
とができ、何れの場合であっても前記した電荷保持層部
材ＣＭＬは予め定められた移送の態様で移送されるよう
になされているのである。

撮像レンズＬを介して光−電荷変換部の透明電極Ｅｔ側
に入射した光束が光−電荷変換部における透明電極Ｅｔ
を透過して光導電層部材ＰＣＬに入射すると、光導電層
部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに入射した光束の光量に
応じて変化するから。

光電体層部材ＰＣＬの各部の電気抵抗値は被写体の各部
の光量と対応して変化している状態になる。

そして光−電荷変換部における透明電極ＥｔとｓＨ極Ｅ
との間には既述のようにスイッチＳＷを介して電源Ｖｓ
によって所定の電圧が与えられているから、前記した光
電体層部材ＰＣＬと対向するように設けられている電荷
保持層部材ＣＭＬには、光電体層部材ＰＣＬにおける電
気抵抗値の変化の状態と対応している電荷が付着される
ことになり、電荷保持層部材ＣＭＬには被写体の光学像
と対応している電荷潜像が形成される。

第２図は前記のようにして被写体の光学像と対応してい
る電荷潜像が形成されている電荷保持層部材ＣＭＬを例
示したものであるが、第４図は被写体の光学像と対応し
ている電荷潜像が形成される°記録領域１に隣接して光
学的な黒と対応する電荷潜像の形成部２を設定しである
電荷保持層部材ＣＭＬを例示したものである。

そして、前記した第４図に例示した電荷保持層部材ＣＭ
Ｌに設定された光学的な黒と対応する電荷潜像の形成部
２には、光学的な黒と対応する電荷潜像を予め形成させ
ておくのである。

電荷保持層部材ＣＭＬに設定された光学的な黒と対応す
る電荷潜像の形成部２に、光学的な黒と対応する電荷潜
像を形成させる手段としては、例えば被写体Ｏの撮像時
に、前記した電荷保持層部材ＣＭＬにおける光学的な黒
と対応する電荷潜像の形成部２に対して光が照射される
ことがないようにする遮光パターンを光導電層部材ＰＣ
Ｌまでの光路中に設けたり、あるいは例えば電荷保持層
部材ＣＭＬにおける光学的な黒と対応する電荷潜像の形
成部２に光学的な黒と対応する一定の電位を与えるため
の電極を設けたりする手段が採用できる。

前記した光学的な黒と対応する電荷潜像の形成部２の電
荷潜像は、後述のように映像信号における帰線消去期間
に読出されて、それが映像信号の黒レベルの設定の基準
として用いられるのである。

前記のようにして電荷保持層部材ＣＭＬの表面に順次に
形成された完全な１枚づつの電荷潜像は、光導電層部材
ＰＣＬに与えられた記録の対象にされる光情報における
各部の光量に対応した電荷量を有する電荷潜像であって
、その電荷潜像は充分に高い解像度を有する光導電層部
材ＰＣＬと対応する高い精細度を有するものになってい
るから、第２図あるいは第４図に例示されているように
被写体の光学像と対応している電荷潜像が形成された電
荷保持層部材ＣＭＬを、電荷保持層部材ＣＭＬにおける
電荷潜像の形成部分を電荷潜像の読出し部まで移動させ
、電荷潜像の読出し部で高い分解能を有する電荷潜像の
読出し手段によって読出すことにより、極めて高い精細
度の再生像を再現できるような映像信号を発生させるこ
とができる。

第２図あるいは第４図に示されている電荷保持層部材Ｃ
ＭＬにおける電荷潜像の形成部分を電荷潜像の読出し部
まで移動させた後に電荷潜像の読出し部で行われる電荷
潜像の読出し動作は、例えば第１１図及び第１２図を参
照して既述したような構成を有する読出し部を用いるこ
とによって行うことができる。

電荷潜像が形成された電荷保持層部材ＣＭＬにおける電
荷潜像の電荷量と対応して光量の変化を示す光が発生で
きるような構成配置を有する第１１図及び第１２図にお
いてＰＱはレーザ光、１０は偏光子、１１は検光子、１
２は波長板、１３は光変調材（例えば、印加された電圧
によって先の状態を変化させうるような特性を示す電気
光学効果を有するニオブ酸すチュウム単結晶、あるいは
電界散乱効果を示すネマチック液晶）を含んで構成され
ている読取り素子をそれぞれ示している。

なお、第１２図における１４はビームスプリッタである
。

第１１図は電荷保持層部材ＣＭＬにおける電荷潜像の電
荷量と対応して光量の変化を示す光が電荷保持層部材Ｃ
ＭＬの透過光として得られるようにした場合の構成例で
あり、また第１２図は電荷保持層部材ＣＭＬにおける電
荷潜像の電荷量と対応して光量の変化を示す光が電荷保
持層部材ＣＭＬに接近して配置されている例えば第８図
に例示されているような構成を有する読取り素子の反射
光として得られるようにした場合の構成例であって、第
８図に示す読取り素子１３においてＥｔｒは透明電極、
ＰＭＬは光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶
）、ＤＭＬは誘電体ミラーである。

