JPH0296178A

JPH0296178A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0296178A
Application number: JP63203235A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Yagi; 茂八木
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1988-08-17
Filing date: 1988-08-17
Publication date: 1990-04-06
Anticipated expiration: 2010-12-18
Also published as: JPH07117761B2; US5041350A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、電子写真感光体、特に機能分離型感光層を有
する電子写真感光体の電荷輸送層に関する。

従来の技術従来、電子写真感光体の感光層として光照射により電荷
担体を発生させる電荷発生層と、この電荷担体を効率的
に移動させる電荷輸送層とに分離した、いわゆる機能分
離型感光体において、電荷輸送材料としては有機材料と
無機材料か用いられてきた。例えは、有機材料としては
ポリビニルカルバゾール等の高分子化合物を用いたもの
、或いはポリカーボネート等の高分子結着樹脂中にピラ
ゾリンやトリフェニルアミン類等の低分子化合物を分散
或いは溶解させたものが知られている。また無機材料は
、セレン、セレンテルル等のカルコゲナイド化合物に代
表されるものか使用されている。

発明が解決しようとする課題しかしながら、これ等の電荷輸送材料を用いた電子写真
感光体は、帯電性・暗減衰・残留電位等の電気的な繰り
返し特性か不安定であったり、硬度或いは接着性等の機
械的強度か不足しているため、複写機内で傷がついたり
、剥れ易く、長期間安定した画像を形成することか困離
であり、その寿命は数千〜数万枚のコピーに制限されて
いる。

そして、これ等の欠点を改善するために表面層や接着層
等を設けた場合には、感光体構成が複雑になることによ
って、電子写真感光体の製造時に欠陥の発生を増加させ
る等の問題があった。

また、有機系の電荷輸送材料を用いた電子写真感光体に
おいては、輸送性が充分でなく、特に、低温環境での電
位減衰が不良となるなどの問題や、高速複写操作には適
しないなどの問題があった。

また、従来の電荷輸送材料を用いた電子写真感光体にお
いては、耐熱や耐光性に充分でなく、結晶化したり低分
子か分解したりするため、電子写真感光体を使用或いは
保管する条件や環境を制限したりする必要があった。

また、電荷分離型構成にして、電荷輸送層を光導電層の
一部に設けた電子写真感光体は、一般に電荷発生層が薄
層になるため、吸収端近傍の光に対する吸収か減少し、
電荷発生層を通過する光か増加し、その結果として、特
に赤外レーザーを用いたプリンターでは基板からの反射
光との多重反射による干渉縞の発生が避けられなかった
。

本発明は、従来の技術における上記のような問題点に鑑
みてなされたものである。

したかって本発明の目的は、新規な電荷輸送層を有する
電子写真感光体を提供することにある。

即ち、接着性や機械的強度・硬度か高く、欠陥の少ない
電荷輸送層を有する高耐久性の電子写真感光体を提供す
ることにある。

また、本発明の他の目的は、高感度で凡色性に富み、高
帯電性で暗減衰が少なく、また露光後の残留電位の少な
い電子写真感光体を提供することにある。

また、本発明の別の目的は、赤外半導体レーザー等のコ
ヒーレント光を光源とするレーザープリンターでの干渉
縞の発生を防止した高画質の電子写真感光体を提供する
ことにある。

問題点を解決するための手段及び作用本発明者は、先にアルミニウムの酸化物が電荷輸送機能
を有することを見出たしたかく特願昭６１−２０６８７
６号）更に鋭意研究を行った結果、アルミニウムの酸化
物、炭化物、窒化物の中に遷移金属元素を含有させたも
のは、更に優れた電荷輸送機能を有することを見出たし
、かつ、この電荷輸送材料を用いた機能分離型感光体が
、物理的、化学的、機械的、光学的に従来の電荷輸送材
料を用いた感光体を遥かに凌駕する性質を有することを
見出だし、本発明を完成するに至った。

本発明の電子写真感光体は、少なくとも支持体と電荷輸
送層と電荷発生層とからなり、該電荷輸送層がアルミニ
ウムの酸化物、炭化物又は窒化物、又はそれ等の２つ又
はそれ以上の混合物からなり、かつ遷移金属元素を含有
することを特徴とする。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明の電子写真感光体の基本的構成を示す
模式的断面図である。第２図は、本発明の電子写真感光
体の一実施例の模式的断面図である。図中、１は支持体
、２は電荷輸送層、３は電荷発生層であり、また、４は
電荷注入阻止層等の中間層、５は表面保護層である。

