JPH029535A - 薄基板製造方法およびその装置 - Google Patents
薄基板製造方法およびその装置Info
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- JPH029535A JPH029535A JP15933188A JP15933188A JPH029535A JP H029535 A JPH029535 A JP H029535A JP 15933188 A JP15933188 A JP 15933188A JP 15933188 A JP15933188 A JP 15933188A JP H029535 A JPH029535 A JP H029535A
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- thin
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、水晶、シリコン、ヒ化ガリウム等の薄基板を
製造するための方法および複合加工機に関し、特に、単
一の工程で薄基板の両面を研削するようにした薄基板製
造方法およびその装置に関する。
製造するための方法および複合加工機に関し、特に、単
一の工程で薄基板の両面を研削するようにした薄基板製
造方法およびその装置に関する。
〔従来の技術J
従来、水墨やシリコン等の結品のインゴットを、薄く切
断して薄基板、例えば、ウェーハを製造する方法として
は1通常、第7図に示すような工程(主要工程)からな
る方法が採用されている。
断して薄基板、例えば、ウェーハを製造する方法として
は1通常、第7図に示すような工程(主要工程)からな
る方法が採用されている。
すなわち、インゴットを、ウェーハ切断T程701にお
いて薄く切断し、この切断したウェハの周縁を、ラッピ
ングの際にチッピング、スクラッチ、割れなどが生じな
いようにベベリング工程702で面取り加工している0
次いで、両面ラッピング工程703において、ウェー/
%の両面をラッピングし、+JJ断時に発生したそりの
除去と、ウェーハ表面におけるクラック層、ソーマーク
の除去を行なうとともに、ウェーl\が所定の厚みす法
となるように加工している。
いて薄く切断し、この切断したウェハの周縁を、ラッピ
ングの際にチッピング、スクラッチ、割れなどが生じな
いようにベベリング工程702で面取り加工している0
次いで、両面ラッピング工程703において、ウェー/
%の両面をラッピングし、+JJ断時に発生したそりの
除去と、ウェーハ表面におけるクラック層、ソーマーク
の除去を行なうとともに、ウェーl\が所定の厚みす法
となるように加工している。
その後、ポリシング丁程704において、ウェーハのそ
りを除去して平滑度を向上させるため、ウェーハ両面の
ポリシング加工を行ない、さらに、エツチング工程70
5で、am械加工によって生じたウェーハ表面の変質層
を除去するための工・チング加工を行なっている。そし
て最後に、鏡面ボリシング加エフ06において、ウェー
ハの表面伝再度ポリシングして仕上加工を行ない、最終
的なウェーハとしている。
りを除去して平滑度を向上させるため、ウェーハ両面の
ポリシング加工を行ない、さらに、エツチング工程70
5で、am械加工によって生じたウェーハ表面の変質層
を除去するための工・チング加工を行なっている。そし
て最後に、鏡面ボリシング加エフ06において、ウェー
ハの表面伝再度ポリシングして仕上加工を行ない、最終
的なウェーハとしている。
このようなウェーハの製造においては、ウェハの加工時
、特に、ウェーハの切断時に発生するそりの除去が大き
な3題となっている。そこで、ウェーハ!i’J断方法
が種々提案されているが、いずれの方法も、そりの発生
を大幅に減少させた状恩で切断を行なうことは困難であ
った。このため。
、特に、ウェーハの切断時に発生するそりの除去が大き
な3題となっている。そこで、ウェーハ!i’J断方法
が種々提案されているが、いずれの方法も、そりの発生
を大幅に減少させた状恩で切断を行なうことは困難であ
った。このため。
ウェーハ切断後の加工工程でそりを確実に除く必要があ
るが、従来のウェーハ製造方法ではそりを十分に除去で
きなかった。
るが、従来のウェーハ製造方法ではそりを十分に除去で
きなかった。
従来のウェーハ製造方法において、ウェーハ切断時に発
生したそりを、十分に除去できない原因は次の点にある
と考えられる。
生したそりを、十分に除去できない原因は次の点にある
と考えられる。
すなわち、ウェーハ切断工程でウェーハを切断すると、
切断中の切り込みによる切断抵抗の変化および発熱等に
よって生じるブレードの変形(座M、)等により、ウェ
ーハ81にそりが発生する(′58図(a))、そこで
、ラッピング工程およびポリシング工程において、ウェ
ーハ81を上下の定fi85.86により圧力をかけつ
つ加工を行ないそりを除去する(第8図(b))。
切断中の切り込みによる切断抵抗の変化および発熱等に
よって生じるブレードの変形(座M、)等により、ウェ
ーハ81にそりが発生する(′58図(a))、そこで
、ラッピング工程およびポリシング工程において、ウェ
ーハ81を上下の定fi85.86により圧力をかけつ
つ加工を行ないそりを除去する(第8図(b))。
しかしこの場合、ウェーハ81は、薄片であるとともに
、一般に、−面が凹状で他面が凸状となっていて、全体
が弓なりにそっているため、定185.86により上下
方向から圧力を加えるとウェーハ81の有する弾力性に
よってウェーハ81は撓んで平坦形状となる。
