JPH029181A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPH029181A JPH029181A JP63158173A JP15817388A JPH029181A JP H029181 A JPH029181 A JP H029181A JP 63158173 A JP63158173 A JP 63158173A JP 15817388 A JP15817388 A JP 15817388A JP H029181 A JPH029181 A JP H029181A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- optically coupled
- semiconductor device
- light
- coupled semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は発光素子と受光素子とを対向させた光結合半導
体装置に係シ、特に二重モールド構造の光結合半導体装
置に関する。
体装置に係シ、特に二重モールド構造の光結合半導体装
置に関する。
（従来の技術）
第３図および第４図はそれぞれ異なる二重モールド構造
を有する光結合半導体装置の構造を示す断面図である。
を有する光結合半導体装置の構造を示す断面図である。
第３図はいわゆる二重トランスファモールド構造の光結
合半導体装置であシ、発光素子（発光ダイオード）（１
）と、受光素子（２）としてホトトランジスタあるいは
ホトダイオードと信号処理回路を集積化し九素子を各々
リート責３）、 （４）に搭載し、それぞれ金線（５）
、（５）によりワイヤボンディングを行ない発光ダイオ
ード（１）には応力緩和のためのプリコ−） （６）を
施した後、透光性樹脂（７）によりこれら全体を包むよ
うにモールドし、さらに外部周辺を度光性樹脂（８）で
モールドしたものである。
合半導体装置であシ、発光素子（発光ダイオード）（１
）と、受光素子（２）としてホトトランジスタあるいは
ホトダイオードと信号処理回路を集積化し九素子を各々
リート責３）、 （４）に搭載し、それぞれ金線（５）
、（５）によりワイヤボンディングを行ない発光ダイオ
ード（１）には応力緩和のためのプリコ−） （６）を
施した後、透光性樹脂（７）によりこれら全体を包むよ
うにモールドし、さらに外部周辺を度光性樹脂（８）で
モールドしたものである。
また、第４図は発光ダイオード（１）及び受光素子（２
）を各リード（３）、 （４）に搭載し、それぞれ金線
（５）、 （５’）によりワイヤボンディングを行ない
、各素子（１）。
）を各リード（３）、 （４）に搭載し、それぞれ金線
（５）、 （５’）によりワイヤボンディングを行ない
、各素子（１）。
（２）の相対向する光路となる部分をボッティング等の
手法を用いて透明シリコーン樹脂（６）で形成し、更に
外部周辺を反光性樹脂（８）でモールドしたものである
。
手法を用いて透明シリコーン樹脂（６）で形成し、更に
外部周辺を反光性樹脂（８）でモールドしたものである
。
（発明が解決しようとする課題）
最近、機器や部品の小型化、とシわけ電子部品のチップ
部品化、面実装化に伴い、ホトカプラも面実装に適した
小型・薄をパッケージのものが要望されつつある。透光
性樹脂と反光性樹脂による二重モールド構造というのは
、外乱光の影響をさけるという点で有効であるが、小型
化、薄型化を図るには多層構造になっているため制約が
大きい。
部品化、面実装化に伴い、ホトカプラも面実装に適した
小型・薄をパッケージのものが要望されつつある。透光
性樹脂と反光性樹脂による二重モールド構造というのは
、外乱光の影響をさけるという点で有効であるが、小型
化、薄型化を図るには多層構造になっているため制約が
大きい。
第３図では、各素子（１）、 （２）が搭載されたリー
ド（３）、 （４）のベッド部（９） 、 （１０）を
充分におおうように透光性樹脂（７）によりトランスフ
ァモールドされているため、リード（３）？ （４）間
の絶縁破壊を生じ易い樹脂界面は第３図Ａに示す箇所と
なり、デュマルインラインパッケージサイズでその絶縁
耐圧を５ｋＶは保障出来る優れた構造になっている。し
かし、小塵・薄型化を図った場合、透光性樹脂（７）の
モールド寸法は小さくしなければならなく、Ａは短かく
なり、また透光性樹脂（７）のトランスファモールドの
際にリード（３）、 （４）のベッド部（９）、（１の
