JPH029040A - 平面状の磁気光学的多層記録材料の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、（Ａ）光学的に透明の寸法安定性支持体と、 （Ｂ）非晶質ランタニド遷移金属合金からなる熱変化可
能な記録層と、 少なくとも記録層（Ｂ）の支持体（Δ）から離れた面上
における、 （０）炭化物、窒化物および／または酸化物を含有する
＋１１層または多層の層とを有し、この場合個々の層（
Ｂ）および（Ｃ）は、支持体（Ａ）」−で望ましい順序
、数および厚さでそのっど望ましい内部構造をもってガ
ス相によりもたらされ、その後に記録層（Ｂ）中で記録
層（Ｂ）の表面に対して！ト直に配向された明確な磁化
が誘起されている平面状の磁気光学的多層記録材料を製
造する方法に関する。

従来の技術 この種の記録材料は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第
３３３５６８９号明細書の記載から公知である。この場
合、記録層（Ｉ３）は２０〜１１３０ｎの厚さである。

３つの層は、支持体から離れた面上に存在し、これらの
層は、それぞれ定義された機能を充足している。すなわ
ち、第１の層は、例えば酸化チタン、酸化セリウム、酸
化アンチモン、酸化タングステン、酸化珪素、酸化ビス
マスまたは酸化カドミウムのように２．０およびそれ以
」二の高い屈折率を有する材料からなる。この層は、干
渉層として使用される。第２の層は、銅、銀、クロム、
アルミニウム、ロジウム、金またはニッケルのような金
属からなり、かつ反射層である。最上層は、酸化防止層
と呼称される。この最上層は、酸化マグネシウム、酸化
アルｌニウム、酸化珪素、酸化チタンまたは酸化トリウ
ムからなり、かつ１１３０ｎよりも大きい厚さである。

これら３つの層の全厚は、５００ｎｍを上廻るものであ
る。更に、これら３つの層の組合せ物は、光学的に不透
明である。

ドイツ連邦共和国特許出願公開第３３３５６８９号明細
書の記載から公知の記録材料のもう１つの構成要件は、
専ら前記干渉層および前記酸化防止層を有する。この２
つの組合せ物は、実際に光学的に透明であるにも拘わら
ず、５０Ｑｎｍよりも著しく厚い。

ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５３４５７１号明細
書の記載から公知の記録材料は、比較可能な構造を有す
る。この場合、記録層（Ｂ）」二に設けられた第１の層
は、炭化珪素と窒化珪素との混合物または炭化珪素と窒
化アルミニウドとの混合物からなり、かつ保１獲層なら
びに干渉層として使用される。第２の層としては、銅ア
ルミニウムまたは金のような金属からの反射層がこれに
該当する。その上、任意の種類の耐蝕層が配置されてい
てもよい。記録材料は、−酸化珪素、弗化マグネシウム
または酸化ニオブ、酸化タンタルもしくは酸化アルミニ
ウムまたは窒化アルミニウムもしくは窒化珪素からの干
渉層のような他の補助層を包含することができる。

更に、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５００３１４
号明細書の記載から、酸化物／窒化物混合物からなる耐
蝕層としても干渉層としても使用される層を有する記録
材料は、明らかになる。

＋ｉｉｒ記の公知の記録材料は、記録層（Ｂ）上に焦点
合わせされおよび／またはこの記録層に垂直に衝突する
パル変調されたレーザー光を用いてのデーターのレーザ
ー光学的書込みに使用される。

データーをレーザー光学的に書込む場合には、記録材料
に補助的な外部磁場が加えられ、この磁場の力線は、記
録層（Ｂ）の表面に対して垂直の方向に向いているか、
または記録層（Ｉ）（Ｃ１１３）は、相応して向きを定
めた、層に内在せる、すなわち内部の磁場を有する。

周知のように、強磁性の非晶質ランタニド遷移金属合金
からなる、表面に対して垂直に磁化された記録層（Ｂ）
は、データーの書込みの際にレーザー光によって衝突個
所で加熱される。合金の保磁力Ｈｃは、加熱によって減
少される。

保磁力Ｈｃが、そのろど使用される合金に依存する臨界
温度で隣接せる補助的な外部磁場の強さまたは層に内在
せる、すなわち内部の磁場の強さを下廻る場合には、衝
突個所で元来の方向とは反対の磁化方向を有する１つの
領域が生じる。このような領域は、“スポット（ｓｐｏ
ｔ）”とも呼称される。

書込まれたデーターは、例えば磁場の力線が層表面に対
して垂直方向に向いている外部磁場または内部磁場の同
時の作用でレーザー光を用いて記録層（Ｂ）を局部的に
加熱することによって必要に応じ意図的に再び消去する
ことができ、その後に新しいデーターを書込むことがで
きる。すなわち、書込み過程は、可逆的である。

データーを読取るためには、述続的に発する連続波レー
ザーの直線偏光が使用され、この光の出力では、材料を
臨界温度を越えて加熱するのには不十分である。このレ
ーザー光は、記録層（Ｂ）それ自体によって反射される
か、またはこの記録層（Ｂ）の後方に配置された反射層
によって反射され、この場合には、記録層（Ｂ）中の磁
気モーメントと、レーザー光波の磁気ベクトルとの間に
相互作用が生じる。この相互作用により、“スポット（
ｓｐｏｔ）″またはこのスポットの後方に存在する反射
層によって反射されるレーザー光の偏光面７は、元来の
平面に対して小さな角度だけ回転される。偏光面での前
記回転が記録層自体での光の反射の際に行なわれる場合
には、このことはカー効果と呼称され、それに応じて回
転角度は、カー回転角度と呼称され；これに対して前記
偏光面は、光が記録層を２回通過する際に回転され、す
なわちこのことはファラデー効果およびファラデー回転
角度と呼ばれる。

記録材料によって反射されたレーザー光の偏光面マの前
記回転は、適当な光学的装置および電気的装置を用いて
測定され、かつ信号に変換される。

公知の記録材料でデーターを読出す際にファラデー効果
を利用する場合には、この記録材料は、必要に応じて反
射層を有しなければならない。それというのも、記録層
（Ｂ）それ自体は、光透過性であるからである。更に、
支障ある回折現象を抑制するために、干渉層が存在して
いなければならない。