、一般に、−面が凹状で他面が凸状となっていて、全体
が弓なりにそっているため、定185.86により上下
方向から圧力を加えるとウェーハ81の有する弾力性に
よってウェーハ81は撓んで平坦形状となる。
このため、定fi85.86による加圧時にも撓んで平
坦状とならないような大さなそりは、ラッピング加工お
よびポリシング加工によって除去できるものの、加圧時
に弾性変形によって撓んでモ坦となるようなそりは除去
できなかった。したがって、定g185.86による上
下方向の圧力を取り除くと、ウェーハはそりを有する形
状に戻ってしまい(第8図(C) )、所定量以上のそ
りはどうしても除去することがでさなかった。
坦状とならないような大さなそりは、ラッピング加工お
よびポリシング加工によって除去できるものの、加圧時
に弾性変形によって撓んでモ坦となるようなそりは除去
できなかった。したがって、定g185.86による上
下方向の圧力を取り除くと、ウェーハはそりを有する形
状に戻ってしまい(第8図(C) )、所定量以上のそ
りはどうしても除去することがでさなかった。
そこで、上記の問題点を解消したiIj基板の製造方法
として、特開昭61−106207号、特開昭62−2
24537号等に開示されているように、第6図に主要
な製造1程が示されている装造工程が開発された。
として、特開昭61−106207号、特開昭62−2
24537号等に開示されているように、第6図に主要
な製造1程が示されている装造工程が開発された。
すなわち、この製造方法は、端面研削工程601におい
てインゴットの端面を研削して平坦な基準面とし、その
後、ウェーハ切断工程602においてインゴットを所定
厚さの端面側を薄片に切断してウェー/\を作成し1次
いで、ベベリング工程603で周縁の面取りを行なった
後1片面ラッピング工程604.ポリシング工程605
゜608に4を介してウェーハを製造するものである。
てインゴットの端面を研削して平坦な基準面とし、その
後、ウェーハ切断工程602においてインゴットを所定
厚さの端面側を薄片に切断してウェー/\を作成し1次
いで、ベベリング工程603で周縁の面取りを行なった
後1片面ラッピング工程604.ポリシング工程605
゜608に4を介してウェーハを製造するものである。
なお、ここで、ラッピング工程604およびポリシング
工程605.1308は、従来の製造方法と同様にウェ
ーハのそりとソーマークの除去を目的とするものである
。
工程605.1308は、従来の製造方法と同様にウェ
ーハのそりとソーマークの除去を目的とするものである
。
[解決すべき1題]
しかしながら、ウェーへの一方の端面を端面研削、他方
の表面を片面ラッピングにて加工した場合、両表面に対
する加工内容が相違するため。
の表面を片面ラッピングにて加工した場合、両表面に対
する加工内容が相違するため。
これらの機械加工によって生じた変質層は両表面で異な
った様相をtする。このように不均一な状態の変質層は
、そのままエツチングを行なっても完全に除去すること
が困難である。
った様相をtする。このように不均一な状態の変質層は
、そのままエツチングを行なっても完全に除去すること
が困難である。
したがって、端面研削における加工歪と片面ラッピング
における加工歪との間に大きな差がある場合、両面ポリ
シング工程や両面ラッピング工程を経ても、なおウェー
ハにそりが残存するおそれがあった。そのために、第6
図に示した従来の製造方法においては、エツチング工程
の前段に両面ポリシング工程あるいは両面ラフピング工
程を挿入して、ウェーハの両表面に生じた変質層を均一
にすることが通常必要となり、作業時間を多く費やすと
いう問題があった。
における加工歪との間に大きな差がある場合、両面ポリ
シング工程や両面ラッピング工程を経ても、なおウェー
ハにそりが残存するおそれがあった。そのために、第6
図に示した従来の製造方法においては、エツチング工程
の前段に両面ポリシング工程あるいは両面ラフピング工
程を挿入して、ウェーハの両表面に生じた変質層を均一
にすることが通常必要となり、作業時間を多く費やすと
いう問題があった。
本発明はJ:述した問題点を解決するためになされたも
ので、製造工程の簡略化と製造時間の短縮を図るととも
に、より一層高精度、高品質な薄基板(ウェーハ)の製
造を可能とした薄基板製造方法およびその装置の提供を
目的とする。
ので、製造工程の簡略化と製造時間の短縮を図るととも
に、より一層高精度、高品質な薄基板(ウェーハ)の製
造を可能とした薄基板製造方法およびその装置の提供を
目的とする。
[課題の解決手段]
−h記1]的を達成するために1本発明の薄基板製造方
法は、インゴットの端面および薄片の切断面の研削を、
インゴットの端面を平坦に研削し、次いでインゴットの
端面側を所定厚さの薄片に切断し、さらに、切断された
薄片を反転して切断面と平行なチャックに取付けて、薄
片のνJ断面を研削ならしめている。
法は、インゴットの端面および薄片の切断面の研削を、
インゴットの端面を平坦に研削し、次いでインゴットの
端面側を所定厚さの薄片に切断し、さらに、切断された
薄片を反転して切断面と平行なチャックに取付けて、薄
片のνJ断面を研削ならしめている。
また、薄基板製造装置の発明にあっては1回転自在な筒
状のブレード取付枠と、このブレード取付枠に固定され
たブレードとを備えた薄基板切断手段と、インゴットを
固定して少なくとも上記ブレードの半径方向に移動可能
なインゴット支持手段と、上記薄基板切断手段によりイ
ンゴットから切り出された薄基板を反転して切断面を表