裏側の透光性樹脂層（７）にボイドが生じ易くなシ、絶
縁耐圧を著しく低下させる原因を誘発する。
ド（３）、 （４）のベッド部（９） 、 （１０）を
充分におおうように透光性樹脂（７）によりトランスフ
ァモールドされているため、リード（３）？ （４）間
の絶縁破壊を生じ易い樹脂界面は第３図Ａに示す箇所と
なり、デュマルインラインパッケージサイズでその絶縁
耐圧を５ｋＶは保障出来る優れた構造になっている。し
かし、小塵・薄型化を図った場合、透光性樹脂（７）の
モールド寸法は小さくしなければならなく、Ａは短かく
なり、また透光性樹脂（７）のトランスファモールドの
際にリード（３）、 （４）のベッド部（９）、（１の
裏側の透光性樹脂層（７）にボイドが生じ易くなシ、絶
縁耐圧を著しく低下させる原因を誘発する。
第４図の素子構造では、同図に示す破線Ｂのところまで
外装モールド部を小型・薄型化できる。
外装モールド部を小型・薄型化できる。
しかし、この構造では、透光性樹脂（７）と反光性樹脂
（８）との境界部分におけるリート責３）、 （４）間
距離が短く、これら樹脂（７）、 （８）の界面Ｃが一
般に要求される絶縁耐圧２〜５ｋｖに対して不充分であ
り、用いられる材料の線膨張係数の差などから光結合半
導体装置として安全上極めて高い信頼性が要求される絶
縁耐圧を構造的に保証することが困雉である。
（８）との境界部分におけるリート責３）、 （４）間
距離が短く、これら樹脂（７）、 （８）の界面Ｃが一
般に要求される絶縁耐圧２〜５ｋｖに対して不充分であ
り、用いられる材料の線膨張係数の差などから光結合半
導体装置として安全上極めて高い信頼性が要求される絶
縁耐圧を構造的に保証することが困雉である。
本発明の目的は小型化および薄型化でき、装置内の各電
極の絶縁耐圧が高く、高信頼性を有する光結合半導体装
置を提供することである。
極の絶縁耐圧が高く、高信頼性を有する光結合半導体装
置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
リードフレームに発光素子と受光素子とを互いに対向さ
せるように搭載し、これらの素子を透光性樹脂によりモ
ールドして光路を形成してさらに反光性樹脂により外装
モールドしてなる二重モールド構造の光結合半導体装置
において、前記リードフレームの各素子を搭載するベッ
ド部裏の透光性樹脂層を部分的に厚くする。
せるように搭載し、これらの素子を透光性樹脂によりモ
ールドして光路を形成してさらに反光性樹脂により外装
モールドしてなる二重モールド構造の光結合半導体装置
において、前記リードフレームの各素子を搭載するベッ
ド部裏の透光性樹脂層を部分的に厚くする。
（作用）
以上のように本発明によれば、発光素子搭載側のリード
と受光素子搭載側のリードとの間の絶縁破壊の発生し易
い樹脂界面の距離を長くでき透光性樹脂の形成のための
流路を確保できるということによってボイドの発生を抑
えることができるので、寸法の小型・薄型化を図った場
合、各ＩＪ ＋ド間の絶縁耐圧および耐湿性も安定して
確保できる。
と受光素子搭載側のリードとの間の絶縁破壊の発生し易
い樹脂界面の距離を長くでき透光性樹脂の形成のための
流路を確保できるということによってボイドの発生を抑
えることができるので、寸法の小型・薄型化を図った場
合、各ＩＪ ＋ド間の絶縁耐圧および耐湿性も安定して
確保できる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す光結合半導体装置の断
面図であシ、その装置の外形を示す斜視図である。以下
第１図を参照し本実施例を説明する。
面図であシ、その装置の外形を示す斜視図である。以下
第１図を参照し本実施例を説明する。
ランジスタあるいはホトダイオードを信号処理回路を集
積化した素子が用いられる。そして、これらの素子を互
いに対向させるようにリート責３）、 （４）にマウン
トし、それぞれ金線（５）、 （５）によりワイヤボン
ディングを行ない、発光素子（１）には応力緩和のため
にシリコン樹脂等によりプリコート（６）を施こした後
、透光性樹脂（７）によりこれら全体を包むようにモー
ルドされる。該装置を小型化した場合、リート責３）、
（４）のベッド部（１０）、（９）裏における透光性
樹脂（７）の厚さはより薄くなってしまうが、本実施例
ではそのベッド部裏の透光性樹脂（７）を薄くせず常に
０．１〜０．３ｎ程度の厚さにする。よって透光性樹脂
（７）によるモールド後の形状では、ベッド部（９）。
