JPH0288198U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による光学機構類高分解能ステ
ージの第１実施例を示す部分切欠平面図、第２図
は同じくその正面図、第３図は同じくその背面図
、第４図は第１図―線に沿う断面図、第５図
は第１図―線に沿う断面図、第６図は第１図
―線に沿う断面図、第７図は本考案の第２実
施例を示す部分切欠平面図、第８図は第７図―
線に沿う断面図、第９図ａは本考案による差動
アツセンブリの詳細を示す平面図、第９図ｂは微
動機構の動きを示す説明図、第１０図は本考案に
よるステージを用いてＸ・Ｙ軸ステージを構成し
た例を示す斜視図、第１１図は本考案をＺ軸ステ
ージに用いた例を示す部分切欠側面図、第１２図
は同じくその正面図、第１３図は本考案をコネク
タホルダユニツトに適用した例を示す斜視図であ
る。 １……下盤、２……溝形上盤、２ａ，２ｂ……
フランジ、３……粗動マイクロメータヘツド、４
……微動マイクロメータヘツド、５……差動アツ
センブリ、６……ころがり部材、７……引張りば
ね、８……第１てこ、９……第２てこ、１０……
リンク、１０ａ，１０ｂ……ピン、１１，１１′
……取付け穴、１２……センターガイド、１４…
…支持板、２３……カバー体、３０，４０……軸
先端、８０，９０……枢支点。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 上面にセンターガイドを有し、端部に支持
   板を備えた下盤と、チヤンネル状断面をなし両側
   フランジに前記センターガイドところがりガイド
   を介して接するサイドガイドを一体に備え、端部
   に前記センタガイドを繋ぐバイアスを支持する支
   えを備えた溝形上盤と、前記溝形上盤と下盤間の
   空間に位置し、端部付近が溝形上盤の下面に枢支
   された第１てこと、該第１てこと平行にありかつ
   これの枢支位置と変位した位置で溝形上盤の下面
   に枢支された長い第２てこと、それら第１てこと
   第２てこを結ぶリンクと、前記第１てこの枢支位
   置の近傍に先端が接するように下盤の支持板に取
   付けられた粗動マイクロメータヘツドと、先端が
   前記第２てこの自由端付近に接するように溝形上
   盤側に取付けた微動マイクロメータヘツドとを備
   えていることを特徴とする光学機構類用高分解能
   型ステージ。 (2) 前記微動マイクロメータヘツドが、溝形上
   盤のフランジ外側に設けたカバー体に支持され、
   第２てこが溝形上盤フランジに開口した穴を貫い
   てカバー体内に伸びている実用新案登録請求の範
   囲第１項記載の光学機構類用高分解能型ステージ
   。 (3) 前記微動マイクロメータヘツドが、溝形上
   盤の前壁に取付けられ、その取付け位置よりも外
   側にフランジが位置している実用新案登録請求の
   範囲第１項記載の光学機構類用高分解能型ステー
   ジ。 (4) 第１てこのマイクロメータ先端接触位置か
   ら枢支点間の距離と、第１てこ枢支点からリンク
   点間の距離の比が１：６．２５であり、第２てこ
   のマイクロメータ先端接触位置から枢支点間の距
   離と、その枢支点からリンク連結点間の距離との
   比が３．２：１である実用新案登録請求の範囲第
   １項または第２項記載の光学機構類用高分解能型
   ステージ。 (5) 溝形上盤と下盤が平面的に同形同大であり
   、それぞれに他物の取付け穴が配設されている実
   用新案登録請求の範囲第１項または第２項記載の
   光学機構類用高分解能型ステージ。 (6) 支持板が下盤に着脱可能に固定され、マイ
   クロメータヘツド取付け穴の位置を変位させた支
   持板の交換により粗動と微動の変位の倍率を変化
   させるようになつている実用新案登録請求の範囲
   第１項または第２項記載の光学機構類用高分解能
   型ステージ。