JPH03109569A - 電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体及びその製造方法Info
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- JPH03109569A JPH03109569A JP1246499A JP24649989A JPH03109569A JP H03109569 A JPH03109569 A JP H03109569A JP 1246499 A JP1246499 A JP 1246499A JP 24649989 A JP24649989 A JP 24649989A JP H03109569 A JPH03109569 A JP H03109569A
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- photosensitive layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真用感光体及びその製造方法に関し、
詳しくは、光反射防止層を有する電子写真用感光体及び
その製造方法に関する。
詳しくは、光反射防止層を有する電子写真用感光体及び
その製造方法に関する。
従来の技術
近年、電子写真感光体については、単色光を用いるレー
ザービームプリンター等の電子写真プロセスを利用する
装置に使用することが行われ、その為の感光体が種々提
案されている。例えば、これまで知られている長波長光
に緩効性を持つ電子写真感光体としては、銅フタロシア
ニン等のフタロシアニン顔料を含有する感光層、とりわ
け電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された積層構造
を有する感光層を持つ積層型電子写真感光体、或いはセ
レン−テルル合金を用いた電子写真感光体が種々提案さ
れている。この様な長波長光に対して緩効性を有する感
光体をレーザービームプリンターに取り付けて、レーザ
ービームを走査して露光を行うと、現像により形成され
たトナー像には、干渉縞模様体があられれ、良好な再生
画像が形成できないという欠点があった。その理由の一
つとしては、例えば長波長レーザーが感光層ないで完全
に吸収されず、その透過光が基体表面で正反射し、その
ため感光層ないでレーザービームの多重反射を生じ、そ
れが感光層表面の反射光との間で干渉を生じることがあ
げられる。
ザービームプリンター等の電子写真プロセスを利用する
装置に使用することが行われ、その為の感光体が種々提
案されている。例えば、これまで知られている長波長光
に緩効性を持つ電子写真感光体としては、銅フタロシア
ニン等のフタロシアニン顔料を含有する感光層、とりわ
け電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された積層構造
を有する感光層を持つ積層型電子写真感光体、或いはセ
レン−テルル合金を用いた電子写真感光体が種々提案さ
れている。この様な長波長光に対して緩効性を有する感
光体をレーザービームプリンターに取り付けて、レーザ
ービームを走査して露光を行うと、現像により形成され
たトナー像には、干渉縞模様体があられれ、良好な再生
画像が形成できないという欠点があった。その理由の一
つとしては、例えば長波長レーザーが感光層ないで完全
に吸収されず、その透過光が基体表面で正反射し、その
ため感光層ないでレーザービームの多重反射を生じ、そ
れが感光層表面の反射光との間で干渉を生じることがあ
げられる。
この欠点を解消する方法としては、従来、導電性基体の
表面を粗面化する方法、感光層と基体の間に光吸収層或
いは反射防止層を設けることにより、感光層内で生じる
多重反射を解消することが提案されている。
表面を粗面化する方法、感光層と基体の間に光吸収層或
いは反射防止層を設けることにより、感光層内で生じる
多重反射を解消することが提案されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来提案されている手段では、実際問題
として、画像形成時にあられれる干渉縞模様を完全に解
消することができるものではなかった。したがって、干
渉縞模様の問題を解消できる反射防止層の開発が望まれ
ていた。
として、画像形成時にあられれる干渉縞模様を完全に解
消することができるものではなかった。したがって、干
渉縞模様の問題を解消できる反射防止層の開発が望まれ
ていた。
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであ
る。したがって、本発明の目的は、レーザービームプリ
ンターに適用した場合に、干渉縞模様の発生を防止して
