JPH0524706B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は動画カメラ、静止画カメラ（シヤツタ
カメラ）等の撮像装置、特に、高解像度を有する
撮像装置に関する。

（従来の技術） 被写体の光学像を撮像装置により撮像して得た
映像信号は、編集、トリミング、その他の画像信
号処理が容易であるとともに、既記録信号を消去
できる可逆性を有する記録部材を使用して記録再
生が容易に行えるという特徴を有しているが、映
像信号の発生のために従来から一般的に使用され
て来ている撮像装置は、撮像レンズによつて撮像
素子における光電変換部に結像された被写体の光
学像を、撮像素子の光電変換部で被写体の光学像
に対応する電気的な画像情報に変換し、その電気
的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号とし
て出力させうるような構成形態のものであり、撮
像装置の構成に当つては前記した撮像素子として
従来から各種の撮像管や各種の固体撮像素子が使
用されていることは周知のとおりである。

（発明が解決しようとする問題点） さて、近年になつて高画質・高解像度の再生画
像に対する要望が高まるのに応じて、テレビジヨ
ン方式についても、いわゆるEDTV、HDTVな
どの新しい諸方式が提案されて来ていることも周
知のとおりである。

ところで、高画質・高解像度の再生画像が得ら
れるようにするためには、高画質・高解像度の再
生画像を再生させうるような映像信号を発生させ
ることのできる撮像装置が必要とされるが、撮像
素子として撮像管が使用されている撮像装置にお
いては、撮像管における電子ビーム径の微小化に
限界があるために、電子ビーム径の微小化による
高解像度化が望めないこと、及び、撮像管のター
ゲツト容量はターゲツト面積と対応して増大する
ものであるために、ターゲツト面積の増大による
高解像度化も実現することができないこと、ま
た、例えば動画の撮像装置の場合には高解像度化
に伴つて映像信号の周波数帯域が数＋ＭHz〜数百
ＭHz以上にもなるためにＳ／Ｎの点で問題にな
る、等の理由によつて、撮像装置により高画質・
高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を発生させることは困難である。

前記の点を具体的に説明すると次のとおりであ
る。すなわち、撮像素子として撮像管が使用され
ている撮像装置により高画質・高解像度の再生画
像を再生させうるような映像信号を発生させるの
には、撮像管における電子ビーム径を微小化した
り、ターゲツトとして大面積のものを使用したり
することが考えられるが、撮像管の電子銃の性
能、及び集束系の構造などにより撮像管の電子ビ
ーム径の微小化には限界があるために電子ビーム
径の微小化による高解像度化には限界があり、ま
た、撮像イメージサイズの大きな撮像レンズを使
用した上で、ターゲツトの面積の増大によつて高
解像度を得ようとした場合には、ターゲツト面積
の増大による撮像管のターゲツト容量の増大によ
る撮像管の出力信号における高域信号成分の低下
によつて、撮像管出力信号のＳ／Ｎの低下が著る
しくなることにより、撮像管を使用した撮像装置
によつては高画質・高解像度の再生画像を再生さ
せうるような映像信号を良好に発生させることは
できないのである。

また、撮像素子として固体撮像素子を使用した
撮像装置により高画質・高解像度の再生画像を再
生させるのには、画素数の多い固体撮像素子を使
用することが必要とされるが、画素数の多い固体
撮像素子はそれを駆動するためのクロツクの周波
数が高くなる（例えば、動画カメラの場合におけ
る固体撮像素子の駆動のためのクロツクの周波数
は数百ＭHzとなる）とともに、駆動の対象にされ
ている回路の静電容量値は画素数の増大によつて
大きくなつているために、そのような固体撮像装
置は、固体撮像素子のクロツクの周波数の限界が
20MHzといわれている現状からすると実用的なも
のとして構成できないと考えられる。