面にした状態で固定するとともに、少なくとも上記イン
ゴット支持手段と同一の経路上を移動可能な薄基板支持
手段と、上記薄基板切断手段によりインゴットから切り
出された薄基板を上記薄基板支持手段まで反転して移送
する薄基板移送手段と、上記インゴット支持手段および
上記薄基板支持手段の移動経路に対向して設けられ、J
:記インゴット支持手段に固定されたインゴットの先端
面および上記薄基板支持手段に固定された薄基板の表面
を研削する研削手段とで構成しである。
状のブレード取付枠と、このブレード取付枠に固定され
たブレードとを備えた薄基板切断手段と、インゴットを
固定して少なくとも上記ブレードの半径方向に移動可能
なインゴット支持手段と、上記薄基板切断手段によりイ
ンゴットから切り出された薄基板を反転して切断面を表
面にした状態で固定するとともに、少なくとも上記イン
ゴット支持手段と同一の経路上を移動可能な薄基板支持
手段と、上記薄基板切断手段によりインゴットから切り
出された薄基板を上記薄基板支持手段まで反転して移送
する薄基板移送手段と、上記インゴット支持手段および
上記薄基板支持手段の移動経路に対向して設けられ、J
:記インゴット支持手段に固定されたインゴットの先端
面および上記薄基板支持手段に固定された薄基板の表面
を研削する研削手段とで構成しである。
[実施例]
以下1本発明の実施例について図面を参照してa明する
。
。
まず、第1図ないし第3図によって本発明の薄基板製造
装置の第一実施例を説明する。第1図は薄基板製造装置
の平面図、第2図は同じく正面図、第3図は第1図にお
ける矢視A−A線拡大図である。
装置の第一実施例を説明する。第1図は薄基板製造装置
の平面図、第2図は同じく正面図、第3図は第1図にお
ける矢視A−A線拡大図である。
:51図、第2図において、1は基台、10は薄基板切
断手段、20はインゴット支持手段、30は薄基板支持
手段、40は研削手段、50は薄基板移送手段を示す。
断手段、20はインゴット支持手段、30は薄基板支持
手段、40は研削手段、50は薄基板移送手段を示す。
tJi店板切断手段lOは、基台1に軸受リング11を
(lIi1着し、この軸受リング11の内面および両端
面に設けられた静圧軸受によってブレード取付枠12を
回転自在に支承している。ブレード取付枠12は、円筒
状に形成してあり、その前部(インゴット支持手段20
に対向する側)に、インゴットから薄基板を切断するた
めのダイヤモンド切断砥石を有する円盤状のブレード1
3を設けるとともに、後部は開放状懲としである。また
ブレード取付枠12の後部外周には、タイミングプーリ
14が設けてあり、ベルト16等の伝達部材を介してモ
ータ15の回転力が伝達されるようにしである。
(lIi1着し、この軸受リング11の内面および両端
面に設けられた静圧軸受によってブレード取付枠12を
回転自在に支承している。ブレード取付枠12は、円筒
状に形成してあり、その前部(インゴット支持手段20
に対向する側)に、インゴットから薄基板を切断するた
めのダイヤモンド切断砥石を有する円盤状のブレード1
3を設けるとともに、後部は開放状懲としである。また
ブレード取付枠12の後部外周には、タイミングプーリ
14が設けてあり、ベルト16等の伝達部材を介してモ
ータ15の回転力が伝達されるようにしである。
基台lの後部(第1図における上部)には、案内レール
2を横方向に延設してあり、この案内レール2上を送り
台3が移動できるようになっている。すなわち、基台l
の一端にはモータ4に固定された駆動プーリ9、他端に
はテンションプーリ5が、それぞれ案内レール2に添っ
て設けてあり、駆動プーリ9とテンションプーリ5との
間に巻掛けたタイミングベルト6を介してモータ4の駆
動力を送り台3に伝達して横方向に移動する。
2を横方向に延設してあり、この案内レール2上を送り
台3が移動できるようになっている。すなわち、基台l
の一端にはモータ4に固定された駆動プーリ9、他端に
はテンションプーリ5が、それぞれ案内レール2に添っ
て設けてあり、駆動プーリ9とテンションプーリ5との
間に巻掛けたタイミングベルト6を介してモータ4の駆
動力を送り台3に伝達して横方向に移動する。
ここで、送り台3は、案内レール2に静圧軸受によって
支持されている。さらに、送り台3Lには、移動テーブ
ル7が設けである。この移動テーブル7は、モータ8の
駆動力により、送り台3にを基台lの前後方向に移動す
る。
支持されている。さらに、送り台3Lには、移動テーブ
ル7が設けである。この移動テーブル7は、モータ8の
駆動力により、送り台3にを基台lの前後方向に移動す
る。
インゴット支持手段20および薄基板支持手段30は、
それぞれ移動テープ1し7上の一方および他方の端部に
設けてあり、移動テーブル7の前後方向への移動ならび
に送り台3の横方向への移動にともなって、ともに移動
するようにしである。
それぞれ移動テープ1し7上の一方および他方の端部に
設けてあり、移動テーブル7の前後方向への移動ならび
に送り台3の横方向への移動にともなって、ともに移動
するようにしである。
インゴット支持手段20は、割出しスライド佐n部21
を有している。この割出しスライドaX部21は、上面
にインゴット22をaとし、モータ23からの駆動力に
より、インゴット22を前後方向、すなわち、ブレード
取付枠12の軸線方向に移動させて、インゴット22か
ら所定厚さの薄基板を切断するための割出し送りをする
ようになっている。ここで、インゴット22は、その軸
線がブレード13の中心とほぼ同じ高さとなる位lにJ
