JPH029038A - 平面状の磁気光学的多層記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、（Ａ）光学的に透明の寸法安定性支持体と、 （］３）非晶質ランタニド遷移金属合金からなる熱変化
可能な記録層と、 少なくとも記録層（Ｂ）の支持体（Ａ）から離れた而」
−にお１する、 （Ｃ）元素組成物■： （ＡｌｘＳｉσｘＳｉ！−ｘ）ｌ−ｚ（Ｍｒ１Ｍｓ２Ｍ
Ｌ３）ｚ　　　　Ｉ［但し、 Ｍ　１、Ｍ　２およびＭ３はそれぞれＴｉ、　Ｚｒ、ｌ
ｌｆ、　Ｔｈ、５ｃＳＹ、　１、ａ、　Ｃｅ、　ｒ’ｒ
、Ｎｄ、　Ｓｓ、　ｌシｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、Ｄｙ、Ｊ
ｉｏ、　Ｆ、ｒ、　Ｔｌｌ５Ｙｂ、　１、ｕ、　Ｙ、　
Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｗ、Ｍｎ、　Ｒｅ、
　Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｒｈ、　Ｃｕ、　Ｚｎ、　Ｍｇ、　
Ｃａ、　Ｓｒ、１１ａ％Ｂ、　Ｇａ、　　Ｉｎ、　　Ｔ
（２％Ｇｅ％Ｓｎ、　　Ｐｂ、　　Ｐ、　　Ａｓ、　Ｓ
ｂおよびＴｅを表わし、この場合Ｍ　１、Ｍ　２および
Ｍ３は、互いに５１４なっているか、或いはＭ　１、Ｍ
　７およびＭ３は、Ｍ　１、Ｍ　２およびＭ３がランタ
ンまたはランタニドである場合には、互いに同一かまた
は異なっており； Ｘは０〜１を表わし； ２はｒ　十ｓ　＋　ｔを表わし； ｒは０．００５〜０．１５を表わし； Ｓは０．００５〜０．１５を表わし； ｔは０〜０．００５を表わす］によって形成されている
炭化物セラミック、酸化物セラミックおよび／または窒
化物セラミックからなる多結晶性またはＸ線非晶質層と
を有する平面状の磁気光学的多層記録材料に関する。

従来の技術 類似の種類の記録材料は、ドイツ連邦共和国特許出願公
開第３３３５６８９号明細書の記載から公知である。こ
の場合、記録層（Ｂ）は２０〜１１００ｎの厚さである
。３つの層は、支持体から離れた面上に存在し、これら
の層は、それぞれ定義された機能を充足している。すな
わち、第１の層は、例えば酸化チタン、酸化セリウム、
酸化アンチモン、酸化タングステン、酸化ＥＬ素、酸化
ビスマスまたは酸化カドミウムのように２．０およびそ
れ以上の高い屈折率を有する材料からなり、かつ干渉層
として使用される。第２の層は、桐、銀、クロム、アル
ミニウム、ロジウム、金またはニッケルのような金属か
らなり、かつ反射層である。最上層は、酸化防ＩＬ：、
層と呼称され、かつ酸化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、酸化チタンまたは酸化トリウムからなる。

ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５３４５７１号明細
書の記載から公知の記録材料は、比較可能な構造を有す
る。この場合、記録層（Ｂ）上に設けられた第１の層は
、炭化珪素および窒化珪素または炭化珪素および窒化ア
ルミニウムからの混合物からなり、かつ保護層ならびに
干渉層として使用される。第２の層としては、銅アルミ
ニウムまたは金のような金属からの反射層がこれに該当
する。その上、耐蝕層が配置されていてもよい。記録材
料は、−酸化珪素、弗化マグネシウムまたは酸化ニオブ
、酸化タンタルもしくは酸化アルミニウムまたは窒化ア
ルミニウムもしくは窒化珪素からの干渉層のような他の
補助層を包含することができる。

更に、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５００３１４
号明細書の記載から、酸化物／窒化物混合物からなる耐
蝕層としても干渉層としても使用される層を有する記録
材料は、公知である。

前記の公知の記録材料は、記録層（Ｂ）上に焦点合わせ
されおよび／またはこの記録層に垂直に衝突するパル変
調されたレーザー光を用いてのデーターの記録に使用さ
れる。

データーを記録する場合には、記録材料に補助的磁場が
加えられ、この磁場の力線は、記録層（Ｂ）の表面に対
して垂直の方向に向いているか、または記録層（Ｂ）は
、相応して向きを定めた、層に内在せる（内部）磁場を
イｆする。

周知のように、強磁性の非晶質ランタニド遷移金属合金
からなる、表面に対して昨直に磁化された記録層（＋３
）は、データーの、１Ｆ込みの際にレーザー光によって
衝突個所で加熱される。合金の保磁力ＩＩ　ｃは、加熱
によって減少される。

保磁力ＩＩ　ｃが、そのつど使用される合金に依Ｈする
臨＋８温度で一定の方向に向いている（外部）補助的磁
場の強さまたは層に内在せる、すなわち内部の磁場の強
さを下廻る場合には、衝突個所で元来の方向とは反対の
磁化方向を仔する１つの領域が生じる。このような領域
は、″スポット（５ｐｏｔ）”とも呼称される。

１１Ｆ込まれたデーターは、例えば磁場の力線が層表面
に対して垂直方向に向いている外部または内部磁場内で
レーザー光を用いて記録層（Ｂ）を局部的に加熱するこ
とによって必要に応じ意図的に再び消去することができ
、その後に新しいデーターを書込むことができる。すな
わち、書込み過程は、可逆的である。

データーを読取るためには、連続的に発光する連続波レ
ーザーの直線偏光が使用され、この光の出力では、材料
を臨界温度を越えて加熱するのには不十分である。この
レーザー光は、記録層（Ｂ）それ自体によって反射され
るか、またはこの記録層（Ｂ）の後方に配置された反射
層によって反射され、この場合には、記録層（Ｂ）中の
磁気モーメントと、レーザー光波の磁気ベクトルとの間
に相互作用が生じる。この相互作用により、“スポット
（ｓｐｏｔ）”またはこのスポットの後方に存在する反
射層によって反射されるレーザー光の偏光面官は、元来
の平面に対して小さな角度だけ回転される。偏光面マの
前記回転が記録層（Ｂ）自体での光の反射の際に行なわ
れる場合には、このことはカー効果と呼称され、それに
応じて回転角度は、カー回転角度と呼称され：これに対
して前記偏光面は、光が記録層を２回通過する際に回転
され、すなわちファラデー効果およびファラデー回転と
呼ばれる。

記録材料によって反射されたレーザー光の偏光面マの前
記回転は、適当な光学的／電気的装置を用いて測定され
、かつ信号に変換される。

公知の記録材料でデーターを読出す際にファラデー効果
を利用する場合には、この記録材料は、必要に応じて反
射層を有しなければならない。それというのも、記録層
（Ｂ）それ自体は、光透過性であるからである。更に、
支障ある回折現象を抑制するために、干渉層が存在して
いなければならない。勿論、公知の記録材料中に／ｊ在
する干渉層、反射層および酸化防止層ならびにそれらの
組合せ物は、酸素遮断層としても作用し、この酸素遮断
層は、最も外側の酸素および水に敏感な記録層（Ｂ）が
腐蝕することを一定の範囲内で阻止する。それにも拘わ
らず、この酸素遮断層は、前記機能を実際に十分な程度
に充足するものではなく、したがって記録材料を空気か
ら隔絶する耐蝕層を付加的になお一緒に使用しなければ
ならない。

