JPH02885A

JPH02885A - 半導体レーザユニツト

Info

Publication number: JPH02885A
Application number: JP63309608A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Shimada; 和之島田; Tomoatsu Imamura; 友厚今村; Toshitaka Senma; 俊孝千間
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1987-12-07
Filing date: 1988-12-07
Publication date: 1990-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、レーザプリンタ、レーザファクシミリ、デ
ジタル複写器等に用いられるの光学ハウジングに着脱自
在に装着される半導体レーザユニツ１−に関する。

〔従来の技術〕

レーザプリンタ等のレーザ書込ユニット用光源として、
半導体レーザからの発散性光束を平行光束に変換するコ
リメータレンズを一体的に具備した半導体レーザユニッ
トが多用されている。

この半導体レーザユニットから出射されたレーザ光は、
走査手段及び結像手段を経て感光体に結像走査されて、
所謂静電記録の原理に従って画像の記録がなされる。

ここで、レーザ光について、半導体レーザユニットの出
射パワーと、モニタ用フォトダイオードの高力を変換し
て得られるモニタ出力増幅器の出力電圧との関係で定ま
る特性は、半導体レーザの発散角のばらつきやモニタ用
フォトダイオードの配置及び感度のばらつき、コリメー
タレンズの透過率のばらつきなどの要因により大きくば
らつくことが知られている。

このばらつきがあると、特定の入力に対し特定の出射パ
ワーを感光体上で得られないため、従来は出射パワーを
その最終的照射位置である感光体上にてパワーメータで
測定しつつ、所定の出射パワーを得るまで光源ユニツ１
〜と別に置かれた基板」二の可変抵抗器等の利得調整部
で利得を調整して上記ばらきの補正を行なっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、この方法だと交換すべき半導体レーザユ
ニットが装着されたレーザプリンタ等が設置されている
ユーザーの所までパワーメータを持ち込まねばならない
煩わしさがあり、しかも現地調整のためその間レーザプ
リンタ等の休止時間も発生するという問題があった。

そこで、例えば特開昭６１−１７４．７９４号公報に見
られるように、半導体レーザユニツ１へに、半導体レー
ザのモニタ出力増幅器の利得を調整する手段を具備し、
このモニタ出力増幅器の出力が標準設定電圧と一致する
ようにモニタ出力増幅器の利得をｙＡｇｉすることによ
って、上記ばらつきを補正できるようにしたものもある
。

しかし、この場合にも標準設定電圧を外部ボードから供
給していたため、その電圧調整が必要であった。

例えば、標準電圧を２．５０Ｖ　とした場合、無調整の
状態では各ボードでの電圧が２．５０Ｖ±１０％とばら
つく。半導体レーザ（レーザダイオード）のパワー制御
（ＡＰＣ）では、この標７（！！雷電圧同じ基＄　２８
．圧（Ｖ　ｒｅｆ　）に対してフィードバック制御され
るので、標準電圧が±５％以−ヒでは目的を達成できな
い。そのため、従来はこの標ｌψ電圧を２．５０Ｖ±１
％程度に抑えるＵ８整が必要であった。

ところで、この標準電圧を発生する外部ボー１〜は各プ
リンタに搭載されているが、通常はパワー調整の簡易化
のために、半導体レーザユニット調整治具内で発生する
標準電圧を用いてパワー調整を行なっている。

このように、従来は半導体レーザユニツ１〜交換時にパ
ワーを調整する際、外部ボードで発生する標準電圧の調
整が面倒であり、調整治具内で発生する標準電圧を用い
る場合には、漂１′（！！雷電圧発生できるｊＡ整治具
が必要になるばかりか、パワー調整時の標準電圧とフィ
ードバック制御時の基準電圧の供給源が異なることにな
るので、フィードバック制御の精度が悪化するという問
題も生ずる。

さらに、従来の半導体レーザユニットの内部基板には、
モニタ出力増幅器の出力と上記標準電圧（基準電圧）と
を比較して半導体レーザの１采動回路を制御する比較器
が設けられておらず、それが外部基板に設けられていた
ため、半導体レーザユニットとその外部基板との間の配
線が長くなり、モニタ出力や、ｉ！！！準電圧にノイズ
が載ってきて誤動作してしまう恐れもあった。

この発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導
体レーザユニット交換時のパワー調整作業を不要にし、
且つ使用中におけるフィードバック制御の精度も向上さ
せ、ノイズによる誤動作も発生しないようにすることを
目的とする。

さらに、半導体レーザに流す電流と該半導体レーザの出
力とがリニアな関係にある領域内の２点間で任意のパワ
ーに設定できるようにすることも目的とする。

〔課題を解決する手段〕

この発明は上記目的を達成するため、上記のような半導
体レーザユニットにおいて、半導体レーザのモニタ出力
を増幅する利得調整可能なモニタ出力増幅器と、この半
導体レーザユニットからの出射パワーを標準設定パワー
としたときの上記モニタ出力増幅器の出力電圧に相当す
る内部１ル準電圧を発生する基準電圧発生回路と、上記
モニタ出力増幅器の出力と上記基準電圧とを比較して半
導体レーザの師動回路を制御するための比較器とを含む
基板を具備したものである。

また、上記半導体レーザに流す電流とその半導体レーザ
の出力とがリニアな関係にある領域内の２点における上
記モニタ出力増幅器の出力電圧に相当する第１．第２の
基準電圧を発生する第１゜第２の基準電圧発生回路と、
上記モニタ出力増幅器の出力と上記第１．第２の基準電
圧とをそれぞれ比・咬して半導体レーザの駆動回路を制
御するための第１．第２の比較器とを含む基板を具備し
た半導体レーザユニットも提供する。

〔作　用〕

この発明によれば、半導体レーザの特性等にばらつきが
あっても、予め半導体レーザユニット全体の特性として
ばらつきを内部基準・電圧を用いて調整しておくことが
できるので、レーザプリンタ等における半導体レーザユ
ニットの交換作業を、現場調整を伴なうことなく簡単且
つ迅速に行なうことができる。

また、半導体レーザのパワーフィードバック制御（ＡＰ
Ｃ）の制御精度が向上し、ノイズに対しても強くなる。

さらに、第１．第２の内部基準電圧を用いて、半導体レ
ーザに流す電流とその半導体レーザの出力とがリニアな
関係にある領域内の２点間で任意のパワーに設定するこ
とも可能である。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を図面に基づいて具体的に説明
する・第１図はこの発明の一実施例である半導体レーザユニッ
トの構造を示す断面図である。