このように、従来の撮像装置はそれの構成のた
めに不可欠な撮像素子の存在によつて、高画質・
高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を良好に発生させることはできなかつたのであ
り、それの改善策が求められた。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、２つの透明電極の間に少なくとも光
導電層部材と光変調材層部材とを備えて構成され
た光−光変換素子に対して、撮像レンズによつて
被写体の光学像を結像させる手段と、前記した光
−光変換素子から光を用いて被写体の光学像と対
応する光学像情報を読出す手段と、前記の光−光
変換素子から読出された光学情報を、少なくとも
光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成さ
れている光−電荷変換素子に入射させる手段とを
備えた撮像装置及び２つの透明電極の間に少なく
とも光導電層部材と光変調材層部材とを備えて構
成された光−光変換素子に対して、撮像レンズに
よつて被写体の光学像を結像させる手段と、前記
した光−光変換素子から光を用いて被写体の光学
像と対応する光学像情報を読出す手段と、少なく
とも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構
成されている光−電荷変換素子と、前記の光−電
荷変換素子に対して前記の光−光変換素子から読
出された光学情報とともに、フオログラム形成用
の参照光をも入射させる手段とを備えた撮像装置
を提供するものである。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の
具体的な内容について詳細に説明する。第１図乃
至第３図は本発明の撮像装置の実施例の概略構成
を示すブロツク図であり、また、第４図は本発明
の撮像装置の構成中で使用される光−光変換素子
の構成原理を説明するための側断面図、第５図は
本発明の撮像装置の構成中で使用される光−電荷
変換素子の構成原理を説明するための側断面図で
ある。

第１図においてＯは被写体、１は撮像レンズ、
２は撮像装置がシヤツタカメラとして構成された
場合に設けられる光学的なシヤツタ、PPCEは光
−光変換素子、４はビームスプリツタ、５は光−
光変換素子PPCEからの光学像情報を単波長光の
光学情報して読出す際に用いられる読出し光の光
源であり、この光源５としてはレーザ光源、その
他任意の光源｛電磁放射線の発生源｝が使用でき
る。なお、電磁放射線は広義の光、すなわち、電
磁波とよばれる放射線の全スペクトル領域（γ
線、Ｘ線等の領域からラジオ波の長波までを含む
領域）の放射線を意味していることは周知のとお
りである。

また、６，９はレンズ、７は偏光板（前記した
光源が所要の単波長光を出射できる光源の場合に
は偏光板７は不要である）、８は検光子、PCCE
は光−電荷変換素子である。

第１図示の撮像装置において、被写体Ｏの光学
像は撮像レンズ１によつて光−光変換素子PPCE
に結像される。撮像装置がシヤツタカメラとして
構成されている場合には、光学的なシヤツタ２が
開いた状態で被写体Ｏの光学像が撮像レンズ１に
よつて光−光変換素子PPCEに結像されることは
いうまでもない。

光−光変換素子PPCEとしては、例えば液晶型
光変調器、光伝導性ポツケルス効果素子、マイク
ロチヤンネル型光変調器などのような空間変調素
子、あるいはフオトクロミツク材を用いて構成さ
れた素子などが使用できる。なお、光−光変換素
子PPCEとしては、記憶機能を備えているもので
も、あるいは記憶機能を有しないものでも、目的
に応じて選択使用できる。

第４図は光−光変換素子PPCEとして使用でき
る光−光変換素子PPCEの構成原理を示す側断面
図であり、第４図に示されている光−光変換素子
PPCEにおいて、Et１，Et２は透明電極、PCLは
光導電層部材であり、また、DMLは誘電体ミラ
ー（書込み光と消去光とを透過させ、読出し光を
反射させるような波長選択特性を有する誘電体ミ
ラー）、PMLは例えばニオブ酸リチウム単結晶の
ような光変調材層部材、Lwは書込み光、Lrは読
出し光、Leは消去光、Vbは電源、SWは切換ス
イツチである。前記の切換スイツチSWは光−光
変換素子PPCEに対して書込み光Lwを入射させ
る際と読出し光を入射させる際には、それの可動
接点ｖが固定接点wr側に切換えられ、また、光
−光変換素子PPCEに対して消去光Leを入射させ
る際には、それの可動接点ｖが固定接点ｅ側に切
換えられる。

