JPH029569A - ラップ定盤 - Google Patents
ラップ定盤Info
- Publication number
- JPH029569A JPH029569A JP63160506A JP16050688A JPH029569A JP H029569 A JPH029569 A JP H029569A JP 63160506 A JP63160506 A JP 63160506A JP 16050688 A JP16050688 A JP 16050688A JP H029569 A JPH029569 A JP H029569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lap
- base plate
- cell part
- thermal deformation
- temperature distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ラップ定盤、さらに詳しくは、たとえばシ
リコンウェハなどを研磨するラッピングマシンなどに使
用されるラップ定盤に関する。
リコンウェハなどを研磨するラッピングマシンなどに使
用されるラップ定盤に関する。
従来の技術および発明の課題
この種のラップ定盤として、たとえば第1図および第2
図に示すようなものが知られている。
図に示すようなものが知られている。
同図において、ラップ定盤の表面(ラップ面)(10)
に、互いに直交する複数のみぞ(11)が形成され、ラ
ップ定盤は、みぞ(11)の底より裏面(12)側のベ
ースプレート部(13)と、みぞ(11)により互いに
分離させられた複数のラップセル部(14)とに分けら
れている。寸法の1例を挙げれば、ラップ定盤の全体厚
さHが45mm、ラップセル部(14)の高さすなわち
みぞ(11)の深さ(みぞ深さ)dが15〜17mm、
ラップセル部(14)の幅(ラップセル部幅)Bが最大
40關である(第3図参照)。
に、互いに直交する複数のみぞ(11)が形成され、ラ
ップ定盤は、みぞ(11)の底より裏面(12)側のベ
ースプレート部(13)と、みぞ(11)により互いに
分離させられた複数のラップセル部(14)とに分けら
れている。寸法の1例を挙げれば、ラップ定盤の全体厚
さHが45mm、ラップセル部(14)の高さすなわち
みぞ(11)の深さ(みぞ深さ)dが15〜17mm、
ラップセル部(14)の幅(ラップセル部幅)Bが最大
40關である(第3図参照)。
このような従来のラップ定盤では、みぞ深さdとラップ
セル部幅Bの比(d/B)が小さいため、第3図に示す
ように、ラップ加工により発生する熱Qqはラップ面(
10)からベースプレート部(13)側へ直線的に流れ
、ベースプレート部(13)内の厚さ方向に大きな温度
勾配が生じ、ラップ定盤は、中央部がラップ面(10)
側に突出する中凸形の球面状に熱変形する。この熱変形
の半径Rは、ラップ定盤の周辺を自由状態と仮定すると
、次の式(1)で表わされる。
セル部幅Bの比(d/B)が小さいため、第3図に示す
ように、ラップ加工により発生する熱Qqはラップ面(
10)からベースプレート部(13)側へ直線的に流れ
、ベースプレート部(13)内の厚さ方向に大きな温度
勾配が生じ、ラップ定盤は、中央部がラップ面(10)
側に突出する中凸形の球面状に熱変形する。この熱変形
の半径Rは、ラップ定盤の周辺を自由状態と仮定すると
、次の式(1)で表わされる。
R−t/α・θ ・・・・・・・・・ (1)なお、上
式において、tはベースプレート部の厚さ(ベースプレ
ート部厚さ)、αはラップ定盤の線膨張係数、θはベー
スプレート部(13)の表側と裏側の温度差を表わす。
式において、tはベースプレート部の厚さ(ベースプレ
ート部厚さ)、αはラップ定盤の線膨張係数、θはベー
スプレート部(13)の表側と裏側の温度差を表わす。
式(1)より明らかなように、tを一定として熱変形を
小さく (Rを大きく)するには、αおよびθを小さ
くする必要がある。
小さく (Rを大きく)するには、αおよびθを小さ
くする必要がある。
ところが、上記のラップ定盤の場合は、ベースプレート
部(13)の温度差θが大きいため、熱変形が大きい。
部(13)の温度差θが大きいため、熱変形が大きい。
このため、現状では、始業時にζ熱定常状態になるまで
空運転を行なっている。
空運転を行なっている。
また、ラップ定盤の修正作業は、熱変形を考慮する必要
があるため、高度な熟練作業となっており、しかもラッ
プ定盤の摩耗によって板厚が変化し、熱変形量も変化す
るため、とくに大形のラッピングマシンにおいて熱変形
の生じにくいラップ定盤が必要とされている。
があるため、高度な熟練作業となっており、しかもラッ
プ定盤の摩耗によって板厚が変化し、熱変形量も変化す
るため、とくに大形のラッピングマシンにおいて熱変形
の生じにくいラップ定盤が必要とされている。
この発明の目的は、上記の問題を解決した熱変形の小さ
いラップ定盤を提供することにある。
いラップ定盤を提供することにある。