、良質な画質の画像を得ることができる電子写真感光体
及びその製造方法を提供することにある。
る。したがって、本発明の目的は、レーザービームプリ
ンターに適用した場合に、干渉縞模様の発生を防止して
、良質な画質の画像を得ることができる電子写真感光体
及びその製造方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明者等は、アルミニウム又はアルミニウム合金より
なる支持体の上に形成された陽極酸化アルミニウム皮膜
が、光反射防止機能を有することを見出し本発明を完成
するに至った。
なる支持体の上に形成された陽極酸化アルミニウム皮膜
が、光反射防止機能を有することを見出し本発明を完成
するに至った。
本発明の電子写真感光体は、支持体と、該支持体上に設
けられた陽極酸化アルミニウム皮膜からなる光反射防止
層と、該光反射防止層の上に設けられた感光層とを具備
することを特徴とする。
けられた陽極酸化アルミニウム皮膜からなる光反射防止
層と、該光反射防止層の上に設けられた感光層とを具備
することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、少なくとも表面がアルミニ
ウム又はアルミニウム合金よりなる支持体を、ホウ酸、
ホウ酸塩、リン酸塩等の１〜３０重量％を含む中性水溶
液、又は、硫酸、リン酸、シュウ酸又はクロム酸等の１
〜３０重量％を含む酸性水溶液中に浸漬し、陽極酸化を
行うことにより該支持体上に陽極酸化アルミニウム皮膜
を形成し、次いで、該多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
の上に感光層を形成することによって製造することがで
きる。
ウム又はアルミニウム合金よりなる支持体を、ホウ酸、
ホウ酸塩、リン酸塩等の１〜３０重量％を含む中性水溶
液、又は、硫酸、リン酸、シュウ酸又はクロム酸等の１
〜３０重量％を含む酸性水溶液中に浸漬し、陽極酸化を
行うことにより該支持体上に陽極酸化アルミニウム皮膜
を形成し、次いで、該多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
の上に感光層を形成することによって製造することがで
きる。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図であ
って、支持体１上に陽極酸化アルミニウム皮膜２からな
る光反射防止層が形成され、その上に感光層３が形成さ
れている。
って、支持体１上に陽極酸化アルミニウム皮膜２からな
る光反射防止層が形成され、その上に感光層３が形成さ
れている。
本発明において、支持体としては、アルミニウム及びそ
の合金（以下、これ等を単にアルミニウムという）より
なるもの、及びアルミニウム以外の導電性支持体及び絶
縁性支持体のいずれをも用いることが出来るが、アルミ
ニウム以外の支持体を用いる場合には、少なくとも他の
層と接触する面に、少なくとも５−以上の膜厚を有する
アルミニウム膜が形成されていることが必要である。こ
のアルミニウム膜は、蒸着法、スパッター法、イオンブ
レーティング法によって形成することが出来る。アルミ
ニウム以外の導電性支持体としては、ステンレススチー
ル、ニッケル、クロム等の金属及びその合金があげられ
、絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ
イミド等の高分子フィルム又はシート、ガラス、セラミ
ック等があげられる。
の合金（以下、これ等を単にアルミニウムという）より
なるもの、及びアルミニウム以外の導電性支持体及び絶
縁性支持体のいずれをも用いることが出来るが、アルミ
ニウム以外の支持体を用いる場合には、少なくとも他の
層と接触する面に、少なくとも５−以上の膜厚を有する
アルミニウム膜が形成されていることが必要である。こ
のアルミニウム膜は、蒸着法、スパッター法、イオンブ
レーティング法によって形成することが出来る。アルミ
ニウム以外の導電性支持体としては、ステンレススチー
ル、ニッケル、クロム等の金属及びその合金があげられ
、絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ
イミド等の高分子フィルム又はシート、ガラス、セラミ
ック等があげられる。
本発明において、良好な特性の陽極酸化アルミニウム皮
膜を得るためのアルミニウム材料としては、純Ａｇ系の
材料の他に、ＡＩ！−Ｍｇ系、ＡＮ−Ｍｇ−８１系、Ａ
Ｎ−Ｍｇ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｍｎ系、ＡＮ−Ｃｕ−Ｍｇ系
、ＡＮ −ＣＬＩ−Ｎｉ系、Ａ１１−Ｃｕ系、Ａｊ−９