121され、クランプ部材24により固定されている。
を有している。この割出しスライドaX部21は、上面
にインゴット22をaとし、モータ23からの駆動力に
より、インゴット22を前後方向、すなわち、ブレード
取付枠12の軸線方向に移動させて、インゴット22か
ら所定厚さの薄基板を切断するための割出し送りをする
ようになっている。ここで、インゴット22は、その軸
線がブレード13の中心とほぼ同じ高さとなる位lにJ
121され、クランプ部材24により固定されている。
薄基板支持手段30は、移動テーブル7トでインゴット
支持手段20に平行して設けてあり、第3図に示すよう
に、固定台31を移動テーブル7上に固着しており、こ
の固定台31に対し、支軸32を介して支持部材33を
回動自在に取り付けた構造となっている。また、固定台
31と支持部材33の対向する面の一部には、圧電素子
等からなる傾き3I整器34が設けてあり、これにより
支持部材33を微小礒回動させて支持部材33の取付角
度を調整し得るようになっている。さらに。
支持手段20に平行して設けてあり、第3図に示すよう
に、固定台31を移動テーブル7上に固着しており、こ
の固定台31に対し、支軸32を介して支持部材33を
回動自在に取り付けた構造となっている。また、固定台
31と支持部材33の対向する面の一部には、圧電素子
等からなる傾き3I整器34が設けてあり、これにより
支持部材33を微小礒回動させて支持部材33の取付角
度を調整し得るようになっている。さらに。
E記の支持部材33の前端面には、薄基板吸着用の真空
チャック35が形成しである。
チャック35が形成しである。
研削手段40は、薄基板切断手段10の何方で、インゴ
ット支持手段20および薄基板支持手段30の移動経路
と対向する位置に設けである。
ット支持手段20および薄基板支持手段30の移動経路
と対向する位置に設けである。
この研削手段40は、モータ41により回転駆動される
工具取付!!142を備え、この工具取付盤42の端面
に砥石43を装着している。
工具取付!!142を備え、この工具取付盤42の端面
に砥石43を装着している。
薄基板移送手段50は、第一移送手段51と第二移送手
段52で構成しである。第一移送手段51は1.l!台
1の前部で薄基板支持手段30の移動経路と平行に移動
レール53を延設し、この移動レール53上を摺動部材
54が移動するようになっている。摺動部材54は、ブ
レード取付枠12の軸方向、すなわち基台1の前後方向
に往復移動するアーム55を備えており、ざらに、アー
ム55の先端には、薄基板吸着用の真空チャック56が
形成しである。
段52で構成しである。第一移送手段51は1.l!台
1の前部で薄基板支持手段30の移動経路と平行に移動
レール53を延設し、この移動レール53上を摺動部材
54が移動するようになっている。摺動部材54は、ブ
レード取付枠12の軸方向、すなわち基台1の前後方向
に往復移動するアーム55を備えており、ざらに、アー
ム55の先端には、薄基板吸着用の真空チャック56が
形成しである。
上記第一移送手段51は、ブレード取付枠12内で切断
されたインゴット22の薄片、すなわち薄基板25を吸
着し、横方向に移動して次の第二移送手段52まで移送
する。
されたインゴット22の薄片、すなわち薄基板25を吸
着し、横方向に移動して次の第二移送手段52まで移送
する。
第二移送手段52は、ブレード取付枠12の外部で、薄
基板支持手段30の支持部材33が移動する経路とm動
部材54の横方向の移動端との間に、;ツけである。第
二移送f段52は1回転盤57t−iえ、この回転tE
t57を回転軸58aのまわりに180°回転して薄基
板を反転できるようになっている0回転盤57の端面に
は真空チャック59が形成してあり、この真空チャック
59により薄基板を吸着して、第一移送手段51から薄
基板支持手段30の支持部材33へと移送する。また1
回転I!157は、回転軸58bを中心としてほぼ90
″回動するようにしである。
基板支持手段30の支持部材33が移動する経路とm動
部材54の横方向の移動端との間に、;ツけである。第
二移送f段52は1回転盤57t−iえ、この回転tE
t57を回転軸58aのまわりに180°回転して薄基
板を反転できるようになっている0回転盤57の端面に
は真空チャック59が形成してあり、この真空チャック
59により薄基板を吸着して、第一移送手段51から薄
基板支持手段30の支持部材33へと移送する。また1
回転I!157は、回転軸58bを中心としてほぼ90
″回動するようにしである。
図面において、60は薄基板の搬出用カセット、61は
研削の終了した薄基板の搬出用アームである。W出用ア
ーム61は1回転軸62を中心にほぼ180°回転する
とともに、先端に設けた真空チャック63により薄基板
を吸着するようになっている。この搬出用アーム61の
一方の回転端は、第二移送手段52の回転11157が
回転軸58bを中心に回動してきた位置と対向している
。また、他方の回転端は、薄基板搬出用カセット60の
真上に位置するようにしである。
研削の終了した薄基板の搬出用アームである。W出用ア
ーム61は1回転軸62を中心にほぼ180°回転する
とともに、先端に設けた真空チャック63により薄基板
を吸着するようになっている。この搬出用アーム61の
一方の回転端は、第二移送手段52の回転11157が
回転軸58bを中心に回動してきた位置と対向している
。また、他方の回転端は、薄基板搬出用カセット60の
真上に位置するようにしである。
64は変位センサであり、研削手段40の側壁に1.’
