JPH0297016A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0297016A JPH0297016A JP24926688A JP24926688A JPH0297016A JP H0297016 A JPH0297016 A JP H0297016A JP 24926688 A JP24926688 A JP 24926688A JP 24926688 A JP24926688 A JP 24926688A JP H0297016 A JPH0297016 A JP H0297016A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
一般に、半導体装置においてアルミニウム配線を行う場
合、アルミニウム配線マスクには、コンタクト窓との重
ね合わせ時のずれによる不純物拡散領域の露出を防ぐた
めの余裕を持たせている。
合、アルミニウム配線マスクには、コンタクト窓との重
ね合わせ時のずれによる不純物拡散領域の露出を防ぐた
めの余裕を持たせている。
以下、第３図（８３〜（ｅｌに基づき半導体基板上にア
ルミニウム配線を施す場合の従来の製造方法について説
明する。まず、半導体基板１１の表面に不純物拡散領域
１２を形成した後、その上に絶縁膜１３を形成する。次
に、ドライエツチングにより、第３図（ｂ）に示すよう
に、不純物拡散領域１２上にコンタクト窓１４を形成す
る。次に、第３図（ｅｌに示すように、この上にアルミ
ニウム膜１５をヌパツタ蒸着により形成した後、余裕を
持たせるように、コンタクト窓１４より大きい開口を有
するーアルミニウム配線用マスク１６を形成する。そし
て、次に露光・現像が行なわれ、その後ドライエツチン
グによって第３ 図（ｄ）で示すようにアルミニウム配
線パターン１７が形成されていた。なお、第４図に、ア
ルミニウム配線パターン完成後の平面図を示す。
ルミニウム配線を施す場合の従来の製造方法について説
明する。まず、半導体基板１１の表面に不純物拡散領域
１２を形成した後、その上に絶縁膜１３を形成する。次
に、ドライエツチングにより、第３図（ｂ）に示すよう
に、不純物拡散領域１２上にコンタクト窓１４を形成す
る。次に、第３図（ｅｌに示すように、この上にアルミ
ニウム膜１５をヌパツタ蒸着により形成した後、余裕を
持たせるように、コンタクト窓１４より大きい開口を有
するーアルミニウム配線用マスク１６を形成する。そし
て、次に露光・現像が行なわれ、その後ドライエツチン
グによって第３ 図（ｄ）で示すようにアルミニウム配
線パターン１７が形成されていた。なお、第４図に、ア
ルミニウム配線パターン完成後の平面図を示す。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の製造方法では、コンタクト窓
に対するアルミニウム配線マスクの余裕が、すなわち開
口部の大きさが集積回路の微細化を妨げるものとして問
題となってきている。また、コンタクト窓においては、
アルミニウム配線が落ち込んでいるため、その段差も微
細化に対する問題点となってきている。
に対するアルミニウム配線マスクの余裕が、すなわち開
口部の大きさが集積回路の微細化を妨げるものとして問
題となってきている。また、コンタクト窓においては、
アルミニウム配線が落ち込んでいるため、その段差も微
細化に対する問題点となってきている。
本発明はと記問題点を解決するもので、コンタクト窓に
対する配線用マスクの余裕をなくし、さらに配線の段差
を緩和させることのできる半導体装置の製造方法を提供
するものである。
対する配線用マスクの余裕をなくし、さらに配線の段差
を緩和させることのできる半導体装置の製造方法を提供
するものである。
課題を解決するための手段
上記の課題を解決するための本発明の半導体装置の製造
方法は、不純物拡散領域が形成された半導体基板上に第
１絶縁膜を形成し、次にこの第１絶縁膜に、上記不純物
拡散領域に重なるようにコンタクト窓を形成し、次にこ
の上に第２絶縁膜を形成し、次にこの第２絶縁膜に、エ
ツチングにより、上記コンタクト窓内の不純物拡散領域
の一部に接続する配線用溝を形成し、次にこの配線用溝
内に導電性材料を充填して配線パターンを形成する方法
である。
方法は、不純物拡散領域が形成された半導体基板上に第
１絶縁膜を形成し、次にこの第１絶縁膜に、上記不純物
拡散領域に重なるようにコンタクト窓を形成し、次にこ