この図において、１は半導体レーザ（レーザダイオード
：ＬＤ）、２はこの半導体レーザ１を支持しているベー
ス金属板、３は電気的絶縁材、４は半導体レーザ１から
の発散性光束を平行光束に変換するコリメータレンズ、
５はビーム整形用のアパーチャ、６はプリント回路基板
（ＰＣＢ）を各々示し、これらは複数本のねじ１１及び
１２によって一体的なユニットとじて組立られて半導体
レーザユニツ１−７を構成している。

この半導体レーザユニット７は、後述するレーザプリン
タに備えるレーザ書込ユニット所定の部位に着脱自在に
装着される。

そして、この半導体レーザユニット７のプリント回路基
板６には、利得調整可能なモニタ出力増幅器８と、この
半導体レーザユニット７からの出射パワ・−を標準設定
パワーとしたときのモニタ出力増幅器８の出力電圧に相
当する内部基準電圧を発生する基準電圧発生回路９と、
そのモニタ出力増幅＋ａ８の出力と基準電圧発生回路９
によって発生される基準電圧とを比較して、半導体レー
ザ１を駆動するＬＤ（Ｉ！ｊ動回路１５（第２図）を制
御するための比較器１４とを備えている。

第２図は、この半導体レーザユニット７をレーザプリン
タのレーザ書込ユニットに装着してフィードバック制御
ループを形成した状態のブロック回路図である。

この図において、１０は半導体レーザ１と同一パック内
に設けられ、その発光出力をモニタするためのフォトダ
イオ−１・で、そのモニタ電流をモニタ出力増幅器８に
入力する。

なお、この第２図において、−点鎖線で囲んで示す部分
が半導体レーザユニット７に設けられている。

ＬＤｍＴＡ動回路１５は、レーザプリンタ本体側に設け
られており、モニタ出力増１腐器８の出力であるモニタ
電圧Ｖ　ｍと基準電圧発生回路９が出力する内部基準電
圧Ｖ　ｒｅｆとを比較する比較器１４の２値化出力によ
って制御され１両電圧が一致するように半導体レーザ１
に駆動電流を流して発光させる。

モニタ出力増幅器８は第３図に示すように、オペアンプ
８１とその帰還回路を形成する利得調整用可変抵抗器８
２によって植成されている。

また、基ｉＬｔ！圧発生回路９は第４図に示すように、
電源電圧Ｖｃｃが供給される電源端子とアース間に直列
に接続した抵抗９１とツェナダイオード９２とによって
構成され、そのツェナダイオード９２のツェナ電圧を内
部基＄電圧Ｖ　ｒｅｆとして出力する。

このように、半導体レーザユニツ１−７に一体的に、利
得！ｌ！Ｉ整可能なモニタ出力増幅器８と基準電圧発生
回路９及び比較器１４を備えていれば、予め個々のユニ
ット毎にモニタ出力増幅器８の出力電圧Ｖｍが、この半
導体レーザユニット７の出力パワーが感光体上で所期の
値（標準設定パワー）となるような電圧である内部基準
電圧Ｖｒｅｆに一致するように調整しておくことができ
るので、半導体レーザユニット交換の際に現場で調整を
する必要がなくなり、迅速にその交換作業を行なうこと
ができ、半導体レーザユニットの互換性能を高め得る。

また、モニタ出力増幅器８と基準電圧発生回路９と比較
器１４とが半導体レーザユニット７のプリント回路基板
６内で接続されているので、配線を極めて短くすること
ができ、モニタ出力や基準電圧にノイズが載って誤動作
するようなことがなくなる。

次に、第２図でこの発明と従来技術との違いを説明する
。

製造段階では個々の光源ユニットについて次のような調
整が行なわれる。つまり、第２図において半導体レーザ
１から出射したレーザ光の一部はモニタ用フォトダイオ
ード１０にも入射され、そのモニタ電流がモニタ出力増
幅器８に入力される。

ここで、同じく半導体レーザ１から出射されたレーザ光
を感光体上で受光するように配置したパワーメータ１３
で測定して、その測定値を確認しつつ所定の標準設定パ
ワーが得られるようにモニタ出力増幅器８の利得調整用
可変抵抗器８２を調整するのである。

そのときのモニタ出力増幅Ｄ８の出力であるモニタ電圧
Ｖｍと同電圧を内部基準電圧Ｖ　ｒｅｆと゛して基準電
圧発生回路９が発生するように、ツェナダイオード９２
のツェナ電圧を選択しておく。

このように、半導体レーザユニット７を予め調整してお
けば、現地ではパワーメータ１３を用いることなく、こ
の半導体レーザユニット７をレーザプリンタ本体側に設
けられているＬＤ旺勅回路１５に接続するだけで、比較
器１４からの２１１α化出力に応じて、モニタ出力増幅
器８の出力電圧■ｍと基準電圧Ｖ　ｒｅｆとの差が零に
なるように選択サレタ電流がＬＤ駆動回路１５から半導
体レーザ１に流されて、４％Ｙｉ［ｔ　ｓ定パワーが得
られることになる。

さらに、比較器１４がプリン１−回路基板６上にあり、
その基板内で信号を２値化してしまうので、配線上のノ
イズに対して非常に強くなる。また、その２値化された
出力でＡＰＣ制御をするので、比較器自身のもつオフセ
ツＩ−誤差もキャンセルすることができる。

第５図は、上述したこの発明による半導体レーザユニッ
トを使用したレーザプリンタの概略構成を示す断面図で
ある。

このレーザプリンタは、本体１００に給紙トレイ１０２
を着脱可能に備え、上部に第１排紙スタッカＩＱ３を、
後部に第２排紙スタッカ１０４をそれぞれ設けている。

その２個の排紙スタッカ１０３，１０４のうち、通常は
第１排紙スタッカ１０３が選択されるが、封筒や葉書な
どのカールしゃすい紙を使用する場合など、特別な場合
に第２排紙スタッカ１０４が選択される。