さて、光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）
を含んで構成されている読取り素子１３における光変調
材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）には電荷保持
層部材ＣＭＬの電荷潜像による電界Ｖｍが印加されてい
るから、読取り素子１３の光変調材層（例えば、ニオブ
酸リチウム単結晶）を通過する光は、前記した光変調材
層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）に印加されてい
る電界に対応して光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウ
ム単結晶）に生じた一次電気光学効果によって偏光面が
変化する。

それで、読取り素子１３に入射するレーザ光ＰＱを偏光
素子１０によって直線偏光としておくと、読取り素子１
３から出射したレーザ光の偏光面は読取り素子１３にお
ける光変調材層（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶）に
対して電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像から印加されて
いる電界Ｖｍの大きさに応じて変化しているものになる
。

そして、読取り素子１３から出射したレーザ光を検光子
１１に通過させることにより検光子１１からの出射光の
強度（第９図乃至第１２図中の光量■　）は電荷保持層
部材ＣＭＬの電荷潜像の電荷量と対応しているものにな
るから、この電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像の電荷量
と対応して光量が変化している光を光電変換することに
より電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像に対応する映像信
号が得られる。

読取り索子１３における光変調材層がニオブ酸リチウム
単結晶の場合における光変調材層の印加電圧Ｖｍと、光
変調材層を通過した光をさらに検光子を通過させた光の
光量Ｉとの関係は第９図に例示されるようなものであり
、また、読取り素子１３における光変調材層が液晶の場
合における光変調材層の印加電圧Ｖｍと、光変調材層を
通過した光をさらに検光子を通過させた光の光量工との
関係は第１０図に例示されるようなものであるから、電
荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像の電荷量と対応して光量
が変化している光は、電荷潜像の黒レベルが光学的な情
報の黒レベルになっていないことは既述もしたとおりで
あり、前記の光を光電変換して得た映像信号をモニタ受
像機によって映出してもコントラスト比の小さな画像し
か得られないのである。

そこで本発明の撮像装置では第１１図及び第１２図を参
照して説明したような構成の読取り部において電荷保持
層部材ＣＭＬの電荷潜像の電荷量と対応して光量が変化
している光を発生させた後に、その光を光電変換するこ
とにより電荷保持層部材ＣＭＬの電荷潜像に対応する映
像信号Ｓ１に変換してから、その映像信号Ｓ１の黒レベ
ルを被写体の光学像における黒の部分と対応する電荷潜
像を読出して発生させた映像信号の信号レベルに設定す
るようにしたり、あるいは第４図中で図面符号２で示さ
れているような電荷保持層部材の記録領域１における少
なくとも一辺に設定した光学的な黒と対応する電荷潜像
の形成部２の電荷潜像を映像信号における帰線消去期間
に読出して得た情報を基準として映像信号Ｓ１の黒レベ
ルを設定するようにしているのである。

第６図及び第７図は映像信号Ｓ１の黒レベルの設定回路
の構成例を示すブロック図であって、まず、第６図に例
示されている回路配置では、前記した映像信号Ｓ１がク
ランプ回路９に供給されることにより映像信号Ｓ１にお
ける黒レベルがクランプ回路９において信号発生回路（
ＳＧ）８から供給されたクランプパルスＳ３によって電
圧Ｖｃに設定されるような構成のものにしである。なお
、信号発生回路（ＳＧ）８から送出されている信号Ｓｃ
は撮像装置の他の構成部分の制御に使用されているタイ
ミング信号、制御信号などを示しており。

この点は第７図についても同様である。

とサンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）７とに供給されてい
るが、前記のサンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）７は、信
号発生回路（ＳＧ）８から送出されているサンプリング
パルスＰ１によって、映像信号Ｓｌ中の帰線消去期間に
存在している光学的な黒と対応する信号レベル、すなわ
ち、第４図中で図面符号２で示されている電荷保持層部
材の記録領域１における少なくとも一辺に設定した光学
的な黒と対応する電荷潜像の形成部２の電荷潜像による
信号を帰線消去期間に読出してそれをホールドして、信
号Ｐ２として黒レベル発生回路６に供給し、黒レベル発
生回路６から減算回路４に減数信号とし０゛被被減数帯
として供 給されているから、減算回路４からは前記した映像信号
Ｓ１の黒レベルが、第４図中で図面符号２で示されてい
る電荷保持層部材の記録領域１における少なくとも一辺
に設定した光学的な黒と対応する電荷潜像の形成部２の
電荷潜像による信号を基準として設定されることになる
。前記の動作は第５図に示されている各信号の波形図を
参照すれば容易に理解できるであろう。