の上に第２絶縁膜を形成し、次にこの第２絶縁膜に、エ
ツチングにより、上記コンタクト窓内の不純物拡散領域
の一部に接続する配線用溝を形成し、次にこの配線用溝
内に導電性材料を充填して配線パターンを形成する方法
である。
作用
この半導体装置の製造方法によれば、コンタクト窓に対
する配線用マスクの余裕を必要とせず、さらに配線は溝
内に形成されるためその段差を緩和することができる。
する配線用マスクの余裕を必要とせず、さらに配線は溝
内に形成されるためその段差を緩和することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図（ＩＬ）〜＜ｒ＞は本発明の実施例における半導
体装置の製造工程を示すものである。まず、第１図（＆
）に示すように、Ｐ型シリコン基板（半導体基板）１に
ｎ型不純物拡散層（不純物拡散領域）２を形成した後、
この上に厚さ６００ｎｍ程度の第１シリコン酸化膜（第
１絶縁膜）３を成長させる。次に、第１図（ｂ）に示す
ように、ｎ型不純物拡散層２上のシリコン酸化膜３に、
コンタクト窓４をフォトレジストをマスクとしたドライ
エツチングにより形成する。次に、この上に、第１図（
（１）に示すように、第２シリコン酸化膜（第２絶縁膜
）５を厚さ６００ｎｍ程度に成長させた後、この上にネ
ガレジストによるアルミニウム配線用マスク６を形成す
る。この場合、アルミニウム配線は抜きパターンとなり
、木ガレシストの形状は逆テーパ形状にする。第１図（
ｅ）はアルミニウム配線パターンがコンタクト窓に対し
てずれている状態を示している。次に、第１図（ｄ）に
示すように、異方性ドライエツチングを用いて第２シリ
コン酸化膜６をエツチングし、少なくともコンタクト窓
４の一部分を開口させて所定形状のアルミニウム配線用
パターンｎ７が形成される。また、第１シリコン酸化膜
３の側壁には第２シリコン酸化膜５ａが残ることになる
。次に、第１図（ｅ］に示すように、導電性材料である
アル主ニウム膜８を第２シリコン酸化膜５のドライエツ
チングで形成したアルミニウム配線用パターン溝７の深
さと同程度の膜厚で異方性スパッタ蒸着する。この時配
線用マスク６は逆テーパ形状のたへその側面にアルミニ
ウム膜８は蒸着されない。次に、第１図（ｆ）に示すよ
うに、配線用マスク６を除去し、同時に配線用マスク６
の上面のアルミニウム膜８も除去する。
体装置の製造工程を示すものである。まず、第１図（＆
）に示すように、Ｐ型シリコン基板（半導体基板）１に
ｎ型不純物拡散層（不純物拡散領域）２を形成した後、
この上に厚さ６００ｎｍ程度の第１シリコン酸化膜（第
１絶縁膜）３を成長させる。次に、第１図（ｂ）に示す
ように、ｎ型不純物拡散層２上のシリコン酸化膜３に、
コンタクト窓４をフォトレジストをマスクとしたドライ
エツチングにより形成する。次に、この上に、第１図（
（１）に示すように、第２シリコン酸化膜（第２絶縁膜
）５を厚さ６００ｎｍ程度に成長させた後、この上にネ
ガレジストによるアルミニウム配線用マスク６を形成す
る。この場合、アルミニウム配線は抜きパターンとなり
、木ガレシストの形状は逆テーパ形状にする。第１図（
ｅ）はアルミニウム配線パターンがコンタクト窓に対し
てずれている状態を示している。次に、第１図（ｄ）に
示すように、異方性ドライエツチングを用いて第２シリ
コン酸化膜６をエツチングし、少なくともコンタクト窓
４の一部分を開口させて所定形状のアルミニウム配線用
パターンｎ７が形成される。また、第１シリコン酸化膜
３の側壁には第２シリコン酸化膜５ａが残ることになる
。次に、第１図（ｅ］に示すように、導電性材料である
アル主ニウム膜８を第２シリコン酸化膜５のドライエツ
チングで形成したアルミニウム配線用パターン溝７の深
さと同程度の膜厚で異方性スパッタ蒸着する。この時配
線用マスク６は逆テーパ形状のたへその側面にアルミニ
ウム膜８は蒸着されない。次に、第１図（ｆ）に示すよ
うに、配線用マスク６を除去し、同時に配線用マスク６
の上面のアルミニウム膜８も除去する。
このようにして製造された半導体装置では、第２図（第
１図（ｆ）の一部切欠平面図）に示すように、アルミニ
ウム膜８すなわちアルミニウム配線は、コンタクト窓４
の一部分しか覆っておらず、従来のように全体以上に覆
うような余裕は持っていない。またアルミニウム配線は
パターン溝７内に形成されるためその段差部も少ない。
１図（ｆ）の一部切欠平面図）に示すように、アルミニ
ウム膜８すなわちアルミニウム配線は、コンタクト窓４