ｉ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ａｆｌ −Ｃｕ−ｓｉ系、
Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系、ＡＮ−Ｍｇ−Ｚｎ系等のア
ルミニウム合金材料の中から適宜選択して使用すること
ができる。
膜を得るためのアルミニウム材料としては、純Ａｇ系の
材料の他に、ＡＩ！−Ｍｇ系、ＡＮ−Ｍｇ−８１系、Ａ
Ｎ−Ｍｇ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｍｎ系、ＡＮ−Ｃｕ−Ｍｇ系
、ＡＮ −ＣＬＩ−Ｎｉ系、Ａ１１−Ｃｕ系、Ａｊ−９
ｉ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ａｆｌ −Ｃｕ−ｓｉ系、
Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系、ＡＮ−Ｍｇ−Ｚｎ系等のア
ルミニウム合金材料の中から適宜選択して使用すること
ができる。
支持体のアルミニウム面に形成される陽極酸化アルミニ
ウム皮膜は、光反射防止層としての役割を果たすもので
、次のようにして製造される。
ウム皮膜は、光反射防止層としての役割を果たすもので
、次のようにして製造される。
支持体上に陽極酸化アルミニウム皮膜を形成するための
陽極酸化処理について、より具体的に説明すると、まず
、表面を鏡面切削仕上げし、所望の形状に加工されたア
ルミニウム面を有する支持体を、有機溶剤又はフロン溶
剤中で超音波洗浄し、続いて純水中で超音波洗浄する。
陽極酸化処理について、より具体的に説明すると、まず
、表面を鏡面切削仕上げし、所望の形状に加工されたア
ルミニウム面を有する支持体を、有機溶剤又はフロン溶
剤中で超音波洗浄し、続いて純水中で超音波洗浄する。
この洗浄処理後、必要に応じて、支持体のアルミニウム
面に対して純水沸騰水中煮沸処理或いは加熱水蒸気処理
等の前処理を施してもよい。これ等の処理は、陽極酸化
に必要な電気量の低減や皮膜特性の改質に良好な結果を
与えるので好ましい。
面に対して純水沸騰水中煮沸処理或いは加熱水蒸気処理
等の前処理を施してもよい。これ等の処理は、陽極酸化
に必要な電気量の低減や皮膜特性の改質に良好な結果を
与えるので好ましい。
引き続いて、支持体上に陽極酸化アルミニウム皮膜を形
成する。ステンレス鋼或いは硬質ガラスなどで作製され
た電解槽（陽極酸化槽）中に電解質溶液（陽極酸化溶液
）を所定の液面まで満たす。
成する。ステンレス鋼或いは硬質ガラスなどで作製され
た電解槽（陽極酸化槽）中に電解質溶液（陽極酸化溶液
）を所定の液面まで満たす。
電解質溶液としては、ホウ酸、ホウ酸塩、リン酸塩等の
１〜３０重量％を含む中性水溶液、又は、硫酸、リン酸
、シュウ酸又はクロム酸等の１〜３０重量％を含む酸性
水溶液が用いられる。溶媒として用いる純水としては、
蒸溜水或いはイオン交換水等をあげることができるが、
特に塩素分等の不純物が充分に取り除かれていることが
、陽極酸化アルミニウム皮膜の腐蝕やピンホール発生防
止のために必要である。
１〜３０重量％を含む中性水溶液、又は、硫酸、リン酸
、シュウ酸又はクロム酸等の１〜３０重量％を含む酸性
水溶液が用いられる。溶媒として用いる純水としては、
蒸溜水或いはイオン交換水等をあげることができるが、
特に塩素分等の不純物が充分に取り除かれていることが
、陽極酸化アルミニウム皮膜の腐蝕やピンホール発生防
止のために必要である。
次いで、この電解質溶液の中に陽極として上記のアルミ
ニウム面を有する支持体を、又、陰極としてステンレス
鋼板あるいはアルミニウム板をある一定の電極間距離を
隔てて浸漬する。この際の電極間距離はＯ，１ｃｍ−１
００ｃｍの間において適宜に設定される。直流電源装置
を用意し、その正（プラス）端子とアルミニウム面、及
び負（マイナス）端子と陰極板とをそれぞれ結線し、電
解質溶液中の陽極、陰極両電極間に通電する。印加する
直流は、直流成分のみよりなるものであってもよく、ま
た交流成分が重畳したものであってもよい。陽極酸化実
施時の電流密度は、０．１〜１０Ａ−ｄ「２の範囲に設
定する。また陽極酸化電圧は、通常０．１〜７００ Ｖ
、好ましくは１〜３００ｖである。又、電解質溶液の液
温は、０〜１００℃、好ましくは１０〜８０℃に設定さ
れる。
ニウム面を有する支持体を、又、陰極としてステンレス
鋼板あるいはアルミニウム板をある一定の電極間距離を
隔てて浸漬する。この際の電極間距離はＯ，１ｃｍ−１
００ｃｍの間において適宜に設定される。直流電源装置
を用意し、その正（プラス）端子とアルミニウム面、及
び負（マイナス）端子と陰極板とをそれぞれ結線し、電
解質溶液中の陽極、陰極両電極間に通電する。印加する