本発明において、支持体としては、導電性支持体及び絶
縁性支持体のいずれをも用いることができる。

導電性支持体としては、アルミニウム、ステンレススチ
ール、ニッケル、クロムなどの金属あるいは合金があげ
られ、絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリイミドなどの高分子フィルム又はシート、ガラス、
セラミック等があげられる。絶縁性支持体を用いる場合
には、少なくとも他の層と接触する面が導電化処理され
ていることが必要である。導電化処理は、上記金属の他
に、金、銅等を蒸着、スパッタリング、イオンブレーテ
ィング等の方法によって行うことかできる。本発明の電
子写真感光体においては、電磁波の照射は支持体側から
行ってもよいし、支持体と反対側から行ってもよい。支
持体側から行う場合に導電化処理を上記金属を用いて行
った場合には、少なくとも照射される電磁波を透過する
厚さとして使用することができる。また、ＩＴＯ等の透
明導電膜を使用することができる。

本発明の電子写真感光体の電荷輸送層は、電荷発生層に
対して支持体側にあってもよいし、電荷発生層に対して
支持体と反対側にあってもよい。

本発明において、電荷輸送層に含有させるべき遷移金属
元素としては、３ｄ、４ｄ、５ｄ遷移金属元素を用いる
ことができる。中でもｄ電子軌道半径か小さく、核に近
いところに分布し、また、軌道の方向性のよい３ｄ遷移
金属元素のＳＣ，Ｔｉ、■、Ｃｒ、、Ｍｎ、、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕをアルミニウムの化合物中に含有させた
場合には、遷移金属元素間での原子軌道の重なりか小さ
く、局在化されやすく、暗電導度の制御や輸送能の制御
がしやすく好ましい。

本発明における主としてアルミニウムの酸化物、炭化物
又は窒化物、又はそれ等の２つ又はそれ以上の混合物か
らなる電荷輸送層は、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、イオン
プレーテインク等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐ
ｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法のような気相からの析
出による合成法、ゾル−ゲル法などの液相からの析出に
よる合成法、陽極酸化法などの固相一液相反応による合
成法などによって形成することかできる。遷移金属元素
を含有させるためには、析出する過程で混合原料を用い
て同時に形成させてもよいし、別々の原料を支持体上で
分解形成させてもよい。また、アルミニウムのこれ等の
化合物を形成した後に、遷移金属元素を、イオン打ち込
み、浸透、含浸等の方法で含有させてもよい。

アルミニウムに対する酸素の割合は、０．１〜１．５で
あり、好ましくは０．２〜１．５である。０．１より低
い場合には抵抗が低くなりすぎ、十分な電荷保持性が得
られない。

アルミニウムに対する炭素の割合は、０．０５〜０．７
であり、好ましくは０．１〜０．７である。０．０５よ
り低い場合には抵抗か低くなりすぎ、十分な電荷保持性
が得られない。

アルミニウムに対する酸素の割合は、０．１〜１．５で
あり、好ましくは０．２〜１，５である。０．１より低
い場合には抵抗か低くなりすき゛、十分な電荷保持性か
得られない。

遷移金属元素の含有量は、０．０１〜３０原子％であり
、好ましくは１〜２０原子％である。０．０１原子％よ
り低い場合には、有効な輸送機能を示さす、また、３０
原子％より高い場合には、抵抗か低くなりすぎ、十分な
電荷保持性か得られない。含有する遷移金属元素の分布
は均一でもよいし、また２次元、３次元に集合した状態
での不均一分布であってもよい。以下に代表的な作成法
について説明する。

プラズマＣＶＤ法で形成する場合には、有機金属を気体
状にした原料を用い、真空反応器中に導入し、圧力を１
０−４〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒに一定に保った状態で、二つ
の電極間に周波数Ｏ〜５ＧＨｚで電場をかけ、放電を生
じさせることによって電極或いは電極上に置かれた温度
が２０〜４００℃の基板の上に膜が形成される。このと
き、アルミニウムの原料としてはＡｌＣｌ３　、ＡＩ　
（ＣＨ３）ｓ　、ＡＩ　（０２Ｈ９）、を用い、酸化物
、炭化物、窒化物を作成するための反応種としての原料
としては、０□、ＣＯ２、Ｎ２０、　ＣＨ，、Ｃ２Ｈ，
、Ｎ２、ＮＨ，、ＮＨＮＨを用いることかできる。この
とき含有させる遷移金属元素の原料としては、ＣｒＦ　
ｓ　、Ｃｒ　Ｆ　＜　、Ｚ　ｒ　Ｆ　＜　、Ｔ　ｉ　Ｆ
　４　、Ｃｕ　Ｆ　２、ＮｉＦ、ＶＦｓ　　、ＭｎＦ２
　、ＭｏＦ６　、Ｍ。