勿論、公知の記録材料中に存在する干渉層、反射層およ
び酸化防止層ならびにそれらの組合せ物は、酸素遮断層
としても作用し−１この酸素遮断層は、最も外側の酸素
および水に敏感な記録層が腐蝕することを一定の範囲内
で阻止する。それにも拘わらず、この酸素遮断層は、前
記機能を実際に十分な程度に充足するものではなく、し
たがって記録層（Ｂ）を空気および場合により支持体（
Δ）から隔絶する耐蝕層を付加的になお一緒に使用しな
ければならない。

この場合、干渉層、反射層および酸化防止層からなる公
知の組合せ物は、多数の別々の層から構成された唯１つ
の耐蝕層として把握することはできない。それというの
も、この組合せ物の構造および組成は、耐蝕作用によっ
て専ら定まるのではなく、大体において別の機能によっ
て定まるからである。

公知の組合せ物は、耐蝕作用に関連して欠点を有する。

殊に、この公知の組合せ物の作用はこの組合せ物が空気
側で例えば酸化アルミニウムからなる比較的に厚手の層
を有する場合には、酸素遮断層として所望のものに程遠
い。更に、残りの層の成分を別の視点で適切に選択する
ことにより、層相互の付着力、安定性、内部応力または
機械的強度に関連する欠点が明らかになる。すなわち、
干渉および反射に関連して最適であるはずの公知の組合
せ物は、僅かに耐蝕作用を有しうる。しかし、またこの
公知の組合せ物の耐蝕作用は、実際には満足なものであ
るが、それにも拘わらずこの組合せ物の安定性は、所望
のものには程遠い。特に硬質の上層を供給する成分を選
択する場合には、公知の層組合せ物は、全体が僅かな機
械的応力で破砕されてしまうような程度に脆い。その上
、内部応力は層組合せ物中に亀裂を惹起しうる。これら
の全てのことは、＋ｆｉ４蝕作用にとって不利なことで
ある。

しかし、腐蝕から保護することは、当該記録材料の場合
には直接に根本的に重要なことである。それというのも
、この記録材料の記録層（Ｂ）は極めて迅速に水および
／または空気酸素によって破壊され、このことにより記
録層（Ｂ）中に書込まれているデーターの全体的損失を
結果としてまねくからである。

記録層（Ｂ）を腐蝕から保護することに関連して、ドイ
ツ連邦共和国特許出願下Ｐ３７１６７３８．７号明細書
に記載の耐蝕層を用いて重要な進歩が得られた。この耐
蝕層は、３０〜２５Ｑｎｍの厚さであり、かつ成分のそ
れぞれ１種類からなる４個またはそれ以上の別個の層で
存在する２つまたはそれ以上の成分からなる。この場合
、成分の少なくとも１つは、元素硼素、アルミニウム、
珪素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム
、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデンおよびタング
ステンの群から選択され、かつ別の成分の少なくとも１
つは、前記元素の炭化物、窒化物および酸化物の群から
選択されている。更に、直接に隣接した層は、常に互い
に異なる成分からなる。この耐蝕層の１つの構成要件の
場合、耐蝕層の最上層はアルミニウム層の表面を空気で
酸化することによって製造される／１２０３からなる。

それにも拘わらず、この場合には全部のアルミニウム層
が酸化されているのではなく、より薄い層も耐蝕層とし
て存在する場合には、別個の層としてさらに存在する。

この耐蝕層は、元素からなる層のために光学的に不透明
である。従って、この耐蝕層は、専らレーザー光で照射
しない記録層（Ｂ）の両面の被覆のために使用されうる
。

これまで、公知の耐蝕層は、薄層を製造する常用の公知
方法により蒸着、反応性蒸着、イオンメツキ（ｉｏｎｐ
ｌａｔｉｎｇ）、“イオンクラスタービーム付着（ｉｏ
ｎ　ｃｌｕｓｔｅｒ　ｂｅａｒ＠ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）″（ＩＣＢ）または反応性陰極スパッタリング（“ｒ
ｅａｃＬｉｖｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ”）を含めて陰
極スパッタリング（“ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ”）によっ
て製造された。

有利には、陰極スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ
）が使用された。このためには、公知方法で相応する金
属、酸化物、窒化物および／または炭化物が純粋な形で
望ましい順序および量で高真空下で所謂“ターゲット”
からスパッタされ、かつ適当な支持体（Ａ）または既に
その上に存在する層上に沈降される。或いは、耐蝕層は
、純粋な金属をスパッタしかつ酸素、窒素または炭化水
素の所望量を処理ガスに混和することによって適当な時
点で望ましい方法で形成され、このことは、一般に反応
性陰極スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｓｐｕＬＬ
ａｒｉｎｇ”）と呼称されている。この場合、“ターゲ
ット”が磁場内に存在する場合には、反応性マグネトロ
ン陰極スパッタリング（“ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｎ＋ａｇ
ｎｃｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ”）と呼ばれる。

それにも拘わらず、公知方法により製造された耐蝕層は
、光学的透明度に関連しおよび／または十分な保護作用
にとって必要とされる厚さに関連して依然として所望の
ものには程遠く、したがってさらに許容される保護作用
を有する薄い、場合によっては光学的に透明な耐蝕層お
よびその実際的な製造法が大いに必要である。

発明を構成するための手段 本発明の目的は、 （Ａ）光学的に透明の寸法安定性支持体と、（Ｂ）非晶
質ランタニド遷移金属合金からなる熱変化可能な記録層
と、 少なくとも記録層（Ｂ）の支持体（Ａ）から離れた面上
における、 （Ｃ）炭化物、窒化物および／または酸化物を含有する
単層または多層の層とを有し、この場合個々の層（Ｂ）
および（Ｃ）は、支持体（Ａ）上で望ましい順序、数お
よび厚さでそのつど望ましい内部構造をもってガス相に
よりもたらされ、その後に記録層（Ｂ）中で記録層（Ｂ
）の表面に対して垂直に配向された明確な磁化が誘起さ
れ、かつ公知技術水準の欠点をもはや有しない耐蝕層を
供給する、平面状の磁気光学的多層記録材料の製造法を
見い出すことである。