直流は、直流成分のみよりなるものであってもよく、ま
た交流成分が重畳したものであってもよい。陽極酸化実
施時の電流密度は、０．１〜１０Ａ−ｄ「２の範囲に設
定する。また陽極酸化電圧は、通常０．１〜７００ Ｖ
、好ましくは１〜３００ｖである。又、電解質溶液の液
温は、０〜１００℃、好ましくは１０〜８０℃に設定さ
れる。
この通電により、陽極となる支持体のアルミニウム面上
に陽極酸化アルミニウム皮膜が形成される。形成された
陽極酸化アルミニウム皮膜は、電解質溶液としてホウ酸
、ホウ酸塩、リン酸塩等を含む中性水溶液を使用した場
合には、無孔性のものであり、硫酸、リン酸、シュウ酸
及びクロム酸等の酸性水溶液を使用した場合には、無孔
性基層と、その上に形成された多孔質層とからなるもの
である。
に陽極酸化アルミニウム皮膜が形成される。形成された
陽極酸化アルミニウム皮膜は、電解質溶液としてホウ酸
、ホウ酸塩、リン酸塩等を含む中性水溶液を使用した場
合には、無孔性のものであり、硫酸、リン酸、シュウ酸
及びクロム酸等の酸性水溶液を使用した場合には、無孔
性基層と、その上に形成された多孔質層とからなるもの
である。
この様にして形成された陽極酸化アルミニウム皮膜は、
必要に応じて純水による洗浄等の措置が取られた後、乾
燥させる。陽極酸化アルミニウム皮膜の膜厚は、無孔性
の場合は０．０１〜０．７節であり、多孔質の場合は１
〜２０加に設定される。
必要に応じて純水による洗浄等の措置が取られた後、乾
燥させる。陽極酸化アルミニウム皮膜の膜厚は、無孔性
の場合は０．０１〜０．７節であり、多孔質の場合は１
〜２０加に設定される。
本発明において、陽極酸化アルミニウム皮膜の上には、
感光層が設けられるが、感光層は単層構造のものでもよ
く、また電荷発生層と電荷輸送層とよりなる積層構造の
ものでもよい。
感光層が設けられるが、感光層は単層構造のものでもよ
く、また電荷発生層と電荷輸送層とよりなる積層構造の
ものでもよい。
感光層の膜厚は、１０〜１００７Ｊの範囲に設定される
。
。
感光層としては、非晶質ケイ素、セレン、セレン化水素
、セレン−テルル等の無機物を、ＣＶＤ。
、セレン−テルル等の無機物を、ＣＶＤ。
蒸着或いはスパッタ等の方法によって形成したものが使
用できる。また、フタロシアニン、銅フタロシアニン、
Ａｇフタロシアニン、スクエアリン酸誘導体、ビスアゾ
染料等の色素を蒸着により、或いは結着樹脂中に分散し
て浸漬塗布等の方法により薄膜としたものを用いること
もできる。中でも、非晶質ケイ素、ゲルマニウムを添加
した非晶質ケイ素を用いた場合には、優れた機械的、電
気的特性を示すものとなるので好ましい。
用できる。また、フタロシアニン、銅フタロシアニン、
Ａｇフタロシアニン、スクエアリン酸誘導体、ビスアゾ
染料等の色素を蒸着により、或いは結着樹脂中に分散し
て浸漬塗布等の方法により薄膜としたものを用いること
もできる。中でも、非晶質ケイ素、ゲルマニウムを添加
した非晶質ケイ素を用いた場合には、優れた機械的、電
気的特性を示すものとなるので好ましい。
以下、非晶質ケイ素を用いて感光層を形成する場合を例
にあげて説明する。
にあげて説明する。
非晶質ケイ素を主成分とする感光層は公知の方法によっ
て形成することができる。例えば、グロー放電分解法、
スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空蒸着
法等によって形成することができる。これらの膜形成方
法は、目的に応じて適宜選択されるが、プラズマＣＶＤ
法によりシラン或いはシラン系ガスをグロー放電分解す
る方法が好ましく、この方法によれば、膜中に適量の水
素を含有した比較的暗抵抗が高く、かつ、光感度も高い
膜が形成され、感光層として好適な特性を得ることがで
きる。
て形成することができる。例えば、グロー放電分解法、
スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空蒸着
法等によって形成することができる。これらの膜形成方
法は、目的に応じて適宜選択されるが、プラズマＣＶＤ
法によりシラン或いはシラン系ガスをグロー放電分解す
る方法が好ましく、この方法によれば、膜中に適量の水
素を含有した比較的暗抵抗が高く、かつ、光感度も高い
膜が形成され、感光層として好適な特性を得ることがで
きる。
以下、プラズマＣＶＤ法を例にあげて説明する。
ケイ素を主成分とする非晶質ケイ素感光層を作成するた
めの原料としては、シラン、ジシランをはじめとするシ
ラン類等があげられる。又、電荷発生層を形成する際、
必要に応じて、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の
キャリアガスを用いることも可能である。又、これ等の