前記した第６図及び第７図にそれぞれ示されている回路
配置から出力端子５に送出される出力映像信号は、光学
的な黒と対応する黒レベルが設定されているものになり
、それをモニタ受像機に供給すればコントラスト比の大
きな再生画像がデイスプレィ上に映出できることは明ら
かである。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明の撮像装置は所定の電圧が与えられている２つの電極
の間に配置された少なくとも光導電層部材及び電荷保持
層部材とにおける光導電層部材に、撮像レンズにより被
写体の光学像を結像させて、被写体の光学像と対応して
いる電荷潜像を電荷保持層部材に形成させる手段と、電
荷保持層部材における前記の電荷潜像の形成部分から被
写体の光学像と対応している電荷潜像を読出して映像信
号を発生させる手段とを備えてなる撮像装置において、
被写体の光学像における黒の部分と対応する電荷潜像を
読出して発生させた映像信号の信号レベルを映像信号の
黒レベルに設定するようにした撮像装置、及び所定の電
圧が与えられている２つの電極の間に配置された少なく
とも光導電層部材及び電荷保持層部材とにおける光導電
層部材に、撮像レンズにより被写体の光学像を結像させ
て、被写体の光学像と対応している電荷潜像を電荷保持
層部材に形成させる手段と、電荷保持層部材における前
記の電荷潜像の形成部分から被写体の光学像と対応して
いる電荷潜像を読出して映像信号を発生させる手段とを
備えてなる撮像装置において、電荷保持層部材の記録領
域における少なくとも一辺に光学的な黒と対応する電荷
潜像の形成部を設定しておき、前記した光学的な黒と対
応する電荷潜像の形成部の電荷潜像を映像信号における
帰線消去期間に読出して得た情報を基準として映像信号
の黒レベルを設定するようにした撮像装置であるから、
この本発明の撮像装置では。

光学的な黒と対応する黒レベルが設定されている映像信
号を発生できるのであり、この映像信号をモニタ受像機
に供給すればコントラスト比の大きな再生画像がデイス
プレィ上に映出でき、本発明によれば既述した従来の問
題点は良好に解決できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は撮像装置における光−電荷変換部の構成例を示
すブロック図、第２図及び第４図は電荷保持部材におけ
る電荷潜像を例示した図、第３図及び第９図ならびに第
１０図は説明用の特性曲線側図、第５図は信号の波形側
図、第６図及び第７図は黒レベル設定回路の構成例を示
すブロック図。 第８図は読取り素子の構成例を示すブロック図、第１１
図及び第１２図は読取り部の構成例を示すブロック図で
ある。 Ｅｔ・・・透明電極、Ｅ・・・電極、ＰＣＬ・・・光導
電層部材、ＣＭＬ・・・電荷保持層部材、ｖｓ・・・電
源。 ＳＷ・・・スイッチ、Ｌ・・・撮像レンズ、ＰＱ・・・
レーザ光、１０・・・偏光子、１１・・・検光子、１２
・・・波長板。 １３・・・光変調材、１４・・・ビームスプリッタ、Ｅ
ｔｒ・・・透明電極、ＰＭＬ・・・光変調材層、ＤＭＬ
・・・誘電体ミラー、Ｖｍ・・・電界、■・・・検光子
を通過゛した光の光量、１・・・被写体の光学像と対応
している電荷潜像が形成される記録領域、２・・・光学
的な黒と対応する電荷潜像の形成部、　　　　゛備壬紐
壬住占Ｌ４・・・減算回路、５・・・出力端子。 ６・・・黒レベル発生回路、７・・・サンプルホールド
回路（Ｓ　／Ｈ）、８・・・信号発生回路（Ｓ　Ｇ）、
９・・クランプ回路、 特許出願人　　日本ビクター株式会社 ノｈ１吻＼ 代理人弁理士今間孝生Ｌｃ・′５．゛ 丈　ｌ。 石

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、所定の電圧が与えられている２つの電極の間に配置
   された少なくとも光導電層部材及び電荷保持層部材とに
   おける光導電層部材に、撮像レンズにより被写体の光学
   像を結像させて、被写体の光学像と対応している電荷潜
   像を電荷保持層部材に形成させる手段と、電荷保持層部
   材における前記の電荷潜像の形成部分から被写体の光学
   像と対応している電荷潜像を読出して映像信号を発生さ
   せる手段とを備えてなる撮像装置において、被写体の光
   学像における黒の部分と対応する電荷潜像を読出して発
   生させた映像信号の信号レベルを映像信号の黒レベルに
   設定するようにした撮像装置２、所定の電圧が与えられ
   ている２つの電極の間に配置された少なくとも光導電層
   部材及び電荷保持層部材とにおける光導電層部材に、撮
   像レンズにより被写体の光学像を結像させて、被写体の
   光学像と対応している電荷潜像を電荷保持層部材に形成
   させる手段と、電荷保持層部材における前記の電荷潜像
   の形成部分から被写体の光学像と対応している電荷潜像
   を読出して映像信号を発生させる手段とを備えてなる撮
   像装置において、電荷保持層部材の記録領域における少
   なくとも一辺に光学的な黒と対応する電荷潜像の形成部
   を設定しておき、前記した光学的な黒と対応する電荷潜
   像の形成部の電荷潜像を映像信号における帰線消去期間
   に読出して得た情報を基準として映像信号の黒レベルを
   設定するようにした撮像装置