JPH0290664A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法Info
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- JPH0290664A JPH0290664A JP24321588A JP24321588A JPH0290664A JP H0290664 A JPH0290664 A JP H0290664A JP 24321588 A JP24321588 A JP 24321588A JP 24321588 A JP24321588 A JP 24321588A JP H0290664 A JPH0290664 A JP H0290664A
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- Japan
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- film
- polycrystalline silicon
- silicide
- semiconductor substrate
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体基板上に形成されて、例えばトランジ
スタなどと共に半導体装置を構成するコンデンサの製造
方法に関するものである。
スタなどと共に半導体装置を構成するコンデンサの製造
方法に関するものである。
第２図は従来のコンデンサを示す断面図であり、図にお
いて、（１）はシリコンなどの半導体基板、ｆ２１は半
導体基板（１１上に形成された第１の多結晶シリコン膜
で、電気抵抗を下げるために燐や砒素などの不純物が注
入されている。（３）は第１の多結晶シリコンＷＡ■上
に形成されたシリコン酸化膜、（４）はシリコン酸化膜
（３）上に形成された第２の多結晶シリコン膜で、第１
の多結晶シリコン膜（２Ｊと同様の不純物が拡散されて
いる。
いて、（１）はシリコンなどの半導体基板、ｆ２１は半
導体基板（１１上に形成された第１の多結晶シリコン膜
で、電気抵抗を下げるために燐や砒素などの不純物が注
入されている。（３）は第１の多結晶シリコンＷＡ■上
に形成されたシリコン酸化膜、（４）はシリコン酸化膜
（３）上に形成された第２の多結晶シリコン膜で、第１
の多結晶シリコン膜（２Ｊと同様の不純物が拡散されて
いる。
上記のコンデンサの製造方法について説明すると、まず
、半導体基板（１）上にＣＶＤ法などによって第１の多
結晶シリコン膜（２を形成する。不純物は半導体基板（
１）に深く拡散されるのは好ましくないので、第１の多
結晶シリコン膜Ｕには拡散深さを浅く制御できるイオン
注入法により不純物を注入する６次に、この第１の多結
晶シリコン膜（２１１に、ＣＶＤ法、熱酸化法などによ
りシリコン酸化１１ｉ （３１を形成する。続いて、そ
の上にＣＶＤ法などにより第２の多結晶シリコン膜（４
］を形成し、不純物のデポジションにより、その不純物
を第２の多結晶シリコン膜（／ｌ）中に拡散させる。
、半導体基板（１）上にＣＶＤ法などによって第１の多
結晶シリコン膜（２を形成する。不純物は半導体基板（
１）に深く拡散されるのは好ましくないので、第１の多
結晶シリコン膜Ｕには拡散深さを浅く制御できるイオン
注入法により不純物を注入する６次に、この第１の多結
晶シリコン膜（２１１に、ＣＶＤ法、熱酸化法などによ
りシリコン酸化１１ｉ （３１を形成する。続いて、そ
の上にＣＶＤ法などにより第２の多結晶シリコン膜（４
］を形成し、不純物のデポジションにより、その不純物
を第２の多結晶シリコン膜（／ｌ）中に拡散させる。
以上のようにして形成された第１および第２の多結晶シ
リコン膜（２１，（４１はそれぞれ下田（および上部電
極となり、また、シリコン酸化膜（３）は上記の両電極
間にあって絶縁膜となり、これらによりコンデンサを構
成する。
リコン膜（２１，（４１はそれぞれ下田（および上部電
極となり、また、シリコン酸化膜（３）は上記の両電極
間にあって絶縁膜となり、これらによりコンデンサを構
成する。
従来のコンデンサの製造は以上のように行われているの
で、下部電極として用いる多結晶シリコン膜の電気抵抗
を下げるためにこれに不純物を注入する工程が必要であ
った。この不純物の注入は拡散深さを制御するためにイ
オン注入法により行われるがこの方法は方向性が強いの
で、特に、半導体チップの面積縮小のために大規模集積
回路で採用されるトレンチｎ ３８のコンデンサにおい
てはうまく不純物を注入するのが困難であるなどの問題
点があった。
で、下部電極として用いる多結晶シリコン膜の電気抵抗
を下げるためにこれに不純物を注入する工程が必要であ
った。この不純物の注入は拡散深さを制御するためにイ
オン注入法により行われるがこの方法は方向性が強いの
で、特に、半導体チップの面積縮小のために大規模集積
回路で採用されるトレンチｎ ３８のコンデンサにおい
てはうまく不純物を注入するのが困難であるなどの問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、下部電極に不純物を注入する必要のないコン
デンサの製造方法を得ることを目的とする。
たもので、下部電極に不純物を注入する必要のないコン
デンサの製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係るコンデンサの製造方法は、半導体基板上
に下部電極としてシリサイド膜を形成し、６００°Ｃ以
上の温度で熱処理を行ってこれを結晶化し、しかる後に
、この結晶化したシリサイド膜の上に絶縁膜を形成する
ようにしたものである。
に下部電極としてシリサイド膜を形成し、６００°Ｃ以
上の温度で熱処理を行ってこれを結晶化し、しかる後に
、この結晶化したシリサイド膜の上に絶縁膜を形成する
ようにしたものである。
この発明におけるコンデンサの製造方法は、下部電極と
してシリサイド膜を用いているので、これに不純物を注
入しなくてもその抵抗値は低く、また、上記シリサイド
膜を結晶化した後、絶縁膜をその上に形成するので、絶
縁膜形成後の熱処理時に絶縁膜がシリサイド膜から機械
的なストレスを受けることはない。
してシリサイド膜を用いているので、これに不純物を注
入しなくてもその抵抗値は低く、また、上記シリサイド
膜を結晶化した後、絶縁膜をその上に形成するので、絶
縁膜形成後の熱処理時に絶縁膜がシリサイド膜から機械
的なストレスを受けることはない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例によるコンデンサを示す断面図
であり、図において、（１）はシリコンなどの半導体基
板、（９は半導体基板（１）上に形成されたＭｏ５Ｌ、
ＷＳｉｚなどのシリサイド膜、（３）はシリサイドＷＡ
（５１上に形成されたシリコン酸化膜、（４）はシリコ
ン酸化膜（３）上に形成された多結晶シリコン膜で、電
気抵抗を下げるために燐や砒素などの不純物が拡散され
ている。
図はこの発明の一実施例によるコンデンサを示す断面図