原料ガス中に、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガス、ホスフィン
（ＰＨｓ）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中に
ホウ素あるいはリン等の不純物元素の添加することもで
きる。又、光感度の増加等を目的として、感光層中にハ
ロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子等を含有さ
せてもよい。更に又、長波長域感度の増加を目的として
、ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能であ
る。
めの原料としては、シラン、ジシランをはじめとするシ
ラン類等があげられる。又、電荷発生層を形成する際、
必要に応じて、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の
キャリアガスを用いることも可能である。又、これ等の
原料ガス中に、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガス、ホスフィン
（ＰＨｓ）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中に
ホウ素あるいはリン等の不純物元素の添加することもで
きる。又、光感度の増加等を目的として、感光層中にハ
ロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子等を含有さ
せてもよい。更に又、長波長域感度の増加を目的として
、ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能であ
る。
本発明において、感光層は、ケイ素を主成分とし、 １
〜４０原子％、好ましくは５〜２０原子％の水素を含ん
だものが好ましい。この場合、膜厚としては、１〜５０
加、好ましくは５〜３０ｔｍの範囲に設定される。
〜４０原子％、好ましくは５〜２０原子％の水素を含ん
だものが好ましい。この場合、膜厚としては、１〜５０
加、好ましくは５〜３０ｔｍの範囲に設定される。
感光層の膜形成条件は次の通りである。即ち、周波数は
、通常、０〜５ＧＩｌｚ、好ましくは５〜３ＧＨｚ。
、通常、０〜５ＧＩｌｚ、好ましくは５〜３ＧＨｚ。
放電時の真空度はｔｏ−’ 〜５ Ｔｏｒｒ （０，０
０１〜８６５Ｐａ） 、基板加熱温度は１００〜４００
℃である。
０１〜８６５Ｐａ） 、基板加熱温度は１００〜４００
℃である。
本発明の電子写真感光体においては、必要に応じて、感
光体表面のコロナイオンによる変質を防止するための表
面保護層を設けてもよい。
光体表面のコロナイオンによる変質を防止するための表
面保護層を設けてもよい。
実施例
次に実施例によって本発明の詳細な説明する。
実施例ｌ
Ａｌ−４重量％Ｍｇ系合金からなる直径約１２０＋ｎ＋
ｓのアルミニウムパイプを支持体として用い、フロン洗
浄と蒸溜水中超音波洗浄を行った後、純水沸騰水中煮沸
処理を１５分間実施した。引き続いて、電解質溶液とし
て、１０％ホウ酸及び１％ホウ砂金含有水溶液用い、液
温８０℃に維持しながら、直流電圧５０Ｖをアルミニウ
ムパイプと円筒状陰極であるステンレス鋼板との間に電
流密度 ０．２ Ａ−ｄ＋＋＋−２で印加し、３０分間
陽極酸化を行った。形成されたバリヤー型陽極酸化アル
ミニウム皮膜は膜厚０．０７４であった。
ｓのアルミニウムパイプを支持体として用い、フロン洗
浄と蒸溜水中超音波洗浄を行った後、純水沸騰水中煮沸
処理を１５分間実施した。引き続いて、電解質溶液とし
て、１０％ホウ酸及び１％ホウ砂金含有水溶液用い、液
温８０℃に維持しながら、直流電圧５０Ｖをアルミニウ
ムパイプと円筒状陰極であるステンレス鋼板との間に電
流密度 ０．２ Ａ−ｄ＋＋＋−２で印加し、３０分間
陽極酸化を行った。形成されたバリヤー型陽極酸化アル
ミニウム皮膜は膜厚０．０７４であった。
この様にして陽極酸化アルミニウム皮膜からなる光反射
防止層が形成されたアルミニウムパイプを蒸溜水中で超
音波洗浄し、８０℃で乾燥した後、その上に感光層を形
成した。すなわち、容量結合型プラズマＣＶＤ装置の真
空槽内に設置し、そのアルミニウムパイプを２００℃に
維持し、真空槽内に１００％シラン（ＳｉＨ４）ガスを
毎分２５０ｃｃ 。
防止層が形成されたアルミニウムパイプを蒸溜水中で超
音波洗浄し、８０℃で乾燥した後、その上に感光層を形
成した。すなわち、容量結合型プラズマＣＶＤ装置の真
空槽内に設置し、そのアルミニウムパイプを２００℃に
維持し、真空槽内に１００％シラン（ＳｉＨ４）ガスを
毎分２５０ｃｃ 。
水素希釈の１００ｐｐａ＋ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを
毎分３ｃｃ 、更に１００％水素（Ｈ２）ガスを毎分２
５０ＣＣで流入させ、真空槽内を１．５Ｔｏｒｒ （
２００，ＯＮ／ゴ）の内圧に維持した後、１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を投入して、グロー放電を生じさせ、
高周波電源の出力を３５０Ｗに維持した。このようにし
て水素と極微量の硼素を含む高暗抵抗で、いわゆるｉ型
の非晶質ケイ素からなる厚さ１８ＩＩＭの感光層を形成
した。
毎分３ｃｃ 、更に１００％水素（Ｈ２）ガスを毎分２
５０ＣＣで流入させ、真空槽内を１．５Ｔｏｒｒ （
２００，ＯＮ／ゴ）の内圧に維持した後、１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を投入して、グロー放電を生じさせ、
高周波電源の出力を３５０Ｗに維持した。このようにし
て水素と極微量の硼素を含む高暗抵抗で、いわゆるｉ型
の非晶質ケイ素からなる厚さ１８ＩＩＭの感光層を形成
した。
得られた電子写真用感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流１０μＡ ／ ａｎの場合
、帯電直後の帯電電位は６３０ｖであり、暗減衰は１４
％／ｓｅｅであった。白色光で露光した後の残留電位は
２０Ｖであり、半減露光量は１０ｅｒｇ、Ｃ♂であった
。また、この電子写真感光体の７８０ｒ＋ｍにおける表
面反射率は１１％で李った。
したところ、感光体流入電流１０μＡ ／ ａｎの場合
、帯電直後の帯電電位は６３０ｖであり、暗減衰は１４
％／ｓｅｅであった。白色光で露光した後の残留電位は
２０Ｖであり、半減露光量は１０ｅｒｇ、Ｃ♂であった
。また、この電子写真感光体の７８０ｒ＋ｍにおける表
面反射率は１１％で李った。
また、陽極酸化アルミニウム皮膜と、感光層との密着性
を調べたところ、良好な接着性を有していることが確認
された。
を調べたところ、良好な接着性を有していることが確認
された。
実施例２
Ａｌ１−４重量％Ｍｇ系合金からなる直径約１２０ｍ＋
ｓのアルミニウムパイプをフロン洗浄と蒸溜水中超音波
洗浄を行った。引き続いて、電解質溶液として、純水中
に１２％の硫酸及び０．５重量％の硫酸アルミニウムを
添加してなる溶液を用い、液温２５℃に維持しながら、
直流電圧１２Ｖをアルミニウムパイプと円筒状陰極であ
るステンレス鋼板との間に電流密度１．８ Ａ −ｄｍ
−’で印加して２０分間陽極酸化を行った。形成された
多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜は膜厚８屑であった。
ｓのアルミニウムパイプをフロン洗浄と蒸溜水中超音波
洗浄を行った。引き続いて、電解質溶液として、純水中
に１２％の硫酸及び０．５重量％の硫酸アルミニウムを
添加してなる溶液を用い、液温２５℃に維持しながら、
直流電圧１２Ｖをアルミニウムパイプと円筒状陰極であ
るステンレス鋼板との間に電流密度１．８ Ａ −ｄｍ
−’で印加して２０分間陽極酸化を行った。形成された
多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜は膜厚８屑であった。
この様にして陽極酸化アルミニウム皮膜が形成されたア
ルミニウムパイプを蒸溜水中で超音波洗浄し、５０℃で
乾燥した後、実施例１におけると同様にして感光層を形
成した。
ルミニウムパイプを蒸溜水中で超音波洗浄し、５０℃で
乾燥した後、実施例１におけると同様にして感光層を形
成した。
得られた電子写真感光体に対して、実施例］と同様にし
て評価を行った。その結果、感光体流入電流１０μＡ
／ ｃｍの場合、帯電直後の帯電電位は７５０■であり
、暗減衰は１３％／ｓｅｅであった。また、白色光で露
光した後の残留電位は５０Ｖであり、半減露光量はｌｌ
ｅｒｇ、ｃ♂であった。また、この電子写真感光体の７
８０ｒ＋ｍにおける表面反射率は８％であった。
て評価を行った。その結果、感光体流入電流１０μＡ
／ ｃｍの場合、帯電直後の帯電電位は７５０■であり
、暗減衰は１３％／ｓｅｅであった。また、白色光で露
光した後の残留電位は５０Ｖであり、半減露光量はｌｌ
ｅｒｇ、ｃ♂であった。また、この電子写真感光体の７
８０ｒ＋ｍにおける表面反射率は８％であった。
陽極酸化アルミニウム皮膜と電荷発生層とは、良好な接
着性を有していることが確認された。
着性を有していることが確認された。
比較例
実施例１において、陽極酸化を行わない以外は同様にし
て電子写真感光体を作製した。
て電子写真感光体を作製した。
この場合の７８０ｎｍにおける表面反射率は６５％であ
り、また、感光層と支持体との接着性は充分ではなく、
１０日間の放置において、感光層の一部に剥離が発生し