光−光変換素子PPCEにおける透明電極Et１，
Et２に対して電源Vbの電圧がスイツチSWの可
動接点ｖと固定接点wrとを介して与えられてい
る状態において、被写体の光学像と対応している
書込み光Lwが、光−光変換素子PPCEの透明電
極Et１を透過して光導電層部材PCLに入射する
と、光導電層部材PCLはそれに入射された被写
体の光学像に対応して電気抵抗値が変化する。

それで、前記した光導電層部材PCLにおける
誘電体ミラーDMLとの境界の部分には、被写体
の光学像と対応している電荷像が生じる。この電
荷像は光−光変換素子PPCEにおける透明電極Et
１，Et２間をスイツチSWの可動接点ｖと固定接
点ｅとを介して同電位にした状態において、光−
光変換素子PPCEの透明電極Et２側から消去光Le
を入射させることにより消去できる。

すなわち、消去モード時に光−光変換素子
PPCEの透明電極Et２側から入射された消去光Le
が光変調材層部材PMLと誘電体ミラー（書込み
光と消去光とを通過させ、読出し光を反射させる
ような波長選択特性を有する誘電体ミラー）
DMLとを通過して光導電層部材PCLに入射する
と、光導電層部材PCLは前記の消去光Leによつ
て電気抵抗値が低下して、光導電層部材PCLに
おける誘電体ミラーDMLとの境界の部分の電荷
像が消去されるのである。

また、前記した光導電層部材PCLにおける誘
電体ミラーDMLとの境界の部分に生じている被
写体の光学像と対応している電荷像は、スイツチ
SWの可動接点ｖと固定接点Wrとを介して光−
光変換素子PPCEにおける透明電極Et１，Et２に
対して電源Vbの電圧が与えられている状態にお
いて、光−光変換素子PPCEの透明電極Et２から
読出し光Lrを入射させることにより、光−光変
換素子PPCEの透明電極Et２側から光学像として
読出すことができる。

すなわち、読出しモードにおいて光−光変換素
子PPCEの透明電極Et２側から入射された読出し
光Lrは、光変調材層部材PMLを透過して誘電体
ミラー（書込み光と消去光とを通過させ、読出し
光を反射させるような波長選択特性を有する誘電
体ミラー）DMLに達し、そこで反射されて再び
光変調材層部材PMLを透過して光−光変換素子
PPCEの透明電圧Et２側から出射するが、前記の
ようにして光変調材層部材PML内を往復した後
に光−光変換素子PPCEの透明電極Et２側から出
射した読出し光は、既述のような光導電層部材
PCLにおける誘電体ミラーDMLとの境界の部分
に生じている被写体の光学像と対応している電荷
像による電界によつて偏光面が変化されているか
ら、その出射光を検光子に通過させることによ
り、検光子の出射光は被写体の光学像と同じ光量
変化を示す光学像となる。

そして、前記した読出し光として単波長光を使
用することにより、充分に高い解像度を有する再
生像が得られるのである。

それで第１図示の撮像装置において、撮像レン
ズ１により光−光変換素子PPCEの透明電極Et１
側に入射した被写体Ｏの光学像による書込み光
Lwは、光−光変換素子PPCEにおける光導電層
部材PCLと誘電体ミラーDMLとの境界の部分に
電荷像に変換され、また、その電荷像は読出し光
として単波長光が使用された場合には、被写体の
光学像と情報内容の対応している単波長光情報と
して光−光変換素子PPCEから出射される。第１
図示の例において、前記の単波長光の読出し光
Lrは、光源５→レンズ６→偏光子７→ビームス
プリツタ４→光−光変換素子PPCEの透明電極Et
２の光路によつて光−光変換素子PPCEに入射し
ている。