なお、この２個の＃１′紙スタッカへの排紙は、切換爪
１０５によって切換可能である。

さらに、本体１００内には、感光体ドラム１０６、帯電
チャージャ１０７．レーザ書込ユニツ１−１０８、ＩＪ
！像ユニット１０９．転写チャージャ１１０、定着ユニ
ッＩ−１１１と、給紙ローラ１１２及びレジストローラ
対１１３等による給紙部と、搬送ローラとペーパガイド
板等からなる排紙用搬送部１１４とが備えられている。

また、このプリンタの上部には、このレーザプリンタを
制御するプリンタコントローラ法板１１５と、エンジン
ドライバ基板１１６とが装着されている。

そして、ホストからのコマンドによってプリントシーケ
ンスが開始されると、給紙ローラ１１２によって給紙１
−レイ１０２から給紙を始め、その用紙の先端がレジス
トローラ対１１３に挾持された位置で一時停止する。

一方、感光体ドラム１０６は矢示方向へ回転し、帯電部
チャージャ１０７により帯電された表面に、レーザ書込
ユニット１０８によってプリンタコントローラからのビ
デオデータに応じて変調されたレーザビームをドラム軸
方向に主走査しながら照射して露光し、潜像を形成する
。

それを、現像ユニツｌ−１０９のトナーによって現像し
、転写チャージャ１１０によってレジストローラ対１１
３により所定のタイミングで給送される用紙に転写する
。その後定着ユニット１１１でそのトナー像を加熱定着
された用紙を、第２徘紙スタッカ１０４あるいは排紙用
搬送部１１４を介して第１排紙スタッカ１０３へ排出す
る。

第６図はレーザ書込ユニット１０８の内部構成を示す平
面図である。

このレーザ書込ユニット１０８は、光学ハウジング１２
０の側面に着脱自在に嵌合させて取付けた半導体レーザ
ユニット７と、底面中央付近に取付けた第１シリンドリ
カルレンズ１２２．第１ミラー１２３．スフエリカルレ
ンズ１２４と、底面後部に取付けたポリゴンモータ１２
５によって矢示方向に回転されるポリゴンミラー１２６
と、前側に取付けた第２ミラー１２７と、底面側部に取
付けた第３ミラー１３０と、側面に取付けた第３シリン
ドリカルレンズ１３１及び光ファイバ１３２とを備えて
いる。

その半導体レーザユニット７は、第１図及び第２図によ
って説明したように、内部に半導体レーザ（レーザダイ
オード）１と、この半導体レーザ１から射出される発散
性光束を平行光束化するコリメータレンズ４と、これを
通過したレーザ光の光束形状を走査方向に長く副走査方
向に短い形状に整形するアパーチャ５等を一体的に組込
むと共に、半導体レーザ１の出力を制御する自動出力制
御回路（ＡＰＣ）の一部を形成したプリント基板６をね
じ１２によって取付けて一体に備えたものである。

また、第１シリンドリカルレンズ１２２は、半導体レー
ザユニット７から射出されたレーザ光を感光体ドラム１
０６上において副走査方向に整形させる機能を果す。

スフエリカルレンズ１２４は、上記の第１ミラー１２３
で反射されたレーザ光を絞り込んでレーザビームとなし
、更に斜め上方へ約５°屈折させてポリゴンミラー１２
６のミラー而１２６ａに入射させる。

ポリゴンミラー１２６は、各ミラー而１２６ａを湾曲さ
せて形成したアールポリゴンミラーを使用して、従来第
２ミラー１２７との間に配置されるｆθレンズを使用し
ないポストオブジェクト光偏向器（光ビームを集光光束
とした後に偏向器を配置する型式の光偏向器）としてい
る。

第２ミラー１２７は，ポリゴンミラー１２６で反射され
たレーザビーム（走査ビーム）を感光体ドラム１０６上
に向けて反射する。

さらに、第３ミラー１３０は、ポリゴンミラー１２６で
反射されたレーザビームによる感光体ドラム１０６上の
走査領域外に配置され、入射されたレーザビームを光フ
アイバ１３２側に向けて反射する。

光ファイバ１３２は、他端を第５図に示したプリンタコ
ントローラ基板１１５上に取付けたファイバコネクタに
接続され、第３ミラー１３０で反射されて第３シリンド
リカルレンズ１３１を介して入射されたレーザ光を、プ
リンタコントローラ基Ｆｉｌｌｓ上に設けたフォトダイ
オードからなる同期検知センサに導く。

二のレーぜ書込ユニット１０８においては、半導体レー
ザユニット７の半導体レーザ１から書込み情報に応じて
射出されるレーザ光が、内部のコリメータレンズ４で平
行光束化されてアパーチャ５で整形されて光学ハウジン
グ１２０内へ射出される（第１図参照）。

そのレーザ光は、第１シリンドリカルレンズ１２２を通
過して第１ミラー１２３で反射され、スフエリカルレン
ズ１２４で集光されると共に上方に屈折されて、ポリゴ
ンミラー１２６のミラー面１２６ａに入射する。

そして、このポリゴンミラー１２６のミラー面１２６ａ
で反射されたレーザビームは、さらに第２ミラー１２７
で反射されて第２シリンドリカルレンズ１２８を介して
感光体１０６上に照射される（第５図も参照）。

このとき、ポリゴンミラー１２６の矢示方向への回転に
よって、レーザビームは感光体１０６上を矢示Ｂ方向に
走査（主走査）する走査ビームとなり、この走査ビーム
による感光体１０Ｂ上の走査（主走査）がポリゴンミラ
ー１２６の各ミラー而１２６ａ毎に繰返され、同時に感
光体１０６が前述したように主走査方向と直交する方向
（副走査方向）に回転することによって、感光体１０６
上に書込み画像に応じた静電潜像が形成される。

また、ポリゴンミラー１２６で反射された走査ビーム（
レーザビーム）は、感光体１０日上を走査する前に第３
ミラー１３０に入射され、第３シリンドリカルレンズ１
３１を介して光ファイバ１３２に入射され、プリンタコ
ントローラ基板１１５上の同期検知センサに導かれる。

この同期検知結果に基づいて走査開始タイミングが制御
される。

このように、このレーザ書込ユニット１０８は、斜め方
向からレーザ光を感光体ドラム１０日の幅方向中心位置
とポリゴンミラー１２６の回転中心とを結ぶ線上に射出
して、更にそこからポリゴンミラー１２６の回転中心に
向ってレーザ光を反射すると共に上方に屈折させてポリ
ゴンミラー１２６のミラー１２６８面に斜め下方から入
射し、そこで反射されたレーザ光をミラーを介して感光
体ドラム１０６上に導くように構成しているので、ポリ
ゴンミラー１２６に対する入射レーザ光とポリゴンミラ
ー１２６からの反射レーザ光とがいわば立体交差して交
錯することがなく、レーザ書込ユニットの小型化及び書
込み精度の向上を図ることができる。