それに応じて、記録層（Ｂ）の片面または両面」二に層
（Ｃ）を、 （１）（Ｃ＋１）２個またはそれ以上の成分からなる厚
さ３０〜５００　ｎ　ｍの層（ＣＩ）をもたらし、但し
、該成分は （Ｃ１２）それぞれ１個またはそれ以上の成分からなる
３個またはそれ以」−の別個の元素層ならびに元素炭化
物層、元素窒化物層および元素酸化物層で存在し、この
場合 （ＣＩ３）元素層の成分は、元素８％　Ａ１２％　Ｇａ
、　Ｉｎ５Ｓｉ、Ｇｅ％５ｎＳＰｂ、　Ｓｂ、　Ｂｉ、
　Ｍ９、Ｔｉ、　Ｚｒ、　ｌ１ｆｓ　ＶｓＮｂ、　Ｔａ
％Ｃｒ、　Ｍｏ、　ＩＩ、　Ｐｅ％Ｃｏ、Ｚｎ％Ｃｄ％
Ｉ、ａ％ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、　Ｓｌ１％　ＥＬＩ、　Ｇ
ｄ％Ｔｂ％Ｄｙ、　Ｉｌｏ、Ｅ「、Ｔ１、Ｙｂ、　Ｉ、
ｕ、およびＴｈの群から選択され、（Ｃ１４）元素炭化
物層、元素窒化物層および元素酸化物層の成分は、前記
元素（ＣＩ３）の炭化物、窒化物および酸化物の群から
選択され、（Ｃ１５）炭化物、窒化物および／または酸
化物（０口）からなる直接に隣接した層は、物質的に互
いに異なり、 （ＣＩ６）炭化物、窒化物および／または酸化物（Ｃ１
４）からなる少なくとも２個の層は、元素（ＣＩ３）の
少なくとも１種類からなる厚さ０．１〜３０ｎｍの少な
くとも１つの層によって分離されており、かつ （ＣＩ７）記録層（Ｂ）に直接に隣接しているかまたは
面した層は、常に炭化物、窒化物および／または酸化物
（Ｃ１４）からなり、 （ＩＩ）層（ＣＩ）の元素（ＣＩ３）の少なくとも１種
類からなる層を酸素、窒素および／または炭素と反応さ
せることによって製造することを特徴とする、 （八）光学的に透明の寸法安定性支持体と、（Ｂ）非晶
質ランタニド遷移金属合金からなる熱変化可能な記録層
と、 少なくとも記録層（Ｂ）の支持体（Ａ）から離れた面上
における、 （Ｃ）炭化物、窒化物および／または酸化物を含有する
単層または多層の層とを有し、この場合個々の層（Ｂ）
および（Ｃ）は、支持体（Ａ）上で望ましい順序、数お
よび厚さでそのつど望ましい内部構造をもってガス相に
よりもたらされ、その後に記録層（Ｂ）中で記録層（Ｂ
）の表面に対して垂直に配向された明確な磁化が誘起さ
れている平面状の磁気光学的多層記録材料の製造法が見
い出された。

平面状の磁気光学的多層記録材料を製造するための本発
明による方法は、以下省略して４本発明による方法”と
呼称する。

“平面状”の概念は、厚さが長さおよび幅よりも著しく
僅かである全ての立体形を包含する。従って、本発明に
よる記録材料は、帯状、板状または円板状であることが
でき、この場合には、一般に“データー板”または“デ
ィスク”と呼称されている円板状が有利である。

本発明による方法は、以下支持体（Ａ）、記録層（［３
）および層（Ｃ）（但し、この層は、記録層（Ｂ）の支
持体（Ａ）から離れた側に載置されている）からなる平
面状の磁気光学的多層記録材料の製造につき詳細に例示
される。

本発明による方法の前記構成は、特に常用で公知の円板
形の光学的に透明の寸法安定性支持体（Ａ）から出発し
、この支持体は、９Ｑｎｍまたは１３０ｎｍの直径およ
び１．２ｍｍの厚さをイＴしかつガラスからなるかまた
は例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート
、ポリメチルペンテン、セルロースアセトブチレートの
ようなプラスチックまたはポリ（ビニリデンフルオリド
）とポリメチルメタクリレートとの混合物もしくはポリ
スチールとポリ（２，６ジメチルーフエンー１．４−イ
レン−エーテル）との混合物からなる。この中、プラス
チックからなる支持体（Ａ）が特に有利に使用される。

施与すべき記録層（Ｂ）に而している寸法安定性の支持
体（Δ）の表面は、パターンををすることができる。

支持体（Ａ）の表面内のパターンは、ミクロメートル範
囲内および／またはサブミクロメートル範囲内にある。

このパターンは、読出しレーザー光を正確に案内するの
に使用され、かつディスクドライブのレーザー光学的書
込みヘッドおよび読出しヘッド中でのトラッキングサー
ボ装置および自動焦点合わせ装置の迅速で正確な応答を
保証し、すなわちこのパターンは、“トラッキングを可
能にするかまたは改善する。

更に、このパターンそれ自体は、例えば公知のオーディ
オ−コンパクト−ディスクまたはビデオコンパクト−デ
ィスクの場合と同様にデーターであることができるか、
またはこのパターンそれ自体は、ｌ’Ｆ込みデーターの
コード化に使用することができる。パターンは、隆起部
分および／または凹所からなる。このパターンは、通し
の同心的または螺旋状シュプール溝（Ｓｐｕｒｒｉｌｌ
Ｃ）の形で存在するか、または絶縁された隆起部および
／または孔として存在する。更に、パターンは、多少と
もｉ’ｌＺ滑な波形をイｆすることができる。この場合
、有利にはシュプール溝が記載される。このシュプール
溝は、横断面方向で矩形の鋸刃状輪郭、■字形輪郭また
は台形輪郭を有する。このシュプール溝の凹所は、一般
に“グループ（ｇｒｏｏｖｅ）”と呼称され、かつ隆起
部は“ランド（ｌａｎｄ）”と呼称される。特に有利な
のは、深さ５０〜２００　ｎ　ｍおよび幅０．４〜０．
８μｍの“グループ（ｇｒｏｏｖｅ）”を有するシュプ
ール溝であり、これらの溝間には、それぞれ１〜３μｍ
幅の“ランド（ｌａｎｄ）”が存在する。

本発明による方法で特に有利に使用される寸法安定性の
支持体（Ａ）の製造は、自体公知の方法で、例えばドイ
ツ連邦共和国特許出願下３７２７０９３．１号明細書に
詳細に記載されているように支持体（Ａ）を構成するプ
ラスチックまたはプラスチック混合物を射出成形法を用
いて純粋な空間条件下で成形加工することによって行な
われる。

