JPH0289020A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
- Publication number
- JPH0289020A JPH0289020A JP63241751A JP24175188A JPH0289020A JP H0289020 A JPH0289020 A JP H0289020A JP 63241751 A JP63241751 A JP 63241751A JP 24175188 A JP24175188 A JP 24175188A JP H0289020 A JPH0289020 A JP H0289020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- spontaneous polarization
- ferroelectric
- contrast ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔従来の技術〕
現在世界的に研究が進んでいる強誘電性液晶は従来時計
、電卓等に応用されてきたＴ Ｎ （ＴｗｉｓｔｅｄＮ
ｅｍａｔｉｃ）型液晶に比較して、応答速度が速い、視
野角が広い等の点で優れている。強誘電性液晶の速い応
答速度は液晶自身の持つ自発分極に起因している。一般
に強誘電性液晶の応答速度は自発分極、外部電界に反比
例し、粘度に比例するために従来は自発分極の小さい強
誘電性液晶は応答速度が遅いため使えないものとされ、
自発分極の大きい強誘電性液晶の開発が進められてきた
。しかしながら、この自発分極が強誘電性液晶のスイッ
チング特性に重大な影響を与えている。すなわち自発分
極の存在により、この分極電荷が外部電界を印加しない
状態でも液晶層内に電界を形成し、液晶層内のイオン性
不純物の偏在を生じさせ、その結果逆にイオン性不純物
が液晶分子の自発分極を拘束するために、正常状態にお
いて双安定性を示す強誘電性液晶分子が単安定にならざ
るを得す、コントラスト比の低下を招く。
、電卓等に応用されてきたＴ Ｎ （ＴｗｉｓｔｅｄＮ
ｅｍａｔｉｃ）型液晶に比較して、応答速度が速い、視
野角が広い等の点で優れている。強誘電性液晶の速い応
答速度は液晶自身の持つ自発分極に起因している。一般
に強誘電性液晶の応答速度は自発分極、外部電界に反比
例し、粘度に比例するために従来は自発分極の小さい強
誘電性液晶は応答速度が遅いため使えないものとされ、
自発分極の大きい強誘電性液晶の開発が進められてきた
。しかしながら、この自発分極が強誘電性液晶のスイッ
チング特性に重大な影響を与えている。すなわち自発分
極の存在により、この分極電荷が外部電界を印加しない
状態でも液晶層内に電界を形成し、液晶層内のイオン性
不純物の偏在を生じさせ、その結果逆にイオン性不純物
が液晶分子の自発分極を拘束するために、正常状態にお
いて双安定性を示す強誘電性液晶分子が単安定にならざ
るを得す、コントラスト比の低下を招く。
この問題点について３２ｎＣ／ｃｍ２の自発分極を有す
る液晶を用いた強誘電性液晶素子においてのＩ■特性を
第１図、第２図に示し説明する。第１図は液晶注入直後
の測定であり、第２図は第１図の測定から６０日経過し
た後のものである。第１図に示す様に液晶注入直後では
ほぼ左右対称なグラフとなり、液晶が良好な双安定であ
ることを示している。しかし６０日経過後では電流のピ
ークが右側へかなりずれてしまい、液晶注入直後と同様
な駆動条件ではコントラスト比の大幅な低下が予測され
、実際このセルにおいては液晶注入直後で２３．８であ
ったコントラスト比が６０日経過後で５．６まで低下し
た。
る液晶を用いた強誘電性液晶素子においてのＩ■特性を
第１図、第２図に示し説明する。第１図は液晶注入直後
の測定であり、第２図は第１図の測定から６０日経過し
た後のものである。第１図に示す様に液晶注入直後では
ほぼ左右対称なグラフとなり、液晶が良好な双安定であ
ることを示している。しかし６０日経過後では電流のピ
ークが右側へかなりずれてしまい、液晶注入直後と同様
な駆動条件ではコントラスト比の大幅な低下が予測され
、実際このセルにおいては液晶注入直後で２３．８であ
ったコントラスト比が６０日経過後で５．６まで低下し
た。
ただしコントラスト比はドツト数が６４０ Ｘ ４００
のマトリックスセルを作製し、第３図に示す様にクロス
ニコルの偏光板の間にセルを配置し、２ｎｏ＋φのスリ
ットを用いて透過光量の測定を行い、と定義した。そし
て、セルの任意の５ケ所を測定し、その平均を第１図に
記載した。
のマトリックスセルを作製し、第３図に示す様にクロス
ニコルの偏光板の間にセルを配置し、２ｎｏ＋φのスリ
ットを用いて透過光量の測定を行い、と定義した。そし
て、セルの任意の５ケ所を測定し、その平均を第１図に
記載した。
また、同じセルでコントラスト比についての６０日経過
後までの時間経過の様子を第４図に示す。
後までの時間経過の様子を第４図に示す。
図から約４０日経過以降はぼ安定しているので、６０日
以上経過した後も６０日後のコントラスト比とほぼ同様
であると思われる。
以上経過した後も６０日後のコントラスト比とほぼ同様