ところで、半導体レーザの発光強度Ｐは、駆動電流■と
ともに直線的に変化するから、この駆動電流■を制御す
ることによって発光強度Ｐを制御することができる。

ここで第７図を参照して説明すると、第７図（１）の直
線Ｘ、Ｙは半導体レーザの発光強度Ｐと駆動電流■との
対応関係を示し、直線Ｘ、Ｙの傾きを微分効率ηといい
、この微分効率は同一種の半導体レーザでも一定ではな
く、第７図（ＩＩ）に示すように統計的にばらつくこと
が知られている。

第７図（＋）のＸで示すようなＰ−Ｉ特性を有する半導
体レーザの場合は、発光強度Ｐ（Ｂ）を得るためには、
発光強度ｒ’（Ａ）のときの駆動電流よりΔＩＸだけ駆
動電流を小さくすればよいが、Ｐ−１特性がＹで示すよ
うな半導体レーザの場合には。

発光強度Ｐ（Ａ）のときの駆動電流よりもΔ■Ｙだけ駆
動電流を小さくしないと発光強度Ｐ（Ｂ）を実現できな
い。

第８図はこの問題を解決することができるようにしたこ
の発明の他の実施例のブロック図を示し、−点鎖線で囲
んで示す部分が第１図に示したものと同様な半導体レー
ザユニット７′に設けられている。

第８図において、１は半導体レーザ、１０はモニタ用の
フォトダイオード、８はモニタ出力増幅器であり、これ
らは前述の実施例と同じである。

１７は第１の基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　１　を発生する第１
の基準電圧発生回路、１９はその第１の基＄電圧Ｖ　ｒ
ｅｆ　１　とフォトダイオード１０で受光した光の強度
に比例して発生する電流を電圧に変換されたモニタ電圧
Ｖｍとを比較する第１の比較器、２０はアップ／ダウン
カウンタ（以下、単に「カウンタ」という）で、第１の
比較器１日からのモニタ電圧Ｖｍと第１の基準電圧Ｖ　
ｒｅｆ　１の大小関係に応じて高、低レベルとなる出力
信号がＵ／Ｄ端子に入力されてカランｊ・モードが制御
され、クロックパルス発生器３３からのクロックパルス
ＣＰをアップもしくはダウンカウントする。

２１はエツジ検出回路で、第１の比較器１９の立上りま
たは立下りを検出する。２２はフリップフロップ回路で
、エツジ検出回路２１の検出出力によりカウンタ２０を
ディスエーブル状態に復帰させる。２３は第３のＤ／Ａ
変換器、２４は加算器、２５は半導体レーザ（ＬＤ）駆
動回路で、上記フォトダイオード１０及び増幅器８と第
１の基準電圧発生回路１７及び１９〜２５によって第１
の出力強度制御回路を構成している。

また、１８は第２の基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　２を発生する
第２の基準電圧発生回路、２６はモニタ電圧Ｖｍと第２
の基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　２とを比較する第２の比較器、
２７はカウンタ２０と同様なアップ／ダウンカウンタ（
以下、単に「カウンタ」という）で、第２の比較器２６
からのモニタ電圧Ｖｍと第２基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　２の
大小関係に応じて高、低レベルとなる出力信号がＵ／Ｄ
端子に入力されてカウントモードが制御され、クロック
パルス発生器３３からのクロックパルスＣＰをアップも
しくはダウンカラン１−する。

２８はエツジ検出回路で、エツジ検出回路２１と同様に
第２の比較器２Ｂの立上りまたは立下りのを検出する。

２９はフリップフロップ回路で、ブリップフロップ回路
２２と同様にエツジ検出回路２８の検出出力によりカウ
ンタ２７をディスエーブル状態に復帰させる。

３０．５１はそれぞれ第１．第２のＤ／Ａ変換器、３２
は増幅器であり、前記フォトダイオード１０と増幅器８
．第２の基準電圧発生回路１８及び２６〜３２．加算器
２４．ＬＤ駆動回路２５によって第２の出力強度制御回
路を構成している。

３４はパワーレベル設定回路、３５はデジタル値設定回
路で、フリップフロップ回路２９によりパワーレベル設
定回路３４に設定されたデジタル値を第１のＤ／Ａ変換
器３０へ出力する。

以上のように構成されたこの装置の動作について述へる
。まず、基準値信号の発生について説明する。

半導体レーザ１を駆動するためのＬＤｌｌｉ動回路２５
に、一定の駆動信号（図示されず）が印加される。する
と半導体レーザ１から一定強度のレーザ光が前方及び後
方へ射出される。

そして、半導体レーザ１から後方へ射出されたレーザ光
は、フォトダイオード１０に受光される。

フォトダイオード１０は、受光した光の強度に比例した
電流を出力し、この電流は増幅器８により電圧に変換さ
れ、第１．第２の比較器１９．２６にそれぞれモニタ電
圧Ｖｍとして印加され、第１の基準電圧Ｖｒｅｆ１及び
第２の基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　２とそれぞれ比較される。

第１の比較器１９の出力電圧は、モニタ電圧Ｖｍと第１
の基準電圧Ｖｒｅｆ１の大小関係に応じて高いレベルま
たは低いレベルとなり、カウンタ２０のカウントモード
を制御する。

例えば、Ｖｍ＜　Ｖｒｅｆｌのとき、すなわち半導体レ
ーザ１の出力強度が第７図（１）に示す基準値Ｐ（Ａ）
に達していないときは、第１の比較器１９の出力が低い
レベルとなり、カウンタ２０はアップカウンタとして作
動するカウントモードすなわちアップモードとなる。

また、Ｖｍ＞　Ｖｒｅｆｘのときは、逆にダウンカウン
タとして動作するカウントモードすなわちダウンモード
となる。

フリップフロップ回路２２は、半導体レーザ１の光量制
御を開始するためのパワーセット信号ＰＳによりセット
されて出力信号を生じ、カウンタ２０のディスエーブル
状態を解除する。