課題を解決するための手段
この発明によるラップ定盤は、
表面に互いに交差する複数のみぞが形成されて、みぞの
底より裏面側のベースプレート部と、みぞにより互いに
分離させられた複数のラップセル部とに分けられている
ラップ定盤において、ラップセル部に、ベースプレート
部の厚さ方向の温度分布をほぼ均一にするための手段が
設けられていることを特徴とするものである。
底より裏面側のベースプレート部と、みぞにより互いに
分離させられた複数のラップセル部とに分けられている
ラップ定盤において、ラップセル部に、ベースプレート
部の厚さ方向の温度分布をほぼ均一にするための手段が
設けられていることを特徴とするものである。
作 用
ベースプレート部の厚さ方向の温度分布がほぼ均一にな
って、温度差が小さくなるため、熱変形が小さくなる。
って、温度差が小さくなるため、熱変形が小さくなる。
実 施 例
以下、第4図〜第11図を参照して、この発明の詳細な
説明する。なお、これらの図面において、第1図〜第3
図の従来例のものと対応する部分には同一の符号を付し
ている。
説明する。なお、これらの図面において、第1図〜第3
図の従来例のものと対応する部分には同一の符号を付し
ている。
第4図および第5図は、第1実施例を示す。
第1実施例の場合、みぞ深さdが従来のものに比べてた
とえば3倍程度に深くなっている。
とえば3倍程度に深くなっている。
みぞ深さdとラップセル部幅Bの比(d/B)が大きい
ため、第5図に示すように、熱量qは主にラップセル部
(14)の側面(15)の方向に流れる。したがって、
ベースプレート部(13)への熱の流入が防がれ、ベー
スプレート部(13)では厚さ方向の温度分布がほぼ均
一になり、ベースプレート部(13)では熱変形は発生
しない。また、ラップセル部(14)では軸対称型の温
度分布となり、温度差が生じるが、ラップセル部(14
)がみぞ(11)により分離されており、しかもラップ
セル部幅Bがラップ定盤の直径に比べて小さいため、ラ
ップセル部(14)の変形は無視することができる。こ
のため、ラップ面(lO)の熱変形は、非常に小さい。
ため、第5図に示すように、熱量qは主にラップセル部
(14)の側面(15)の方向に流れる。したがって、
ベースプレート部(13)への熱の流入が防がれ、ベー
スプレート部(13)では厚さ方向の温度分布がほぼ均
一になり、ベースプレート部(13)では熱変形は発生
しない。また、ラップセル部(14)では軸対称型の温
度分布となり、温度差が生じるが、ラップセル部(14
)がみぞ(11)により分離されており、しかもラップ
セル部幅Bがラップ定盤の直径に比べて小さいため、ラ
ップセル部(14)の変形は無視することができる。こ
のため、ラップ面(lO)の熱変形は、非常に小さい。
第6図および第7図は、第2実施例を示す。
第2実施例の場合、ラップセル部(14)の裏側の約半
分の部分の4側全周が取除かれて、ラップ面(lO)の
部分の幅Bより小さい幅すを有する導柱部(1B)が形
成されている。
分の部分の4側全周が取除かれて、ラップ面(lO)の
部分の幅Bより小さい幅すを有する導柱部(1B)が形
成されている。
第7図に示すように、熱量qは、ラップセル部(14)
のラップ面(lO)側の部分の裏面(17)および導柱
部(1B)の側面(18)によって発散され、ベースプ
レート部(13)中への熱伝導量はOに近くなり、ベー
スプレート部(13)の厚さ方向の温度分布はほぼ均一
になる。したがって、同様に、ラップ面(lO)の熱変
形は、非常に小さくなる。
のラップ面(lO)側の部分の裏面(17)および導柱
部(1B)の側面(18)によって発散され、ベースプ
レート部(13)中への熱伝導量はOに近くなり、ベー
スプレート部(13)の厚さ方向の温度分布はほぼ均一
になる。したがって、同様に、ラップ面(lO)の熱変
形は、非常に小さくなる。
第8図および第9図は、第3実施例を示す。
第3実施例のラップ定盤はたとえばポリッシングプレー
トとして使用されるものであり、厚さ方向のほぼ中央に
、互いに交差する複数の穴(19)がガンドリルなどに
より形成されている。
トとして使用されるものであり、厚さ方向のほぼ中央に
、互いに交差する複数の穴(19)がガンドリルなどに
より形成されている。
また、これらの穴(19)の表側と裏側に、互いに直交
する複数のみぞ(11)(20)がワイヤカットなどに
より形成されている。そして、表側のみぞ(11)の間
の部分がラップセル部(14)、これより裏側の部分が
ベースプレート部(13)となっている。なお、みぞ(
11)の表側の部分、穴(19)およびみぞ(11)(
20)の端部は、たとえばシリコーンゴムなどの軟弾性
部材のシール(21)により密封されている。ラップ定
盤の裏面(12)には水冷ジャケット(22)が固定さ
れ、その表面側には、ラップ定盤のみぞ(20)に対応
してみぞ(23)が形成されている。そして、ジャケッ
ト(22)のみぞ(23)、ラップ、定盤の穴(19)
およびみぞ(11)(20)ニ、冷却水が循環させられ
る。また、ラップ定盤のラップ面(lO)側に、ポリッ