Ｃ１６、ＷＦ６　　、ＷＣｌ６　　、Ｚｎ　　（ＣＨｓ
　　）２　　、Ｚｎ　（Ｃ２Ｈｓ　）２などの有機金属
化合物を気体状にして、前記、気体と混合して、或いは
別々に真空反応器中に導入して用いることかできる。こ
のとき、キャリアガスとして水素、窒素、Ｈｅ、Ａｒ等
の気体を用いてもよい。

イオンプレーテインク等で形成する場合には、原料はア
ルミニウムとアルミニウムの酸化物、炭化物、窒化物を
用いる。真空槽内の真空度を１０−５〜１Ｏ−７Ｔｏｒ
ｒとし、イオン化電極への印加電圧＋１〜５００■、基
板へのバイアス印加電圧向〜−２０００■の条件で、電
圧０．５〜５０ｋＶ、電流１〜１０１００Ｏの電子銃や
抵抗加熱などを利用して溶融気化させ、この蒸発した原
子及び／又はイオンをクロー放電などにより、活性化し
た０２、Ｎ２、ＣＯ□、ＣＨ４、ＮＨ４プラズマ中のＯ
，Ｃ，Ｈの原子、イオン或いは分子と反応させることに
よって、アルミニウムの酸化物、炭化物、窒化物を得る
ことができる。

このときの圧力は１０−６〜１０−’Ｔｏｒｒ、好まし
くは１０−４〜１Ｏ−２Ｔｏｒｒの範囲であるのかよい
、生成するアルミニウムの化合物中に遷移金属元素を含
有させるには、同時に別の蒸発源から遷移金属元素或い
はその化合物を電子銃、その他の方法で加熱蒸発させれ
ばよい。遷移金属元素の原料としては、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ
、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＴｉＯ
□、ＺｒＯ２、Ｆｅ２０ｓ、Ｃｏｏ、Ｎｉｐ、ＷＣ，Ｔ
ｉＣ，Ｃｕｂ、ＺｒＣ２５ｃＣ，ＴｉＮ等を用いること
かできる。

ゾル−ゲル法で形成する場合にはＡＩ（ＱＣＨ３）３、
Ａｌ　（ＯＣ２Ｈ５）３、ＡＩ　（ＱＣ。

Ｈ９）３等のアルミニウムアルコキシドをアルコール中
に溶解し、撹拌しながら加水分解する。反応によって生
成したゾル液をスプレー法、浸漬法によって基板上に塗
布し、溶媒を除去した後、５０〜３（）０℃で１〜２４
時間加熱乾燥することによって、アルミニウムの酸化物
を得ることができる。この場合、遷移金属元素を含有さ
せるなめには、上記の溶液中にＴ　ｉ　＜ＯＣｓ　Ｈ７
）　４　、Ｚ　ｒ　（ＯＣ３Ｈ７）４　　、Ｙ（ＯＣ３
Ｈ７）３　　、Ｙ（ＱＣ。

Ｈｅ　　）ｓ　　、Ｆｅ　　（ＱＣ２Ｈｓ　　）３　　
、Ｆｅ　　（ＯＣＭ　　Ｈ７＞３　　、Ｆｅ　　（ＱＣ
４Ｈ９）３　　、Ｎｂ　　（ＯＣＨｉ５　　、Ｎｂ（Ｑ
Ｃ２Ｈ２）５　　、Ｎｂ（ＯＣｓ　　Ｈ７）ｓ　　、Ｔ
ａ　　（ＱＣ３Ｈ７）ｓ　　、Ｔａ　　（ＱＣ４Ｈ９）
ｓ　　、Ｖ（ＱＣ２Ｈ９＞３　　、Ｖ（ＱＣ。