i1着した支持レール65に沿って、プローブ66がL
下動するようになっている。支持レール65は、砥石4
3の研削面と平行に延在している。そして、プローブ6
6は、薄基板支持手段30の真空チャック35の薄基板
吸着面または/およびこの真空チャック35に吸着した
研削後の薄基板の面における少なくとも上下二点の位置
を測定し、その検出信号を測定処理装M(図示せず)に
出力する。0定処理装置は、上記少なくとも二箇所の検
出位置における相対変位がゼロ(すなわち、研削後の薄
基板の厚さの差がゼロ)となるように、支持部材33の
傾きWJ整器34を調整する。これにより、砥石43に
対し支持部材33の真空チャック35而が常に平行に移
動することとなる。
i1着した支持レール65に沿って、プローブ66がL
下動するようになっている。支持レール65は、砥石4
3の研削面と平行に延在している。そして、プローブ6
6は、薄基板支持手段30の真空チャック35の薄基板
吸着面または/およびこの真空チャック35に吸着した
研削後の薄基板の面における少なくとも上下二点の位置
を測定し、その検出信号を測定処理装M(図示せず)に
出力する。0定処理装置は、上記少なくとも二箇所の検
出位置における相対変位がゼロ(すなわち、研削後の薄
基板の厚さの差がゼロ)となるように、支持部材33の
傾きWJ整器34を調整する。これにより、砥石43に
対し支持部材33の真空チャック35而が常に平行に移
動することとなる。
67はロータリードレッサで、支持部材33の側壁に設
けた回転軸68を中心に高速回転するようになっている
。このロータリードレッサ67には砥石を使用し、定期
的または薄基板の研削方向の厚さとの差が設定イ1より
大きくなったとき、あるいは必要に応じて研削手段40
の砥石43をドレッシングする。
けた回転軸68を中心に高速回転するようになっている
。このロータリードレッサ67には砥石を使用し、定期
的または薄基板の研削方向の厚さとの差が設定イ1より
大きくなったとき、あるいは必要に応じて研削手段40
の砥石43をドレッシングする。
次に、上述した装置を用いて行なう本発明の薄基板製造
方法の一実施例について説明する。
方法の一実施例について説明する。
まず、送り台3を図示矢印aの方向に移動させるととも
に、移動テーブル7を前後方向に移fi8せて、砥石4
3の側方にインゴット22の端面を配置する。さらに、
移動テーブル7の前後方向の微調整移動により所定の研
削量を設定した状態で、砥石43を回転させるとともに
、送り台3を図示矢印aの方向に徐々に移動し、インゴ
ー2ト22の端面を研削する。
に、移動テーブル7を前後方向に移fi8せて、砥石4
3の側方にインゴット22の端面を配置する。さらに、
移動テーブル7の前後方向の微調整移動により所定の研
削量を設定した状態で、砥石43を回転させるとともに
、送り台3を図示矢印aの方向に徐々に移動し、インゴ
ー2ト22の端面を研削する。
次いで、送り台3を逆方向に移動させて、インゴット2
2の軸線をブレード13の中心とほぼ一致させる。この
位置において、移動テーブル7を薄基板切断手段10の
方向に移動させ、インゴット22の端面がブレード13
の中央孔とほぼ同−而となるようにする。さらに、割出
しスライド戎置部21を同方向に−ステップ移動させ、
インゴット22の端面がブレード13の中央孔より僅か
にブレード取付枠12内へ入り込むように位数状めする
。
2の軸線をブレード13の中心とほぼ一致させる。この
位置において、移動テーブル7を薄基板切断手段10の
方向に移動させ、インゴット22の端面がブレード13
の中央孔とほぼ同−而となるようにする。さらに、割出
しスライド戎置部21を同方向に−ステップ移動させ、
インゴット22の端面がブレード13の中央孔より僅か
にブレード取付枠12内へ入り込むように位数状めする
。
続いて、ブレード取付枠12を回転させつつ。
送り台3を図示矢印aの方向に徐々に移動させ、ブレー
ド13の内刃にてインゴット22を切断する。なお、イ
ンゴット22の最後に切削される側面には、カーボン等
の保持材22aが接着してあり、これによりインゴット
22の上記側面にチッピングの生ずることを防止してい
る。
ド13の内刃にてインゴット22を切断する。なお、イ
ンゴット22の最後に切削される側面には、カーボン等
の保持材22aが接着してあり、これによりインゴット
22の上記側面にチッピングの生ずることを防止してい
る。
このとき、第一移送手段51の摺動部材54は、ブレー
ド13の内面と対向する位置にきており、かつ、アーム
55は、ブレード13の方向へ伸び、インゴット22の
切断終了と同時に、切り出された薄基板25を真空チャ
ック56で吸着する。その後、アーム55は後退して摺
動部材54へ収納され、この状態で摺動部材54が図示
矢印す方向に移動する。その移動端では、回転盤57が
、アーム55の先端(真空チャック56)に保持された
薄基板25と近接して対向する位置にあり1回転盤57
の真空チャック59による吸引と同時にアーム55の真
空チャック56が吸引を解除し、回転盤57へと薄基板
を引き渡す。
ド13の内面と対向する位置にきており、かつ、アーム
55は、ブレード13の方向へ伸び、インゴット22の
切断終了と同時に、切り出された薄基板25を真空チャ
ック56で吸着する。その後、アーム55は後退して摺
動部材54へ収納され、この状態で摺動部材54が図示
矢印す方向に移動する。その移動端では、回転盤57が
、アーム55の先端(真空チャック56)に保持された
薄基板25と近接して対向する位置にあり1回転盤57
の真空チャック59による吸引と同時にアーム55の真
空チャック56が吸引を解除し、回転盤57へと薄基板
を引き渡す。
%) )S板を吸着保持した回転N157は、回転軸5
8aを中心に180’回転して薄基板25を反転する。
8aを中心に180’回転して薄基板25を反転する。
180’回転した回転I!157と近接して対向する位
置には、送り台3の横移動および移動テーブル7の前後
