JPH0288430A - 磁気光学ガーネット - Google Patents
磁気光学ガーネットInfo
- Publication number
- JPH0288430A JPH0288430A JP23894288A JP23894288A JPH0288430A JP H0288430 A JPH0288430 A JP H0288430A JP 23894288 A JP23894288 A JP 23894288A JP 23894288 A JP23894288 A JP 23894288A JP H0288430 A JPH0288430 A JP H0288430A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensitivity constant
- garnet
- magnetic field
- oxide
- change
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁気光学ガーネットに関し、詳しくは、磁界
センサ用磁気光学ガーネットに関する。
センサ用磁気光学ガーネットに関する。
［従来の技術］
従来、第５図で示すように磁性ガーネットには、その飽
和磁化よりも小さな外部磁界中ではファラデー回転能が
外部磁界に比例するという性質がある。この性質を利用
して磁性ガーネ・ントの磁界センサへの応用が提案され
ている。このセンサの分解能を高めるために、磁性ガー
ネットにＢｉをドープし単位磁界当たりのファラデー回
転能（飽和磁界中でのファラデー回転θＦと飽和磁界Ｍ
Ｓとの比θｐ ／ Ｍ ｓ。以下これを感度定数Ｃと記
す）を大きくした（ＹＬａＢ １）Ｆｅ＝ ０．２が提
案されている（Ｊ、Ｍａｇｎ、Ｓｏｃ、Ｊ ｐｎ。
和磁化よりも小さな外部磁界中ではファラデー回転能が
外部磁界に比例するという性質がある。この性質を利用
して磁性ガーネ・ントの磁界センサへの応用が提案され
ている。このセンサの分解能を高めるために、磁性ガー
ネットにＢｉをドープし単位磁界当たりのファラデー回
転能（飽和磁界中でのファラデー回転θＦと飽和磁界Ｍ
Ｓとの比θｐ ／ Ｍ ｓ。以下これを感度定数Ｃと記
す）を大きくした（ＹＬａＢ １）Ｆｅ＝ ０．２が提
案されている（Ｊ、Ｍａｇｎ、Ｓｏｃ、Ｊ ｐｎ。
ＶＯＩ、１１．Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ、Ｎｏ。
Ｓ ｌ （１９８７）４０１−４０４）。
［発明が解決しようとする課題］
磁性ガーネットを使用する磁界センサの実用化には実用
温度範囲（例えば２５０〜３５０Ｋ）で感度定数Ｃが可
能な限り変化しないことが望まれるが上記（ＹＬ ａ
Ｂ ｉ ） Ｆ ｅｓ ０１２では波長０．８μｍの３
００Ｋにおける感度定数ＣＬ３ｏｏｘ＞、を基準にする
と２５０Ｋにおける感度定数０３□５０に１３５０ Ｋ
における感度定数Ｃｔ３５０Ｋ）は第６図に示すように
、それぞれ−２（％）、＋２（％）変動する。
温度範囲（例えば２５０〜３５０Ｋ）で感度定数Ｃが可
能な限り変化しないことが望まれるが上記（ＹＬ ａ
Ｂ ｉ ） Ｆ ｅｓ ０１２では波長０．８μｍの３
００Ｋにおける感度定数ＣＬ３ｏｏｘ＞、を基準にする
と２５０Ｋにおける感度定数０３□５０に１３５０ Ｋ
における感度定数Ｃｔ３５０Ｋ）は第６図に示すように
、それぞれ−２（％）、＋２（％）変動する。
そこで、本発明の技術的課題はＢｉをドープした感度定
数Ｃの大きな磁性ガーネットにおいて２５０〜３５０に
の温度範囲で、その感度定数Ｃの変動が極めて小さい磁
界センサ用材料を提供することにある。
数Ｃの大きな磁性ガーネットにおいて２５０〜３５０に
の温度範囲で、その感度定数Ｃの変動が極めて小さい磁
界センサ用材料を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、（Ｙｌ ｘ −ｖ Ｇｄｘ Ｂ Ｌ
ｙ ）Ｆ ｅ ｓ ０１２ （０．０５≦Ｘ≦０．６，
０．５≦Ｙ≦２６０）の化学式で現わされることを特徴
とする磁界センサ用磁気光学ガーネットが得られる。
ｙ ）Ｆ ｅ ｓ ０１２ （０．０５≦Ｘ≦０．６，
０．５≦Ｙ≦２６０）の化学式で現わされることを特徴
とする磁界センサ用磁気光学ガーネットが得られる。
［実施例］
以下に実施例を用いて説明する。
（実施例１）
酸化イツトリウム、酸化ガドリニウム、酸化ビスマス、
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット単結晶基板に（Ｙｏ、
＊ｑＧ ｄ ｏ、ｏｑＢ ｉ ２．０ ）Ｆｅ、Ｏ，□
なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （
リキッド、フェイズ、エピタキシャル）法より育成した
。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度
定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ
第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃｌ３００に＋を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±１（％）以内の変化を示
したに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬ ａ Ｂ ｉ
） Ｆ ｅｓ Ｏ＋ｚにおける変化率よりも小さく、温
度特性の良好な磁界センサ用材料として優れている。ま
たこの（Ｙ ｏ、 ｅｓＧ ｄ ｏ、 ａｓＢ ｉ ２
．０ ） Ｆ ｅｓ ０１２は波長のみならず他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット単結晶基板に（Ｙｏ、
＊ｑＧ ｄ ｏ、ｏｑＢ ｉ ２．０ ）Ｆｅ、Ｏ，□
なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （
リキッド、フェイズ、エピタキシャル）法より育成した
。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度
定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ
第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃｌ３００に＋を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±１（％）以内の変化を示
したに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬ ａ Ｂ ｉ
） Ｆ ｅｓ Ｏ＋ｚにおける変化率よりも小さく、温
度特性の良好な磁界センサ用材料として優れている。ま
たこの（Ｙ ｏ、 ｅｓＧ ｄ ｏ、 ａｓＢ ｉ ２
．０ ） Ｆ ｅｓ ０１２は波長のみならず他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