干渉層、反射層および酸化防止層からなる公知の組合せ
物は、それ自体多数の別々の層から構成された唯１つの
耐蝕層として理解することはできない。それというのも
、この組合せ物の構造および組成は、耐蝕作用によって
専ら定まるのではなく、大体において別の機能によって
定まるからである。

公知の組合せ物は、耐蝕作用に関連して欠点を有する。

殊に、この公知の組合せ物の作用はこの組合せ物が空気
側で例えば酸化アルミニウムからなる比較的に厚手の層
を有する場合には、酸素遮断層として所望のものに程遠
い。更に、残りの層の成分を別の視点で適切に選択する
ことにより、層相互の付着力、安定性、内部応力または
機械的強度に関連する欠点が明らかになる。すなわち、
干渉および反射に関連して最適であるはずの公知の組合
せ物は、僅かに耐蝕作用を有しうる。しかし、またこの
公知の組合せ物の耐蝕作用は、実際には満足なものであ
るが、それにも拘わらずこの組合せ物の安定性は、所望
のものには程遠い。特に硬質の上層を供給する成分を選
択する場合には、公知の層組合せ物は、全体が僅かな機
械的応力で破砕されてしまうような程度に脆い。その」
二、内部応力は層組合せ物中に亀裂を惹起しうる。これ
らの全てのことは、耐蝕作用にとって不利なことである
。

しかし、腐蝕から保護することは、当該記録材料の場合
には直゛接に根本的に重要なことである。それというの
も、この記録材料の記録層（Ｂ　）は極めて迅速に水お
よび／または空気酸素によって破壊され、このことによ
り記録層（Ｂ）中に書込まれているデーターの全体的損
失を結果としてまねくからである。

従って、これまで公知の層または層組合せ物を耐蝕作用
に関連してそれらの製造、層構造および／または物質組
成についてさらに改とすることが強いられた。

すなわち、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５２８７
０１号明細書の記載から、記録層（Ｂ）が支持体（Ａ）
から離れた側で炭化タングステン、炭化硼素、炭化モリ
ブデン、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化チタン、炭
化クロム、炭化バナジウム、炭化タンタルまたは炭化珪
素からなる耐蝕層によって被覆されているような記録材
料は、明らかになる。

米国特許第４６８０７４２号明細書の記載から、支持体
（Ａ）と記録層（１３）との間の窒化珪素からなる干渉
層を耐蝕作用に関連してイツトリウム、ランタン、セリ
ウム、チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデン、ア
ンチモン、ビスマス、珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、ア
ルミニウム、亜鉛もしくはカドミウムまたはこれらの酸
化物、窒化物、硫化物および珪化物の添加によって改善
したような記録材料は、公知であるこの添加剤は、窒化
珪素中に０．１〜２０モル％、殊に４〜２０モル％の量
で含有されている。

更に、欧州特許出願公開第０２３３０６２号明細１１″
？の記載から、記録層（Ｂ）が少なくとも片面１−で、
珪素、アルミニウム、酸素および窒素の群から選択され
た、本質的に少なくとも３つの成分からの共合°結合し
た材料からなる保護層または＋ｔｉｒＪｆｌｔ層で被覆
されているような記録材料は、公知である。

史に、欧州特許出願公開第０２３　＋　６７２号明細書
の記・１・支から、記録層（Ｂ）が少な（とも支持体（
Ａ）から離れた側で、 （ｉ　）　１、ａＳＣｃＳＰｒ、、Ｎｄ、　Ｉ’ｍ、　
Ｓｍ、　Ｅｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ。

Ｄｙ、　ｌ１ｏＳｌシｒ、　Ｔ＋ｓ、　Ｙｂまたは１、
ｕおよび（ｉｉ　）　５ｉｏ２、＾Ｑ　２０３、Ｃａｂ
、　１．ａ２０３、Ｍｇｏ、５ｂ２ｏ３．５ｉＯ１Ｓｎ
０２、ＺｒＯ２、ＺｎＳ、　ＣｄＳ、　ＰｂＳ、　５ｈ
２Ｓｑ、＾ＱＰａ、ＣａＦ２、ＣａＦ３、ＭｆｌＰ７、
Ｎ　ａ　Ａ　（ｌ　Ｆ　［ｉ、ＮａＦ、１、ｉＦ、　Ｎ
ａＦ３、Ｐ　ｂ　Ｆ　２、Ｔ　ｈ　Ｆ　４、ＡＱＮ、　
Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ％ＴｉＣ，ＳｉＣ，Ｃ「３Ｃ７、Ｍ
ｏ２ＧまたはＶＣをガス相から共通に析出させることに
よって得た保護層または耐蝕層で被覆されているような
記録材料は、明らかである。

それにも拘わらず、このような干渉層および／または耐
蝕層を使用する場合には、Ｐ想できないように記録材料
の品質および寿命が損なわれるという新しい欠点が生じ
る。すなわち、当該記録層（Ｂ）の場合には、なかんず
く耐蝕層の成分と、記録層（Ｂ）のランタニド遷移金属
合金との間の反応に帰因する孔蝕（“ピンホール腐蝕（
ｐｉｎｈｏｌｅ　ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）”）が屡々生じ
る。

記録層（Ｂ）を腐蝕に対して保護することに関連し、ド
イツ連邦共和国特許出願第Ｐ３６１６７３６．７号明細
書に記載の耐蝕層を用いてＩｎ要な進歩が達成された。

この耐蝕層は、３０〜２５０ｎｍの厚さであり、かつ２
つまたはそれ以上の成分からなり、この耐蝕層は、成分
の各１つからなる４つまたはそれ以−Ｌの別々の層で存
在する。この場合、成分の少なくとも１つはＢ１Δσ、
Ｓ　ｉ、Ｔ　ｉ、Ｚ　ｒ、Ｈｆ、Ｖ、ＮｂＴａ５Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗの元素の群から選択され、成分の別の少なくと
も１つは、前記元素の炭化物、窒化物および酸化物の群
から選択される。更に、直接に隣接した層は、常に互い
に異なる成分からなる。それにも拘わらず、この耐蝕層
は、元素からなる層のために光学的に不透明である。従
って、この１ｌｌＴＪ蝕層は、レーザー光で照射されな
い記録層（Ｂ）の面を被覆するために専ら使用すること
ができる。すなわぢ、耐蝕層は、実際に惹起される耐蝕
作用のために望まれるであろうようには支持体（Ａ）と
記録層（ｎ）との間の干渉層として使用することはでき
ない。

従って、耐蝕層としても干渉層としても使用することが
できる光学的に透明な層が必要であるという切なる願い
は依然として／ｊ在する。この場合、この層は、２つの
機能に関連して最適な性質プロフィールを有するはずで
あり；さらに、前記層は、簡１１１な方法でそのつど使
用される記録層（Ｂ）および支持体（Ａ）に適合するこ
とができなければならず、すなわち公知の層によってこ
れまで実際の要求に応じるようには充足されなかった要
件プロフィールは、欠点であるこの理由から、公知技術
水準の平面状の多層磁気光学的記録材料は、同様になか
んずく比較的に低い信号雑音比、比較的に高いビット誤
差率、不利なパルス幅分布（“ジッター（ｊｉｔｔａｒ
）”）、ディスクドライブのレーザー光学的書込みヘッ
ドおよび読出しヘッド中でのトラッキングサーボ装置お
よび自動焦点合わせ装置の不満足な応答、すなわち記録
材料の“トラッキング比および比較的に短い寿命に表わ
れている欠点を有する。