そして、光−光変換素子PPCEから出射された
前記の被写体の光学像と情報内容の対応している
単波長光情報は、ビームスプリツタ４→検光子８
→レンズ９（縮少光学系として構成されていても
よい）→の光路を介して光−電荷変換素子
PCCCEに結像され、光−電荷変換素子PCCCEに
記録される。

これまでの実施例の説明においては、撮像装置
に使用されている光−光変換素子PPCEが、書き
込み光と消去光とを透過させるとともに、読出し
光を反射させうるような波長選択特性を有する誘
電体ミラーを備えているものである、とされてい
たが、本発明の実施に当つて使用されるべき光−
光変換素子PPCEとしては、読出し光に対して光
−光変換素子PPCEにおける光導電層部材が感度
を有せず、かつ、光導電層部材が読出し光を反射
できるようなものの場合には、誘電体ミラーを備
えていない構成形態の光−光変換素子PPCEが用
いられてもよいことは勿論である。

また、実施例の説明においては光−光変換素子
PPCEから単波長光情報が読出されるものとされ
ているが、光−光変換素子PPCEから単波長情報
でない光情報が読出されるように実施されてもよ
いことはいうまでもない。

第５図は光−電荷変換素子PCCEに１例構成を
示している側断面図であり、この第５図に示す光
−電荷変換素子PCCEは、透明電極Etと光導電層
部材PCLと、電荷蓄積層部材CMLと、電極Ｅと
の積層構造のものである。そして前記した電荷蓄
積層部材CMLとしては、それに与えられた電荷
像を長時間にわたつて保持しうるように充分に高
い絶縁抵抗値を有する材料、例えばシリコシン樹
脂、あるいはポリエステル等の材料が用いられて
よい。

第５図において、光−電荷変換素子PCCEにお
ける透明電極Etと電極Ｅとの間には電源Vcが接
続されているから、透明電極Et側に記録光Lcが
入射して光導電層部材PCLの電気抵抗値が前記
した記録光Lcの光量の分布と対応している態様
で変化すると、前記した記録光Lcおける光量の
分布と対応している態様で変化して５る光導電層
部材PCLの電気抵抗値の変化パターンと対応し
ているような電荷像が光導電層部材PCLと電荷
蓄積層部材CMLとの境界に生じる。また、電荷
像の消去は、透明電極Etと電極Ｅとを同電位に
して透明電極Et側から消去光を入射すればよい。

前記した光−電荷変換素子PCCEは図示されて
いない駆動機構により所定の移動態様で移動でき
るようになされていてもよい。すなわち、撮像装
置がシヤツタカメラとしての動作モードで動作し
ている場合には、光学的なシヤツタ２が所定の時
間巾にわたり開放されてから閉じた後に、光−電
荷変換素子PCCEが一駒分（一枚の画像分）だけ
移送されるようになされ、また、撮像装置が動画
カメラとしての動作モードで動作している場合に
は、所定の時間巾にわたり静止して各一枚の画像
の記録が行われた後に、光−電荷変換素子PCCE
を一駒分（一枚の画像分）だけ急速に移送させる
ような間欠的な送りが行われるようになされても
よいのであり、前記した光−電荷変換素子PCCE
の間欠移送機構としては、映画の撮影機で周知の
移送機構と同様な機構が採用されてもよい。ま
た、第１図中に示されている光−電荷変換素子
PCCEはテープ状のもの、デイスク状、シート
状、その他どのような構成形態のものであつても
構わない。