そして、第１の基準値に相当するデジタル値をデジタル
値設定回路３５から出力させ、第１のＤ／Ａ変換器３０
でアナログ変換して加算器２４へ加える。

また、カウンタ２０はクロックパルス発生器３３からの
クロックパルスＣＰを、第１の比較器１９からの入力に
応じてアップまたはダウンカウントする。

このカウンタ２０のカウント出力は、第３のＤ／Ａ変換
器２３によってアナログ信号に変換され、加算器２４を
介してＬＤ晩動回路２５に印加され、駆動信号を変化さ
せる。これによって半導体装置ザ１の発光強度が変化す
る。

すなわち、カウンタ２０の計数値が徐々に増加（または
減少）するに伴って、半導体レーザ１からのレーザ光の
強度は徐々に増加（または減少）し、第１の比較器１９
に印加されるモニタ電圧Ｖｍは、徐々に増加（または減
少）する。

このようにして、モニタ電圧Ｖｍが徐々に変化して、第
１の基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　１との大小関係が反転すると
、第１の比較器１日の出力も低レベルから高レベル（ま
たは高レベルから低レベル）へと反転する。

このとき、エツジ検出回路２１が、比較器１９の出力の
立上り（または立下り）のエツジを検出して、フリップ
フロップ回路２２をリセツ１−シ、カウンタ２０をディ
スエーブル状態に復帰させる。

従って、カウンタ２０は、第１の比較器１９の出力反転
の際の計数値を保持し、それによって、半導体レーザ１
の駆動電流の大きさがそのまま保持される。

このとき、実質的にＶｍ＝　Ｖｒｅｆｌであり、半導体
レーザ１の出力強度は、第１の基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　１
　　を通じて設定された第１の基準値Ｐ（Ａ）に設定さ
れる。このように、半導体レーザ１の発光強度が第１の
基準値Ｐ（Ａ）に設定された状態で、カウンタ２０から
出力されるデジタル信号が基準値信号である。

なお、エツジ検出回路２１は、第１の比較器１９の出力
が低レベルから高レベルへ反転したときにのみ、カウン
タ２０をディスエーブル状態にするように構成してもよ
い。

このようにすると、第１の比較器１９の出力レベルが低
レベルから高レベルへ反転するときは、上記の場合と同
じであるが、上記出力レベルが高レベルから低レベルへ
と反転するときには、以下のようになる。

すなわち、第１の比較器１日の出力が高レベルから低レ
ベルに反転すると、カウンタ２０はディスエーブル状態
が解除されたままアップカウンタとして動作することに
なる。

そして、半導体レーザ１の駆動電流は増加し。

第１の比較器１９の出力が低レベルから高レベルへと反
転すると、エツジ検出回路２１がその立上りエツジを検
出してカウンタ２０をディスエーブル状態にし、その計
数値を保持させるのである。

また、カウンタ２０は第１の比較器１９の出力が低レベ
ルでダウンカウンタとして作動し、上記出力が高レベル
でアップカウンタとて作動するようにし、その計数値と
半導体レーザ１の駆動電流が反比例するようにしてもよ
い。

なお、このエツジ検出回路２１とカウンタ２０に関して
ここでのべたことは、エツジ検出回路２８とカウンタ２
７についても同様にあてはまる。

また、フリップフロップ回路２２がリセットされるとき
、カウンタ２０がディスエーブル状態に復帰するととも
に第２の基準値に相当するデジタル値をデジタル値設定
回路３５から出力させる。

このように、第１および第２の基準値に相当するデジタ
ル値がアナログ変換されてＬＤ１ｇＭ勅回路２５へ出力
される。

さて、エツジ検出回路２１の出力は、前述のようにフリ
ップフロップ回路２２をリセットするが、それと同時に
フリップフロップ回路２９をセットする。これにより、
フリップフロップ回路２日は出力を生じてカウンタ２７
のディスエーブル状態を解除する。

従って、半導体レーザ１の発光強度が第１の基準値Ｐ（
Ａ）を実現すると同時に、カウンタ２７は第２の比較器
２６の出力が低レベルか高レベルかに応じて、クロック
パルス発生器３３からのクロックパルスＣＰをアップも
しくはダウンカウントする。

このカウンタ２７のカウント出力は、第２のＤ／Ａ変換
器３１でアナログ信号にアナログ変換され、増幅器３２
．第１のＤ／Ａ変換器３０．加算器２４を介してＬＤ師
師団回路２５印加される。

このようにして、カウンタ２７の計数値の増減に伴って
半導体レーザ１からのレーザ光の発光強度も増減する。

そして、第２の基準電圧Ｖ　ｒｅｆ　２を通じて設定さ
れた第７図（１）に示す発光強度の第２の基準値Ｐ（Ｂ
）が実現されると、第２の比較器２６の出力レベルが反
転してエツジ検出回路２８により検出され、エツジ検出
回路２８が出力を発してフリップフロップ回路２９をリ
セットする。

これにより、カウンタ２７はディスエーブル状態に復帰
し、その出力は上記第２の基準値Ｐ（Ｂ）が実現された
ときの出力値を維持する。このときのカウンタ２７の出
力が補正幅制御信号である。

また、フリップフロップ回路２９の出力により、デジタ
ル値設定回路６５からはパワーレベル設定回路３４で設
定されたデジタル値を第１のＤ／Ａ変換器３０へ出力す
る。

第１．第２の基準値Ｐ（Ａ）、Ｐ（Ｂ）は、光量可変幅
の設計条件として定まるが、Ｐ（Ａ）−Ｐ（Ｂ）を与え
る第７図（１）に示す駆動電流差Δ■は、半導体レーザ
の微分効率ηにより異なる。従って、補正幅制御信号の
大きさは、同図（■）に示す半導体レーザの微分効率η
と対応関係にある。

このようにして得られたカウンタ２７からのデジタルの
補正幅制御信号は、第２のＤ／Ａ変換器３１によりアナ
ログ信号に変換され、増幅器３２を介して第１のＤ／Ａ
変換器３０に印加され、その利得を補正幅制御信号の大
きさに比例して変化させる。

上記の基準値信号と補正幅制御信号は、パワーセットが
行なわれるたびに変動することはありうるが、−旦パワ
ーセットが行なわれた後は、次回のパワーセラ！・まで
変化することはない。

