JPH0288908A - Position detector - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は位置検出装置に関し、特に半導体装置組立時の
ダイボンディング工程において半導体ダイの位置合せ作
業に用いる位置検出装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a position detection device, and more particularly to a position detection device used for positioning a semiconductor die in a die bonding process during semiconductor device assembly.
従来、この種の半導体ダイの位置検出装置は、第7図に
示すように、シート1上に多数はぼ整列して配置された
半導体ダイ3の全体像を比較的低倍率の光学系9bを介
して撮像カメラ4で撮像し1.撮像カメラ4からの画像
信号を2値パターン信号に変換して、第8図に示すよう
に、モニタ17上に2値化画像18として表示していた
。Conventionally, this type of semiconductor die position detection device uses an optical system 9b with a relatively low magnification to obtain an overall image of a large number of semiconductor dies 3 arranged in a row on a sheet 1, as shown in FIG. 1. Take an image with the imaging camera 4 through the camera. The image signal from the imaging camera 4 was converted into a binary pattern signal and displayed as a binary image 18 on the monitor 17, as shown in FIG.
半導体ダイ3の2値化画像18は光学系9bのズームレ
ンズにより半導体ダイ3のサイズが変ってもモニタ17
の視野内に収まるように調整され、モニタ17の視野内
の破線21の線分と半導体ダイ3の2値化画像18の外
縁との交点22゜23.24,25,26.27の位置
座標から半導体ダイ3の中心位置座標及び基準線28.
との傾き角θ3を計算する。The binarized image 18 of the semiconductor die 3 is displayed on the monitor 17 even if the size of the semiconductor die 3 changes due to the zoom lens of the optical system 9b.
The position coordinates of the intersection point 22° 23.24, 25, 26.27 between the line segment of the broken line 21 within the field of view of the monitor 17 and the outer edge of the binarized image 18 of the semiconductor die 3 From the center position coordinates of the semiconductor die 3 and the reference line 28.
Calculate the inclination angle θ3 with
このようにして得られた中心位置座標及び傾き角θ1に
したがって半導体ダイ3を載置する図示しないテーブル
を動かし半導体ダイ3を基準位置に合せることができる
。The table (not shown) on which the semiconductor die 3 is placed can be moved to align the semiconductor die 3 with the reference position according to the center position coordinates and inclination angle θ1 thus obtained.
上述した従来の位置検出装置では、2値化画像は少くと
も1つの半導体ダイかモニタ視野内に完全に収められる
大きさであることが想定されている。In the conventional position detection device described above, it is assumed that the binarized image has a size such that at least one semiconductor die can be completely contained within the field of view of the monitor.
従って、半導体ダイの1辺の長さが1〜10mmという
ように広範囲にわたる対象に対しては、光学系のズーム
レンズの倍率を変更して、常に読取り図形の大きさを一
定に保つなどの手段が必要になるという欠点がある。Therefore, when dealing with a wide range of targets such as a semiconductor die with a side length of 1 to 10 mm, measures such as changing the magnification of the zoom lens in the optical system to always keep the size of the read pattern constant are necessary. The disadvantage is that it requires
又、半導体ダイの1辺の長さが10朋を越えるものにつ
いては、ズームレンズの倍率をかなり低く設定しなけれ
ばならず、分解能はコレットが半導体ダイをピックアッ
プする為の必要最小限の精度(約0.1mm>を得られ
なくなるという欠点がある。In addition, for semiconductor dies whose length on one side exceeds 10 mm, the magnification of the zoom lens must be set quite low, and the resolution must be set to the minimum precision necessary for the collet to pick up the semiconductor die ( There is a drawback that it becomes impossible to obtain a diameter of about 0.1 mm.