この方法で特に有利に表面上にシュプール溝を有する寸
法安定性の支持体（Δ）が得られる。

この支持体は、さらに本発明による方法に使用される。

寸法安定性の支持体（Δ）の製造は、支持体（Ａ）のシ
ュプール溝を有する表面」二への記録層（Ｂ）の施与が
続く。

特に、記録層（１３）は、陰極スパッタリング（ｓｐｕ
ｔｔｅｒｉｎｇ″）によって施こされる。そのためには
、周知のように記録層（Ｂ）の成分、すなわちランタニ
ドおよび遷移金属が所謂“ターゲット”から高真空中で
スパッタされ、かつ寸法安定性支持体（Ａ）の当該表面
上で望ましい組成および厚さで熱変形可能な非晶質ラン
タニド遷移金属合金遷移金属合金の形で付着される。

好ましくは、記録層（ｎ）は、１３〜５０００ｍの厚さ
で支持体（Ａ）の表面上に製造される。

記録層（Ｉ３）の製造のためには、ランタニドＰｒ、Ｎ
ｄ、　ＳＩｎ、　Ｅｕ、　Ｇｄ、　］’ｂ、　ｌ）ｙお
よびｌｌｏならびに遷移金属ＦｅおよびＣｏが当てはま
る。ランタニド対遷移金属の適当な混合比は、公知技術
水準から公知である。更に、Ｓｃ、　Ｙ、Ｌａ、　Ｔｉ
、　Ｚｒ５ＩＩｒ、　Ｖ、Ｎｈ、　Ｔａ、　Ｃｒ１！１
１３、ＷＳＭｎ、　Ｒｅ、　Ｒｕ、　Ｏｓ、　Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｐｄｓ　ＰＬ％　Ｃｕ−＾り、＾ｕ％Ｚｎ、　Ｂ、
＾ＱＳＧａ、　Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｃ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、　
Ｐ、＾５ｓｓｂおよび／またはＢｉのような池の元素は
、記録層（Ｂ）の製造で公知技術水準から公知の適当な
量で一緒に使用することができる。

前記処理過程の成果は、 （Δ）前記材料からなりかつ１つの表面にシュプール溝
を有する光学的に透明な寸法安定性支持体と、 （Ｂ）適当な組成および厚さの非晶質ランタニド遷移金
属合金からなる熱変形可能な記録層とからの２層材料で
ある。

本発明による方法の当該構成要件の他の過程の場合、処
理過程（１）で記録層（Ｂ）の支持体（Ａ）から離れた
側で層（Ｃ１）は製造される。

本発明によれば、層（Ｃ１）は層（Ｃ）の製造に使用さ
れ、この層（Ｃ）は、耐蝕層の機能を本発明による方法
により得られた、平面状ｐ磁気光学的多層記録材料の場
合に充足し、したがってこの層（Ｃ）は、“耐蝕層（Ｃ
）”と呼称される。

本発明による方法の場合、層（Ｃ１）は、３０〜５００
ｎｍの厚さで記録層（Ｂ）上に製造される。本発明によ
る方法により層（Ｃ１）から得られた耐蝕層（Ｃ）の好
ましい工業的効果のために、層厚をより厚くすることは
不要である。その上、他の特別の利点は、このために必
要とされる材料使用量とはもはや結び付かない。層（Ｃ
１）の厚さは、とにか＜３０ｎｍを下廻ってはならない
。それというのも、この場合にはこのことから本発明に
よる方法で得られた耐蝕層（Ｃ）の遮断作用が酸素およ
び水に対してもはや完全には満足できるものではないか
らである。有利なのは、５０〜３００ｎｍ、殊に６０〜
２００ｎｍの厚さである。この厚さの層（Ｃ１）から本
発明による方法で耐蝕層（Ｃ）は得られ、この耐蝕層（
Ｃ）は、遮断作用、材料使用量、製造費、機械的強度、
靭性および安定性に関連して最適な特性プロフィールを
示す。

本発明による方法の場合、層（Ｃ１）は、２個またはそ
れ以上の成分から製造される。最も多くの場合には、卓
越した処理結果は、既に２〜４個の成分を用いて得られ
る。それにも拘わらず、特殊な場合には、本発明による
方法の場合に４個よりも多い成分が使用され、この場合
には、１３個よりも多い成分は滅多に使用されない。層
（Ｃ１）の成分は、本発明によれば、それぞれ１個また
はそれ以上の成分からなる３個またはそれ以上の別個の
層で施こされる。すなわち、層（Ｃ１）の装造は、この
層（Ｃ１）が多層構造を有するように行なわれる。卓越
した処理結果、すなわち最適な特性プロフィールを有す
る耐蝕層（Ｃ）を得るためには、最も多くの場合に３４
または５個の別々の層で十分である。特殊な場合には、
６．７または８個の層が使用される。９．１３個または
それ以上の層は、滅多に使用されない。それというのも
、この場合には処理費がより大きくなってもそれ自体既
に特に好ましい処理結果がさらに向上されることはない
からである。本発明による方法に特に好ましいのは、３
または４個の層を使用することである。それというのも
、このことは、最も僅かな処理費を必要とするにすぎな
いにも拘わらず、最適な処理結果を生じるからである。

別々の層は、本発明による方法で異なる厚さで製造され
る。有利には、とにかくほぼ同じ厚さで製造される。こ
の場合、別々の層は、１つの層から直ぐ次の層への移行
が突然である、すなわち例えば化学量論的に構成された
炭化物層、窒化物層または酸化物層（Ｃ１４）から１つ
の純粋な金属層（ＣＩ３）への移行の場合にように層間
で正確に定義された境界面が存在するような程度に製造
される。この製造は、とにかく移行が境の確定しないよ
うに行なうことができる。すなわち、例えば化学ｔｔ論
的にｊ、Ｗ成された炭化物層、窒化物層または酸化物層
（Ｃ１４）は、炭素、窒素または酸素の濃度が多少とも
急速に減少しかつ金属に５Ｐｉが多少とも急速に増大す
るような帯域中で純粋な金属層（Ｃ１３）に移行するこ
とができる。全く同様に、例えば酸化物層（Ｃ１４）は
、突然にかまたは境の確定しないように炭化物層または
窒化物層（Ｃ１４）に移行することができろ。