（実施例２）
酸化イツトリウム、酸化ガドリニウム、酸化ビスマス、
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット単結晶基板に（Ｙｌ、
ｏＧｄｏ、２Ｂｔ１．５）ＦｅｑＯ＋２なる組成を有す
る磁性ガーネットｔｌｉ結品膜をＬＰＥ （リキッド、
フェイズ、エピタキシャル）法により育成した。この磁
性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度定数Ｃを
２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ第２図の
ような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃｔｊｏ
ｏｘ＋を基準にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域
で感度定数Ｃの値は±０．１ （％）以内の変化を示し
たに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬａＢｉ）Ｆｅｓ
Ｏ，２における変化率よりも小さく、温度特性の良好
な磁界センサ用材料として優れている。またこの（”
＋、 ｏ Ｇ ｄ ｏ、２Ｂｊ＋、５）Ｆｅｓ ０１２
は波長０．８μｍの波長のみならず他の波長における感
度定数の温度変化も極めて小さかった。
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット単結晶基板に（Ｙｌ、
ｏＧｄｏ、２Ｂｔ１．５）ＦｅｑＯ＋２なる組成を有す
る磁性ガーネットｔｌｉ結品膜をＬＰＥ （リキッド、
フェイズ、エピタキシャル）法により育成した。この磁
性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度定数Ｃを
２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ第２図の
ような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃｔｊｏ
ｏｘ＋を基準にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域
で感度定数Ｃの値は±０．１ （％）以内の変化を示し
たに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬａＢｉ）Ｆｅｓ
Ｏ，２における変化率よりも小さく、温度特性の良好
な磁界センサ用材料として優れている。またこの（”
＋、 ｏ Ｇ ｄ ｏ、２Ｂｊ＋、５）Ｆｅｓ ０１２
は波長０．８μｍの波長のみならず他の波長における感
度定数の温度変化も極めて小さかった。
（実施例３）
酸化イツトリウム、酸化がトリニウム、酸化ビスマス、
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット１１結晶基板に（Ｙｌ
、２ Ｇ ｄｏ、Ｂ ｌ ＋、ｓ ）Ｆｅ、０．２なる
組成を白°する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （リ
キッド、フェイズ、エピタキシャル）法により育成した
。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度
定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ
第３図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃ０．、。に）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±０．５（％）以内の変化
を示したに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬａＢｉ）
Ｆｅ、０１２における変化率よりも小さく、温度特性の
良好な磁界センサ用材料として優れている。またこの（
Ｙｌ、２ Ｇ ｄｏ、ｉＢｉ＋、５）Ｆｅ５０１２は波
長０．８μｍの波長のみならず他の波長における感度定
数の温度変化も極めて小さかった。
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット１１結晶基板に（Ｙｌ
、２ Ｇ ｄｏ、Ｂ ｌ ＋、ｓ ）Ｆｅ、０．２なる
組成を白°する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （リ
キッド、フェイズ、エピタキシャル）法により育成した
。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度
定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ
第３図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃ０．、。に）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±０．５（％）以内の変化
を示したに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬａＢｉ）
Ｆｅ、０１２における変化率よりも小さく、温度特性の
良好な磁界センサ用材料として優れている。またこの（
Ｙｌ、２ Ｇ ｄｏ、ｉＢｉ＋、５）Ｆｅ５０１２は波
長０．８μｍの波長のみならず他の波長における感度定
数の温度変化も極めて小さかった。
（実施例４）
酸化イツトリウム、酸化ガドリニウム、酸化ビスマス、
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット単結晶基板に（Ｙ １
．９ Ｇ ｄ ｏ、ｂ Ｂ ｉ Ｏ，９）Ｆｅ、０．□
なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （
リキッド、フェイズ、エピタキシャル）法により育成し
た。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感
度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で＃１定したと
ころ第４図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度
定数０．３゜。。を基準にすると２５０〜３５０にの温
度範囲全域で感度定数Ｃの値は±１．０（％）以内の変
化を示したに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬａＢ
１）Ｆｅｓ ０．２における変化率よりも小さく、温度
特性の良好な磁界センサ用材料として優れている。また
この（Ｙｌ、９ Ｇ ｄｏ、６Ｂ ｉｏ、ｓ ） Ｆ