方向への移動により、支持部材33のItj端面(真空
チャック35)をあらかじめ配置しておく、そして、真
空チャック35による吸引と同時に回転盤57の真空チ
ャック59が吸引を解除し、支持部材33へと薄基板を
引き渡す、このように引き渡された薄基板は、切断面を
表面にして支持部材33に吸引保持されることとなる。
置には、送り台3の横移動および移動テーブル7の前後
方向への移動により、支持部材33のItj端面(真空
チャック35)をあらかじめ配置しておく、そして、真
空チャック35による吸引と同時に回転盤57の真空チ
ャック59が吸引を解除し、支持部材33へと薄基板を
引き渡す、このように引き渡された薄基板は、切断面を
表面にして支持部材33に吸引保持されることとなる。
なお、薄基板引き渡し前に、先に述べた変位センサ64
による。支持部材33の真空チャック35の面の相対位
置の測定および傾きy4整器34による調整を行ない、
支持部材33の真空チャック35の而と砥石43との平
行性を保持しである。
による。支持部材33の真空チャック35の面の相対位
置の測定および傾きy4整器34による調整を行ない、
支持部材33の真空チャック35の而と砥石43との平
行性を保持しである。
次いで、移動テーブル7を前後方向に移動させて、支持
部材33上の181基板の研削量を調整し、この状15
で送り台3を図示矢印a方向へ徐々に移動させるととも
に、砥石43を回転させて薄基板の切断面を研削する。
部材33上の181基板の研削量を調整し、この状15
で送り台3を図示矢印a方向へ徐々に移動させるととも
に、砥石43を回転させて薄基板の切断面を研削する。
この研削に際しての送りは、インゴット22の端面を研
削したときと同様、送り台3の移動によって同一方向に
なされるため、薄基板の両表面に対する研削方向は同一
となる。
削したときと同様、送り台3の移動によって同一方向に
なされるため、薄基板の両表面に対する研削方向は同一
となる。
研削終了後、支持部材33は再び回転盤57とl tB
して対向する位aに移動して、薄基板を回転繋57へと
引き渡す、薄基板を受は取った回転霊57は、回転@5
8aおよび58bを中心に回動する。それと同時に、搬
出用アーム61が回動し、!iいに対向する位置で薄基
板を搬出用アーム61の先端真空チャック63に引き渡
す、その後、搬出用アーム61が回転して、薄基板を搬
出用カセット60の真上にまで移送し、真空チャック6
3の吸引解除により静かに搬出用カセット60内に薄基
板を収納する。
して対向する位aに移動して、薄基板を回転繋57へと
引き渡す、薄基板を受は取った回転霊57は、回転@5
8aおよび58bを中心に回動する。それと同時に、搬
出用アーム61が回動し、!iいに対向する位置で薄基
板を搬出用アーム61の先端真空チャック63に引き渡
す、その後、搬出用アーム61が回転して、薄基板を搬
出用カセット60の真上にまで移送し、真空チャック6
3の吸引解除により静かに搬出用カセット60内に薄基
板を収納する。
このようにして両面を同一の砥石で研削された薄基板(
ウェーハ)は、順次次工程に搬送され、:jS4図に示
すように、ベベリング401.エツチング402.鏡面
ポリシング403′:Jの加工が行なわれる。
ウェーハ)は、順次次工程に搬送され、:jS4図に示
すように、ベベリング401.エツチング402.鏡面
ポリシング403′:Jの加工が行なわれる。
このような薄基板の製造方法によれば、同一の砥石によ
り、連続的に薄基板の両面を加工するため、砥石の粒度
会ポンドによる差違がないばかりでなく、はぼ等しい切
刃状態で両面を加工することができる。しかも研削方向
、研削速度等を同一の条件に設定して薄基板の両面を研
削するのでfk基板の両面に機械加工によって生じる変
質層を均一のものとでき、両面ポリシング工程等4変質
層を均一にするための製造工程を省略することができる
ため、製造工程の簡略化、製造工程の短縮を図ることが
できる。また、このようにして製造された薄基板は、モ
リがなく高精度、高品質なものであることは勿論である
。
り、連続的に薄基板の両面を加工するため、砥石の粒度
会ポンドによる差違がないばかりでなく、はぼ等しい切
刃状態で両面を加工することができる。しかも研削方向
、研削速度等を同一の条件に設定して薄基板の両面を研
削するのでfk基板の両面に機械加工によって生じる変
質層を均一のものとでき、両面ポリシング工程等4変質
層を均一にするための製造工程を省略することができる
ため、製造工程の簡略化、製造工程の短縮を図ることが
できる。また、このようにして製造された薄基板は、モ
リがなく高精度、高品質なものであることは勿論である
。
第5図は1本発明の薄基板製造装置に係る第二実施例を
示すモ面図である。なお、先に示した第1図と同一部分
または相当する部分には同一符号を付し、その部分の詳
細な説明は省略する。
示すモ面図である。なお、先に示した第1図と同一部分
または相当する部分には同一符号を付し、その部分の詳
細な説明は省略する。
本実施例は、研削手段40をブレード取付枠12に一体
化して、送り台3の移動酸を短縮、ひいては装置の小形
化を実現したものである。すなわち、砥石43をブレー
ド取付枠工2の前端部外周に設け、ブレード取付枠12
の回転により砥石43を回転させて研削加工を行なうよ
うにしである。
化して、送り台3の移動酸を短縮、ひいては装置の小形
化を実現したものである。すなわち、砥石43をブレー
ド取付枠工2の前端部外周に設け、ブレード取付枠12
の回転により砥石43を回転させて研削加工を行なうよ
うにしである。
この薄基板製造装置によれば、まず、インゴット22の
端部を砥石43で研削し、次いで、プレート13によっ
てインゴット22から薄基板を切り出す、統いて、第一
、第二の移送手段51゜52により支持部材33の前端
部(真空チャック35)へと薄基板を移送する。そして
、支持部材33をブレード取付枠12の方向へ移動して
、薄基板の切断端面を砥石43により研削する。その庚