の一部分しか覆っておらず、従来のように全体以上に覆
うような余裕は持っていない。またアルミニウム配線は
パターン溝７内に形成されるためその段差部も少ない。
なお、アルミニウム膜８が覆っていないコンタクト窓４
内の不純物拡散層２は第２シリコン酸化膜５によって覆
われている。
内の不純物拡散層２は第２シリコン酸化膜５によって覆
われている。
発明の効果
以とのように本発明の半導体装置の製造方法によれば、
半導体基板に形成した不純物領域上のコンタクト窓に対
して配線用マスクに余裕を設ける必要がないばかりでな
く、マヌク重ね合わせがずれてもコンタクト窓内の不純
物領域が露出しない。
半導体基板に形成した不純物領域上のコンタクト窓に対
して配線用マスクに余裕を設ける必要がないばかりでな
く、マヌク重ね合わせがずれてもコンタクト窓内の不純
物領域が露出しない。
さらに、配線は絶縁膜の溝の中に形成されるため、配線
自体の段差を緩和することができる。
自体の段差を緩和することができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を示す工程図
、第２図は同半導体装置の一部切欠平面図、第３図（＆
）〜（ｄ）は従来例を示す工程図、第４図は従来例の半
導体装置の平面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・不純物拡散層、３・・
・第１シリコン酸化膜、４・・・コンタクト窓、５・・
・第２シリコン酸化膜、６・・・配線用マスク、７・・
・配線用パターン溝、８・・・アルミニウム膜。
、第２図は同半導体装置の一部切欠平面図、第３図（＆
）〜（ｄ）は従来例を示す工程図、第４図は従来例の半
導体装置の平面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・不純物拡散層、３・・
・第１シリコン酸化膜、４・・・コンタクト窓、５・・
・第２シリコン酸化膜、６・・・配線用マスク、７・・
・配線用パターン溝、８・・・アルミニウム膜。
Claims (1)
- １、不純物拡散領域が形成された半導体基板上に第１絶
縁膜を形成し、次にこの第１絶縁膜に、上記不純物拡散
領域に重なるようにコンタクト窓を形成し、次にこの上
に第２絶縁膜を形成し、次にこの第２絶縁膜に、エッチ
ングにより、上記コンタクト窓内の不純物拡散領域の一
部に接続する配線用溝を形成し、次にこの配線用溝内に
導電性材料を充填して配線パターンを形成する半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926688A JPH0297016A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926688A JPH0297016A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297016A true JPH0297016A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=17190408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24926688A Pending JPH0297016A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0297016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162259A (en) * | 1991-02-04 | 1992-11-10 | Motorola, Inc. | Method for forming a buried contact in a semiconductor device |
-
1988
- 1988-10-03 JP JP24926688A patent/JPH0297016A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162259A (en) * | 1991-02-04 | 1992-11-10 | Motorola, Inc. | Method for forming a buried contact in a semiconductor device |
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