JPH029757A - 高誘電率セラミックス組成物 - Google Patents
高誘電率セラミックス組成物Info
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- JPH029757A JPH029757A JP63158438A JP15843888A JPH029757A JP H029757 A JPH029757 A JP H029757A JP 63158438 A JP63158438 A JP 63158438A JP 15843888 A JP15843888 A JP 15843888A JP H029757 A JPH029757 A JP H029757A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コンデンサ材料として有用な耐還元性の良い
高誘電率セラミックス組成物に関する。
高誘電率セラミックス組成物に関する。
従来の技術
鉛系複合ペロブスカイト、例えば、
Pb(Mg+z□W+z2)Oz−PbTi03の焼結
体は、バイアス特性、高誘電特性などが優れているため
、コンデンサ材料として利用されている。
体は、バイアス特性、高誘電特性などが優れているため
、コンデンサ材料として利用されている。
ところで、この鉛系複合へロブスカイトを用いて電子部
品を製造するには、通常セラミックス素材と電極との一
体焼成が行われるが、この場合の電極材料としては醇化
を防止するために、白金、パラジウムのような貴金属を
用いることが必要であり、コスト高になるのを免れない
。このような貴金属電極の使用によるコスト高を避ける
ために、安価な銀−パラジウム合金を代用することが提
案されているが、このものを用いると比抵抗が著しく上
昇し、高周波特性その他の電気特性が低下する上、銀の
配合割合を多くするとマイグレーションの原因になり信
頼性が損なわれるという欠点を生じる。
品を製造するには、通常セラミックス素材と電極との一
体焼成が行われるが、この場合の電極材料としては醇化
を防止するために、白金、パラジウムのような貴金属を
用いることが必要であり、コスト高になるのを免れない
。このような貴金属電極の使用によるコスト高を避ける
ために、安価な銀−パラジウム合金を代用することが提
案されているが、このものを用いると比抵抗が著しく上
昇し、高周波特性その他の電気特性が低下する上、銀の
配合割合を多くするとマイグレーションの原因になり信
頼性が損なわれるという欠点を生じる。
他方、電極材料としてニッケルや銅のような卑金属を用
いる試みもなさ九でいる。この場合にはニッケルや銅が
焼成に際して酸化されるのを防ぐために、低酸素分圧雰
囲気中で焼成することが必要であるが、鉛系複合ペロブ
スカイトを低酸素分圧雰囲気中で焼成すると格子中の酸
素が失われ、その結果、過剰の電子を生じてn型半導体
となり抵抗値が低下するのを免れない。
いる試みもなさ九でいる。この場合にはニッケルや銅が
焼成に際して酸化されるのを防ぐために、低酸素分圧雰
囲気中で焼成することが必要であるが、鉛系複合ペロブ
スカイトを低酸素分圧雰囲気中で焼成すると格子中の酸
素が失われ、その結果、過剰の電子を生じてn型半導体
となり抵抗値が低下するのを免れない。
このような欠点を克服するため、鉛系複合ペロブスカイ
トの結晶格子中のAサイトに位置するPbの−・部にC
aを導入して、半導体化を抑制したものが提案されてい
る(特開昭62−87455号公報)。
トの結晶格子中のAサイトに位置するPbの−・部にC
aを導入して、半導体化を抑制したものが提案されてい
る(特開昭62−87455号公報)。
発明が解決しようとする課題
従来の耐還元性鉛系複合ペロブスカイト焼結体は、結晶
格子のAサイトの2価のpb環原子一部にさらに2価の
Ca原子を導入し、Aサイト元素の総量をBサイト元素
の総量より過剰にすることで酸素原子の放出に起因して
発生した電子を捕捉するものであるが、このCa原子の
導入のために新しい成分、例えばCaOを添加しなけれ
ばならない。しかし、この場合Aサイトに位置するpb
環原子新たに導入されるCa原子とはイオン半径が異な
るため、置換しにくい上に、CaOの添加量が増加する
とともに誘電率が低下するという好ましくない傾向があ
る。
格子のAサイトの2価のpb環原子一部にさらに2価の
Ca原子を導入し、Aサイト元素の総量をBサイト元素
の総量より過剰にすることで酸素原子の放出に起因して
発生した電子を捕捉するものであるが、このCa原子の
導入のために新しい成分、例えばCaOを添加しなけれ
ばならない。しかし、この場合Aサイトに位置するpb
環原子新たに導入されるCa原子とはイオン半径が異な
るため、置換しにくい上に、CaOの添加量が増加する
とともに誘電率が低下するという好ましくない傾向があ
る。
本発明は、このようなAサイトの成分を置換する代りに
、Bサイトの成分であるMgとWあるいはTiの中のW
、Tiの一部をMgで置換することにより、Aサイトの
成分の置換と同等の電子捕捉効果を発生させるとともに
、異種成分の導入及び置換される金属間のイすン半径の
差異に起因するトラブルを克服しようとするものである
。
、Bサイトの成分であるMgとWあるいはTiの中のW
、Tiの一部をMgで置換することにより、Aサイトの
成分の置換と同等の電子捕捉効果を発生させるとともに
、異種成分の導入及び置換される金属間のイすン半径の
差異に起因するトラブルを克服しようとするものである
。
X[を解決するための手段
本発明者らは、鉛系複合ペロブスカイトの耐還元性を改
良するために鋭意研究を重ねた結果、1’bO、MgO
、WO3,TiO□及びM口02を所定の割合で混合し
、非酸化性雰囲気中で焼成して、 −数式 %式% で表わされる組成において、 0.95≦a≦1.2 0.505≦b≦1.0 0、18≦X≦0.65 x+y+=1 の条件を満たす焼結体を形成させることによりその目的