上記の説明から明らかなように、基準信号は半導体レー
ザ１の発光強度の第１の基準値Ｐ（Ａ）に基づいて決定
され、設定信号はパワーレベル設定回路３４のパワーレ
ベル設定値により決定されるから、これらの基準値信号
と設定信号はどちらも半導体レーザの微分効率ηに対す
る情報を含んでいない。

従って、第１のＤ／Ａ変換器３０の利得が一定であると
、第２の基準値に相当するパワーを出力すべきデジタル
値での発光強度は、微分効率ηのバラツキや経時的変動
によって所定の強度Ｐ（Ｂ）からずれてしまう。これに
よって、半導体レーザ１の発光強度は、第１の基準値に
相当するデジタル値から第２の基準値に相当するデジタ
ル値までずれることになる。

しかるに、この実施例では上記微分効率ηに関する情報
を含んでいる補正幅制御信号（カウンタ２７のアナログ
変換出力）により、微分効率ηに応じて第１のＤ／Ａ変
換器３０の利得を調整して発光強度Ｐ（Ｂ）を実現する
ので、第１の基７店値から第２の基準値まで所望の発光
強度を実現できるのである。

第９図は第８図のデジタル値設定回路３５の一例を示し
、３５Ａはゲート（ＧＡＴＥ）、リセツ１−（ＲＥＳＥ
Ｔ）、プリセット（ＰＲＥＳＥＴ）の各入力端子を有す
るバッファ、”５５Ｂはフリップフロップ回路２２．２
９の出力を入力とするデコーダで、その出力がバッファ
３５Ａへ入力される。

また、このバッファ”１５Ａにはパワーレベル設定回路
３４からのパワーセット入力も入力される。

すなわち、フリップフロップ回路２２．２９の出力によ
り、第１の基準値に相当するデジタル値または第２の基
準値に相当するデジタル値をデコーダ３５Ｂで符号化し
、またはパワーレベル設定回路３４の出力値をバッファ
３５Ａで選択して、第１のＤ／Ａ変換器３０へ出力する
。

この実施例では、パワーセット信号ＰＳが発生する毎に
第１の基準値にオート・パワーコントロール（ＡＰＣ）
Ｌ、その後の第２の基準値のＡＰＣは、半導体レーザ１
が温度的に安定している状態にあれば毎回行なう必要は
ない。

また、システムとして第１．第２のＡＰＣが行なわれれ
ば、第２のＡＰＣは適宜行なうが毎回行なってもよい。

なお、第１の基準値と第２の基準値は、各々Ｐ（Ａ）＜
Ｐ（Ｂ）またはＰ（Ａ）＞Ｐ（Ｂ）の何れに設定しても
よい。

パワーレベル設定回路３４へのパワーセットは、マニュ
アル操作でもあるいはＣＰＵなどによる自動セットでも
よい。

以上説明したように、この実施例によれば、パワーセッ
ト信号ＰＳが入力されてセットされる毎に、第１の基準
値Ｐ（Ａ）および第２の基準値Ｐ（Ｂ）が、各々の出力
に対してオート・パワーコントロールされることになる
ので、常に所望の光出力すなわち第１の基準値から第２
の基準値までの光出力が得られる。

この結果、半導体レーザ素子の特性のバラツキや温度変
化等に係わらず、常に精度良く光強度を設定できる。

ところで、半導体レーザからの変調光を、回転多面鏡（
ポリゴンミラー）やホログラ１１スキヤナ等の回転偏向
器で偏向させる光走査方式は良く知られている。

回転偏向器は、一般に光束を等角速度的に偏向させるの
で、被走査面上における走査速度を一定にするために、
一般にはｆθレンズが用いられている。

しかし、ｆθレンズは特殊なレンズであり、製造コスト
も高いので、できればｆθレンズを用いずにすませたい
という要望もある。

また、第６図によって説明したレーザ書込ユニットに使
用しているポリゴンミラーは、各ミラー面が若干凸面を
なすアールポリゴンミラー（詳細は特開昭６１−１５６
０２０号公報参照）であり、光束の走査角速度が一定で
なく、このような場合にはｆＯレンズを用いても走査速
度は一定とならないので、ｆＯレンズを使用できない。

そこで、第６図に示した例のようにｆθレンズを用いず
に光走査を行なう光走査方式が採用されるようになって
きている（詳細は例えば、特開昭６２−３２７６７号公
報参照）。

この走査方式を第１０図によって簡単に説明すると、レ
ーザ光束は、レンズ１２４を介してポリゴンミラー１２
６に入射し、そのミラー面１２６ａの一面により反射さ
れて光導電性の感光体ドラム１０日に入射し、レンズ１
２４の作用で感光体ドラム１０日上に集束する。

ポリゴンミラー１２６を矢示方向へ等速回転させれば、
光束は第１０図で左方から右方へ向かって偏向し、感光
体ドラム１０６を、その母線方向へ左方から右方へと光
走査する。なお、１３３は同期検知センサ（受光素子）
を示し、その検知信号は光走査の起点の同期をとるのに
用いられる。

ポリゴンミラー１２６の回転により、光束を反射するミ
ラー面１２６ａが切換って、光走査が周期的に繰返され
ることになる。

ところで、このような光走査の際、１画素の情報書き込
みに割り当てられる時間をＴとして、１／Ｔで与えられ
る周波数ｆｋをもつクロックを画像走査クロックという
。

このようなｆθレンズを用いない光走査方式では、第１
１図に示すように走査光による被走査面上の走査速度は
一定にはならないから、画像走査クロックの周波数ｆｋ
を一定にしておくと、書き込まれた情報に歪みが生じて
しまう。

このような情報の歪みを除去するには、被走査面上にお
ける走査速度の変化に応じて、−Ｆ記周波数ｆｋを変化
させる必要がある。すなわち、走査速度が大きいところ
ではそれに応じて画像走査クロックの周波数ｆｋを高く
し、走査速度の小さいところでは周波数ｆｋを低くしな
ければならない。

このように、画像走査クロックの周波数ｆ　ｋを走査速
度に応じて変化させることによって、書き込まれた情報
画像の歪みを有効に軽減させることができる。

しかしながら、この場合にも光源として用いられる半導
体レーザは、前述のようにその微分効率に統計的なばら
つきがあり、そのため、個々のレーザ書込ユニットごと
に半導体レーザの微分効率に応じた調整が必要となる。