た。
り、また、感光層と支持体との接着性は充分ではなく、
１０日間の放置において、感光層の一部に剥離が発生し
た。
発明の効果
本発明の電子写真感光体は、支持体上に光反射防止層と
して陽極酸化アルミニウム皮膜よりなる層を有し、その
上に感光層が設けられたものであるから、レーザービー
ムプリンターに適用した場合に、干渉縞模様の発生を防
止し、良好な画質の画像を得ることができる。
して陽極酸化アルミニウム皮膜よりなる層を有し、その
上に感光層が設けられたものであるから、レーザービー
ムプリンターに適用した場合に、干渉縞模様の発生を防
止し、良好な画質の画像を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の模式的断面図である。
■・・・支持体、２・・・陽極酸化アルミニウム皮膜、
３・・・感光層。
３・・・感光層。
Claims (2)
- （１）支持体と、該支持体上に設けられた陽極酸化アル
ミニウム皮膜からなる光反射防止層と、該光反射防止層
の上に設けられた感光層とを具備することを特徴とする
電子写真感光体。 - （２）少なくとも表面がアルミニウム又はアルミニウム
合金よりなる支持体を、ホウ酸、ホウ酸塩、リン酸塩１
〜３０重量％を含む中性水溶液、又は、硫酸、リン酸、
シュウ酸又はクロム酸１〜３０重量％を含む酸性水溶液
中に浸漬し、陽極酸化を行うことにより該支持体上に陽
極酸化アルミニウム皮膜からなる光反射防止層を形成し
、次いで、該多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の上に感
光層を形成することを特徴とする電子写真用感光体の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246499A JPH03109569A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| US07/584,610 US5162185A (en) | 1989-09-25 | 1990-09-19 | Electrophotographic photoreceptor and process for producing the same |
| KR1019900015108A KR910006783A (ko) | 1989-09-25 | 1990-09-24 | 광전 그래픽 수광체 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246499A JPH03109569A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109569A true JPH03109569A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17149307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246499A Pending JPH03109569A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5162185A (ja) |
| JP (1) | JPH03109569A (ja) |
| KR (1) | KR910006783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04174860A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体用基体およびその製造方法 |
| JP2007022604A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Kurashiki Kako Co Ltd | 防振パレット |
Families Citing this family (5)
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| JPH0519515A (ja) * | 1990-12-21 | 1993-01-29 | Mita Ind Co Ltd | 高感度な感光体 |
| JP2619171B2 (ja) * | 1992-01-14 | 1997-06-11 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電子写真用有機感光体及びその下地処理方法 |
| US6400916B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Process cartridge and electrophotographic apparatus |