本発明によれば、１つの層から直ぐ次の層への境の確定
しない移行が生じるような製造法は、有利であり、この
場合酸化物層、炭化物層または窒化物層（Ｃ１４）が金
属層（ＣＩ３）に移行しかつ金属層（Ｃ’１３）が相応
する方法で酸化物層、炭化物層または窒化物層（Ｃ１４
）に移行することは、特に有利である。

本発明によれば、層（ＣＩ）は、少なくとも１つの炭化
物、窒化物および／または酸化物（Ｃ１４）からなる少
なくとも２つの層が厚さ０．１〜３０ｎｍ、有利に］　
〜２０　ｎ　ｍ、殊に３〜１５ｎｍの少なくとも１つの
元素（Ｃ１４）からなる層によって互いに分離されてい
るように製造される（＝方法の特徴Ｃ！６）。この方法
により直接に、層（Ｃ１）が製造後に少なくとも３つの
層、すなわち少なくとも１つの炭化物、窒化物および／
または酸化物（Ｃ１４）からなる層、少なくとも１つの
元素（ＣＩ３）からなる層および他の層（Ｃ１４）から
なることが明白となる。勿論、そのＪ−なお他の層（Ｃ
１４）を施こすことができる。更に、この層（Ｃ１４）
はく他の層（ＣＩ３）によって互いに分離されていても
よい。

この場合、ｉ（Ｃ１）を記録層（Ｂ）が直接に隣接して
いるかまたは対向した層が常に炭化物、窒化物および／
または酸化物（Ｃ１４）からなるように製造することは
、本発明による方法にとって必須のことであり、このこ
とは、特許請求の範囲に記載の方法の特徴（ＣＩ７）に
相当する。この場合、この層（Ｃ１４）を少なくとも１
つの窒化物または炭化物から製造することは、特に有利
であり、この場合には、唯１つの窒化物または炭化物を
使用することは、特に有利である。更に、この場合層（
Ｃ１）の記録層（１３）から離れた最−１−層を少なく
とも１つの酸化物（Ｃ１４）から製造することは、特に
有利であり、この場合には、唯１つの酸化物（Ｃ１４）
を使用することは、有利である。更に、この場合元素層
（ＣＩ３）を元素（ＣＩ３）の１種類から製造すること
は、特に有利である。

本発明によれば、元素層（ＣＩ３）を製造するための成
分は、元素Ｂ、　ＡＱ、　Ｇａ、　Ｉｎ、　Ｓｉ、　Ｇ
ｅ、　Ｓｎ、Ｉ’ｂ、、５ｂＳＨｉ、　Ｍ９、Ｔｉ、　
Ｚｒ、ＩＩ「、Ｖ％　Ｎｂｓ　Ｔａ１Ｃｒ、Ｍｏ、　Ｗ
、　Ｆｅ、　Ｃｏ％Ｚｎ、　Ｃｄ、　Ｉ、ａ、　Ｃｅ、
　Ｐｒ、　Ｎｄ、Ｓｉ、１シｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　０
７％　Ｉｌｏ、　ｔＥｒ、　Ｔｍ、　Ｙｂ、　Ｉ、ｕ、
およびＴｈの群から選択される。これらの元素（１３）
の中、Ｂ、　ＡＣＳＳｉＳＴｉ、　Ｚｒ、　ＩＩｆ、　
Ｙ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｃｒ。

ＭｏおよびＷは、有利に使用され、＾Ｑｓ　Ｓｉｓ　Ｔ
＋およびＴａは、特に有利に使用される。

本発明によれば、元素炭化物層、元素窒化物層および元
素酸化物層（Ｃ１４）を製造するための成分は、前記元
素（ＣＩ３）の炭化物、窒化物および酸化物の群から選
択される。これらの中、元素Ｂ１＾Ｑ、　Ｓｉ、　Ｔｉ
５Ｚｒ、Ｈｒ、Ｖ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｃｒ、　Ｍ。

およびＷの炭化物、窒化物および酸化物は、有利に使用
され、元素＾Ｑ、　５ｉＳＴｉおよびＴａの炭化物、窒
化物および酸化物は、特に有利に使用される。また、こ
れらの中、酸化タンタル、窒化アルミニウム、炭化珪素
、酸化珪素および窒化珪素は強調することができる。

本発明による方法の範囲内で、層（Ｃ１）の種々の層を
施こす順序は、不可避的にそのつど製造すべき層（ＣＩ
）の望ましい構造および前記方法の特徴によってさらに
正確に定められた構造から明らかになる。

本発明による方法の範囲内で好ましい工業的効果のため
に特に有利である、施与の順序の例は、それぞれ記録層
（Ｂ）の表面から出発して１、層（Ｃ１４）−層（ＣＩ
３）−層（Ｃ１４）　：２、層（Ｃ１４）−層（Ｃ１４
）−層（ＣＩ３）−層（Ｃ１４）　：３、層（Ｃ１４）
−層（ＣＩ３）−層（Ｃ１４）−層（ＣＩ３）　；４、
層（Ｃｎ）−層（ＣＩ３）−層（ＣＩ３）　；５、層（
Ｃ１４）−層（ＣＩ３）−層（ＣＩ３）−層（Ｃ＋１）
：６、層（Ｃ１４）−層（ＣＩ３）−層（Ｃ１４）−層
（ＣＩ３）−層（Ｃ１４）または ７、層（Ｃ１４）−層（ＣＩ３）−層（ＣＩ３）−層（
Ｃ１４）−層（Ｃ１４） である。

層（Ｃ１）の製造は、本発明による方法の処理過程（１
）で方法的および装置的に全く特殊性を有せず、薄層製
造の常用の公知方法により層（Ｃ１）の異なる層の成分
の蒸着、反応性蒸着、イオンメツキ（ｉｏｎｐｌａＬｉ
ｎｇ）、′イオンクラスタービーム併行（ｉｏｎ　ｃｌ
ｕｓｔｅｒ　ｂｅａｍ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）”（Ｉ
ＣＢ）または反応性陰極スパッタリング（ｒｃａｃＬｉ
ｖｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ″）を含めての陰極スパッ
タリング（“ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ”）によって望まし
い順序および方法の特徴によってさらに正確に定められ
た順序で行なわれる。

本発明によれば、処理過程（１）には、本発明による処
理過程（Ｈ）が続き、この処理過程（ＩＩ）で層（Ｃ１
）の元素（ＣＩ３）の少なくとも１つからなる層は、酸
素、窒素および／または炭素と反応される。