そこで、このような場合には、第８図に示した実施例に
おけるパワーレベル設定回路３４に代えて、第１２図に
示すような画像クロック周波数制御回路４０を使用すれ
ばよい。

この画像走査クロック周波数制御回路４０において、位
相検波回路５８とローパスフィルタ６０゜電圧制御発振
器６２及び分周器６４は、フェイズ・ロックド・ループ
回路（以下ｒＰＬＬ回路」と称する）を構成する。また
、アップ／ダウンカウンタ６８は、第８図におけるデジ
タル値設定回路３５を実質的に構成している。

この、画像走査クロック周波数制御回路４０の作用を簡
単に説明する。

発振器５４から発せられる周波数ｆＯの基準クロックは
、分周器５６により分周されて、周波数ｆｏ／Ｎの位置
制御用クロックとなり、制御回路５０およびＰＬＬ回路
の位相検波回路５８に人力する。

位相検波回路５８は、この位置制御用クロックと分周器
６４から入力するクロックとの位相を比較し、その位相
差をパルス信号としてローパスフィルタ６０に出力する
。　このローパスフィルタ６０を介して、その位相差の
情報が電圧制御発振器６２に入力すると、この発振器６
２はローパスフィルタ６０の出力電圧に応した周波数の
クロックを出力する。

このクロックが画像走査クロックとなる。そして、この
画像走査クロックは分周器６４で分周され、クロックと
して位相検波回路５日へ印加され、位置制御用クロック
と位相比較される。

分周器６４の分周率は、これをＭとすると固定値であり
、この分周器６４から位相検波回路５８に印加されるク
ロックと位置制御用クロック（周波数ｆｏ／Ｎどの位相
差が変化しないとき、電圧制御発振器６２から発せられ
る画像走査クロックの周波数ｆｋは、ｆｋ＝ｆｏ・Ｍ／
Ｎである。

この状態で、分周器５６の分周率をＮからＮ１に切り換
えると、位置制御用クロックの周波数はｆｏ・１／Ｎ１
となり５画像走査クロックの周波数ｆｋは、ｆｏ−Ｍ／
Ｎからｆｏ・Ｍ／Ｎｔまで連続的かつ単調に変化する。

従って、分周器５６の分周率を段階的に切り換えること
により、周波数が連続的に変化する画像走査クロックが
得られる。

さて、制御回路５０は分周器５６における分周率のプリ
セット値をアップ／ダウンカウンタ（以下単に「カウン
タ」という）５２から出力させるためのクロックＣＫ、
ディスエーブル状態を解除する信号ＥＮ、及びアップ／
ダウンのモードを設定する信号Ｕ／Ｄを発する。なお、
制御回路５０と分周器５６には、第１０図の周期検知セ
ンサ１３３から得られる同期信号が印加される。

クロックＣＫが入力すると、カウンタ５２は、プリセッ
ト値を更新して分周器５６の分周率を切り換える。切換
幅ΔＮは一定である。

さて、光走査が行なわれる走査領域は、予め、複数のブ
ロックＢＬＩ、ＢＬ２．・・・、ＢＬＩ。

ＢＬｋに分割されており、各ブロックＢＬｉ　（ｉ＝ｌ
−ｋ）ごとに数値Ｍｉとｎｌ（ｉ＝１−ｋ）とが定めら
れている。

そして、ｉ番目のブロックＢＬｉでは、位置制御用クロ
ックが制御回路５０にＭｉパルス人力するごとに、制御
回路５０がクロックＣＫを発生させることによって分周
器５６の分周率がΔＮだけ切り換わる。

ブロックＢＬｉではクロックＣＫの発生はｎ　ｉ回であ
る。従ってブロックＢＬｉは位置制御用クロックのＭ　
ｉ−ｎ　ｉ個に対応する。そして、ブロックＢＬｉを光
走査する間に分周率はｎｉ・ΔＮだけ変化する。

ブロック数にや、Ｍｉ、ｎｉの値は、電圧制御発振器６
２から発生する画像走査クロックの周波数ｆｋが走査速
度変化に伴う理想の周波数変化に良く近似するように、
光走査装置の設計条件に応じて実験的あるいは理論的に
定められている。

第１３図にその一例を示す。図において曲線ａは理想上
の画像走査クロックｆｋｏを、また、階段状の折線すは
周波数ｆ　ｋ１＝　（Ｍ／Ｎ）・ｆｏを、それぞれ示し
ている。分周器Ｎを段階的に切り換えることにより、階
段状に変化するのである。

この折線すの下の数字５，６，１０．１６は、図の右端
を走査開始側として、それぞれＭｌ、Ｍ２、Ｍ３．Ｍ４
に対応している。図から明らかなようにｎ　１　＝　６
　、　ｎ　２　＝　９　、　ｎ　３　＝　３　、　ｎ　
４．　＝　５である。

この図は対称図形の半分のみを示しており、その対称性
から明らかなように、ブロック数には７゜Ｍ５＝１０．
ｎ５＝３．Ｍ６＝６．ｎ６＝９．Ｍ７＝５、ｎ７＝６で
ある。

また、分周率Ｎの切換幅ΔＮ＝１である。分周率が段階
的に切り換えられるに従い、画像走査クロックは連続的
に変化して、理想上の周波数変化ｆｋｏと良く近似する
。ちなみに、分周率Ｎは走査領域の両端で６９．中央部
で８９である。

ここで、再び第１２図に戻って、補正信号の発生につい
て説明する。

制御回路５０で発生する信号ＥＮ、ＣＫ、Ｕ／Ｄは、カ
ウンタ５２に印加されると同時にデジタル値設定回路３
５のアップ／ダウンカウンタ（以下単にｒカウンタ」と
称す）６８にも印加される。

従って、カウンタ６８とカウンタ５２とは同時にディス
エーブル状態を解除され、カラン１−を行ない、アップ
モード／ダウンモートの切り換えを行なう。そして、カ
ウンタ６８は画像走査クロック周波数制御回路４０にお
ける発振器５４からの基ｆ＜６クロツクに対する分周率
Ｎが切り換えられるたびに暉動されてカウントを行ない
、そのカウント量に応じて階段的に変化するデジタルの
信号を出力する。この信号が第１１図に示す補正信号で
ある。