発明を達成するための手段 本発明の目的は、公知技術水準の欠点をもはや有しない
新規の平面状の磁気光学的多層記録材料を見い出すこと
である。

それに応じて、以下省略して“本発明による記録材料”
と呼称する新規の平面状の磁気光学的多層記録材料が見
い出された。

本発明の範囲内で“平面状”の概念は、厚さが長さおよ
び幅よりも著しく僅かである全ての立体形を包含する。

従って、本発明による記録材料は、帯状、板状または円
板状であることができ、この場合には、一般に“データ
ー板”または“ディスク”と呼称されている円板状が有
利である。

本発明による記録材料の本発明による本質的な成分は、
新規の層（Ｃ）である。

好ましくは、新規の層（Ｃ）は、光学的に透明であり、
すなわちこの層（Ｃ）は、データーの書込みおよび読出
しのために使用されるレーザー光を分散させるのでもな
く又大部分吸収するのでもなく、当該レーザー光は、強
度およびビーム横断面の本質的な変化なしに通過するこ
とができる。新規の層（Ｃ）がレーザー光が衝突しない
記録層（１３）の面上に存在する場合には、この層（Ｃ
）は、不透明であってもよい。

新規の層（Ｃ）は、多結晶性またはＸ線非晶質である。

この場合には、多結晶性の新規層（Ｃ）は、微結晶から
構成され、その大きさは、実際にす７メートル範囲内に
あるが、それにも拘わらずこの層（Ｃ）は、依然として
Ｘ線を回折する能力を有する。

これに対して、Ｘ線非晶質の新規層（Ｃ）は、Ｘ線での
照射の際にもはや回折パターンを生ぜず、かつこの点に
関連して公知の非晶質ガラスに等しい。

多結晶性の新規層（Ｃ）は、光学的性質および使用技術
的性質ならびに特に好ましい作用の点で十分にＸ線非晶
質の新規層（Ｃ）に相当し、この場合には、使用目的に
応じである程度の相違を生じ得るが、それにも拘わらず
この新規層（Ｃ）は有利に使用可能である。

新規層（Ｃ）は、性質に応じてセラミック材料に相当し
、これは、粘土等のような材料を灼熱（“焼成″）させ
ることによって得られかつ高い物理的／化学的安定性を
有する早期の無機工業製品または材料であった。この概
念の意味は、最近無機工業材料の分野での激しい開発の
ために著しく拡大され、この概念は、今や灼熱または焼
成によって得られるのではなく、別の方法により得られ
る材料をも包含する。この材料は、古典的セラミックの
性質プロフィールを数多くの点で凌駕しかつ屡々一般的
でない性質を一緒に包含する性質プロフィールを有する
。従って、この材料は、屡々“モダーンセラミックス（
ｌｌｏｄｅｒｎ　ｃｅｒａｌｌｉｃｓ）″と呼称される
。従って、新規層（Ｃ）は、性質および組成により炭化
物セラミ・ツク、酸化物セラミックおよび／または窒化
物セラミックとして包含することができ、すなわちこの
新規層（Ｃ）は、炭化物、酸化物または窒化物からなる
か、または酸化物と窒化物との混合物、酸化物と炭化物
との混合物、炭化物と窒化物との混合物または酸化物お
よび炭化物と窒化物との混合物からなる。

新規層（Ｃ）が例えば酸化物および窒化物からなる場合
には、酸素および窒素は、統計的分布で層（Ｃ）中に存
在し、すなわち層（Ｃ）は均質であり、この場合この層
（Ｃ）は、多結晶性またはＸ線非晶質である。しかし、
また新規層（Ｃ）は、酸化物／窒化物セラミックであり
、この場合酸化物からの微結晶は、窒化物からの微結晶
とともに統計的分布で同時に存在し、すなわち新規層（
Ｃ）は、多結晶性混合物である。また、このことは、意
味的に酸化物および炭化物、炭化物および窒化物、また
は酸化物、炭化物および窒化物からなる新規層（Ｃ）に
も当てはまる。

また、多結晶性またはＸ線非晶質の新規層（Ｃ）は、例
えば酸素および窒素の分布に関連して層厚を越えて１つ
の勾配を有する。これは、窒素の濃度が層（Ｃ）の片面
から出発して別の面に向かって均一に増大することを意
味し、この場合酸素の濃度は、化学量論によって強制的
に確認される相応する方法で減少される。或いはこれは
、窒素の濃度が層（Ｃ）の片面から出発し、まず増大し
、次いで再び徐々に、すなわち境界が確定しないように
減少するかまたは突然に減少し、この場合には、酸素の
濃度も相当する方法で減少し、引続き再び増大する。こ
の酸素濃度の増大が層（Ｃ）の仝厚を越えて数倍である
ことができる場合には、それによって層（Ｃ）の多層構
造が生じる。これは、意味的に酸化物および炭化物、炭
化物および窒化物、または酸化物、炭化物および窒化物
からなる新規層（Ｃ）にも当てはまる。

この多層の新規層（Ｃ）は、２つまたはそれ以上の別々
の層からなり、この場合別々の層は、それぞれ炭化物層
、窒化物層または酸化物層であるか、或いは炭化物／酸
化物層、炭化物／窒化物層、酸化物／窒化物層または炭
化物／酸化物、窒化物層である。

最も一般的な場合には、最適な性質プロフィールに調節
するために３〜５個の別々の層でヒ分であり、特殊な場
合には、６．７または８個の層からなる層（Ｃ）が使用
される。９．１０個またはそれ以上の層からなる層（Ｃ
）は、滅多に使用されない。それというのも、この場合
には製造費がいっそう嵩むことにより、それ自体既に特
に好ましい性質のさらなる向上が要求に応じるように完
成されないからである。従って、特に有利なのは、３〜
５個の層からなる層（Ｃ）である。それというのも、こ
の層（Ｃ）は、最も僅かな費用で製造することができ、
かつその際既に最適な性質を示すからである。

前記層（Ｃ）の層は、異なる厚さを有することができる
。それにも拘わらず、この前記層（Ｃ）の層はほぼ同じ
厚さであるのが有利である。

１つの層から直ぐ次の層への移行は、突然であることが
できる。すなわち、例えば化学量論的Ｘｌ成物の窒化物
層から酸化物層または炭化物層への移行の際のように層
間にはＥＥ確に定義された境界面が存在する。しかし、
移行部は境界が確定していな（ともよい。すなわち、例
えば化学量論的組成物の窒化物層は、窒素の量が多少と
も急速に減少しかつ酸素または炭素の濃度が多少とも急
速に増大するような領域に亘って純粋な酸化物層または
純粋な炭化物層に移行することができる。

この場合、本発明によれば、１つの層から直ぐ次の層へ
の境界が確定していない移行部は、有利である。

窒化物、炭化物および酸化物からなる、中層または多層
の多結晶性またはＸ線非晶質の新規層（Ｃ）を使用する
か否かとは無関係に、本発明によれば、記録層（Ｂ）に
向いているかまたはこの記録層（１３）と直接境を接し
ている新規層（Ｃ）の面は主としてまたは全部が窒化物
からなるのが特に有利である。