勿論、この場合には、元素（ＣＩ３）は当該層中で相応
する酸化物、炭化物および／または窒化物に変換され、
したがって新しい層（Ｃ１４）が生じる。

この新しい層（Ｃ目）が他の別の層（Ｃ１４）を形成す
るか、或いは既に存在する隣接した層（Ｃ１４）との統
合した成分になるのか否かは、隣接した層（Ｃ１４）の
物質的組成に左右される。

元素層（ＣＩ３）と酸素、窒素および／または炭素との
本発明による反応を惹起させるためにはこの元素層（Ｃ
Ｉ３）は、反応性の酸素、窒素および／または炭素と接
触させなければならない反応性の酸素、窒素および／ま
たは炭素は、熱的および／または電気的に励起された酸
素分子および窒素分子であり、酸素原子、窒素原子およ
び炭素原子であり、かつ酸素イオン、窒素イオンおよび
炭素イオンである。反応性炭素種は、主として多数の原
子またはイオンからの結合で、すなわち所謂“クラスタ
ー（ｃｌｕｓｔｅｒ）″として存在し、このクラスター
は、例えば炭素から発生される。

前記反応種を製造するための方法は、公知である。一般
に、この反応種は、真空または高真空中で加熱、電磁線
および／または粒子線での照射またはイオンでの衝突に
よって発生され、その後にこの反応種は、電界および／
または磁場を用いておよび／または熱的拡散により層（
Ｃ１）と接触される。

多（の場合、元素層（ＣＩ３）に対する分子状酸素の反
応性は、この場合に当該元素層（ＣＩ３）が酸化物層（
Ｃ１４）に完全に反応するまでの時］１■を過分に延長
することなしに、前記のエネルギーの励起方法をも不用
であるような程度に高い。

従って、本発明によれば、分子状酸素を使用することは
、特に有利である。この場合、空気または純粋な酸素は
、常圧、過圧または低圧で使用することができる。

層（Ｃりの元素層（ＣＩ３）に対する反応性種の完全に
反応するまでの作用時間は、例えば反応性種の種類およ
び量、温度、層（ＣＩ）の厚さおよび元素（Ｃ１３）の
性質のような多数のパラメーターによって定められ、し
たがって幅広く変動する。作用の最小時間は、全ての場
合に過度に長時間超過してはならない。それというのも
、そうでなければ記録層（Ｂ）は、損なわれてしまうか
らである。従って、変換の最終点は、多くの場合に有利
に簡単な方法で目で見て測定することができるかまたは
常用の公知の光学的方法を用いて測定することができ、
したがって記録層（Ｂ）の損傷は、容易に回避すること
ができる：すなわち、元素層（ＣＩ３）に基づいて不透
明の、場合によっては強く反射する層（Ｃ１）は、進行
する変換の時点で光学的に透明になり、したかって反応
性種の作用は、直ちに終結する。

本発明による処理過程（１’ｌ）は、方法的および装置
的に全く特殊性を提供せず、この処理過程（１ｆ）は、
常用の公知の装置を用いて、一般に製造、操作および変
換に反応性ガスを使用するように実施される。

本発明による処理過程（「）には、本発明による方法を
用いて５２造される耐蝕層（Ｃ）からの反応性種の除去
または干渉層および／または反射層および／または他の
磁化可能な層のような他の層の施与に使用されるような
他の処理過程を続けることができる。

本発明による処理過程（■）または場合によっては後に
続（処理過程には、磁気光学的記録材料にとって典型的
の常用で公知の、明確に表面に対して垂直に配向する、
記録層（Ｂ）の磁化が続く。

本発明による方法の前記構成要件の結果は、（Ａ）前記
材料からなりかつ１つの表面にシュプール溝をイイする
光学的に透明な寸法安定性支持体と、 （Ｂ）適当な組成および厚さの非晶質ランタニド遷移金
属合金からなる熱変形可能な記録層と、（Ｃ）前記の詳
細に記載された方法で得られた、場合によっては光学的
に透明な耐蝕層とを有する平面状の磁気光学的多層記録
材料である。

本発明による方法のもう１つの構成要件の場合、２つの
層（Ｃ１）からなる２つの耐蝕層（Ｃ）は、記録層（Ｂ
）の両面上で製造される。記録層（［３）の支持体（Ａ
）に而した側に存在すべき耐蝕層（Ｃ）を製造する場合
には、当該層（Ｃ１）を支持体（Ａ）上または場合によ
ってはその上に載置される干渉層上に記録層（Ｂ）の施
与前に製造しかつ完全に変換させることは、自明のこと
である。全く同様に、本発明によ。る方法の特徴（Ｃ１
６）および（ＣＩ７）を十分に実施するために、この場
合に本質的に層（Ｃ１）の個々の別々の層の施与を反対
の順序で行なうことを維持することは、自明のことであ
る。更に、このために本発明による変換後に酸素、窒素
および場合によってはなお炭素（処理過程１１）を用い
て光学的に透明の層（Ｃ）を生じるような層（Ｃ１）の
みを使用することは、自明のことである。これに対して
、記録層（Ｂ）の支持体（Ａ）から離れた側に載置され
る耐蝕層（Ｃ）は、本発明による方法の前記の第１の構
成要件により製造され、この場合には、不透明の層（Ｃ
）も該当する。

本発明による方法の前記構成要件の場合にも、本発明に
よる処理過程（ｎ）には、他の前記処理過程を続けるこ
とができる。

この場合も、本発明による処理過程（ＩＩ）または場合
によっては後に続く処理過程には、磁気光学的記録材料
にとって典型的の常用で公知の、明確に表面に対して垂
直に配向する、記録層（Ｉ３）の磁化が続く。

本発明による方法の第２の構成要件の結果は（Δ）前記
材料からなりかつ表面にシュプール溝を有する光学的に
透明な寸法安定性支持体と、（Ｃ）前記の詳細に記載さ
れた方法で得られた、光学的に透明な第１の耐蝕層と （Ｉ３）適当な組成および厚さの非晶質ランタニド遷移
金属合金からなる熱変形可能な記録層と、（Ｃ）第２（
最上）の耐蝕層と を有する平面状の磁気光学的多層記録材料である。