前記した第１図に示す実施例の撮像装置には、
信号処理機能を付加したり、光電変換機能を付加
したりしてもよいのであり、例えば、第１図中の
光−光変換素子PPCEから出射した単波長光情報
をビームスプリツタ４に後続する別のビームスプ
リツタを介して信号処理装置に与えて、その信号
処理装置において、それに入射された光学像情報
に基づいて編集、トリミング、光増幅などの各種
の信号処理を行わせるようにしてもよい（信号処
理装置としては制御性の空間変調素子、可逆性の
並列メモリ、制御性の並列機能素子、制御性の機
能結合素子などを用いて構成されたものが使用さ
れてもよく、また前記した信号処理装置で光並列
信号処理が行われるようになされてもよい）。

次に、第２図に示されている撮像装置は、光−
光変換素子PPCEから出射した単波長光情報をビ
ームスプリツタ４に後続する光路中に設けた別の
ビームスプリツタ１４によつて反射させた光情報
をレンズ１５によつて光電変換器１６（光電変換
器１６としては、所要に応じて２次元センサ、１
次元センサ、フオトダイオード等が選択使用でき
る）に与えて、光電変換器１６から所定の信号形
態の電気信号が出力されるように構成した場合の
構成例であり、この第２図において１０は読出し
光の光源として用いられているレーザ光源、１１
は消去光の光源として用いられているレーザ光
源、１２はビームスプリツタ、１３は光学的にバ
イアスを設定するための波長板、１４はビームス
プリツタ、１５はレンズ、１６は光電変換器であ
る。

前記した第２図示の撮像装置ではハーフプリズ
ム１４で反射した光学像情報を直接にモニタスク
リーンに光投影して、光−電荷変換素子PCCEに
記録されるべき光学像をモニタできるようにして
もよいのである。

第３図に示されている撮像装置は光−電荷変換
素子PCCEにおける光学像情報の記録再生がフオ
ログラフイー法で行われるようにした場合の本発
明の他の実施例のブロツク図であり、第３図にお
いてＯは被写体、１は撮像レンズ、２は撮像装置
がシヤツタカメラとして構成された場合に設けら
れる光学的なシヤツタ、PPCEは光−光変換素子
であり、第３図において１８はレンズ、PCCEは
光−電荷変換素子である。

第３図示の撮像装置において、被写体Ｏの光学
像は撮像レンズ１によつて光−光変換素子PPCE
に結像されるが、撮像装置がシヤツタカメラとし
て構成されている場合には、光学的なシヤツタ２
が開いた状態で被写体Ｏの光学像が撮像レンズ１
によつて光−光変換素子PPCEに結像されること
はいうまでもない。

１９は前記した光−光変換素子PPCEに対して
読出し光として使用される光と、光−電荷変換素
子PCCEに対するフオログラムの撮像時と光−電
荷変換素子PCCEからの波面再生時とに共用され
る可干渉光を出射させる光源であり、例えは半導
体レーザが使用される。

光−光変換素子PPCEからの光学像の読出し
と、フオログラムの撮影用とに兼用される光は、
光源１９から光源１９→ハーフミラー２０→凹レ
ンズ２２→光−光変換素子PPCEの経路で光−光
変換素子PPCEに供給される。それにより、光−
光変換素子PPCEには被写体の光学像に対応した
光学像が現われ、また、その光学像はフオログラ
フイ法における信号波としてレンズ１８に与えら
れることにより、前記のレンズ１８によつて光−
電荷変換素子PCCEに結像する。光−電荷変換素
子PCCEには前記した光源１９から出射された可
干渉光が、光源１９→ハーフミラー２０→凹レン
ズ２１→光一電荷変換素子PCCEに供給されてい
るから、光−電荷変換素子PCCEには前記した光
−光変換素子PPCEの出力側に現われた被写体の
光学像に対応したフオログラムが形成記録され
る。