窒化物すよび酸化物、炭化物および酸化物、窒化物およ
び炭化物、または炭化物、酸化物および窒化物からなる
単層または多層の多結晶性またはＸ線非晶質の新規層（
Ｃ）を使用するか、または炭化物、酸化物または窒化物
からなる多結晶性またはＸ線非晶質の新規層（Ｃ）を使
用するか否かとは無関係に、新規層（Ｃ）は、１１００
Ｑｎの厚さを有する。この新規層（Ｃ）の特別の性質お
よび工業的効果のために、より高い層ＰＩＸは不要であ
る。更に、とにか（既に好ましい性質プロフィールの比
較的に僅かなさらなる向上のみがこのために必要とされ
るより高い材料使用τｊｔと結び付いている。他面、新
規層（Ｃ）の厚さは、２００ｍを下廻ってはならない。

それというのも、この場合に、例えば新規層（Ｃ）の遮
断効果は、酸素および水に対してもはや完全には満足な
ものではないからである。有利なのは、４０〜８００ｎ
ｍの厚さであり、この場合には、４０〜５００ｎｍの厚
さ範囲が特に顕著であり、かつ５０〜２５０ｎｍの厚さ
範囲が殊に顕著に強調される。５０〜２５００ｍの厚さ
範囲内で再び５０〜Ｉ００ｎｍの範囲が特に１ｎ装であ
る。それというのも、前記厚さの新規層（Ｃ）は、遮断
効果、材料使用量、製造費、機械的強度、靭性および安
定性に関連して最適な性質プロフィール、ひいては特に
広範な使用可能性を示すからである。それによれば、５
０〜１１００ｎの範囲が最適であり、この範囲内で層（
Ｃ）の厚さは、変動し、かつ有利に本発明による記録材
料の別の物質的パラメーターおよび工業的パラメーター
に適合しうる。

窒化物および酸化物、炭化物および酸化物、窒化物およ
び炭化物、または炭化物、酸化物および窒化物からなる
厚さ２０〜１１０００ｎの中層または多層の多結晶性ま
たはＸ線非晶質の新規層（Ｃ）を使用するか、または炭
化物、酸化物または窒化物からなる厚さ２０〜１１００
０ｎの多結晶性またはＸ線非晶質の新規層（Ｃ）を使用
するか否かとは無関係に、前記層（Ｃ）の炭化物セラミ
ック、酸化物セラミックおよび／または窒化物セラミッ
クは、常に本発明により使用すべき元素組成物Ｉによっ
て形成される。

これは、新規層＜Ｃ＞のセラミックが元素組成に関連し
てその全体の容積を越えて均質または１−分に均質な横
道を有する、すなわち層（Ｃ）が元素組成物１に関連し
て濃度勾配不合であるかまたは十分に濃度勾配不合であ
ることを意味する。

勿論、この場合には、新規層（Ｃ）上に少なくとも１つ
の他の新規層（Ｃ）を設けることができこれは、元素組
成物Ｉに関連してその下に存在する新規層（Ｃ）とは区
別される。

本発明により使用すべき元素組成物Ｉは、炭化物セラミ
ック、酸化物セラミックおよび／または窒化物セラミッ
クの残りの成分が互いに存在するようなモル比を概観的
に再び記載する。

このモル比は、所定の層（Ｃ）に対して固より全体が確
定されているか、または十分に確定されている。これに
対して、元素組成物ｌに対する炭素、酸素および／また
は窒素のモル比は、所定の元素組成物Ｉに応じて原子価
および／または存在する正電荷もしくは負電荷の数によ
って強制的に予め記載される方法で変動する。従って、
新規層（Ｃ）の炭素含量、酸素含量および／または窒素
含■ムｔは、それぞれ使用される元素組成物ｌにより容
易に計算することができ、それ故にそれぞれ炭素含量、
酸素含量および／または窒素含量の正確な記載は、以下
割愛し、かつ当該新規層（Ｃ）を完全に物質的に特徴付
けることについては、例えば酸化物層または窒化物層（
Ｃ）が重要であるかまたは一定の酸素／窒素比の酸化物
層／窒化物層（Ｃ）が重要であるという一括した記載で
十分である。

本発明により使用すべき元素組成物は、アルミニウムお
よび／または珪素の成分を有する。

更に、元素組成物１は、成分Ｍ１およびＭｌを含有する
。この成分は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ト
リウム、スカンジウム、イツトリウム、ランタン、セリ
ウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピ
ウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホ
ルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ル
テチウム、バナジウム、ニオブ、タンタルクロム、モリ
ブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、コバ
ルト、ロジウム、銅、亜鉛、マグネシウム、カルシウム
、ストロンチウム、バリウム、硼素、ガリウム、インジ
ウムタリウム、ゲルマニウム、錫、鉛、燐、砒素、アン
チモンおよびテルルを包含する群から選択される。この
場合、ＭｌおよびＭｌは、互いに異なる。ＭｌおよびＭ
ｌは、ＭｌとＭｌが等しくともよい場合には、ランタン
またはランタニドである。

更に、本発明により使用すべき元素組成物１は、Ｍｌお
よびＭｌとは５′４なる成分Ｍ３を含有することができ
、この成分Ｍ３は、同時に前記群から選択される。Ｍ３
がランタンまたはランタニドである場合には、Ｍ３は、
ＭｌおよびＭｌと等しくともよい。

必須成分および任意成分の本発明による適当な組合せ物
の例は、次の纒め１から認めることができる： 纒め１ 組合せ物　　　　ＡＱ演ｊ／ま圧Ｓｉ　　　　ＭＩ　　
　　　Ｍｌ　　　　Ｍ３Ｎｏ。

１　　　　　　　　　Ａ４ ２　　　　　　　　　ＡＱ、　Ｓ　ｉ ３　　　　　　　　　Ｓｉ ４　　　　　　　　Ａａ ５　　　　　　　Ａａ ６　　　　　　　　　Ａ１２、Ｓｉ ７　　　　　　　　Ａ＋１、　Ｓ　ｉ ８　　　　　　　　　Ａｌ２ ９　　　　　　　　５ｉ １０　　　　　　　　Ｓｉ Ｚ　ｒ　　　　　）Ｉ　ｆ 旧　　Ｐ 　Ｎｂ ａ　Ｃｒ Ｔｉ　Ｍ。

Ｓｉ　Ｒｅ 　Ｆｅ ｕ　Ｚｎ ｎ　Ｒｅ ｃ　Ｚｎ ｎ Ｓｉ Ｓｉ ＡＱ、　Ｓ　ｉ Δσ ＡＱ Ａ（ＳＳ　ｉ Δ（、Ｓｉ Δσ、５ｉ Ａ１２、Ｓｉ Ｓｉ Ｓｉ ΔＣ Ｓｉ Δ（７，５ｉ ＡＱ、　Ｓ　ｉ Ｉ ｔ ＡＱ Ａａ ＡＱ、　Ｓ　１ Ａ（２，Ｓ　ｉ 八（、Ｓｉ Ｓｉ Ａ９．Ｓｒ ＡＱ Ｓｉ ａ Ｓｒ ！３ ｈ 本発明により使用すべき元素組成物■の場合には、成分
は一定のモル比で互いに存在する。