本発明による方法は、必要に応じて常用の公知の処理過
程の使用下にさらに形成させることができる。最上の耐
蝕層（Ｃ）」−に他の層を施こす既述した方法以外に、 干渉層および／または接着剤層を支持体（Ａ）と、記録
層（Ｂ）および／または第１の耐蝕層（Ｃ）との間に製
造する゛ことができるか、支持体（Ａ）から離れた耐蝕
層（Ｃ）の施与前に他の干渉層および／または反射層を
記録層（Ｂ）上に製造することができるか、または 本発明による方法で得られた２つの記録材料は、記録層
（Ｂ）が互いに“サンドイッチ”状に向かい合っている
ように相互に結合され、この場合常用の公知方法は、２
つのディスクを結合させるために使用される。

前記形成は、とにかく本発明による方法それｒ１体を何
ら変えるものではなく、専ら付加的に常用の公知の処理
過程を実施し、および／または個々の処理過程の順序は
、容易に認識できる理由から変えられる。従って、本発
明による方法の特別の利点および工業的効果は、本発明
による方法の構成要件および形成とは無関係に完全に維
持されたままである。

本発明による方法は、特別の利点を有する。

すなわち、多種多様の組成の耐蝕層（Ｃ）を簡単で１ミ
確に再現できる方法で得る方法をこれまで考えることが
できたよりも遥かに十分に提供し、それによって新規の
これまで認識されなかったかまたは実現不可能と思われ
た、耐蝕層（Ｃ）を所定の記録層（Ｂ）に適合させるた
めの方法が開示される。

この利点は、本発明による方法で得られた平面状の磁気
光学的多層記録材料の場合、殊に相応するデーター板ま
たはディスクの場合に評価される： 本発明による方法で得られた記録材料は、常法で光学的
に透明の寸法安定性の支持体（Ａ）の両面から、記録層
（Ｂ）上に焦点合わせされたおよび／または記録層（Ｂ
）上に垂直に衝突するパルス変調された１１３００ｎ未
満の波長λの書込みレーザー光を用いてデーターを非磁
化の”スポット（ｓｐｏｔ）″の形で書込むことができ
る。

その後に、このデーターは、書込まれた記録層（Ｂ）」
二に焦点合わせされたおよび／または書込まれた記録層
（Ｂ）上に垂直に衝突する連続波レーザー光を用いて読
出すことができ、この場合には、記録層（Ｂ）それ自体
または場合によっては存在する反射層から逆反射される
光が検出され、分析され、かつ信号に変換される。この
ために、本発明による方法で得られたデーター板または
ディスクの場合には、半導体レーザーを包含するレーザ
ー光学的ヘッドを有する常用の公知のレーザー光学的デ
ィスクドライブを使用することができる。

この場合、本発明による方法によって製造された記録材
料は、公知技術水準に対して特別の利点を有する。すな
わち、この記録材料は、公知の記録材料よりも高い感度
を有し、それ故にこの本発明による記録材料は、僅かな
レーザー出力で１１Ｆ込むことができる。従って、本発
明により得られた磁気光学的データー板（ディスク）は
、同じレーザー出力で公知方法で得られたディスクの場
合よりも高い板回転数で書込むことができる。また、本
発明により得られた磁気光学的データー板のビット密度
は、公知技術に比して明らかに高められている。読出し
の際、本発明により得られた磁気光学的データー板は、
歪みのない信号を供給し、かつ５５　ｄ　１３よりも多
い信号雑音比を有する。７０℃および９０％の相対湿度
で１３００時間よりも多い貯蔵時間後であっても、ピッ
ト誤差率（“ｂｉｔ　ｅｒｒｏｒ　ｒａＬｅ”）の上昇
を生じない。すなわち、情報の損失は全（生じない。

前記記録材料は、少なくとも１つの高い引掻き硬度を有
し、硬質であり、高い接着強度を有し、かつ高い機械的
強度を有する耐蝕層（Ｃ）を有し、この耐蝕層（Ｃ）は
、脆（なく、空気および水に敏感な記録ａ（Ｂ）を有利
に遮蔽する。その」二、この耐蝕層（Ｃ）は、光学的性
質および機械的性質ならびに付着特性に関連して有利に
記録材料の残りの層に適合することができる。

実施例 実施例　１〜４ 本発明方法による磁気光学的データー板の製造およびこ
うして得られたデーター板の性質ニ一般的試験方法： 支持体（八）として直径１３０ｍｍ、厚さ１゜２ｍｍの
、シュプール溝を有する４個のポリカーボネート円板を
射出成形によって純粋な空間の条件で製造した。

その後に、ポリカーボネート円板（Ａ）のシュプール溝
を有する面上で個々の層を望ましい順序および厚さでそ
のつど望ましい内部構造をもってガス相から施こした。

この場合、ｆ渉層および層（ＣＩ）の個々の層（Ｃ１４
）の施与は、当該金属の陰極スパッタリングおよびガス
相による炭化水素、酸素および／または窒素の望ましい
［＋ｔの混和によって行なわれた。これに対して、記録
層（Ｂ）および元素層（ＣＩ３）は、当該元素の陰極ス
パッタリングによって製造された。この場合には、条件
をデーター板の第１表に記載した組成が得られるように
選択した。実施例１および４の場合には、最上層（Ｃ１
４）　（実施例２、Δ１２２０３　：実施例４、Ｔｉ０
２）を当該元素層（Ｃ１３）を部分的に酸化することに
よって得た。

こうして得られたデーター板を、データー板の自動的導
入および取出しのための２個のゲート、酸素および不活
性ガスを供給するための接続部、覗き窓、データー板の
反射率を測定するための光学系ならびに圧力および温度
のための常用の公知の制御系を装備した真空室中で７０
℃で１３〜６０秒間、それぞれの層（Ｃ１４）の元素層
（ＣＩ３）が完全に酸化物層（Ｃ１４）に変換されるま
で１３−１ミリバールの圧力の純粋な活性化酸素に暴露
した。この反応の終点を光学系を用いて測定した。

１１１ｆ記方法で得られたデーター板の記録層（Ｂ）を
表面に対して垂直に磁化し、かつ常用の公知のレーザー
光学的ディスクドライブを用いてデーターを書き込んだ
。この場合には、波長λ＝８３０ｎｍの直線偏光を発す
るパルス変調されたＧａΔＱＡｓ半導体を使用した。ビ
ット長さ、すなわち“スポット（５ｐｏｔ）”の直径な
らびにビット距離、すなわち“スポット（５ｐｏｔ）”
対“スポット（５ｐｏｔ）”の距離は、約１μｍである
。