このように、第３図示の撮像装置によれば被写
体Ｏの光学像はフオログラムとして光−電荷変換
素子PCCEに記録される。

前記した光−電荷変換素子PCCEに図示されて
いない駆動機構によつて所定の移動態様で移動さ
れるようになされてもよい。その場合に、第３図
示の撮像装置がシヤツタカメラとしての動作モー
ドで動作している場合には、光学的なシヤツタ２
が所定の時間巾にわたり開放されてから閉じた後
に、光−電荷変換素子PCCEが一駒分（一枚の画
像分）だけ移送されるようになされ、また、撮像
装置が動画カメラとしての動作モードで動作して
いる場合には、所定の時間巾にわたり静止して各
一枚の画像の記録が行われた後に、光−電荷変換
素子PCCEを一駒分（一枚の画像分）だけ急速に
移送させるような間欠的な送りが行われるように
なされる。なお、前記した光−電荷変換素子
PCCEの間欠移送機構としては、映画の撮影機で
周知の移送機構と同様な機構が採用されてもよ
い。

なお、前記した第１図乃至第３図示の実施例の
撮像装置によつて光−電荷変換素子PCCEに電荷
像として記録された情報は、光−電荷変換素子
PCCEにおける透明電極Etと電極Ｅとを同電位の
状態にし、光−電荷変換素子PCCEにおける透明
電極Et側に針状電極、多針電極などを接近させ
て、電荷像として記録されている情報を静電的に
読出すようにしたり、あるいは、光−電荷変換素
子PCCEにおける透明電極Etと電極Ｅとを同電位
の状態にし、光−電荷変換素子PCCEにおける透
明電極Et側に透明電極と光変調材層部材と誘電
体ミラーとの積層構造された状態の情報読出し用
ヘツドにおける誘電体ミラー側を接近させて、前
記の情報読出し用ヘツドにおける透明電極側から
読出し光を入射させ、前記した情報読出し用ヘツ
ドに入射された光が透明電極→光変調材層部材→
誘電体ミラー→光変調材層部材→透明電極の経路
によつて再び前記の情報読出し用ヘツドにおける
透明電極から出射した光を検光子に与えて、光−
電荷変換素子PCCEにおける電荷像の電荷量のパ
ターンと対応している光量パターンを有する光学
像として再生したり、前記のようにして得た光学
像を光電変換して電気信号に変換したりすること
により高精細度を有する情報として読出すことが
できる。