Ｈ９）５等のアルコキシド化合物や、アイロン・トリス
（アセチルアセトネ−１・）、コバルト・ビス（アセチ
ルアセトネート）、ニッケル・ビス（アセチルアセトネ
ート）、銅・ビス（アセチルアセトネート）等の有機金
属錯体を混合して得た混合物によるゾル溶液を、スプレ
ー法、浸漬法によって基板上に塗布して、所望の膜厚の
電荷輸送層を設けることができる。

陽極酸化法によって作製する場合には、基板としてのア
ルミニウム材料は、純ＡＩ系の材料の他、Ａｌ−Ｍｇ系
、Ａｌ−Ｍｇ−８ｔ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｍ
ｎ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系、Ａｌ
−Ｃｕ系、Ａｌ−８ｉ系等のアルミニウム合金材料の中
から適宜選択して使用することができる。アルミニウム
の陽極酸化膜は、公知の方法によって形成することがで
きるが、陽極酸化膜を形成するための電解質としては、
皮膜溶解性電解質である硫酸、しゅう酸、クロム酸、リ
ン酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸等の中から
適宜選択して使用することによって、電荷輸送層として
必要な厚さの皮膜を得ることができる。電解には、直流
、交流いずれも用いることができる。電解質溶液の濃度
は、電解質が固体の場合、通常純水中に０．０１〜９０
重量％、液体の場合０．０１〜８０体積％である。この
電解質溶液の中に、陽極として電子写真感光体用アルミ
ニウム基板を陰極としてステンレス鋼板或いはアルミニ
ウム板を０．１〜１００　ｃｍの電極間隔を隔てて浸漬
し、この電極間に通電し、それによってアルミニウムの
陽極酸化膜が形成される。このようにして形成された皮
膜は、電解電圧に比例した厚さの無孔性基層とその上に
電解質の種類、電解電圧、電流密度、温度等によって決
まる膜厚を有する多孔質層とからなる。陽極酸化の条件
としては、電流密度０．０００１〜１０＾／Ｃ１１１、
好ましくは０．０００５〜１＾／−である。電解電圧は
、通常０〜１０００Ｖ、好ましくはＯ〜７００■である
。また、電解質液の温度は０〜１００℃、好ましくは１
０〜９５℃に設定される。

遷移金属元素を、この酸化膜中に含有させるためには、
例えば上記の多孔質層中に電解析出させればよい。電解
析出の方法は、公知の方法を使うことができる。例えば
、硫酸、しゅう酸による陽極酸化皮膜作製後、（’、ｕ
、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ等の硫酸塩水溶液中で交流電
解を行えばよい。

また、しゅう酸アンモニウム、クロム酸アンモニウム溶
液に浸漬することによっても形成することかできる。

以上例示した方法などによって形成したアルミニウムの
酸化物、炭化物、窒化物は、有機系の低分子分散型電荷
輸送層における結着樹脂に相当する働きをし、遷移金属
元素は、電荷輸送のサイトとなる低分子の働きをしてい
ると考えられる。

電荷輸送層の膜厚は、適宜設定することかできるが、本
発明においては、２〜１００μｍ、好ましくは３〜５０
μｍの範囲に設定される。

電荷発生層としては、非晶質ケイ素、セレン、セレンひ
素、セレンテルル等の無機物をＣＶＤ、蒸着或いはスパ
ッタリング等の方法を用いて形成したものが使用できる
。また、フタロシアニン、Ｃｕフタロシアニン、Ａ１フ
タロシアニン、■フタロシアニン、スクエアリン酸誘導
体、メロシアニン、ビスアゾ染料等の色素を蒸着或いは
結着樹脂に分散したものを、浸漬塗布等の方法で薄膜と
したものを用いることができる。

中でも、水素化非晶質ケイ素、ゲルマニウムを添加した
水素化非晶質ケイ素、水素化非晶質ゲルマニウムを用い
た場合には、優れた機械的、電気的特性を示す。

以下、水素化非晶質ケイ素を電荷発生層として用いる場
合を例として説明する。

非晶質ケイ素を主成分とする電荷発生層は、公知の方法
によって形成することができる。例えばクロー放電分解
、スパッタリング法、イオンプレーテインク法、真空蒸
着法等によって形成するととができる。これ等の成膜方
法は、目的に応じて適宜選択されるが、プラズマＣＶＤ
法によりシラン或いはシラン系ガスをクロー放電分解す
る方法が好ましく、この方法によれは、膜中に１〜４０
原子％の水素を含有した比較的抵抗が高く、がっ、光感
度も高い膜が形成され、電荷発生層としては好適な特性
を得ることができる。