本発明の位置検出装置は、上面に複数の半導体ダイをほ
ぼ整列させて配置し位置制御情報に応じて横軸及び縦軸
の基準線に沿って平行移動と指定角度の回転を行うテー
ブルと、前記半導体ダイの表面に形成された配線パター
ンのうち選択された第1及び第2の配線パターンをそれ
ぞれ第1及び第2の標準パターンとし前記半導体ダイの
うち選択された半導体ダイ表面を前記第1及び第2の配
線パターンを目標中心として結像する第1及び第2の光
学系と、前記結像された像を撮像して画像信号を出力す
る撮像カメラと、前記画像信号を2値画像パターン信゛
号に変換するA−D変換器と、前記2値画像パターン信
号と前記第1及び第2の標準パターンに対応する標準パ
ターン信号とを比較しその比較結果にしたがって両パタ
ーン位置間の位置誤差情報を出力するパターンマツチン
グ部と、前記位置誤差情報に基づき前記2値パターン信
号の前記標準パターン信号に対する位置偏差量を算出し
て前記位置制御情報を出力する制御部とを含んで構成さ
れる。The position detection device of the present invention includes a table on which a plurality of semiconductor dies are arranged in a substantially aligned manner, and which performs parallel translation along reference lines of horizontal and vertical axes and rotation by a specified angle according to position control information; The selected first and second wiring patterns among the wiring patterns formed on the surface of the semiconductor die are used as first and second standard patterns, respectively, and the selected semiconductor die surface of the semiconductor die is used as the first and second wiring patterns. and first and second optical systems that form an image with the second wiring pattern as the target center; an imaging camera that captures the formed image and outputs an image signal; and an imaging camera that captures the formed image and outputs an image signal; An A-D converter for converting into a signal compares the binary image pattern signal with standard pattern signals corresponding to the first and second standard patterns, and determines the position between the two pattern positions according to the comparison result. The device includes a pattern matching unit that outputs error information, and a control unit that calculates a positional deviation amount of the binary pattern signal with respect to the standard pattern signal based on the position error information and outputs the position control information. Ru.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例のブロック図、第2図は
第1図の第1の実施例の光学系の側面図である。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of the optical system of the first embodiment of FIG.
第1図及び第2図に示すように、複数の半導体ダイ3を
ほぼ整列して配置したシート1を上面に載置し供給され
る位置制御情報に応じて横軸及び縦軸の基準線に沿って
平行移動と指定される角度の回転を行うテーブル2と、
半導体ダイ3の表面に形感された配線パターンのうち選
択された中心間の距離lの第1及び第2の配線パターン
をそれぞれ第1及び第2の標準パターンとして半導体ダ
イ3のうち選択された半導体ダイ表面を距離lをもって
ピックアップして結像する第1及び第2の光学系として
の光学系9と、その像を撮像して画像信号を出力する撮
像カメラ4と、画像信号をディジタル変換して2値画像
パターン信号を出力するA−D変換器5と、2値画像パ
ターン信号の第1及び第2の配線パターンに対応する信
号と第1及び第2の標準パターンに対応する標準パター
ン信号PDとを比較して第1及び第2の配線パターンに
対応する信号と標準パターン信号PDとの位置誤差情報
を出力するパターンマツチング部6と、位置誤差情報に
基づき第1及び第2の配線パターンに対応する信号の標
準パターン信号PDに対する位置偏差量を算出して位置
制御情報を出力する制御部7とを含む。As shown in FIGS. 1 and 2, a sheet 1 on which a plurality of semiconductor dies 3 are arranged in a substantially aligned manner is placed on the top surface, and the reference lines of the horizontal and vertical axes are aligned according to the supplied position control information. a table 2 that performs parallel translation along and rotation by a specified angle;
The first and second wiring patterns selected from among the wiring patterns imprinted on the surface of the semiconductor die 3 and having the distance l between the centers are used as the first and second standard patterns, respectively. An optical system 9 as a first and second optical system that picks up the semiconductor die surface at a distance l and forms an image, an imaging camera 4 that captures the image and outputs an image signal, and converts the image signal into a digital signal. An A-D converter 5 that outputs a binary image pattern signal, a signal corresponding to the first and second wiring patterns of the binary image pattern signal, and a standard pattern signal corresponding to the first and second standard patterns. a pattern matching unit 6 that outputs positional error information between signals corresponding to the first and second wiring patterns and the standard pattern signal PD by comparing the signals corresponding to the first and second wiring patterns PD; The control unit 7 calculates the positional deviation amount of the signal corresponding to the pattern with respect to the standard pattern signal PD and outputs position control information.