であると思われる。
ところで一般にデイスプレィ等においてはコントラスト
比が最低でも１０は要求されるのでこのセルではデイス
プレィ等に応用することはできないといえる。
比が最低でも１０は要求されるのでこのセルではデイス
プレィ等に応用することはできないといえる。
かかる問題解決のため本発明は１５ｎｃ／ｃｍ”以下の
自発分極を有する強誘電性液晶を用いることによりイオ
ン性不純物の影響を減少し、著しく強誘電性液晶素子の
性能を向上させたものである。第１表に自発分極の相違
する１０種類の強誘電性液晶について液晶注入直後のコ
ントラスト比と６０日後におけるコントラスト比を示す
。
自発分極を有する強誘電性液晶を用いることによりイオ
ン性不純物の影響を減少し、著しく強誘電性液晶素子の
性能を向上させたものである。第１表に自発分極の相違
する１０種類の強誘電性液晶について液晶注入直後のコ
ントラスト比と６０日後におけるコントラスト比を示す
。
第 １ 表
デイスプレィ等に応用される際にはコントラスト比が１
０以上要求されることから考えると、第１表中で使用可
能な強誘電性液晶はＡ−Ｌであり従って強誘電性液晶の
自発分極は１５ｎＣ／ｃｍ”以下であることが必要であ
るといえる。
０以上要求されることから考えると、第１表中で使用可
能な強誘電性液晶はＡ−Ｌであり従って強誘電性液晶の
自発分極は１５ｎＣ／ｃｍ”以下であることが必要であ
るといえる。
以上より本発明の１５ｎＣ／ｃｍ”以下の自発分極を有
する強誘電性液晶を用いた液晶素子は、スイッチング特
性において従来の問題点を解消し、また応答速度に関し
ては強誘電性液晶の粘度を下げる、或いは外部電界強度
の増加等の方法によって十分解決できるものであるから
本発明は強誘電性液晶素子のＴＮ型液晶に対する優位性
を保ちながらなおかつ強誘電性液晶素子の信顛性を著し
く向上せしめたものである。
する強誘電性液晶を用いた液晶素子は、スイッチング特
性において従来の問題点を解消し、また応答速度に関し
ては強誘電性液晶の粘度を下げる、或いは外部電界強度
の増加等の方法によって十分解決できるものであるから
本発明は強誘電性液晶素子のＴＮ型液晶に対する優位性
を保ちながらなおかつ強誘電性液晶素子の信顛性を著し
く向上せしめたものである。
第１図、第２図は３２ｎＣ／ｃｍ”の自発分極を有する
強誘電性液晶を用いた液晶素子の、液晶注入直後と６０
日経過後のＩ−Ｖ特性を示す。 第３図はコントラスト比の測定系を示したものである。 第４図は３２ｎＣ／ｃｍ２の自発分極を有する強誘電性
液晶素子の液晶注入直後から６０日経過後までのコント
ラスト比の変化を示す。 光源 スリット 偏光板 液晶セル ディテクター オシロスコープ 電源
強誘電性液晶を用いた液晶素子の、液晶注入直後と６０
日経過後のＩ−Ｖ特性を示す。 第３図はコントラスト比の測定系を示したものである。 第４図は３２ｎＣ／ｃｍ２の自発分極を有する強誘電性
液晶素子の液晶注入直後から６０日経過後までのコント
ラスト比の変化を示す。 光源 スリット 偏光板 液晶セル ディテクター オシロスコープ 電源
Claims (1)
- １、自発分極が１５ｎＣ／ｃｍ＾２以下の強誘電性液晶
を有する強誘電性液晶素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241751A JPH0289020A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 強誘電性液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241751A JPH0289020A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289020A true JPH0289020A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17078993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63241751A Pending JPH0289020A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289020A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6322042A (ja) * | 1986-03-10 | 1988-01-29 | Canon Inc | フルオロアルカン誘導体 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63241751A patent/JPH0289020A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6322042A (ja) * | 1986-03-10 | 1988-01-29 | Canon Inc | フルオロアルカン誘導体 |
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