シングパッド(24)が取付けられる。
する複数のみぞ(11)(20)がワイヤカットなどに
より形成されている。そして、表側のみぞ(11)の間
の部分がラップセル部(14)、これより裏側の部分が
ベースプレート部(13)となっている。なお、みぞ(
11)の表側の部分、穴(19)およびみぞ(11)(
20)の端部は、たとえばシリコーンゴムなどの軟弾性
部材のシール(21)により密封されている。ラップ定
盤の裏面(12)には水冷ジャケット(22)が固定さ
れ、その表面側には、ラップ定盤のみぞ(20)に対応
してみぞ(23)が形成されている。そして、ジャケッ
ト(22)のみぞ(23)、ラップ、定盤の穴(19)
およびみぞ(11)(20)ニ、冷却水が循環させられ
る。また、ラップ定盤のラップ面(lO)側に、ポリッ
シングパッド(24)が取付けられる。
ベースプレート部(13)とラップセル部(14)の間
に穴(19)が形成され、この穴(19)に冷却水が流
されているため、第9図に示すように、熱量qは、穴(
19)の部分で発散され、ベースプレート部(13)に
は伝わらない。このため、ベースプレート部(13)の
温度分布がほぼ均一になり、同様に、ラップ面(10)
の熱変形は非常に小さくなる。
に穴(19)が形成され、この穴(19)に冷却水が流
されているため、第9図に示すように、熱量qは、穴(
19)の部分で発散され、ベースプレート部(13)に
は伝わらない。このため、ベースプレート部(13)の
温度分布がほぼ均一になり、同様に、ラップ面(10)
の熱変形は非常に小さくなる。
第10図および第11図は、第4実施例を示す。
第4実施例の場合、ラップセル部(14)とベースプレ
ート部(13)の間に、断熱層(25)が設けられてい
る。すなわち、ラップセル部(14)は、ベースプレー
ト部(I3)側の部分で2つに分けられ、断熱層(25
)を形成する断熱効果のあるエポキシ樹脂系接着剤など
で貼り合わされている。そして、ベースプレート部(1
3)は公知の低膨張材で、ラップセル部(I4)は従来
と同様の比較的安価な材料で作られている。
ート部(13)の間に、断熱層(25)が設けられてい
る。すなわち、ラップセル部(14)は、ベースプレー
ト部(I3)側の部分で2つに分けられ、断熱層(25
)を形成する断熱効果のあるエポキシ樹脂系接着剤など
で貼り合わされている。そして、ベースプレート部(1
3)は公知の低膨張材で、ラップセル部(I4)は従来
と同様の比較的安価な材料で作られている。
ラップセル部(14)とベースプレート部(13)の間
に断熱層(25)が設けられているので、第11図に示
すように、ベースプレート部(13)に伝わる熱量は少
なく、ベースプレート部(13)の厚さ方向の温度勾配
は小さくなる。しかも、ベースプレート部(13)は低
膨張材で作られているので、熱変形は非常に小さい。
に断熱層(25)が設けられているので、第11図に示
すように、ベースプレート部(13)に伝わる熱量は少
なく、ベースプレート部(13)の厚さ方向の温度勾配
は小さくなる。しかも、ベースプレート部(13)は低
膨張材で作られているので、熱変形は非常に小さい。
ラップ定盤の熱変形を小さくするには、全体を低膨張材
で作ればよいが、低膨張材は非常に高価である。第4実
施例の場合は、ベースプレート部(13)だけが低膨張
材で作られているので、全体を低膨張材で作る場合に比
べて安価である。
で作ればよいが、低膨張材は非常に高価である。第4実
施例の場合は、ベースプレート部(13)だけが低膨張
材で作られているので、全体を低膨張材で作る場合に比
べて安価である。
また、ラップセル部(14)が摩耗したときには、ラッ
プセル部(14)を貼り替えるだけですみ、高価な低膨
張材を使用したベースプレート部(13)は継続使用で
きるので、ラップ定盤のコストダウンが可能である。
プセル部(14)を貼り替えるだけですみ、高価な低膨
張材を使用したベースプレート部(13)は継続使用で
きるので、ラップ定盤のコストダウンが可能である。
発明の効果
この発明のラップ定盤によれば、上述のように、ベース
プレート部の厚さ方向の温度分布がほぼ均一になって、
温度差が小さくなるため、熱変形が小さくなる。
プレート部の厚さ方向の温度分布がほぼ均一になって、
温度差が小さくなるため、熱変形が小さくなる。
第1図は従来例を示すラップ定盤の斜視図、第2図は第
1図のラップ定盤の要部を拡大して示す一部切欠き斜視
図、第3図は第2図のラップ定盤の熱の移動および温度
分布を示す説明図、第4図は第1実施例を示す第2図相
当の図面、第5図は同第3図相当の図面、第6図は第2
実施例を示す第2図相当の図面、第7図は同第3図F目
当の図面、第8図は第3実施例を示す第2図相当の図面
、第9図は同第3図相当の図面、第10図は第4実施例
を示す第2図相当の図面、第11図は同第3図相当の図
面である。 (lO)・・・ラップ面、(11)・・・みぞ、(12
)・・・裏面、(13)・・・ベースプレート部、(1
4)・・・ラップセル部、(IB)・・・導柱部、(1