ｅ、０１２は波長０．８μｍの波長のみならず他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
よりカルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット単結晶基板に（Ｙ １
．９ Ｇ ｄ ｏ、ｂ Ｂ ｉ Ｏ，９）Ｆｅ、０．□
なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （
リキッド、フェイズ、エピタキシャル）法により育成し
た。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感
度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で＃１定したと
ころ第４図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度
定数０．３゜。。を基準にすると２５０〜３５０にの温
度範囲全域で感度定数Ｃの値は±１．０（％）以内の変
化を示したに過ぎなかった。この変化率は（ＹＬａＢ
１）Ｆｅｓ ０．２における変化率よりも小さく、温度
特性の良好な磁界センサ用材料として優れている。また
この（Ｙｌ、９ Ｇ ｄｏ、６Ｂ ｉｏ、ｓ ） Ｆ
ｅ、０１２は波長０．８μｍの波長のみならず他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
［発明の効果］
以上説明したごとく本発明を用いれば感度定数Ｃが大き
く、なおかつその温度変動が極めて小さいという優れた
特性を有する磁界センサ用磁気光学ガーネットを得るこ
とが可能となり工業的利用価値は大である。
く、なおかつその温度変動が極めて小さいという優れた
特性を有する磁界センサ用磁気光学ガーネットを得るこ
とが可能となり工業的利用価値は大である。
第１図は実施例１に係る（ Ｙ Ｏ，９９Ｇ ｄ ｏ、
ｏ５Ｂｊ２．ｏ）Ｆｅｓ ０１２単結晶の波長０．８
μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図、 第２図は実施例２に係る（Ｙ、、、Ｇｄ、、２Ｂｉ＋、
、）Ｆｅｓ ０＋２単結晶の波長０．８μｍでの感度定
数Ｃの温度変動を示す図、 第３図は実施例３に係る（ Ｙ ｌ、 ２ Ｇ ｄ ０
．３Ｂｉ、、５）ＦｅｓＯ＋□単結晶の波長０．８ａｍ
での感度定数Ｃの温度変動を示す図、 第４図は実施例４に係る（Ｙｌ、＊Ｇｄｏ、６Ｂｉｏ、
、）Ｆｅ、０１２単結晶の波長０．８μｍでの感度定数
Ｃの温度変動を示す図、 第５図は磁界中の磁性ガーネットのファラデー回転を示
す図、 第６図は（ＹＬａＢｉ）Ｆｅｑ ０１２単結晶の波長０
．８μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図である。 Ｔ（Ｋ） Ｔ（Ｋ） 第５図 外部磁界強度（Ｏｅ） 丁（Ｋ） Ｔ （Ｋ）
ｏ５Ｂｊ２．ｏ）Ｆｅｓ ０１２単結晶の波長０．８
μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図、 第２図は実施例２に係る（Ｙ、、、Ｇｄ、、２Ｂｉ＋、
、）Ｆｅｓ ０＋２単結晶の波長０．８μｍでの感度定
数Ｃの温度変動を示す図、 第３図は実施例３に係る（ Ｙ ｌ、 ２ Ｇ ｄ ０
．３Ｂｉ、、５）ＦｅｓＯ＋□単結晶の波長０．８ａｍ
での感度定数Ｃの温度変動を示す図、 第４図は実施例４に係る（Ｙｌ、＊Ｇｄｏ、６Ｂｉｏ、
、）Ｆｅ、０１２単結晶の波長０．８μｍでの感度定数
Ｃの温度変動を示す図、 第５図は磁界中の磁性ガーネットのファラデー回転を示
す図、 第６図は（ＹＬａＢｉ）Ｆｅｑ ０１２単結晶の波長０
．８μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図である。 Ｔ（Ｋ） Ｔ（Ｋ） 第５図 外部磁界強度（Ｏｅ） 丁（Ｋ） Ｔ （Ｋ）
Claims (1)
- １、（Ｙ＿３−＿Ｘ−＿ＹＧｄ＿ＸＢｉ＿Ｙ）Ｆｅ＿５
Ｏ＿１＿２（０．０５≦Ｘ≦０．６、０．５≦Ｙ≦２．
０）の化学式で表されることを特徴とする磁界センサ用
磁気光学ガーネット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23894288A JPH0288430A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 磁気光学ガーネット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23894288A JPH0288430A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 磁気光学ガーネット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288430A true JPH0288430A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17037570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23894288A Pending JPH0288430A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 磁気光学ガーネット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04324817A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気光学素子及び磁界測定装置 |
| US5603762A (en) * | 1994-05-31 | 1997-02-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Process and apparatus for the production of films of oxide type single crystal |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP23894288A patent/JPH0288430A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04324817A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気光学素子及び磁界測定装置 |
| US5603762A (en) * | 1994-05-31 | 1997-02-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Process and apparatus for the production of films of oxide type single crystal |
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