以下、プラズマＣＶＤ法を例にあけて説明する。

ケイ素を主成分とする電荷発生層を作製するための原料
気体としては、シラン、ジシランをはじめとするシラン
類があげられる。また、電荷発生層を形成する際に、必
要に応じて、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等のキ
ャリアカスを用いることも可能である。これ等の原料ガ
ス中に、ジポラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（ＰＨ９）
カス等のドーパントガスを混入させ、膜中に硼素或いは
燐等の不純物を添加することもできる。また、光感度の
増加を目的として、ハロゲン原子、炭素原子、酸素原子
、窒素原子等を含有させてもよい。

更にはまた、長波長域感度の増加を目的として、ゲルマ
ニウム、錫等の元素を添加することも可能である。

電荷発生層は、ケイ素を主成分とし、１〜４０原子％、
好ましくは５〜２０原子％の水素を含んだものが好まし
い。膜厚としては、０，１〜３０何、好ましくは０．２
〜１０如の範囲に設定される。

本発明の電子写真感光体の製造方法においては、必要に
応じて、電荷発生層及び電荷輸送層の組の上部或いは下
部に隣接して、他の層を形成してもよい。これ等の層と
しては、例えば次のものがあげられる。

電荷注入阻止層として、例えば、アモルファスシリコン
に元素周期律表第■属元素或いはＶ属元索を添加して成
るｐ型半導体、ｎ型半導体、或いは酸化ケイ素、炭化ケ
イ素、窒化ケイ素、非晶質炭素等の絶縁層を、また接着
性や感光体の電気的画像的特性を制御する目的でアモル
ファスシリコンに元素周期律表第■属元素或いはＶ属元
素を添加して成るρ型半導体、ｎ型半導体、或いは酸素
、炭素、窒素を含む層を設けることができる。これ等の
各層の膜厚は、任意に決定することができるが、本発明
においては、０．０１〜１０ＩＭｌの範囲に設定して用
いられる。

更に、感光体表面のコロナイオンによる変質を防止する
ために、表面保護層を設けてもよい。

上記の各層は、プラズマＣＶＤ法により形成することが
できる。電荷発生層の場合に説明しなように、不純物元
素を添加する場合は、それ等の不純物元素を含む物質の
カス化物をシランカスと共に、プラズマＣＶＤ装置内に
導入してグロー放電分解を行う。各層の膜形成条件は次
の通りである。

即ち、周波数は、通常θ〜５０Ｈ２、好適には５〜３０
Ｈ２、放電時の圧力は１０−５〜５　Ｔｏｒｒ（０，０
０１〜６６５Ｐａ）、基板加熱温度は１００〜４００℃
である。

実施例本発明を実施例によって説明する。

栓付きのガラス容器の中に１ｇの水と共に１０００ｇの
エタノールを入れ、撹拌しな。この中に１０ｇのＡ　Ｉ
　（ＱＣｓ　Ｈ７）　３を加えて６０分間撹拌し、加水
分解を行った。その後、１ｇのＺ　ｒ　（ＯＣ４Ｈ，）
４を加え、混合撹拌した。濃縮により粘度調整し、ディ
ップイングにより厚さ２市のＡ１平板に成膜した。１０
０℃から３００℃まで３段階の温度に分けて乾燥しな後
、Ｚｒを含み、主としてＡＩＯ，からなる厚さ７μｍの
膜を形成した。この平板を容量結合型プラズマＣＶＤ装
置の真空槽内に設置しな。

基板温度を２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラ
ン（ＳｉＨ４）ガスを毎分１００　ｃｃ、水素希釈の１
００ｐｐ■ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを毎分２　ＣＣ流
入させ、反応槽内を０．５Ｔｏｒｒの圧力に維持した後
、１３、５６ＭＨｚの高周波電力を投入してグロー放電
を生じさせ、電力を１００Ｗに維持した。この様にして
１μｍの水素とごく微量の硼素を含む高暗抵抗で、いわ
ゆるｉ型非晶質ケイ素からなる１μｍの電荷発生層を形
成しな。引き続き、高真空に排気し、Ｓ　ｉ　Ｈ４３０
ｓｃｃｎ＋、　Ｎ　Ｈ、３０ｓｃｃｎ＋を反応器に導入
し、５０Ｗで放電を行い、０．１　ｍのＳ　Ｉ　Ｎ　ｘ
膜を形成し、厚さ約８μｍの感光層を有する電子写真感
光体を作成した。