第1図及び第2図において、シート1をテープル2上に
固定し、シート1上の半導体グイ3表面の拡大像を光学
系9を介して撮像カメラ4が撮像し、撮像カメラ4から
の画像信号をA−D変換器5でディジタル化して2値画
像パターン信号を得る。In FIGS. 1 and 2, a sheet 1 is fixed on a table 2, and an enlarged image of the surface of the semiconductor guide 3 on the sheet 1 is captured by an imaging camera 4 through an optical system 9. The signal is digitized by an AD converter 5 to obtain a binary image pattern signal.
次に、第3図は第1図の第1の実施例の動作を説明する
ためのモニタ上に表示された標準パターン信号のパター
ン像図、第4図は第1図の第1の実施例の動作を説明す
るためのモニタ上に表示された2値画像パターン信号の
パターン像図である。Next, FIG. 3 is a pattern image diagram of a standard pattern signal displayed on a monitor to explain the operation of the first embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a pattern image diagram of the first embodiment shown in FIG. FIG. 2 is a pattern image diagram of a binary image pattern signal displayed on a monitor for explaining the operation of FIG.
第3図に示すように、標準パターン信号PDに対応する
パターン像P 1 + P 2を得るための標準パター
ンは半導体グイ3上の配線パターンのうち特徴を有する
第1及び第2の配線パターンを選択しており、第2図に
示す距離lによって設定できる。なお、距離lは第2図
に図示しない調整器により変更できる。As shown in FIG. 3, the standard pattern for obtaining the pattern image P 1 + P 2 corresponding to the standard pattern signal PD consists of the first and second wiring patterns having characteristics among the wiring patterns on the semiconductor guide 3. It can be set by the distance l shown in FIG. Note that the distance l can be changed using an adjuster not shown in FIG.
又、第4図に示すように、2値画像パターン信号に対応
するパターン像10.11(パターン像10.11はそ
れぞれ第2図の光学系9の2個の対物し、ンズ12のそ
れぞれに対応している)が得られる。なお、破線は標準
パターン信号PDに対応するパターン像p、、P2であ
る。Further, as shown in FIG. 4, pattern images 10 and 11 corresponding to the binary image pattern signal (pattern images 10 and 11 each have two objects in the optical system 9 in FIG. ) is obtained. Note that the broken lines are pattern images p, , P2 corresponding to the standard pattern signal PD.
再び第1図に戻り、パターンマツチング部6はパターン
像P、、P2に対応する標準パターン信号PDに対して
、パターン像10.11内の第1及び第2の配線パター
ンに対応する2値画像パターン信号を比較し、一致の度
合が所定の基準値より高い点の存在有無を調べ、存在す
るときはパターン像10.11の第1及び第2の配線パ
ターンに対する標準パターンの位置を求める。なお、パ
ターン像P、、P2に対応する標準パターン信号PD及
びパターン像10.11に対応する2値画像パターン信
号は、パターンマツチング部6に同時に入力される。Returning to FIG. 1 again, the pattern matching section 6 converts the standard pattern signals PD corresponding to the pattern images P, , P2 into binary values corresponding to the first and second wiring patterns in the pattern image 10.11. The image pattern signals are compared to check whether there is a point where the degree of coincidence is higher than a predetermined reference value, and if there is a point, the position of the standard pattern with respect to the first and second wiring patterns of the pattern image 10.11 is determined. Note that the standard pattern signal PD corresponding to the pattern images P, , P2 and the binary image pattern signal corresponding to the pattern image 10.11 are input to the pattern matching section 6 at the same time.
制御部7はパターン像10.11内のパターン像p1.
p2の位置から半導体グイ3の中心位置座標及び基準線
281からの傾き角θを計算する。The control unit 7 controls the pattern image p1.in the pattern image 10.11.
From the position p2, the center position coordinates of the semiconductor gouer 3 and the inclination angle θ from the reference line 281 are calculated.
このようにして得られた制御部7からの中心位1座標及
び傾き角θの情報から、制御部7は位置制御情報をテー
ブル2に供給し、テーブル2の位置を移動させる。Based on the information on the center position 1 coordinate and the tilt angle θ obtained from the control unit 7, the control unit 7 supplies position control information to the table 2, and moves the position of the table 2.