、先に示した第一実施例と同様の搬出動作を行ケい、所
要の後工程を経ることにより、本発明のfb )A M
製造工程を実現することができる。
端部を砥石43で研削し、次いで、プレート13によっ
てインゴット22から薄基板を切り出す、統いて、第一
、第二の移送手段51゜52により支持部材33の前端
部(真空チャック35)へと薄基板を移送する。そして
、支持部材33をブレード取付枠12の方向へ移動して
、薄基板の切断端面を砥石43により研削する。その庚
、先に示した第一実施例と同様の搬出動作を行ケい、所
要の後工程を経ることにより、本発明のfb )A M
製造工程を実現することができる。
未発1月は上述した実施例に限定されるものでは?<、
y旨を逸脱しない範囲で種々変形実施できるものである
。
y旨を逸脱しない範囲で種々変形実施できるものである
。
例えば、Pj)&板切断手段と第二の研削手段とを11
合せて一体とし、端面の研削と同時に切断を行なうとと
もに、既に切断されて薄板支持手段に切断面を表にして
取付けられた薄基板を研削手段で研削する工程も、送り
台の横方向の移動によって同時に行なうことも可能であ
る。この場合には、インゴットの端部の研削のための砥
石と薄板支持手段に取付けられた薄基板の研削のための
砥石を同じ材質として同じ回転数で研削し、同時にドレ
ッシングするようにすれば4その他の研削条件は同一な
のでほぼ均一な加工となり、同程度に高精度で高品質の
ものが得られる上に1両面の加工を同時に行なうので約
半分の加工時間とすることも可能である。
合せて一体とし、端面の研削と同時に切断を行なうとと
もに、既に切断されて薄板支持手段に切断面を表にして
取付けられた薄基板を研削手段で研削する工程も、送り
台の横方向の移動によって同時に行なうことも可能であ
る。この場合には、インゴットの端部の研削のための砥
石と薄板支持手段に取付けられた薄基板の研削のための
砥石を同じ材質として同じ回転数で研削し、同時にドレ
ッシングするようにすれば4その他の研削条件は同一な
のでほぼ均一な加工となり、同程度に高精度で高品質の
ものが得られる上に1両面の加工を同時に行なうので約
半分の加工時間とすることも可能である。
また、上述の説明で用いた研削と切断の語は、通常の乾
式または湿式のダイヤモンド砥石による研削または切断
に限定されるものではなく、その他の硬質砥粒による研
削や電解研削、a音波研削、振動研削等の研削法を採用
することが町?1であることは明らかである。
式または湿式のダイヤモンド砥石による研削または切断
に限定されるものではなく、その他の硬質砥粒による研
削や電解研削、a音波研削、振動研削等の研削法を採用
することが町?1であることは明らかである。
さらに、薄基板切断手段としてワイヤ放電加工を採用す
ることも口■能である。この場合には、第1図の実施例
における薄基板!/J断手段をワイヤ放′准加丁のため
の装δおよび液槽とし、インゴットが研削手段の位置に
移動する際には、送り台は液槽の線を越えるためのに下
方向の移動も必要となる。
ることも口■能である。この場合には、第1図の実施例
における薄基板!/J断手段をワイヤ放′准加丁のため
の装δおよび液槽とし、インゴットが研削手段の位置に
移動する際には、送り台は液槽の線を越えるためのに下
方向の移動も必要となる。
本発明が製造対象とする薄基板は、微小回路あるいはI
Cの基板として用いるウェー/\だけでなく、これに類
する種々のg基板を含むものである。
Cの基板として用いるウェー/\だけでなく、これに類
する種々のg基板を含むものである。
さらに、薄基板の材質としては、水晶、シリコン、ヒ化
ガリウ、ムは勿論のこと、タンタル酸リチウム等を材質
とする薄基板にも適用できる。
ガリウ、ムは勿論のこと、タンタル酸リチウム等を材質
とする薄基板にも適用できる。
[発明の効果]
以北説明したように、本発明の薄基板製造方法によれば
、薄基板の両面を同じ研削手段で加工するので、加工に
よって生ずる変質層が両面で均一となり、両面ポリシン
グ工程等、変質層を均一にするための製造工程を省略す
ることができる。その結果、製造工程の簡略化、製造時
間の短縮を実現できるとともに、そりのない高精度、高
品質な薄基板の製造が可能となる効果を有する。
、薄基板の両面を同じ研削手段で加工するので、加工に
よって生ずる変質層が両面で均一となり、両面ポリシン
グ工程等、変質層を均一にするための製造工程を省略す
ることができる。その結果、製造工程の簡略化、製造時
間の短縮を実現できるとともに、そりのない高精度、高
品質な薄基板の製造が可能となる効果を有する。
また、本発明の薄基板製造装置によれば、上記の方法を
一台のmatで実現でき、製造工程の簡略化、型造時間
の短縮を図るとともに、より一層高精度、高品質な薄基
板を製造することができる。
一台のmatで実現でき、製造工程の簡略化、型造時間
の短縮を図るとともに、より一層高精度、高品質な薄基
板を製造することができる。
第1図は未発II薄基板製造装置の第一実施例を示す平
面図、第2図は同じく正面図、第3図は第1図における
矢視A−At!l拡大図、第4図は本発明薄基板製造方
法の一実施例を示す工程図、第5図は本発明薄基板製造
?t1の第二実施例を示す平面図、第6図および第7図
はそれぞれ従来の薄基板製造方法の工程図、第8図(a
)、(b)、(c)は従来方法におけるそり発生説明図
である。 =2&台 2:送り台 :移動テーブル lO:薄基板切断手段ニブレード
取付枠 13ニブレード :インゴット支持手段 二側出しスライド藏置部 :インゴット :薄基板支持手段 33:支持部材 :研削手段 43:砥石 :f4基板移送手段 51:第一移送手段 52:第二移送手段60:搬
出用カセット 61:搬出用アーム64:変位センサ 67:ロータリードレッサ 図
面図、第2図は同じく正面図、第3図は第1図における
矢視A−At!l拡大図、第4図は本発明薄基板製造方
法の一実施例を示す工程図、第5図は本発明薄基板製造
?t1の第二実施例を示す平面図、第6図および第7図