１つこの電子写真感光体の電子写真特性を測定したところ、
＋６ＫＶのコロトロンで帯電後、３１０　Ｖを保持し、
５００ｒ＋ｎ＋の光で露光した後の残留電位は、１０Ｖ
であった。また、光感度は、半減露光量で６エルグ／−
であっな。

実施例２純度９９．９９％のＡＩ基板を、平行板プラズマｃ■Ｄ
反応器の中に設けたヒーターを有する保持部に固定し、
１０−’Ｔｏｒｒに排気した後、３００℃に加熱した。

次に、２５°Ｃに保持したＡ　Ｉ　（ＣＨ３）　３　ノ
中にＨｅガスをキャリアカスとしてパブリンクしながら
通し、流量を１００ｓｃｃｌに設定した。さらにＺｎ　
（Ｃ２Ｈｓ　）２を２０°ＣでＨｅガスをキャリアガス
として用い、流量を１０ｓｃｃｎ＋に設定した。

さらに別の導入口からＮ２０ガスを１０１０５ｅの流量
で導入した。圧力を０．５１ｏｒｒに設定した後、１３
．５６ＭＨｚの高周波電力を１ｏｏ１１１印加し、放電
を起こしな。このとき、基板温度は３５０°Ｃに保持し
な。

放電終了後、真空排気し、実施例１と同じ条件にてａ−
８ｔ：Ｈ層とＳｉＮｘ表面層を設けた。真空槽から取り
出した後、渦電流を膜厚計で測定したところ、感光層の
膜厚は８μｍであった。したがって、Ｚｎを含みＡＩＯ
えを主とする電荷輸送層の膜厚は約７μｍであった。

得られた電子写真感光体の電子写真特性を調べたところ
、−〇にＶのコロトロンで帯電電位−３００ｖを保持し
た。５００ｒｖの光で露光した後の残留電位は一１５Ｖ
であった。

実施例３抵抗加熱源と電子ビーム加熱手段を備えたアーク放電型
イオンブレーティング装置を用い、抵抗加熱用るつぼに
純度９９．９９％のＡ１を入れ、中央部のるつぼにＴ　
ｉを設置した。真空槽内を油拡散ポンプ系で１０−’Ｐ
ａ、ｔで排気し、３Ｋ１４の電子銃を用いて、Ｔｉを蒸
発させ、同時に抵抗加熱でＡＩを蒸発させた。このとき
、熱電子フィラメントを加熱し、約１ｍへの熱電子を放
射した。イオン化電極電圧３０Ｖでイオン化した。

Ｎ２を熱電子放射電極下部より導入し、圧力を６　ｘｌ
Ｏ−２Ｐａとして、イオン化した′ＦｉとＡＩとＮ２を
反応させて、−５００νにバイアスした厚さ１鮨のステ
ンレス鋼基板上にＴｉを含み、主としてＡＩＮからなる
膜厚８ｍの電荷輸送層を形成した。

真空槽から取り出した後、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置内に設置した。引き続き、真空排気し、実施例１と同
じ条件で電荷発生層と表面層を設けた。

得られた電子写真感光体の電子写真特性を調べたところ
、＋〇にＶのコロトロン帯電器で帯電後、３５０ｖを保
持しな。５００ｎｍの光で露光した後の残留電位は１５
Ｖであった。

実施例４実施例３と同じイオンプレーティンク蒸着器を用い、原
料として粉末状のＡ　ｌ　２０　ｓと粉末状Ｃｕを重量
でｓ　ｖａｔ％混合したものを、るつぼの中に導入した
。酸素ガスを導入し、圧力を６Ｘ１０−２Ｐａとした後
、電子銃２ＫＷ、イオン電流１０１ｎ＾、基板温度−２
００ｖの条件で蒸発イオン化を行い、２００°Ｃに保持
したＡＩ基板上に、１０μｍのＣｕを含むＡｌＯｘ膜を
形成した。

得られた電子写真感光体の電子写真時性を調べたところ
、＋６にνのコロトロン帯電器で帯電後、４５０■を保
持した。５ｏｏｎ１１の光で露光した後の残留電位はｉ
ｏｖであった。