第5図はテーブルを位置制御して得られた半導体ダイか
らの2値画像パターン信号をモニタ17上に表示したパ
ターン像図である。FIG. 5 is a pattern image diagram in which a binary image pattern signal from a semiconductor die obtained by controlling the position of the table is displayed on the monitor 17.
なお、シート1上の個々の半導体ダイ3に対してその位
置を検出することにより、シート1上のすべての半導体
ダイ3の位置の検出を行うように、制御部7は予め設定
されたシーケンスにしたがってテーブル2を移動し、各
半導体ダイ3ごとに上記の位置検出を行うように制御す
る。The control unit 7 follows a preset sequence so that the positions of all the semiconductor dies 3 on the sheet 1 are detected by detecting the positions of the individual semiconductor dies 3 on the sheet 1. Therefore, the table 2 is moved and controlled to perform the above position detection for each semiconductor die 3.
第6図は本発明の第2の実施例に用いる光学系の側面図
である。FIG. 6 is a side view of the optical system used in the second embodiment of the invention.
第6図に示すように、第2の実施例では2個の光学系9
.にそれぞれ撮像カメラ4を別個に結合して、半導体ダ
イ3上の2つの場所の配線パターンをそれぞれの画像信
号としてピックアップする点が上述した第1図の第1の
実施例と異なる。As shown in FIG. 6, two optical systems 9 are used in the second embodiment.
.. This embodiment differs from the first embodiment shown in FIG. 1 in that an imaging camera 4 is separately coupled to each of the two locations to pick up the wiring patterns at two locations on the semiconductor die 3 as respective image signals.
第2の実施例では、光学系が分離されているので、光学
系の構成が単純になり、かつ半導体グイ表面の標準パタ
ーンとしての第1及び第2の配線パターンの選択に対す
る光学系の設定が容易になる利点がある。In the second embodiment, since the optical system is separated, the configuration of the optical system is simplified, and the settings of the optical system for selecting the first and second wiring patterns as standard patterns on the surface of the semiconductor guide are easy. It has the advantage of being easier.
以上説明したように本発明は、半導体ダイの予め選定さ
れた一部表面パターンの2箇所を比較的高倍率で読取る
ことにより、従来高精度の位置検出が困難であった、例
えば、1辺の長さが10市を越えるような半導体ダイに
対しても、従来と同様な画像入力時間で、より高精度な
位置検出ができる効果がある。As explained above, the present invention reads two parts of a preselected part of the surface pattern of a semiconductor die at relatively high magnification. Even for a semiconductor die having a length of more than 10 parts, the present invention has the effect of enabling more accurate position detection with the same image input time as the conventional method.
第1図は本発明の第1の実施例のブロック図、第2図は
第1図の第1の実施例の光学系の側面図、第3図は第1
図の第1の実施例1の動作を説明するためのモニタ上に
表示された標準パターン信号のパターン像図、第4図は
第1図の第1の実施例の動作を説明するためのモニタ上
に表示された2値画像パターン信号のパターン像図、第
5図はテーブルを位置制御して得られた半導体グイから
の2値画像パターン信号をモニタ上に表示したパターン
像図、第6図は本発明の第2の実施例に用いる光学系の
側面図、第7図は従来の位置検出装置の一例に用いる光
学系の側面図、第8図は第7図の位置検出装置の動作を
説明するためのモニタ上に表示された2値画像パターン
信号のパターン像図である。
1・・・シート、2・・・テーブル、3・・・半導体ダ
イ、4・・・撮像カメラ、5・・・A−D変換器、6・
・・パターンマツチング部、7・・・制御部、8・・・
落射照明器、9.9−.9b・・・光学系、10.11
・・・2値画像パターン信号に対応するパターン像、1
2.・・・対物レンズ、13・・・ミラー 14・・・
プリズム、15・・・レンズ、16・・・コンデンサレ
ンズ、17・・・モニタ、18・・・2値化画像、19
・・・ハーフミラ−20・・・同軸照明器、21・・・
破線、22,23゜24.25.26.27・・・交点
、28−.28b・・・基準線、P 1 * P 2・
・・標準パターン信号に対応するパターン像、PD・・
・標準パターン信号、θ。
θ1・・・傾き角。1 is a block diagram of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view of the optical system of the first embodiment of FIG. 1, and FIG. 3 is a block diagram of the first embodiment of the invention.