積化した素子が用いられる。そして、これらの素子を互
いに対向させるようにリート責３）、 （４）にマウン
トし、それぞれ金線（５）、 （５）によりワイヤボン
ディングを行ない、発光素子（１）には応力緩和のため
にシリコン樹脂等によりプリコート（６）を施こした後
、透光性樹脂（７）によりこれら全体を包むようにモー
ルドされる。該装置を小型化した場合、リート責３）、
（４）のベッド部（１０）、（９）裏における透光性
樹脂（７）の厚さはより薄くなってしまうが、本実施例
ではそのベッド部裏の透光性樹脂（７）を薄くせず常に
０．１〜０．３ｎ程度の厚さにする。よって透光性樹脂
（７）によるモールド後の形状では、ベッド部（９）。
（１の裏の部分は凸になる。その後、反光性樹脂（８）
により全体がモールドされ、第１図（ｂ）に示すような
形状の光結合半導体装１が形成される。この庶光性樹脂
（８）は厚さが０．２〜０．３ｍｍであるが、各リード
（３）、 （４）のベッド部（１０）、（９）の裏にお
いては透光性樹脂（力が凸に形成されているため、度光
性樹脂（８）の厚さは０．０４５ｗ〜０．０５５朋にな
る。
により全体がモールドされ、第１図（ｂ）に示すような
形状の光結合半導体装１が形成される。この庶光性樹脂
（８）は厚さが０．２〜０．３ｍｍであるが、各リード
（３）、 （４）のベッド部（１０）、（９）の裏にお
いては透光性樹脂（力が凸に形成されているため、度光
性樹脂（８）の厚さは０．０４５ｗ〜０．０５５朋にな
る。
以上のように発光素子（１）および受光素子（２）の形
成されているリード（３）、 （４）のベッド部（１０
）、（９）の裏の透光性樹脂（７）を部分的に厚くする
ことにより、発光素子搭載側のリードと受光素子搭載側
のリードとの間の絶縁破壊し易い樹脂界面の距離を長く
でき、透光性樹脂（７）形成のだめの金型内の流路を確
保できることによってボイドの発生を抑えることができ
るので絶縁耐圧および耐湿性を向上させることができ、
より小型化、薄型化された光結合半導体装置にすること
ができる。本実施例においては厚さが２．３〜２．７」
程度まで薄型化することが可能となった。
成されているリード（３）、 （４）のベッド部（１０
）、（９）の裏の透光性樹脂（７）を部分的に厚くする
ことにより、発光素子搭載側のリードと受光素子搭載側
のリードとの間の絶縁破壊し易い樹脂界面の距離を長く
でき、透光性樹脂（７）形成のだめの金型内の流路を確
保できることによってボイドの発生を抑えることができ
るので絶縁耐圧および耐湿性を向上させることができ、
より小型化、薄型化された光結合半導体装置にすること
ができる。本実施例においては厚さが２．３〜２．７」
程度まで薄型化することが可能となった。
また上記の二重モールドに用いる材料である透光性樹脂
（７）と度光性樹脂（８）は、主成分及び充填剤につい
て、同一成分かつ同一量のものを用いることにより機械
的強度を向上させ、熱による線膨張係数の近似を図るこ
とができるため信頼性を向上させる。
（７）と度光性樹脂（８）は、主成分及び充填剤につい
て、同一成分かつ同一量のものを用いることにより機械
的強度を向上させ、熱による線膨張係数の近似を図るこ
とができるため信頼性を向上させる。
また第２図（ａ）は本発明の他の実施例を示す光結合半
導体装置の断面図であシ、同図（ｂ）はその外形を示す
斜視図である。本実施例では前記第１の実施例における
度光性樹脂（８）の肉薄になっている部分をなくし全体
を同一の厚さの度光性樹脂（８）によってモールドした
ものである。本実施例では装置全体の機械的強度および
他の部品との絶縁性を維持しながら、小型であシ各す−
ド間の絶縁耐圧にすぐれた光結合半導体装置を作ること
ができる。
導体装置の断面図であシ、同図（ｂ）はその外形を示す
斜視図である。本実施例では前記第１の実施例における
度光性樹脂（８）の肉薄になっている部分をなくし全体
を同一の厚さの度光性樹脂（８）によってモールドした
ものである。本実施例では装置全体の機械的強度および
他の部品との絶縁性を維持しながら、小型であシ各す−
ド間の絶縁耐圧にすぐれた光結合半導体装置を作ること
ができる。
本発明は以上のように、各素子が搭載されるペット部裏
における透光性樹脂を部分的に厚くすることにより、小
型化および薄型化でき、装置内の電標どうしの絶縁耐圧
および他の部品との絶縁耐圧が高く、高信頼性を有する
光結合半導体装置を作ることができる。
における透光性樹脂を部分的に厚くすることにより、小