すなわち、元素組成物Ｉは、アルミニウムのみを含有し
、このことは、特許請求の範囲に記載の意味ｘ＝ｌに相
当するか、または元素組成物Ｉは、珪素のみを含’ｆＴ
　Ｌ、このことは、特許請求の範囲に記載の意味Ｘ＝Ｏ
に相当する。元素組成物Ｉがアルミニウムおよび珪素を
含有する場合には、Ｘは、０〜１、特に０．００１〜０
．９９９、有利に０．０１−０．０９、殊にＯ８１〜０
．９の間の任意の正の数である。

成分Ｍ１、Ｍｌおよび場合によってはＭ３に対するアル
ミニウムおよび／または珪素のモル比は、０．６９５〜
０．９９０．特に０．７００〜０．９８０、好ましくは
０．７２０〜０．９５０、殊に０．７５０〜０．９０で
あり、このことは、特許請求の範囲に記載の意味 ｚ＝０．０１０〜０．３０５、特に０．０２０〜０．３
００、好ましくは０．０５０〜０．２８０、殊に０．１
００−０．２５０ に相当する。

Ｍｌお、上びＭｌのモル比は、３０：１〜ｌ：３０であ
り、このことは、次の条件： ｚ−＝ｒ　１−ｓ−ｔ−ｔ（但し、ｔ−０）を考慮しな
がら特許請求の範囲に記載の意味：それぞれｒおよびＳ
＝０．００５〜０．１５、特に０．０１０〜０．１５、
有利に０．０２５〜０゜１４、殊に０．０５０〜０．１
２５ に相当する。

ＭｌおよびＭｌとともになお成分Ｍ３が存在している場
合には、Ｍ３対（Ｍ　Ｉ　＋　Ｍ　２）のモル比は、最
高で１：２であり、このことは、次の条件ｚ＝ｒ＋ｓ十
ｔ（但し、ｔ≧０） を考慮しながら特許請求の範囲に記載の意味：ｔ＝Ｑ〜
０．００５ に相当する。

本発明により使用すべき好ましい元素組成物Ｉの例は、
次の纒め２から認めることができる纒め２ １ａ ａａ ３ａ ａａ ａａ ａａ ７ａ ａａ ａａ ０ａ １ａ ２ａ ３ａ ４ａ ５ａ ６ａ ７ａ ８ａ １９ａ ２０ａ ２１ａ ２２ａ ３ａ −２４ａ −２５ａ −２６ａ ２７ａ Δ１２ｏ、ｔｓＺ　ｒｏ、ｔ＊３Ｈｆｏ、Ｉ！？　；（
ＡＮｏ、ｓＳ　ｉ　ａ、ｒ）ｏ、ｍ５ｌｌ　ｆ　ｏ、ｏ
ａＰ　ｏ、ｏｒ　：Ｓ　Ｉ　ｏ、５ｓｓＶｏ、ｏｏｓＮ
　ｂｏ、ａｏｓＺ　ｎｏ、ｏｏａ　：八（！ｏ、５ｓｓ
Ｔａｏ、＋ｓｃ　ｒｏ、１ｓＢＯ，１ｌｏＩ　；！’Ｑ
ｏ　、ｓ３’ｒ　ｌ　Ｏ、ｌ　、Ｍｏ　ｏ　、ｏｓ　；
（Ａｌ２ｏ、ｏａＳ　ｔｏ、５ｓ）ｏ、ｓｓ＋Ｔ　ｉ６
．１Ｒｅ６．６ｏｓ；（ＡＱｏ、ｔＳ　ｌ　ａ、）ｏ、
＊＠ｓＷｏ、ａ３Ｆ　ｃ６．　ｔ　Ｓ　ｎ　ｏ、ａａｓ
　：Ａ１２ａ、５Ｃｕｏ、ｏｓＺｎｏ、ｏａ：Ｓ　！　
ｏ、ｓ＋ｚＭｎｏ、ｏａＲＯｏ、ａｏｓＢ　ａｏ、ｎｏ
ｒ　；Ｓ　＋ｏ７ｓ７Ｆｅｏ、＋＋Ｚｎｏ、＋Ｂｏ、ａ
ａ３；Ｓ　Ｉ　０．１＋１＠Ｓ　ｎｏ、ｏｓＢｏ、ｏｓ
Ｐｏ、ｎｏｒ　：Ｓ　ｉ　ａ、７１Ｍ９ａ、＋ｓＢｏ、
＋４：（Ａｌ２ｏ、ｓ＠Ｓ　１　ｏ、ａａ）ｏ、ａｔＭ
Ｏｏ、ｏｒＷｏ、ｏｔ　；Ａｌ２ｏ、ｔＭ９ｏ、＋ｓＳ
　ｒｏ、＋ｓ　；八ＱＯ，＠＠％Ｃｕｏ、ｏｏｓｐｏ、
ｏａ　；Ｓ　ｆ　ｏ、５ｓｓＴ　ａ　ａ、ｏａｓｃ　ｒ
　ｏ、ｏｏｓｓ　ｎ　Ｏ，００１１（Ａ１２ｏ、ＩＳ　
ｉ　ａ、ｓ）ｏ、ｔａｓＴ　ｉ　ｏ、１６Ｆ　ｅａ、＋
　Ｐ　Ｏ，００４；（Ａ＜２ｏ、ｓＳ　Ｉ　ａ、＋）ｏ
、ｏａｓＢａ、＋ｓＰｏ、ｏｏｓ　：（Ａ４ｏ、ｖｔＳ
　Ｉ　ｏ、ｙｓ）ｏ、ｔｓｓ　ｎｏ、、ｔＢ、、ｔ　：
（Ａムｓｒｓ　Ｉ　ｏ、ｅ＋）ａ、ｖＣ１３ｏ、ｏｓＺ
　ｎ　ｏ、ｏｓ　ｓＳ　ｉｏ、ｓ＊ｍＣｒｏ、ｔｓＭＯ
ｏ、ｏｏｓ；Ｓ　ｆ　ｏ、ｙｓｓｃ　ｒ　ａ、＋Ｗｏ、
＋Ｂ　ａａ、ｏａｓ　；八ｆｏ、ｔｓＺｎａ、ｔａＳｎ
ｏ、＋、；Ｓ　ｆ　ｏ、ｍｒｙＺ　ｎ　０．１４ｓ　ｎ
　ｏ、ｏｓｓ　ｒ　Ｏ，１１０３；（Ａｔ、ｏ、ｍｓ　
ｉ　ｏ、、）ｏ、ｓｓＺ　ｒ　ａ、ｏｔｃ　ｒ　ｏ、ｏ
ｓ　；（Ａ（２ａ、ｓＳ　ｉｏ、ｓ）＋、５ｓｓＺ　ｒ
　ａ、ｏａｓｃ　ｒ　ｏ、ｏａｓＢａ、ａａｓ　；Ｓ　
Ｉ　ｏ、ｓ＊ｓＶｏ、ｏｏｓｓ　ｎｏ、＋　：８ａ ９ａ ０ａ ３］ａ ２ａ ３ａ ４ａ ３５ａ ６ａ ７ａ Ｓ　ｊ　ｏ、＊ｍ５ｖｏ、ａｏｔｌ’Ｊ　ｂｏ８、’ｒ
　ａＯ０Ｏ２；Ａ（２ｏ７＊５Ｚｎｏ、１ｒ３ｏ、１Ｐ
ｏ、ａａｓ；八１２ｏ、ｓａＭｎｏ、ａ＋Ｆ　ｅｏ、ａ
ａ　；（ＡＩ２１１．１１１ＩＳ　ｌ　ｏ、ｏａ）ｏ、
ａａｓＭＯｏ、ｏａ　Ｆ　ｃＯ，１４Ｉ３０．ｏｏｊ　
；（Ａ１２０．１＋Ｓ　Ｉ　０１６）Ｏ８ＩｊａＯ０ｔ
　；（Ａ１２ｏ、ｓ３Ｓ　１０．０？）Ｏ，ｌ６ＣＯＯ
１３Ｌａ０１ｔ　；Ｓ　Ｉ　Ｏ，ｌｌ？ＳＣＯａ、ｏａ
　Ｒｈｏ、ａ＋Ｔ　ｈａ、ｏｏｓ　＋（Ａ１２０．？３
Ｓ　！　ｏ、ｔｙ）ｏ、ａａｓ　ｍｏ、ｏｔ　：Ａｌ２
ｏ、ｓ　Ｐ　ｂｏ、　＋４Ｓ　ｔ）ｏ、ｏｓｓｃ　ａ　
ｏ、ｏｏｓまたはＳ　１ｏ７ＤＹｏ、ｓ 新規層（Ｃ）の製造は、方法的に特殊性を全（イｆしな
いのではなく、曲い炭化物セラミック層、酸化物セラミ
ック層および／または窒化物セラミック層を製造する常
用の公知方法により蒸着、反応性蒸着、イオンメツキ（
ｉｏｎｐｌａｔｉｎｇ）“イオンクラスタービーム付管
（ｉｏｎ　ｃｌｕｓｔｅｒ　ｂｅａｍ　ｄｃｐｏｓｉＬ
ｉｏｎ）”（Ｉ　Ｃ１３）または反応性陰極スパッタリ
ング（“ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ”）
を含めて陰極スパッタリング（“ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ
”）によって行なわれる。