書込まれたデーターをカー効果（実施例１および２）ま
たはファラデー効果（実施例３および４）により読出す
ために、ＧａΔＱＡｓ半導体レーザーを連続波運転で１
ｍＷ未満の光出力で使用した。未補正のビット誤差率を
常用の公知方法で時間間隔検光子（“ｔｉｒ＠ｅ　１ｎ
ｔｅｒｖａｌ　ａｎａｌｙｚｅｒ　、　Ｔ　Ｉ　Ａ）を
用いて測定した。データー板をまず書込み直後に読出し
く１回目の読出し）、引続き７０°Ｃおよび９０％の相
対湿度で１３００時間貯蔵し、次いで１狂び読出した（
２回目の読出し）。これに関連する結果は、第２表に記
載されている。

比較試験■１および■２ 公知の記録材料の製造および性質 実施例１〜４に記載の方法により、構造および組成がド
イツ連邦共和国特許出願公開第３３３５６８９号明細書
の記載から公知の試料Δ２およびＢ−５に等しい２つの
データー板を得た。比較板の構造は、第１表中に本発明
によるデーター板の構造に対照させである。この比較板
を製造する場合には、酸素処理を省略した。

比較により、公知の組成の記録材料Ｖｌおよび■２は貯
蔵安定性に関連して本発明による記録材料に劣ることが
判明し、このことは、公知の記録材料の明らかに高めら
れたビット誤差率に認めることができる。

次の第１表中で略符号： “ＡＱＣ″は、炭化アルミニウムを表わし、ＴｉＮ”は
、窒化チタンを表わし、かつ“ＳｉＮ”は、窒化珪素を
表わす。

茅１表： 本発明により得られたデーター板および公知方法により
得られたデーター板の構造およびＨＩｈＸ 実施例干渉層１記録層干渉層２反射層　層（２）：（支
ＩｌＡ上）　　　（Ｂ）　　　　　（記ｆｌＢ上）　　
　　　　　　　　（Ｃ１３）ｊＥｔ（Ｃｎ）ｍ全厚 第１表：　続き 実施例　　　　　　　１醐鵬屯Ｃ）： 層（Ｃ１４） 全厚 ＴｈＤｙＰｅ　　−−− ＴｈＤｙＦｅ　　ｋＱＮ ＴｈＤｙＰｅ　　ＡｇＮ （２０）　（２０）　　（２０Ｘ１３）　　　　（７０
）ＡＱＮ　　Ａ１２　　“Ａ（Ｉｃ’　Ａ（ｌ　　ＡＱ
２０３（２０）　（２０）　　（２０８１３）　Ｑｏ）
　（８０）＾σ　　ＳｉＣＳｉＮ″Ｓｉ　　ＳｉＯ−−
−（５００）　　（２０）　（２０）　　（ＩＯＸ２０
）　　　　（７Ｇ）＾σ　“ＴｉＮ”　　Ｔｉ０７　Ｔ
ｉ　　Ｔｉ０７−−−比較試験 ■１ ■２ ｏＤｙＦｅ ＴｈＤｙＦｅ （２０Ｑ） Ｃｄ）２ Ａ１２２０ａ　−−−−−−−−−−−−（３ＱＯ）　
　　　　　　　　　　（３００）ＡＱ　　　ＣｒＮ　　
−−−−−−−−−−−−第２表：試験結果 実施例 比較試験 ｌ ■２ ビット誤差率（未補正） ＜　１３−５ ＜　１３−５ ＜　１３−５ ＜　１３−５ ＜　１３−５ ＜　１３−５ Ｏ−５ ＞　１３−４ ＞　１３−４ 代理人　弁理士　１）代　然　治 手続補正書 平成１年　５月　１日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （Ａ）光学的に透明の寸法安定性支持体と、 （Ｂ）非晶質ランタニド遷移金属合金からなる熱変化可
   能な記録層と、 少なくとも記録層（Ｂ）の支持体（Ａ）から離れた面上
   における、 （Ｃ）炭化物、窒化物および／または酸化物を含有する
   単層または多層の層とを有し、 この場合個々の層（Ｂ）および（Ｃ）は、支持体（Ａ）
   上で望ましい順序、数および厚さでそのつど望ましい内
   部構造をもってガス相によりもたらされ、その後に記録
   層（Ｂ）中で記録層（Ｂ）の表面に対して垂直に配向さ
   れた明確な磁化が誘起されている平面状の磁気光学的多
   層記録材料を製造する方法において、記録層（Ｂ）の片
   面または両面上に層（Ｃ）を、 （ I ）（Ｃ＿１＿１）２個またはそれ以上の成分から
   なる厚さ３０〜５００ｎｍの層（Ｃ＿１）をもたらし、
   但し、該成分は （Ｃ＿１＿２）それぞれ１個またはそれ以上の成分から
   なる３個またはそれ以上の別個の元素層ならびに元素炭
   化物層、元素窒化物層および元素酸化物層で存在し、こ
   の場合 （Ｃ＿１＿３）元素層の成分は、元素Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
   Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｔ
   ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆ
   ｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ
   、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、
   Ｌｕ、およびＴｈの群から選択され、 （Ｃ＿１＿４）元素炭化物層、元素窒化物層および元素
   酸化物層の成分は、前記元素（Ｃ＿１＿３）の炭化物、
   窒化物および酸化物の群から選択され、 （Ｃ＿１＿５）炭化物、窒化物および／または酸化物（
   Ｃ＿１＿４）からなる直接に隣接した層は、物質的に互
   いに異なり、 （Ｃ＿１＿６）炭化物、窒化物および／または酸化物（
   Ｃ＿１＿４）からなる少なくとも２個の層は、元素（Ｃ
   ＿１＿３）の少なくとも１種類からなる厚さ０．１〜３
   ０ｎｍの少なくとも１つの層に よって分離されており、かつ （Ｃ＿１＿７）記録層（Ｂ）に直接に隣接しているかま
   たは面した層は、常に炭化物、窒化物および／または酸
   化物（Ｃ＿１＿４）からなり、（II）層（Ｃ＿１）の元
   素（Ｃ＿１＿３）の少なくとも１種類からなる層を酸素
   、窒素および／または炭素と反応させることによって製
   造することを特徴とする、平面状の磁気光学的多層記録
   材料の製造法。