この補正信号は、上述した例ではカウンタ５２と６８の
アップ／ダウンモードの切り換えが同じであるので、第
１１図に示すように走査速度の大きいところで大きく、
走査速度の小さいところで小さい。

この補正信号は、第１のＤ／Ａ変換器３０でアナログ（
３号に変換され、第８図の加算器２４において基準値信
号を加算的に演算変調する。

このようにして、走査速度の変化に比例的に対応して階
段的に変化するアナログ信号が得られ、ＬＤＩＩＩｉ動
回路２５では、このアナログ信号が、画像信号である変
調信号（ＬＤ叩動回路２５に印加される）で変調される
。

それによって半導体レーザ１を駆動することにより、光
走査領域における走査速度が大きいところでは半導体レ
ーザの発光強度が大きく、走査策度の小さいところでは
発光強度が小さくなる（ただし、発光強度の変化は階段
的である）ので、走査方向にわたる露光量の不均一は有
効に軽減されることになる。

上述の説明から明らかなように、基準値信号は、半導体
レーザ１の発光強度の基準値Ｐ（Ａ）（主走査のライン
の両端での発光強度）にもとづいて決定され、補正４８
号は光走査速度の変化に応じて決定されるから、これら
基準値信号と補正信号は、どちらも半導体レーザの微分
効率ηに対する情報を含んでいない。

従って、第１のＤ／Ａ変換器３０の利得が一定であると
、光書込走査において主走査ラインの中央部を走査する
ときの発光強度は、ηのばらつきや経時的変動によって
初期の強度Ｐ（Ｂ）からずれてしまう。これによって、
半導体レーザの発光強度は、主走査ライン中央部でのず
れを最大として、光書込走査領域にわたってずれること
になる。

しかるにこの実施例では、上記微分効率ηに関する情報
を含んでいる補正幅制御信号により、微分効率に応じて
第１のＤ／Ａ変換器３０の利得を調整して、上記中央部
を走査するときの発光強度Ｐ（Ｂ）を実現するので、光
書込走査領域にわたって所望の発光強度を実現できるの
である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によれば、半導体レーザ
の特性等にばらつきがあっても、予め半導体レーザユニ
ット全体の特性としてばらつきを調整しておくことがで
きるので、レーザプリンタにおける半導体レーザユニッ
トの交換作業を、現場調整を伴なうことなく簡単且つ迅
速に行なうことができる。

また、従来パワー調整用にレーザプリンタ本体に設けて
いたボード上の設定標準電圧発生器が不要になるばかり
か、半導体レーザのフィー１くバック制御（ＡＰＣ）に
用いる基準電圧と、ライン上でのパワー調整時に用いる
基準電圧とが同一のものとなるので、フィードバック制
御時の基準電圧のばらつきがなくなり、制御精度が向上
する。

さらに、請求項２の発明によれば、第１の基準値から第
２の基準値までの間で所望の光出力が得られるので、半
導体レーザの特性のバラツキや温度変化等に係わらず、
常に精度よくその光強度を設定できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザユニッ
トの断面図、第２図はこの半導体レーザユニットをレーザプリンタに
装着してフィードバック制御ループを形成した状態のブ
ロック回路図。第３図はこの実施例におけるモニタ出力増幅器の構成図
例を示す回路図、第４図は同じく基準電圧発生回路の構成例を示す回路図
、第５図はこの発明による半導体レーザユニットを使用し
たレーザプリンタの概略構成を示す断面図、第６図は同じくそのレーザ書込ユニット１０８の内部構
成を示す平面図、第７図（１）は半導体レーザの発光強度Ｐと屏勅電流■
との関係を示す特性図、同図（ＩＩ）は半導体レーザの
微分効率ηの分布を示す図、第８図はこの発明の他の実
施例のブロック図、第９図は同じくそのデジタル値設定
回路３５の一例を示すブロック図、第１０図はｆＯレンズを用いない光走査方式の説明図、第１１図は同じくその走査速度と補正信号の対応等を示
す説明図、第１２図はこの発明の他の実施例に使用する画像走査ク
ロック周波数制御回路のブロック図、第１３図は同じく
その作用を説明するための線図である。１・・・半導体レーザ　　　　２・・・ベース金属板３
・・・電気的ｗＡＲ材　　　　４・・コリメータレンズ
６・・・プリント回路基板７．７′　・・半導体レーザユニット８・・・モニタ出力増幅器　　９・・・基準電圧発生回
路０・・・モニタ用フオＩ−ダイオード５．２５・・・ＬＤ駆動回路７・・・第１の基準電圧発生回路８・・・第２の基準電圧発生回路９・・第１の比較器　　　２Ｂ・・・第２の比較器０８
・・・レーザ書込ユニット第１図ｍ２図第４図第３図Ｑ４　　ロ→ ｇ５図第９図第υ図第１１図第１２図面像走査クロノク

Claims

【特許請求の範囲】１　半導体レーザ及びこの半導体レーザからの発散性光
束を平行光束に変換するコリメータレンズを具備し、レ
ーザ書込ユニットの光学ハウジングに着脱自在に装着さ
れる半導体レーザユニットにおいて、上記半導体レーザのモニタ出力を増幅する利得調整可能
なモニタ出力増幅器と、この半導体レーザユニットから
の出射パワーを標準設定パワーとしたときの上記モニタ
出力増幅器の出力電圧に相当する内部基準電圧を発生す
る基準電圧発生回路と、前記モニタ出力増幅器の出力と
前記基準電圧とを比較して前記半導体レーザの駆動回路
を制御するための比較器とを含む基板を具備したことを
特徴とする半導体レーザユニット。２　半導体レーザ及びこの半導体レーザからの発散性光
束を平行光束に変換するコリメータレンズを具備し、レ
ーザ書込ユニットの光学ハウジングに着脱自在に装着さ
れる半導体レーザユニットにおいて、上記半導体レーザのモニタ出力を増幅するモニタ出力増
幅器と、上記半導体レーザに流す電流と該半導体レーザ
の出力とがリニアな関係にある領域内の２点における上
記モニタ出力増幅器の出力電圧に相当する第１、第２の
基準電圧を発生する第１、第２の基準電圧発生回路と、
前記モニタ出力増幅器の出力と前記第１、第２の基準電
圧とをそれぞれ比較して前記半導体レーザの駆動回路を
制御するための第１、第２の比較器とを含む基板を具備
したことを特徴とする半導体レーザユニット。