9)・・・穴、(25)・・・断熱層。 以 上 特許出願人 日立造船メタルワークス株式会社代理人
厚木 瑛之助(外4名) ]1
1図のラップ定盤の要部を拡大して示す一部切欠き斜視
図、第3図は第2図のラップ定盤の熱の移動および温度
分布を示す説明図、第4図は第1実施例を示す第2図相
当の図面、第5図は同第3図相当の図面、第6図は第2
実施例を示す第2図相当の図面、第7図は同第3図F目
当の図面、第8図は第3実施例を示す第2図相当の図面
、第9図は同第3図相当の図面、第10図は第4実施例
を示す第2図相当の図面、第11図は同第3図相当の図
面である。 (lO)・・・ラップ面、(11)・・・みぞ、(12
)・・・裏面、(13)・・・ベースプレート部、(1
4)・・・ラップセル部、(IB)・・・導柱部、(1
9)・・・穴、(25)・・・断熱層。 以 上 特許出願人 日立造船メタルワークス株式会社代理人
厚木 瑛之助(外4名) ]1
Claims (1)
- 表面に互いに交差する複数のみぞが形成されて、みぞの
底より裏面側のベースプレート部と、みぞにより互いに
分離させられた複数のラップセル部とに分けられている
ラップ定盤において、ラップセル部に、ベースプレート
部の厚さ方向の温度分布をほぼ均一にするための手段が
設けられていることを特徴とするラップ定盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160506A JP2632935B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | ラップ定盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160506A JP2632935B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | ラップ定盤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029569A true JPH029569A (ja) | 1990-01-12 |
| JP2632935B2 JP2632935B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=15716420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160506A Expired - Lifetime JP2632935B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | ラップ定盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632935B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106066A (en) * | 1976-03-02 | 1977-09-06 | Toyota Motor Corp | Direct connected clutch controller for automatic gear reduction having a torque converter with direct connected clutch |
| JPS53124964A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Toshiba Corp | Polishing device of semiconductor wafers |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63160506A patent/JP2632935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106066A (en) * | 1976-03-02 | 1977-09-06 | Toyota Motor Corp | Direct connected clutch controller for automatic gear reduction having a torque converter with direct connected clutch |
| JPS53124964A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Toshiba Corp | Polishing device of semiconductor wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2632935B2 (ja) | 1997-07-23 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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