はそれぞれ従来の薄基板製造方法の工程図、第8図(a
)、(b)、(c)は従来方法におけるそり発生説明図
である。 =2&台 2:送り台 :移動テーブル lO:薄基板切断手段ニブレード
取付枠 13ニブレード :インゴット支持手段 二側出しスライド藏置部 :インゴット :薄基板支持手段 33:支持部材 :研削手段 43:砥石 :f4基板移送手段 51:第一移送手段 52:第二移送手段60:搬
出用カセット 61:搬出用アーム64:変位センサ 67:ロータリードレッサ 図
Claims (2)
- (1)インゴットの端面を平坦に研削し、次いでインゴ
ットの端面側を所定厚さの薄片に切断し、さらに、切断
された薄片を反転して切断面と平行なチャックに取付け
て、薄片の切断面を研削することを特徴とした薄基板製
造方法。 - (2)インゴットを固定して保持するインゴット支持手
段と、端面が平坦に研削されたインゴットの端面側を所
定の厚さに切断する薄基板切断手段と、上記薄基板切断
手段によりインゴットから切り出された薄基板を反転し
て切断面を表面にした状態で固定するとともに、少なく
とも上記インゴット支持手段と同一の経路上を移動可能
な薄基板支持手段と、上記薄基板切断手段によりインゴ
ットから切り出された薄基板を、上記薄基板支持手段ま
で反転して移送する薄基板移送手段と、上記インゴット
支持手段および上記薄基板支持手段の移動経路に対向し
て設けられ、上記インゴット支持手段に固定されたイン
ゴットの端面および/または上記薄基板支持手段に固定
された薄基板の表面を研削する研削手段とを具備したこ
とを特徴とする薄基板製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15933188A JPH029535A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 薄基板製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15933188A JPH029535A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 薄基板製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029535A true JPH029535A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15691487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15933188A Pending JPH029535A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 薄基板製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029535A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5189843A (en) * | 1990-08-30 | 1993-03-02 | Silicon Technology Corporation | Wafer slicing and grinding machine and a method of slicing and grinding wafers |
| US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
| FR2706348A1 (fr) * | 1993-06-16 | 1994-12-23 | Cebe Escande | Unité de sciage de blocs de matériau tel que pierre, marbre, granit. |
| WO2014148344A1 (ja) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | 光学活性トランス1,2-ジアミノシクロヘキサンの製造方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP15933188A patent/JPH029535A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5189843A (en) * | 1990-08-30 | 1993-03-02 | Silicon Technology Corporation | Wafer slicing and grinding machine and a method of slicing and grinding wafers |
| US5329733A (en) * | 1990-08-30 | 1994-07-19 | Silicon Technology Corporation | Wafer slicing and grinding machine and a method of slicing and grinding wafers |
| US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
| FR2706348A1 (fr) * | 1993-06-16 | 1994-12-23 | Cebe Escande | Unité de sciage de blocs de matériau tel que pierre, marbre, granit. |
| WO2014148344A1 (ja) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | 光学活性トランス1,2-ジアミノシクロヘキサンの製造方法 |
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