JPH0785460B2 - 積層型磁器コンデンサ - Google Patents
積層型磁器コンデンサInfo
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- JPH0785460B2 JPH0785460B2 JP61098761A JP9876186A JPH0785460B2 JP H0785460 B2 JPH0785460 B2 JP H0785460B2 JP 61098761 A JP61098761 A JP 61098761A JP 9876186 A JP9876186 A JP 9876186A JP H0785460 B2 JPH0785460 B2 JP H0785460B2
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- dielectric
- nickel
- mgo
- mol
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はニッケル内部電極を有する積層型磁器コンデン
サに関する。
サに関する。
従来、一般に積層型磁器コンデンサは表面に内部電極が
塗付されたシート状のBaTiO3を主成分とする誘電体を複
数枚積層するとともに各シートの内部電極を交互に並列
に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結一体化す
ることにより形成されている。このような積層型磁器コ
ンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴い電子部
品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使用され
るようになってきている。
塗付されたシート状のBaTiO3を主成分とする誘電体を複
数枚積層するとともに各シートの内部電極を交互に並列
に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結一体化す
ることにより形成されている。このような積層型磁器コ
ンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴い電子部
品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使用され
るようになってきている。
しかしながら、この従来のBaTiO3を主成分とする誘電体
材料は1250℃〜1350℃の高温で焼成する必要があり、こ
の材料を積層型磁器コンデンサの誘導体として使用した
場合、内部電極は前記誘電体の焼成温度にて溶融するこ
となく、かつ酸化することがない高価な貴金属であるパ
ラジウム（融点1555℃）またはその合金が使用され、特
に静電容量が大きいものでは内部電極数が大となってコ
スト高となり、前記、従来の積層型磁器コンデンサは容
量効率が高く、その他誘電的特性に優れ且つ高信頼性に
あるにも拘わらず価格面がその進展に大きな傷害となっ
ていた。
材料は1250℃〜1350℃の高温で焼成する必要があり、こ
の材料を積層型磁器コンデンサの誘導体として使用した
場合、内部電極は前記誘電体の焼成温度にて溶融するこ
となく、かつ酸化することがない高価な貴金属であるパ
ラジウム（融点1555℃）またはその合金が使用され、特
に静電容量が大きいものでは内部電極数が大となってコ
スト高となり、前記、従来の積層型磁器コンデンサは容
量効率が高く、その他誘電的特性に優れ且つ高信頼性に
あるにも拘わらず価格面がその進展に大きな傷害となっ
ていた。
そこで、上記従来の積層型磁器コンデンサの高価となる
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケルを使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部電極として使用す
ると、チタン酸バリウム（BaTiO3）等から成る誘導体と
卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記卑金属が酸化
することなく金属膜として焼結する条件はNi/NiOの平衡
酸素分圧が1300℃において約３×10-7atmであるから、
それ以下の酸素分圧でなければならずこの場合チタン酸
バリウムまたはその固溶体からなる誘電体は、一般に前
記の酸素分圧下では還元されてしまって絶縁性を失い、
その結果積層型磁器コンデンサとしての実用的な誘電体
特性が得られなくなるという欠点を有していた。
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケルを使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部電極として使用す
ると、チタン酸バリウム（BaTiO3）等から成る誘導体と
卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記卑金属が酸化
することなく金属膜として焼結する条件はNi/NiOの平衡
酸素分圧が1300℃において約３×10-7atmであるから、