型化および薄型化でき、装置内の電標どうしの絶縁耐圧
および他の部品との絶縁耐圧が高く、高信頼性を有する
光結合半導体装置を作ることができる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す光結合半導体装
置の断面図、同図（ｂ）はその外形を示す斜視図、第２
図（ａ）は本発明の他の実施例を示す光結合半導体装置
の断面図、同図（ｂ）はその外形を示す斜視図、第３図
は従来の光結合半導体装置の断面図、第４図は他の従来
例を示す光結合半導体装置の断面図である。 １・・・発光素子。 ３．４・・・リ − ド。 ６・・・プリコート。 ８・・・度光性樹脂。 ２・・・受光素子。 ５．５・・・金 線。 ７・・・透光性街脂。 ９．１０・・・ベッド部。 粒粁８薯１ｔ１１ ／ （θ） （ｂ） 図 代理人 弁理士 則 近 憲 借 間 竹 花 喜久男 第 ２７
置の断面図、同図（ｂ）はその外形を示す斜視図、第２
図（ａ）は本発明の他の実施例を示す光結合半導体装置
の断面図、同図（ｂ）はその外形を示す斜視図、第３図
は従来の光結合半導体装置の断面図、第４図は他の従来
例を示す光結合半導体装置の断面図である。 １・・・発光素子。 ３．４・・・リ − ド。 ６・・・プリコート。 ８・・・度光性樹脂。 ２・・・受光素子。 ５．５・・・金 線。 ７・・・透光性街脂。 ９．１０・・・ベッド部。 粒粁８薯１ｔ１１ ／ （θ） （ｂ） 図 代理人 弁理士 則 近 憲 借 間 竹 花 喜久男 第 ２７
Claims (2)
- （１）リードフレームに発光素子と受光素子とを互いに
対向させるように搭載し、これらの素子を樹脂によりモ
ールドしてなる光結合半導体装置において、リードフレ
ームのベッド部裏のモールド樹脂が、他の樹脂成型部分
に比べ各素子が対向する方向と同じ方向に突出している
ことを特徴とする光結合半導体装置。 - （２）リードフレームに発光素子と受光素子とを互いに
対向させるように搭載し、これらの素子を多層の樹脂層
によってモールドしてなる光結合半導体装置において、
リードフレームベッド部裏の内側の樹脂層が、他の樹脂
成型部分に比べ各素子が対向する方向と同じ方向に突出
していることを特徴とする光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158173A JPH029181A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158173A JPH029181A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029181A true JPH029181A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15665869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158173A Pending JPH029181A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029181A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701289A1 (en) * | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Nec Corporation | Photocoupler |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63158173A patent/JPH029181A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701289A1 (en) * | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Nec Corporation | Photocoupler |
| US5665983A (en) * | 1994-09-08 | 1997-09-09 | Nec Corporation | Photocoupler device having light emitting device and photo detector |
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