であり、図において、（１）はシリコンなどの半導体基
板、（９は半導体基板（１）上に形成されたＭｏ５Ｌ、
ＷＳｉｚなどのシリサイド膜、（３）はシリサイドＷＡ
（５１上に形成されたシリコン酸化膜、（４）はシリコ
ン酸化膜（３）上に形成された多結晶シリコン膜で、電
気抵抗を下げるために燐や砒素などの不純物が拡散され
ている。
上記のコンデンサの製造方法について説明する。
まず、半導体基板（１）上にスパッタ法などによってシ
リサイド膜（９を形成し、６００℃以上の温度で熱処理
することによりこれを結晶化する０次に、この上にＣＶ
Ｄ法などによってシリコン酸化膜（３）を形成する。続
いて、その上にＣＶＤ法などにより多結晶シリコンＷＡ
（４）を形成し、不純物のデポジションにより、この不
純物を多結晶シリコン膜（４）中に拡散させる。
リサイド膜（９を形成し、６００℃以上の温度で熱処理
することによりこれを結晶化する０次に、この上にＣＶ
Ｄ法などによってシリコン酸化膜（３）を形成する。続
いて、その上にＣＶＤ法などにより多結晶シリコンＷＡ
（４）を形成し、不純物のデポジションにより、この不
純物を多結晶シリコン膜（４）中に拡散させる。
以上のように形成したものにおいて、シリサイド膜（５
］は不純物を注入しなくても抵抗は低く、多結晶シリコ
ン膜（４）と共にそれぞれ下部および上部電極となり、
また、シリコン酸化１１！Ｊ （３１は上記の両電極間
の絶縁膜となって、これらによりコンデンサを構成する
。なお、シリサイド膜（匂は結晶化の前後で体積が変化
するが、シリサイド膜四の結晶化後にシリコン酸化膜（
３）を形成するので、酸化膜（３）形成後に更に熱処理
されるときはシリサイド膜（９は既に結晶化しており、
この結晶化による体積変化で酸化膜（３）が機械的なス
トレスを受けることはない。
］は不純物を注入しなくても抵抗は低く、多結晶シリコ
ン膜（４）と共にそれぞれ下部および上部電極となり、
また、シリコン酸化１１！Ｊ （３１は上記の両電極間
の絶縁膜となって、これらによりコンデンサを構成する
。なお、シリサイド膜（匂は結晶化の前後で体積が変化
するが、シリサイド膜四の結晶化後にシリコン酸化膜（
３）を形成するので、酸化膜（３）形成後に更に熱処理
されるときはシリサイド膜（９は既に結晶化しており、
この結晶化による体積変化で酸化膜（３）が機械的なス
トレスを受けることはない。
また、上記実施例では絶縁膜としてシリコン・酸化膜（
３）を用いたが、シリコン窒化膜、あるいは、これらの
多層膜を用いてもよい。
３）を用いたが、シリコン窒化膜、あるいは、これらの
多層膜を用いてもよい。
以上のように、この発明によればシリサイド膜を下部電
極として用いているのでこれに不純物を注入する必要が
なく、また６００°Ｃ以上の温度で熱処理して上記シリ
サイド膜を結晶化した後で、その上に絶縁膜を形成する
ので、この絶縁膜が上記シリサイド膜から機械的なス１
〜レスを受けることはない。
極として用いているのでこれに不純物を注入する必要が
なく、また６００°Ｃ以上の温度で熱処理して上記シリ
サイド膜を結晶化した後で、その上に絶縁膜を形成する
ので、この絶縁膜が上記シリサイド膜から機械的なス１
〜レスを受けることはない。
第１図はこの発明の一実施例によるコンデンサを示す断
面図、第２図は従来のコンデンサを示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（３）はシリコン酸
化膜、四は多結晶シリコン膜、（５）はシリサイド膜で
ある。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第２図は従来のコンデンサを示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（３）はシリコン酸
化膜、四は多結晶シリコン膜、（５）はシリサイド膜で
ある。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に下部電極、絶縁膜、上部電極を順次形成
してコンデンサを製造するものにおいて、上記下部電極
としてシリサイド膜を形成して６００℃以上の温度で熱
処理した後、上記絶縁膜を形成することを特徴とするコ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24321588A JPH0290664A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24321588A JPH0290664A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290664A true JPH0290664A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17100538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24321588A Pending JPH0290664A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5178201A (en) * | 1991-03-05 | 1993-01-12 | Eska Medical Gmbh & Co. | Method for producing an implant with an open-celled metal structure |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160265A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS63204743A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6444044A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24321588A patent/JPH0290664A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160265A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS63204743A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6444044A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5178201A (en) * | 1991-03-05 | 1993-01-12 | Eska Medical Gmbh & Co. | Method for producing an implant with an open-celled metal structure |
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