それ以下の酸素分圧でなければならずこの場合チタン酸
バリウムまたはその固溶体からなる誘電体は、一般に前
記の酸素分圧下では還元されてしまって絶縁性を失い、
その結果積層型磁器コンデンサとしての実用的な誘電体
特性が得られなくなるという欠点を有していた。
また一方、ニッケルなどの内部電極を有する積層型磁器
コンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物
として、チタン酸バリウム固溶体（Ba,Ca,Sr）TiO3にお
いて塩基性酸化物である（Ba,Ca,Sr）Ｏを酸性酸化物で
あるTiO2に対して化学量論比より過剰とし、ニッケルな
どの卑金属を内部電極として使用できる非還元性誘電体
磁器組成物が例えば特公昭57−42588号公報等において
提案されている。
コンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物
として、チタン酸バリウム固溶体（Ba,Ca,Sr）TiO3にお
いて塩基性酸化物である（Ba,Ca,Sr）Ｏを酸性酸化物で
あるTiO2に対して化学量論比より過剰とし、ニッケルな
どの卑金属を内部電極として使用できる非還元性誘電体
磁器組成物が例えば特公昭57−42588号公報等において
提案されている。
これは一般に、ABO3型結晶においては、酸素八面体（ペ
ロブスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対し
て、Ｂイオンより大きい酸素に対して12配位をとるＡイ
オンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が酸素
原子を強く引きつけ、還元され難いことが知られてお
り、前記公報に記載された発明は、この化学量論比のず
れに立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものであ
る。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組
成物は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下
するという欠点を有していた。
ロブスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対し
て、Ｂイオンより大きい酸素に対して12配位をとるＡイ
オンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が酸素
原子を強く引きつけ、還元され難いことが知られてお
り、前記公報に記載された発明は、この化学量論比のず
れに立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものであ
る。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組
成物は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下
するという欠点を有していた。
また誘電率の温度変化率が小さい高誘電率系誘電体磁器
組成物としてBaTiO3にスズ酸ビスマス〔Bi2（Sn
O3）３〕、ジルコニウム酸ビスマス〔Bi2（ZrO3）３〕
などのビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッケ
ル（NiZrO3）やジルコニウム酸マグネシウム（MgZrO3）
を添加したものがある。これはビスマス系化合物あるい
はジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウ
ムの強いデプレッサー効果によりBaTiO3のキュリー点近
傍での誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率
を小さくさせたものである。しかしながら、ニッケルな
どの卑金属を内部電極とし、BaTiO3にビスマス系化合物
あるいはジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグ
ネシウムを添加した誘電体を前記Ni/NiOの平衡酸素分圧
以下で同時焼成する場合、前記誘電体は還元されてしま
って絶縁性を失い、その結果、満足な誘電体特性が得ら
れなくなるという欠点を有していた。
組成物としてBaTiO3にスズ酸ビスマス〔Bi2（Sn
O3）３〕、ジルコニウム酸ビスマス〔Bi2（ZrO3）３〕
などのビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッケ
ル（NiZrO3）やジルコニウム酸マグネシウム（MgZrO3）
を添加したものがある。これはビスマス系化合物あるい
はジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウ
ムの強いデプレッサー効果によりBaTiO3のキュリー点近
傍での誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率
を小さくさせたものである。しかしながら、ニッケルな
どの卑金属を内部電極とし、BaTiO3にビスマス系化合物
あるいはジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグ
ネシウムを添加した誘電体を前記Ni/NiOの平衡酸素分圧
以下で同時焼成する場合、前記誘電体は還元されてしま
って絶縁性を失い、その結果、満足な誘電体特性が得ら
れなくなるという欠点を有していた。
更に、前記Ni/NiOの平衡酸素分圧付近で焼成しても誘電
体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい非還元
性高誘電率系誘電体磁器組成物としてBaTiO3−MnO−MgO
系組成物が特開昭57−71866号公報において提案されて
いる。
体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい非還元
性高誘電率系誘電体磁器組成物としてBaTiO3−MnO−MgO
系組成物が特開昭57−71866号公報において提案されて
いる。
これはMnO及びMgOがBaTiO3の還元を抑制する作用をな
し、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても誘導体は還元さ
れず、充分な絶縁性を有し、更にMgOは前記ビスマス系
化合物と同様のデプレッサー効果を有していることから
誘電率の温度変化率を小さくしたものである。しかしな
がら、前記公報に記載された誘電体磁器組成物は誘電率
それ自体が低く、MgO添加量を増してE.I.A.規格（Elect
−ronic Industries Association Standard）の誘電率
の温度変化率（但し、−55℃〜＋125℃の範囲で＋25℃
を基準とする）を±15％以内にすると誘電率が2200以下
と更に低くなり、実用的な誘電体特性が得られなくなる
という欠点を有していた。
し、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても誘導体は還元さ
れず、充分な絶縁性を有し、更にMgOは前記ビスマス系
化合物と同様のデプレッサー効果を有していることから
誘電率の温度変化率を小さくしたものである。しかしな
がら、前記公報に記載された誘電体磁器組成物は誘電率
それ自体が低く、MgO添加量を増してE.I.A.規格（Elect
−ronic Industries Association Standard）の誘電率
の温度変化率（但し、−55℃〜＋125℃の範囲で＋25℃
を基準とする）を±15％以内にすると誘電率が2200以下
と更に低くなり、実用的な誘電体特性が得られなくなる
という欠点を有していた。
本発明は上記問題点を解決することを主たる目的とする
ものであって、詳しくはニッケルを内部電極とし、誘電
率が高く、電気絶縁性に優れ、誘電正接が小さく、且つ
広い温度範囲にわたって誘電率の温度変化率が小さい極
めて経済性に優れた積層型磁器コンデンサを提供するこ
とを目的とする。
ものであって、詳しくはニッケルを内部電極とし、誘電
率が高く、電気絶縁性に優れ、誘電正接が小さく、且つ
広い温度範囲にわたって誘電率の温度変化率が小さい極
めて経済性に優れた積層型磁器コンデンサを提供するこ
とを目的とする。
本発明によれば、誘電体としてその組成式が （１−ｘ−ｙ−ｚ）BaTiO3＋xCaZrO3＋yMnO＋zMgO 但し 0.003≦ｘ≦0.023 0.005≦ｙ≦0.030 0.010≦ｚ≦0.080 で示される主成分に対し、添加剤としてY2O3を上記MgO
に対する割合として第１図の下記A,B,C,D,E MgO（モル％） Y2O3（モル％） Ａ 8.00 2.00 Ｂ 5.00 0.25 Ｃ 1.00 0.25 Ｄ 1.00 1.00 Ｅ 6.00 2.50 の各点で囲まれる範囲内で添加したものを用いて、該誘
電体中に内部電極としてニッケルを用いることによっ
て、上記目的を達成することができる。
に対する割合として第１図の下記A,B,C,D,E MgO（モル％） Y2O3（モル％） Ａ 8.00 2.00 Ｂ 5.00 0.25 Ｃ 1.00 0.25 Ｄ 1.00 1.00 Ｅ 6.00 2.50 の各点で囲まれる範囲内で添加したものを用いて、該誘
電体中に内部電極としてニッケルを用いることによっ
て、上記目的を達成することができる。
なお、第１図は、本発明において用いられる誘電体中の
MgOとY2O3の組成範囲を示す二元系図であってMgO（モル
％）は主成分全体に対するモル分率、Y2O3（モル％）は
主成分と添加剤との合量に対するモル分率で示したもの
である。
MgOとY2O3の組成範囲を示す二元系図であってMgO（モル
％）は主成分全体に対するモル分率、Y2O3（モル％）は
主成分と添加剤との合量に対するモル分率で示したもの
である。
第２図は本発明の積層型磁器コンデンサの断面図であ
る。
る。
本発明は積層型磁器コンデンサは第２図に示す如く、誘
電体１中にニッケルから成る複数の内部電極２が形成さ
れている。内部電極２は両端に形成された外部電極３に
交互に接続される。
電体１中にニッケルから成る複数の内部電極２が形成さ
れている。内部電極２は両端に形成された外部電極３に
交互に接続される。
本発明によれば、誘電体として、非還元性に優れた誘電