また、本発明の撮像装置をカラー画像の撮像装
置として構成する場合には、各実施例における光
−光変換素子PPCEにおける透明電極Et１の前面
に、周知構成の光学的色分解縞状フイルタを配置
すればよい。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に本発明の撮像装置は、２つの透明電極の間に少
なくとも光導電層部材と光変調材層部材とを備え
て構成された光一光変換素子に対して、撮像レン
ズによつて被写体の光学像を結像させる手段と、
前記した光一光変換素子から光を用いて被写体の
光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、前
記の光−変換素子から読出された光学情報を、少
なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備え
て構成されている光−電荷変換素子に入射させる
手段とを備えた撮像装置及び２つの透明電極の間
に少なくとも光導電層部材と光変調材層部材とを
備えて構成された光−光変換素子に対して、撮像
レンズによつて被写体の光学像を結像させる手段
と、前記した光−光変換素子から光を用いて被写
体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段
と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材と
を備えて構成されている光−電荷変換素子と、前
記の光−電荷変換素子に対して前記の光−光変換
素子から読出された光学情報とともに、フオログ
ラム形成用の参照光をも入射させる手段とを備え
た撮像装置であるから、この本発明の撮像装置で
は光−光変換素子PPCEにおける光導電層部材
PCLの境界の部分に生じさせた被写体の光学像
と対応している電荷像を読出し光で読出すことに
より、充分に高い解像度を有する再生像を得て、
それを光−電荷変換素子PCCEに記録できるので
あり、また光一光変換素子PPCEから出射した光
情報を光電変換器（所要に応じて２次元センサ、
１次元センサ、フオトダイオード等が選択使用で
きる）に与えて、光電変換器から所定の信号形態
の電気信号が出力されるようにしてもよく、さら
に、光−電荷変換素子PCCEにおける光学像情報
の記録再生がフオログラフイー法で行われるよう
にしてもよく、さらにまた、光一電荷変換素子
PCCEに電荷像として記録された情報は、光−電
荷変換素子PCCEにおける透明電極Etと電極Ｅと
を同電位の状態にし、光−電荷変換素子PCCEに
おける透明電極Et側に針状電極、多針電極など
を接近させて、電荷像として記録されている情報
を静電的に読出すようにしたり、あるいは、光−
電荷変換素子PCCEにおける透明電極Etと電極Ｅ
とを同電位の状態にし、光−電荷変換素子PCCE
における透明電極Et側に透明電極と光変調材層
部材と誘電体ミラーとの積層構造された状態の情
報読出し用ヘツドにおける誘電体ミラー側を接近
させて、前記の情報読出し用ヘツドにおける透明
電極側から読出し光を入射させ、前記した情報読
出し用ヘツドに入射された光が透明電極→光変調
材層部材→誘電体ミラー→光変調材層部材→透明
電極の経路によつて再び前記の情報読出し用ヘツ
ドにおける透明電極から出射した光を検光子に与
えて、光−電荷変換素子PCCEにおける電荷像の
電荷量のパターンと対応している光量パターンを
有する光学像として再生したり、前記のようにし
て得た光学像を光電変換して電気信号に変換した
りすることにより高精細度を有する情報として読
出すことができるのであつて、本発明によれば既
述した従来の欠点を良好に解決できる高解像度の
再生像を撮像できる撮像装置を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の撮像装置の実施例
の概略構成を示すブロツク図であり、また、第４
図は本発明の撮像装置の構成中で使用される光−
光変換素子の構成原理を説明するための側断面
図、第５図は本発明の撮像装置の構成中で使用さ
れる光−電荷変換素子の構成原理を説明するため
の側断面図である。 Ｏ……被写体、１……撮像レンズ、２……撮像
装置がシヤツタカメラとして構成された場合に設
けられる光学的なシヤツタ、PPCE……光−光変
換素子、４，１４……ハーフプリズム、５……光
−光変換素子PPCEからの光学像情報を単波長光
の光学情報して読出す際に用いられる読出し光の
光源、６，９，１５，１８……レンズ、７……偏
光板、８……検光子、PCCE……光−電荷変換素
子、Et，Et１，Et２……透明電極、PCL……光
導電層部材、DML……誘電体ミラー、PML……
光変調材層部材、Lw……書込み光、Lr……読出
し光、Le……消去光、Vb……電源、SW……切
換スイツチ、CML……電荷蓄積層部材、１６…
…光電変換器（光電変換器１６としては、所要に
応じて２次元センサ、１次元センサ、フオトダイ
オード）、１０……読出し光の光源として用いら
れているレーザ光源、１１……消去光の光源とし
て用いられているレーザ光源、１２……ビームス
プリツタ、１３……光学的なバイアスを設定する
ための波長板、１９……光源１９、２０……ハー
フミラー、２１，２２→凹レンズ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部
   材と、光変調材層部材とを備えて構成された光−
   光変換素子に対して、撮像レンズによつて被写体
   の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変
   換素子から光を用いて被写体の光学像と対応する
   光学像情報を読出す手段と、前記の光−光変換素
   子から読出された光学情報を、少なくとも光導電
   層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されてい
   る光−電荷変換素子に入射させる手段とを備えた
   撮像装置。 ２ ２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部
   材と、光変調材層部材とを備えて構成された光−
   光変換素子に対して、撮像レンズによつて被写体
   の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変
   換素子から光を用いて被写体の光学像と対応する
   光学像情報を読出す手段と、少なくとも光導電層
   部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されている
   光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素子に
   対して前記の光−光変換素子から読出された光学
   情報とともに、フオログラム形成用の参照光をも
   入射させる手段とを備えた撮像装置。