前記方法の中、反応性陰極スパッタリングは、有利に使
用され、かつ反応性マグネトロン陰極スパッタリング（
“ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔ
ａｒｉｎｇ″）は、特に有利に使用される。

反応性陰極スパッタリングの場合には、周知のように陰
極（“ターゲット”）の材料は、ヘリウムイオン、ネオ
ンイオン、アルゴンイオンクリプトンイオンおよび／ま
たはキセノンイオンを衝突させることによってガス相に
変換される（スパッタされる）。こうして生じる処理ガ
スに他の成分、例えば炭化水素、酸素および／または窒
素が混入され、この成分は、スパッタされた陰極材料と
一緒に成田すべき表面上に薄層として沈澱される。反応
性マグネトロン陰極スパッタリングの場合には、′ター
ゲット”は周知のように磁場内に存在する。

更に、所望の組成の薄い炭化物セラミック層、酸化物セ
ラミック層および／または窒化物セラミック層は、スパ
ッタリング速度および付着速度ならびに処理ガス圧およ
び処理ガス組成の変化によって完全に意図的に極めて正
確に多結品性またはＸ線非晶質で得ることができる。適
当な処理バラタ−ターの選択は、反応性（マグネトロン
）陰極スパッタリングの分野で存在する専門知識に基づ
いておよび／または予備試験につき行なうことができる
。

新規層（Ｃ）を製造するためには、元素組成物Ｉを有す
る陰極（“ターゲット”）が使用される。この“ターゲ
ット”は、Ｔ（らな円板または板の形を４Ｔ　Ｌ、かつ
成分アルミニウムおよび／または珪素、ならびに前記成
分Ｍ１、Ｍ２および場合によってはＭ３から常用の公知
の混合法および成形法を用いて緻密な混合、均質化およ
び成形によって得られる。

特に適当な”ターゲット”組成物１の例は、元素組成物
１川ａ　＝　１−３７　ａである。

新規層（Ｃ）の製造は、本発明による記録材料の製造の
範囲内で記録材料の構造に必要な処理過程である。この
場合、処理過程の順序は、それぞれ製造すべき記録材料
の所望の構造から強制的に判明する。

本発明による記録材料の他の本質的な成分は、光学的に
透明の寸法安定性の支持体（Ａ）である。

好ましい支持体（Ａ）は、９０ｍｍまたは１３Ｑｍｍの
直径および１．２ｍｍの厚さの常用の公知の円板状で光
学的に透明の寸法安定性の支持体（Ａ）である。この支
持体（Ａ）は、一般にガラスからなるか、例えばポリカ
ーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペ
ンテンセルロースアセトブチレートのようなプラスチッ
クからなるか、またはポリ（ビニリデンフルオリド）と
ポリメチルメタクリレートとからの混合物もしくはポリ
スチロールとポリ（２，６ジメチルフエニルー１．４−
イレン−エーテル）とからの混合物からなる。この中、
プラスチックからの支持体（Ａ）が特に好ましい。

記録層（Ｂ）に面している寸法安定性の支持体（Ａ）の
表面は、パターンを有することができる支持体（Ａ）の
表面内のパターンは、ミクロメートル範囲内および／ま
たはサブミクロメートル範囲内にある。このパターンは
、読出しレーザー光をＩＦ確に案内するのに使用され、
かつディスクドライブのレーザー光学的書込みヘッドお
よび読出しヘッド中でのトラッキングサーボ装置および
自動焦点合わせ装置の迅速で正確な応答を保証し、すな
わちこのパターンは、“トラッキングを可能にするかま
たは改善する。

史に、このパターンそれ自体は、例えば公知のオーディ
オ−コンパクト−ディスクまたはビデオコンパクト−デ
ィスクの場合と同様にデーターであることができるか、
またはこのパターンそれ自体は、−１１Ｆ込みデーター
のコード化に使用することができる。パターンは、隆起
部分および／または凹所からなる。このパターンは、通
しの同心的または螺旋状シュプール溝（Ｓｐｕｒｒｉｌ
ＩＯ）の形でび在するか、または絶縁された隆起部およ
び／または孔として存在する。更に、パターンは、多少
とも平滑な波形を有することができる。この場合、有利
にはシュプール溝が記載される。このシュプール溝は、
横断面方向で矩形の鋸刃状輪郭、■字形輪郭または台形
輪郭を有する。このシュプール溝の凹所は、一般に“グ
ループ（ｇｒｏｏｖｅ）”と呼称され、かつ隆起部は“
ランド（ｌａｎｄ）”と呼称される。特に有利なのは、
深さ５０〜２００ｎｍの深さおよび幅０．４〜０．８μ
ｍの“グループ（ｇｒｏｏｖｅ）″を有するシュプール
溝であり、これらの溝間には、それぞれ１〜３μｍ幅の
“ランド（ｌａｎｄ）”が存在する。

特に有利に使用される寸法安定性の支持体（Ａ）の製造
は、自体公知の方法で、例えばドイツ連邦共和国特許出
願下Ｐ　３７２７０９３　、１号明細書に詳細に記載さ
れているように、支持体（Ａ）を構成するプラスチック
またはプラスチック混合物を射出成形法を用いて純粋な
室の条件下で成形加工することによって行なわれる。