実施例５抵抗加熱源と電子ビーム加熱手段を備えたアーク放電型
イオンブレーティング装置を用い、抵抗加熱用るつぼに
純度９９．９９％のＡＩを入れ、中央部のるつぼに１゛
ｉを設置した。真空槽内を油拡散ポンプ系で１０−’Ｐ
ａまで排気し、３に−の電子銃を用いて、１゛ｉを蒸発
させ、同時に抵抗加熱でＡＩを蒸発さぜな。このとき、
熱電子フィラメントを加熱し、約１　ｍへの熱電子を放
射した。イオン化電極電圧５０Ｖでイオン化した。

Ｃ２Ｈ２を熱電子放射電極下部より導入し、圧力を２　
ＸＩＧ−２Ｐａとして、イオン化したＴｉとＡ１とＣ２
Ｈ２を反応させて、−５００Ｖにバイアスした厚さ１１
Ｉｌｆｆｌのステンレス鋼基板上に１゛ｉを含み、主と
してＡＩＣからなる膜厚８．５μｍの電荷輸送層を形成
した。

真空槽から取り出した後、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置内に設置しな。引き続き、真空排気し、実施例１と同
じ条件で電荷発生層と表面層を設けた。

得られた電子写真感光体の電子写真特性を調べたところ
、＋〇にＶのコロトロン帯電器で帯電後、４００ｖを保
持した。５００ｒ＋ｎ＋の光で露光した後の残留電位は
５νであった。

実施例６純度９９．９９％のＡｌ−Ｍｇ合金からなる直径約１２
０鮨の円筒アルミニウムパイプをフロン洗浄と蒸溜水に
よる超音波洗浄を行った後、純水沸騰水中煮沸処理を１
５分間実施しな。引き続き、電解質溶液として、５％の
しゅう酸溶液を用い、液温３０°Ｃに維持しながら、直
流電圧１０νをアルミニウムパイプと円筒状陰極である
ステンレス鋼板との間に印加し、６０分間陽極酸化を行
った。このようにして形成された酸化アルミニウム皮膜
は１５μ」の膜厚であった。

その後、Ｃｕ　ＳＯ−・５　Ｈ２０３％、Ｈ２５ｏ４１
％を含む水溶液中で温度２０°Ｃ，電圧１５Ｖで２０分
間電解を行ったところ、褐色となり、多孔質中にＣｕか
析出した。

このアルミニウムパイプを蒸溜水中で超音波洗浄し、１
００°Ｃで乾燥した後、容量結合型プラズマＣＶＤ装置
の真空槽内に設置した。その後、実施例１と同じ条件で
電荷発生層と表面層を形成しな。

得られた電子写真感光体の電子写真特性を調べたところ
、＋〇にＶのコロトロンで帯電電位４５０ｖを保持した
。５００ｎｎ＋の光で露光した後の残留電位は２０Ｖで
あった。

発明の効果本発明においては、電荷輸送層か、アルミニウムの酸化
物、炭化物又は窒化物、又はそれ等の２つ又はそれ以上
の混合物からなり、かつ遷移金属元素を含有する新規な
構成を有するから、電荷輸逆層は、接着性や機械的強度
・硬度か高く、欠陥の少ないという利点を有し、そして
本発明の電子写真感光体は、高耐久性、高感度で凡色性
に富み、高帯電性で暗減衰が少なく、また露光後の残留
電位の少ないという効果を示す。また、本発明の電子写
真感光体は、赤外半導体レーザー等のコヒーレント光を
光源とするものにも使用でき、レーサープリンターでの
干渉縞の発生を防止した高画質の画像を得ることかでき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の模式的断面図、第２
図は本発明の電子写真感光体の他の実施例の模式的断面
図である。１・・・支持体、２・・・電荷輸送層、３・・・電荷発
生層、４・・・中間層、５・・・表面保護層。特許出願人　　富士セロックス株式会社代理人　　　　
弁理士　　液部　剛１・・・支持体２・・・電荷輸送層３・・・電荷発生層４・・・中間層５・・・表面保護１第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも支持体と電荷輸送層と電荷発生層とか
らなり、該電荷輸送層が主にアルミニウムの酸化物、炭
化物又は窒化物、又はそれ等の２つ又はそれ以上の混合
物からなり、かつ遷移金属元素を含有することを特徴と
する電子写真感光体。