を達成しうろことを見出し、本発明をなすに至った。
良するために鋭意研究を重ねた結果、1’bO、MgO
、WO3,TiO□及びM口02を所定の割合で混合し
、非酸化性雰囲気中で焼成して、 −数式 %式% で表わされる組成において、 0.95≦a≦1.2 0.505≦b≦1.0 0、18≦X≦0.65 x+y+=1 の条件を満たす焼結体を形成させることによりその目的
を達成しうろことを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、−数式
%式%()
(式中のa、b、x、yは前記と同じ意味をもつ)
で表わされる高誘電率セラミックス組成物を提供するも
のである。
のである。
本発明のセラミックス組成物の中で、特に好適なものは
、−数式 %式%() (式中のbは0.505≦b≦1.0の範囲の数である
) で表わされるセラミックス組成物である。
、−数式 %式%() (式中のbは0.505≦b≦1.0の範囲の数である
) で表わされるセラミックス組成物である。
本発明のセラミックス組成物においては、Bサイト成分
中の6価のW原子あるいは4僅のTi原子の一部が2価
のMgN子に置き換わり、その原子価の差によって、焼
成中に酸素の放出によって生じる過剰分の電子が捕捉さ
れ、n型半導体化が抑制されているものと考えられる。
中の6価のW原子あるいは4僅のTi原子の一部が2価
のMgN子に置き換わり、その原子価の差によって、焼
成中に酸素の放出によって生じる過剰分の電子が捕捉さ
れ、n型半導体化が抑制されているものと考えられる。
前記−数式(1)において、その組成物中のAサイト成
分のpb環原子0.95未満あるいは1.20よりも多
くなると鉛系複合ペロブスカイトの結晶構造が不完全に
なる。
分のpb環原子0.95未満あるいは1.20よりも多
くなると鉛系複合ペロブスカイトの結晶構造が不完全に
なる。
また、Bサイト成分中のMg原子が0.505以下では
耐還元性が1qられないし、1.0よりも多くなると誘
電率が低下する。
耐還元性が1qられないし、1.0よりも多くなると誘
電率が低下する。
前記−数式(I)のセラミックス組成物はPbO、Mg
O,1f03.TiO2及びMn0□あるいは焼成によ
りこれらの酸化物を生成しうる化合物を、最終的に所望
の組成に相当する原子割合で混合して仮焼し、この仮焼
物を粉砕後所望の形状に成形し、非酸化性雰囲気中で焼
成することにより製造される。この際の非酸化性雰囲気
として窒素、アルゴンのような不活性雰囲気又は−酸化
炭素、水素のような還元性雰囲気が用いられ、酸素分圧
は10−4〜1o−12気圧、好ましくは10〜6〜1
O−IQ気圧にするのがよい。焼成温度としては、70
0〜1300℃、好ましくは800〜1000℃の範囲
が用いられる。
O,1f03.TiO2及びMn0□あるいは焼成によ
りこれらの酸化物を生成しうる化合物を、最終的に所望
の組成に相当する原子割合で混合して仮焼し、この仮焼
物を粉砕後所望の形状に成形し、非酸化性雰囲気中で焼
成することにより製造される。この際の非酸化性雰囲気
として窒素、アルゴンのような不活性雰囲気又は−酸化
炭素、水素のような還元性雰囲気が用いられ、酸素分圧
は10−4〜1o−12気圧、好ましくは10〜6〜1
O−IQ気圧にするのがよい。焼成温度としては、70
0〜1300℃、好ましくは800〜1000℃の範囲
が用いられる。
このようにして得られた本発明のセラミックス組成物は
、銅が酸化されない条件、例えば970℃、酸素分圧1
0−7気圧という条件で焼成したものについても10I
2ΩCII+以上という高い比抵抗値を示す。
、銅が酸化されない条件、例えば970℃、酸素分圧1
0−7気圧という条件で焼成したものについても10I
2ΩCII+以上という高い比抵抗値を示す。
次に、本発明のセラミックス組成物を用いて、積層コン
デンサを製造するには、例えば原料粉末にバインダーと
溶剤を加えてスラリーとし、15μm程度のシートに成
形し、銅電極ペーストを印刷後積層し切断する。次いで
、熱処理によりバインダーを除去したのち、酸素分圧を
制御して焼成した。焼成体に外部電極として市販の銅ペ
ーストを塗布し窒素中で焼付け、また外部電極を同時焼
成することも可能である。
デンサを製造するには、例えば原料粉末にバインダーと
溶剤を加えてスラリーとし、15μm程度のシートに成
形し、銅電極ペーストを印刷後積層し切断する。次いで
、熱処理によりバインダーを除去したのち、酸素分圧を
制御して焼成した。焼成体に外部電極として市販の銅ペ
ーストを塗布し窒素中で焼付け、また外部電極を同時焼
成することも可能である。
発明の効果
本発明の鉛系複合ペロブスカイトセラミックス組成物は
低酸素分圧雰囲気下で焼成しても高抵抗値を保つことが
できることから、卑金属電極の使用が可能となり、低コ
スト化が計れる上、従来のチタン酸バリウム−ニッケル
系コンデンサに比べ、同一容量でも小形となり、バイア
ス特性も優れ、ざらにまた焼成温度も低下するので、銅
のような比抵抗の小さい電極の使用も可能となり、高周
波特性が向上するのみでなく、焼成コストも低下すると
いう顕著な効果を奏する。
低酸素分圧雰囲気下で焼成しても高抵抗値を保つことが
できることから、卑金属電極の使用が可能となり、低コ
スト化が計れる上、従来のチタン酸バリウム−ニッケル
系コンデンサに比べ、同一容量でも小形となり、バイア
ス特性も優れ、ざらにまた焼成温度も低下するので、銅
のような比抵抗の小さい電極の使用も可能となり、高周
波特性が向上するのみでなく、焼成コストも低下すると
いう顕著な効果を奏する。
本発明の鉛系複合ペロブスカイトセラミックス組成物は
コンデンサ材料として有用である。
コンデンサ材料として有用である。
実施例