シュプール溝を表面上に有する寸法安定性の支持体（Ａ
）は、こうして特に有利に得られる。

本発明による記録材料の他の本質的な成分は、非晶質ラ
ンタニド遷移金属合金からなる磁気光学的記録層（Ｂ）
である。記録層（Ｆ３）は、１０〜５００ｎｍの厚さで
ある。記録層（Ｂ）の構成には、ランタニドＰｒ％Ｎｄ
、　Ｓｍ、　ｌシｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　ＤｙおよびＩ
ｌｏならびに遷移金属ＦｅおよびＣｏが当てはまる。ラ
ンタニド対遷移金属の適当な混合比は、公知技術水準か
ら公知である。更に、非晶質ランタニド遷移金属合金は
、なお５ｃＳＹ、　１、ａ、　Ｖ、Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｃ
ｒ、Ｍｏ、　Ｗ、　Ｍｎ５Ｎｉ、　Ｒｅ、　Ｒｕ、　Ｏ
ｓ、Ｒｈ１「、Ｐｄ、　ＰＬ、　Ｃｕ、Ａ９、＾ｕ、　
Ｚｎ５Ｂ、　Ａ１２、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、　Ｇｅ、　Ｓ
ｎ、　Ｐｂ、Ｐ、　Ａｓ、、Ｓｂおよび／または旧のよ
うな他の元素を常用の公知の量で含有することができる
。

記録層（［３）は、本発明による記録材料の製造の範囲
内で薄層を製造するための前記方法を用いて寸法安定性
の支持体（Ａ）」−１有利に支持体（Ａ）に載置された
層上に得られる。

更に、本発明による記録材料は、記録材料の機能に有用
な他の層を包含することができる。

これは、常用の公知のモ渉層、反射層、耐蝕層、接着剤
層であるかまたは他の磁化可能な層である。更に、２つ
の本発明による記録材料は、”サンドイッチ”状で相互
に結合することができ、したがって記録層（Ｂ）は互い
に而しておりこれらの記録層の間には一定の間隔が支配
しており、この場合には、２つの記録材料を結合するた
めに常用の公知の方法が使用される。

常法で記録層（Ｂ）中で本発明による記録材料の製造後
に層表面に対して垂直に配向された定義された磁化が誘
起される。

特に有利な本発明による記録材料は、 １、前記の特に有利に使用される寸法安定性の支持体（
Ａ）、 ２、第１の新規層（Ｃ）、 ３、前記の記録層（Ｂ）および ４、第２の新規層（Ｃ）、 ならびに場合によっては付加的な常用で公知の層を有す
る磁気光学的データー板またはディスクである。

前記磁気光学的データー板の個々の層の製造は、前記方
法により行なわれ、この場合処理過程の順序は、強制的
に構造（Ａ）、（Ｃ）、（Ｂ）、（Ｃ）から明らかであ
る。

本発明による記録材料は、常法で光学的に透明の寸法安
定性の支持体（Ａ）の而から、記録層（Ｂ　）−１に焦
点合わせされたおよび／または記録層（１３）上に垂直
に衝突するパルス変調された１１０００ｎ未満の波長λ
の書込みレーザー光を用いてデーターを非磁化の“スポ
ラｈ　（ｓｐｏｔ）”の形で書込むことができる。その
後に、このデーターは、書込まれた記録層（Ｂ）、ｈに
焦点合わせされたおよび／または、ｔΣ込まれた記録層
（Ｂ　）上に垂直に衝突する連続波レーザー光を用いて
読出すことができ、この場合には、記録層（ｒ３）それ
自体または場合によっては存在する反射層から逆反射さ
れる光が検出され、分析され、かつ信号に変換される。

このために、本発明によるデーター板またはディスクの
場合には、半導体レーザーを包含するレーザー光学的ヘ
ッドをイ丁する常用の公知のレーザー光学的ディスクド
ライブを使用することができる。

本発明による記録材料は、公知技術水準に対して特に利
点を有する。本発明による記録材料は、公知の記録材料
よりも高い感度を有し、それ故に本発明による記録材料
は、僅かなレーザー出力で−Ｆ込むことができる。従っ
て、本発明による磁気光学的データー板（ディスク）は
、同じレーザー出力の際に公知のディスクの場合よりも
高い板回転数で書込むことができる。また、本発明によ
る磁気光学的データー板（ディスク）のビット密度は、
公知技術に比して明らかに高められている。読出しの際
、本発明による磁気光学的データー板（ディスク）は、
歪みのない信号を供給し、かつ５５ｄＢよりも多い信号
雑音比を有する。７０℃および９０％の相対湿度で１０
００時間よりも多い貯蔵時間後であっても、ビット誤差
率（“ｂｉｔ　ｅｒｒｏｒ　ｒａｔｅ″）の上昇を生じ
ない。すなわち、情報の損失は全くび在しない。

本発明による記録材料は、少なく１つの新規層（Ｃ）を
有する。この新規層（Ｃ）は、高い引掻き硬度をイｆし
、硬質であり、高い接着強度を有し、高い機械的強度を
有し、かつ脆くない。新規層（Ｃ）を耐蝕層として使用
する場合には、この新規層（Ｃ）は、極めて空気および
水に敏感な記録層（Ｂ）を有利に遮蔽する。新規層（Ｃ
）を光学的に透明な干渉層として支持体（Ａ）と記録層
（ｒ３）との間で使用する場合には、この新規層（Ｃ）
は、光学的な適合効果において従来の干渉層を明らかに
凌駕する。その上、この場合ことも新規層（Ｃ）の１：
（越した耐蝕作用か完全に支持されている。記録層（Ｂ
）の両面を新規層（Ｃ）で被覆することは、特に有利で
あることが判明する。それによって、なかんずく本発明
による記録材料の寿命は、これまで達成できた時間を遥
かに越えて延長される。更に、新規層（Ｃ）を光学的性
質および機械的性質ならびに付着特性に関連して本発明
による記録材料の残りの層に卓越した方法で、しかも簡
単な方法で適合させることができることは、有利に確認
することができる。

実施例 実施例　１〜３７ 本発明による磁気光学的データー板の製造および使用技
術的性質 寸法安定性の支持体（Ａ）として７４個の直径１３０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの、シュプール溝を有するポリカー
ボネート円板を純粋な室の条件下で射出成形によって得
た。

その後に、ポリカーボネート円板（Ａ）（３７個、実施
例１〜３７）の回転下にシュプール溝を何する面上で個
々の層（Ｂ）および（Ｃ）を望ましい数、順序および厚
さでそれぞれ望ましい内部構造をもってガス相から設け
た。この場合、新規層（Ｃ）の施与は、当該元素組成物
［−１ａ〜ｌ−３７ａ（＝”ターゲット”材料）の反応
性マグネトロン陰極スパッタリング（ｒｅａｃｔ　ｉｖ
ｅ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ’）お
よびそれぞれの処理ガスへの所望量の炭化水素、酸素お
よび／または窒素の混合によって行なわれる。これに対
して、記録層（Ｂ）をＴｂ、　ＤＹおよびｒｅからなる
“ターゲット”の陰極スパッタリングによって製造した
。この場合には、処理パラメーターを本発明によるデー
ター板の第１表に記載の組成物が得られるような程度に
選択した（実施例１〜３７）。