1 is a pattern image diagram of a standard pattern signal displayed on a monitor to explain the operation of the first embodiment in the figure; FIG. 4 is a monitor to explain the operation of the first embodiment in FIG. The pattern image diagram of the binary image pattern signal displayed above, FIG. 5 is a pattern image diagram of the binary image pattern signal from the semiconductor guide obtained by controlling the position of the table, displayed on the monitor, and FIG. 7 is a side view of an optical system used in a second embodiment of the present invention, FIG. 7 is a side view of an optical system used in an example of a conventional position detection device, and FIG. 8 shows the operation of the position detection device shown in FIG. It is a pattern image diagram of a binary image pattern signal displayed on a monitor for explanation. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Sheet, 2... Table, 3... Semiconductor die, 4... Imaging camera, 5... A-D converter, 6...
...Pattern matching section, 7...Control section, 8...
Epi-illuminator, 9.9-. 9b...Optical system, 10.11
...Pattern image corresponding to the binary image pattern signal, 1
2. ...Objective lens, 13...Mirror 14...
Prism, 15... Lens, 16... Condenser lens, 17... Monitor, 18... Binarized image, 19
...Half mirror 20...Coaxial illuminator, 21...
Broken line, 22, 23° 24.25.26.27... Intersection, 28-. 28b...Reference line, P1 * P2.
・Pattern image corresponding to standard pattern signal, PD...
・Standard pattern signal, θ. θ1...Inclination angle.
Claims (1)
御情報に応じて横軸及び縦軸の基準線に沿って平行移動
と指定角度の回転を行うテーブルと、前記半導体ダイの
表面に形成された配線パターンのうち選択された第1及
び第2の配線パターンをそれぞれ第1及び第2の標準パ
ターンとし前記半導体ダイのうち選択された半導体ダイ
表面を前記第1及び第2の配線パターンを目標中心とし
て結像する第1及び第2の光学系と、前記結像された像
を撮像して画像信号を出力する撮像カメラと、前記画像
信号を2値画像パターン信号に変換するA−D変換器と
、前記2値画像パターン信号と前記第1及び第2の標準
パターンに対応する標準パターン信号とを比較しその比
較結果にしたがって両パターン位置間の位置誤差情報を
出力するパターンマッチング部と、前記位置誤差情報に
基づき前記2値パターン信号の前記標準パターン信号に
対する位置偏差量を算出して前記位置制御情報を出力す
る制御部とを含むことを特徴とする位置検出装置。a table on which a plurality of semiconductor dies are arranged in a substantially aligned manner on an upper surface, and which performs parallel translation along reference lines of horizontal and vertical axes and rotation at a specified angle according to position control information; The selected first and second wiring patterns among the selected wiring patterns are used as first and second standard patterns, respectively, and the selected semiconductor die surface of the semiconductor die is set as a target for the first and second wiring patterns. first and second optical systems that form an image as a center; an imaging camera that captures the formed image and outputs an image signal; and A-D conversion that converts the image signal into a binary image pattern signal. a pattern matching unit that compares the binary image pattern signal with standard pattern signals corresponding to the first and second standard patterns and outputs position error information between the positions of both patterns according to the comparison result; A position detection device comprising: a control section that calculates a positional deviation amount of the binary pattern signal with respect to the standard pattern signal based on the position error information and outputs the position control information.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24141688A JPH0288908A (en) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | Position detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24141688A JPH0288908A (en) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | Position detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288908A true JPH0288908A (en) | 1990-03-29 |
Family
ID=17073968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24141688A Pending JPH0288908A (en) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | Position detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288908A (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821106A (en) * | 1981-07-29 | 1983-02-07 | Toshiba Corp | Detection for position |
| JPS60190803A (en) * | 1984-07-20 | 1985-09-28 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for detecting position |
| JPS61138101A (en) * | 1984-12-11 | 1986-06-25 | Hitachi Ltd | Device for automatic inspection of parts position |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24141688A patent/JPH0288908A/en active Pending
Patent Citations (3)
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