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
高純度のPbO、MgO、NO3’ 、TiO2,Mn
O2を所定量秤量し、ジルコニアボールを用い純水を溶
媒としてボールミルで15時時間式混合し、吸引ろ通接
乾燥したのち、800℃で2時間仮焼した。得られた仮
焼物を粗砕し、ジルコニアボールを用い純水を溶媒とし
てボールミルで15時間粉砕したのち、吸引ろ通接乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回繰り返し、原料粉
末とした。この粉末にバインダーとしてのポリビニルア
ルコール6重量%水溶液を粉体量の6重量%加え、32
メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力1000kg
/ cra2で乾式プレスにより成形した。この成形物
は空気中700℃で2時間加熱しバインダーをバーンア
ウト(焼却)した後、電気炉によりco−co2混合ガ
スを流して酸素分圧が1.0X10−’気圧になるよう
に調節しながら、970℃まで400℃/hrで昇温し
2時間保持した後、400℃/hrで降温して鉛系複合
ペロブスカイトセラミックス組成物を得た。
O2を所定量秤量し、ジルコニアボールを用い純水を溶
媒としてボールミルで15時時間式混合し、吸引ろ通接
乾燥したのち、800℃で2時間仮焼した。得られた仮
焼物を粗砕し、ジルコニアボールを用い純水を溶媒とし
てボールミルで15時間粉砕したのち、吸引ろ通接乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回繰り返し、原料粉
末とした。この粉末にバインダーとしてのポリビニルア
ルコール6重量%水溶液を粉体量の6重量%加え、32
メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力1000kg
/ cra2で乾式プレスにより成形した。この成形物
は空気中700℃で2時間加熱しバインダーをバーンア
ウト(焼却)した後、電気炉によりco−co2混合ガ
スを流して酸素分圧が1.0X10−’気圧になるよう
に調節しながら、970℃まで400℃/hrで昇温し
2時間保持した後、400℃/hrで降温して鉛系複合
ペロブスカイトセラミックス組成物を得た。
次の第1表に該組成物の成分の割合(a、b。
x、 yは
Pba (’gb”l/2LTiyOa+ (b+3/
21 x+2yと表わし・たときの値〕、抵抗率、比誘
電率を示した。
21 x+2yと表わし・たときの値〕、抵抗率、比誘
電率を示した。
なお第1表中*印を付したものはこの発明(1)の範囲
外のものである。
外のものである。
第
表
Claims (2)
- (1)一般式 Pb_a(Mg_bW_1_/_2)_xTi_yO_
a_+_(_b_+_3_/_2_)_x_+_2_y
(式中0.95≦a≦1.2 0.505≦b≦1.0 0.18≦x≦0.65 かつx+y=1) で表わされることを特徴とする高誘電率セラミックス組
成物。 - (2)請求項1の組成物に対し、MnO_2をモル比で
0.001≦MnO_2≦0.02 の範囲含有することを特徴とする高誘電率セラミックス
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158438A JPH029757A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 高誘電率セラミックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158438A JPH029757A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 高誘電率セラミックス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029757A true JPH029757A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15671771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158438A Pending JPH029757A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 高誘電率セラミックス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5788876A (en) * | 1994-11-30 | 1998-08-04 | U.S. Philips Corporation | Complex substituted lanthanum-lead-zirconium-titanium perovskite, ceramic composition and actuator |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63158438A patent/JPH029757A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5788876A (en) * | 1994-11-30 | 1998-08-04 | U.S. Philips Corporation | Complex substituted lanthanum-lead-zirconium-titanium perovskite, ceramic composition and actuator |
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