処理結果を検査するためおよび分析の目的のために、他
の３７個の磁気光学的データー板をそれぞれ正確に比較
可能な条件下で得た〈実施例１ａ〜３７ａ）。これらの
データー板につき新規層（Ｃ）の形態および物質組成を
常用の公知の、一部は物質を分解する分析法、例えば化
学元素分析、光学顕微鏡、走査電子顕微鏡、Ｘ線分光分
析法、Ｘ線散乱、ＥＳＣΔ（化学分析のための電子分光
分析（ＥｌｅｋＬｒｏｎｅｎｓｐｅｋｔｒｏｓｋｏｐｉ
ｅ　ｆｌｌｒ　ｄｉｅ　ｃｈｃｍｉｓｃｈｅ　Ａｎａｌ
ｙｓｅ））および炎測光を用いて検査した。更に、常法
の公知の破壊なしの光学的方法および分光分析法を用い
て一対の実施例（１、Ｉａ）〜（３７，３７ａ）のそれ
ぞれ新規層（Ｃ）がそれぞれ互いに同定して確認し、し
たがって実施例１ａ〜３７ａにつき測定した物質的およ
び形態学的パラメーターを第１表中に記載した。

実施例１〜３７の磁気光学的データー板の記録層（［３
）を製造直後に表面に対して垂直に磁化した。引続き、
このデーター板を２３±２℃で４８時間１０３±３．５
　ｋ　Ｐ　ａの空気圧力および４５〜５５％の相対湿度
で状態調節した。

その後に、状態調節したデーター板を常用の公知のディ
スクドライブを用いて正確に比較可能な条件下でデータ
ーを１！２込んだ。そのために、波長λ−８３０ｎｍの
直線偏光を発光する、パルス変調されたＧａ八へ八へ半
導体レーザーを使用した。ビット長さ、すなわち再磁化
された“スポット（５ｐｏｔ）”の直径ならびにビット
距離、すなわち“スポット（５ｐｏｔ）”対“スポット
（５ｐｏｔ）”の距離は、約１μｍである。

占込まれたデーターをカー効！ｌ！（実施例１〜１６）
またはファラデー効果（実施例１７〜３７）により読出
すためには、ＧａＡ（ｉＡｓ半導体レーザーが連続波運
転で１ｍＷ未満の光出力で使用される。未補正のビット
誤差率を常用の公知方法で時ｆｆｆｌ　Ｒ１Ｊ隔検光子
（“ｔｉｍｅ　１ｎｔｅｒｖａｌａｎａｌｙｚｅｒ　、
　Ｔ　Ｉ　Ａ　）を用いて測定した。

データー板をまず−７込み直後に読出した（１回１−１
の読出し）。その後に、このデークー板に６０℃、７０
℃および８０℃で９０％の相対湿度で磁気光学的記録材
料に典型的な“加速寿命試験（ｂｃｓｃｈｌｃｕｎｉｇ
ｔｅｎ　１、ｅｂｅｎｓｄａｕｅｒ　Ｌｅｓｔ）”を行
ない、その後に再び読出した（２回目の読出し）。この
場合に得られた未補正のビット誤差率およびデーター板
の記録層（Ｂ）の光学顕微鏡および走査電子顕微鏡によ
る鑑定から、このデーター板の寿命を標準条件下（３０
℃、相対湿度９０％）で評価した。これに関連する結果
は、第２表に記載されている。

比較試験ｖｔおよび■２ 公知の記録材料の製造および使用技術的性質実施例１〜
３７に記載の方法により、構造および組成がドイツ連邦
共和国特許出願公開第３３３５６８９号明細書の記載か
ら公知の試料Ａ２およびＢ−５に等しい２つのデーター
板を得た。比較板の構造は、第１表中に本発明によるデ
ーター板の構造に対照させである。

公知のデーター板を実施例１〜３７の記載と同様にして
磁化し、データーを書込み、読出し、かつ試験した。こ
の場合に得られた試験結果は、第２表中に実施例１〜３
７の値と比較されている。

比較により、公知の組成物の記録材料は貯蔵安定性に関
連して本発明による記録材料に劣ることが判明し、この
ことは、公知の記録材料■１および■２の明らかに高め
られたピット誤差率に認めることができる。

＝ｉ、＝ｉ＝＝ｉ＝＝ｉ計３．Ｗｈ ＝Ｌ＝＊＝＝ｉ＝ｙ！＝枦Ｌヂｈ 第２表：試験結果 実施例　　　　ビット誤差率（未補正）１回目のべ串ふ
−２回１１９読出し 寿命 （年） ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　１０−５ ＜　１０−５ ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　ｔｏ−５ ＜　ｔｏ−’＋ ｔＯ−５ ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　１０−５ ＜　１０−５ ＜　ｔＯ−Ｓ ロー５ ＜　ｔＯ−Ｓ （ｔＯ−Ｓ Ｏ゛５ ０〜５ ＜　ｔＯ−Ｓ ロー５ ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　ｔＯ−Ｓ （ｔＯ−Ｓ ｔＯ−５ ｔＯ−５ ＜　１０−５ ＜　１０−５ ＜　ｔＯ−Ｓ ｔＯ−５ ＜　１０−５ ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　ｔＯ−Ｓ ロー５ ＜　ｔｏ−’＋ ｔＯ−５ ＜　ｔＯ−Ｓ Ｇ−５ ｔＯ−５ ＜　ｔＯ−Ｓ ＜　ｔＯ−Ｓ ｔＯ−５ ＞１５ ＞１５ ＞１５ 〜！５ ＞１５ 〜１５ 〜１５ 〜１５ 〉１５ ＞１５ ＞ｔＳ 〉１５ 〜１５ ＞１５ 〉１５ 〉１５ 〉１５ ＞ｔＳ ＞ｔＳ 〜１５ ＞１５ 〜１５ ＞１５ ＞１５ 〉１５ 比較試験 ■ｌ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （Ａ）光学的に透明の寸法安定性支持体と、 （Ｂ）非晶質ランタニド遷移金属合金からなる熱変化可
   能な記録層と、 少なくとも記録層（Ｂ）の支持体（Ａ）から離れた面上
   における、 （Ｃ）元素組成物 I ： （Ａｌ＿ｘＳｉ＿１＿−ｘ）＿１＿−＿ｚ（Ｍｒ＾１Ｍ
   ｓ＾２Ｍｔ＾３）＿ｚ I ［但し、 Ｍ＾１、Ｍ＾２およびＭ＾３はそれぞれＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
   ｆ、Ｔｈ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
   Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
   ｕ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
   ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ
   、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ
   、ＳｂおよびＴｅを表わし、この場合Ｍ＾１、Ｍ＾２お
   よびＭ＾３は、互いに異なっているか、或いはＭ＾１、
   Ｍ＾２およびＭ＾３は、Ｍ＾１、Ｍ＾２およびＭ＾３が
   ランタンまたはランタニドである場合には、互いに同一
   かまたは異なっており；ｘは０〜１を表わし； ｚはｒ＋ｓ＋ｔを表わし； ｒは０．００５〜０．１５を表わし； ｓは０．００５〜０．１５を表わし； ｔは０〜０．００５を表わす］によって形成されている
   炭化物セラミック、酸化物セラミックおよび／または窒
   化物セラミックからなる多結晶性またはＸ線非晶質層と
   を有する平面状の磁気光学的多層記録材料。