| TW200625034A (en) * | 2005-01-05 | 2006-07-16 | Sinonar Corp | Undercoating layer for photoconductors and forming method thereof and photoconductors |
| JP6503992B2 (ja) * | 2015-09-09 | 2019-04-24 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 単層型電子写真感光体及びその製造方法 |
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| JPS61200546A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-05 | Showa Alum Corp | 電子写真用感光体の下地処理方法 |
| JPS6479754A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method for treating surface of substrate of electrophotographic sensitive body |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4369242A (en) * | 1980-09-25 | 1983-01-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Non-porous and porous Al2 O3 barrier zones in layered electrophotographic device |
| US4403026A (en) * | 1980-10-14 | 1983-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having an electrically insulating oxide layer |
| JPS57104938A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS59158A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| DE3619432A1 (de) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Komatsu Mfg Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines elektrophotographischen photosensors |
| DE3627758A1 (de) * | 1986-08-16 | 1988-02-18 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung elektrophotographischer aufzeichnungselemente |
| US4800144A (en) * | 1986-11-04 | 1989-01-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laminated type photosensitive member for electrophotography comprising a substrate of aluminate |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1246499A patent/JPH03109569A/ja active Pending
-
1990
- 1990-09-19 US US07/584,610 patent/US5162185A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-24 KR KR1019900015108A patent/KR910006783A/ko not_active Ceased
Patent Citations (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5162185A (en) | 1992-11-10 |
| KR910006783A (ko) | 1991-04-30 |
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