体を用い特に前述した通りBaTiO3,CaZrO3,MnO,MgOを特
定比で配合してなる主成分に添加剤としてY2O3を特定比
で配合したものを用いる。この誘電体は希土類元素酸化
物であるY2O3をBaTiO3,CaZrO3,MgO,MnOに対し、同時添
加することによって、前記ビスマス系化合物あるいはジ
ルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムと
同様のデプレッサ効果が得られ、BaTiO3のキュリー点近
傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の温度変化を小
さくするとともに、絶縁抵抗の向上に有効に作用するも
のである。
体を用い特に前述した通りBaTiO3,CaZrO3,MnO,MgOを特
定比で配合してなる主成分に添加剤としてY2O3を特定比
で配合したものを用いる。この誘電体は希土類元素酸化
物であるY2O3をBaTiO3,CaZrO3,MgO,MnOに対し、同時添
加することによって、前記ビスマス系化合物あるいはジ
ルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムと
同様のデプレッサ効果が得られ、BaTiO3のキュリー点近
傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の温度変化を小
さくするとともに、絶縁抵抗の向上に有効に作用するも
のである。
また、内部電極としてニッケルを用いた場合のNi/NiOの
1250℃乃至1350℃における平衡酸素分圧である３×10
-10乃至３×10-8atmの雰囲気で焼成する際に生ずる酸素
欠陥によって誘電体内に形成されるドナー準位電子をMn
OおよびMgOを添加することによってアクセプタ準位で再
結合せしめることができ、それによって誘電体磁器の半
導体化が抑制され、高い絶縁性を保持することができ
る。
1250℃乃至1350℃における平衡酸素分圧である３×10
-10乃至３×10-8atmの雰囲気で焼成する際に生ずる酸素
欠陥によって誘電体内に形成されるドナー準位電子をMn
OおよびMgOを添加することによってアクセプタ準位で再
結合せしめることができ、それによって誘電体磁器の半
導体化が抑制され、高い絶縁性を保持することができ
る。
よって磁器コンデンサとしては比誘電率、絶縁抵抗が高
く、誘電正接（tanδ）が小さく、誘電率や静電容量の
温度変化に対し変動が小さいコンデンサが得られる。
く、誘電正接（tanδ）が小さく、誘電率や静電容量の
温度変化に対し変動が小さいコンデンサが得られる。
本発明の磁器コンデンサの製造について説明する。誘電
体の製造に際しては、まず出発原料としてはBaCO3,CaCO
3,TiO2,ZrO2の粉末を用いて、BaTiO3及びCaZrO3を合成
する。BaTiO3はBaCO3,TiO2から1150℃の温度にて、また
CaZrO3はCaCO3,ZrO2から1220℃の温度にていずれも固相
反応によって合成される。合成したBaTiO3,CaZrO3を粉
砕した後、MnCO3,MgCO3及びY2O3を添加し、スラリーを
調製する。得られたスラリーから、公知の成形手段、例
えばドクターブレード法、カレンダーロール法等によっ
てフィルム（シート）状に成形する。
体の製造に際しては、まず出発原料としてはBaCO3,CaCO
3,TiO2,ZrO2の粉末を用いて、BaTiO3及びCaZrO3を合成
する。BaTiO3はBaCO3,TiO2から1150℃の温度にて、また
CaZrO3はCaCO3,ZrO2から1220℃の温度にていずれも固相
反応によって合成される。合成したBaTiO3,CaZrO3を粉
砕した後、MnCO3,MgCO3及びY2O3を添加し、スラリーを
調製する。得られたスラリーから、公知の成形手段、例
えばドクターブレード法、カレンダーロール法等によっ
てフィルム（シート）状に成形する。
このシート上に平均粒径1.5μｍ以下のニッケル微粉末
を含むニッケルペーストを印刷手段、例えばスクリーン
印刷法によってニッケル内部電極を印刷する。その後、
印刷されたシートを複数枚積層し、還元性雰囲気で焼成
を行う。焼成条件は1250℃乃至1350℃の焼成温度で且つ
雰囲気中の酸素分圧が３×10-10乃至３×10-8atmである
ことが望ましい。
を含むニッケルペーストを印刷手段、例えばスクリーン
印刷法によってニッケル内部電極を印刷する。その後、
印刷されたシートを複数枚積層し、還元性雰囲気で焼成
を行う。焼成条件は1250℃乃至1350℃の焼成温度で且つ
雰囲気中の酸素分圧が３×10-10乃至３×10-8atmである
ことが望ましい。
最終的な製品は、上記のようにして得られた焼結体の両
端部に外部電極形成用ペーストを塗布し、700乃至850℃
の還元雰囲気、特に酸素分圧10-16乃至10-10atmの雰囲
気で焼成することによって得られる。外部電極の材質と
しては、銀、銀−パラジウム、ニッケル、銅、銅−ニッ
ケル等が挙げられるが本発明では内部電極との接着性の
点からニッケル、銅あるいは銅−ニッケルが望ましい。
端部に外部電極形成用ペーストを塗布し、700乃至850℃
の還元雰囲気、特に酸素分圧10-16乃至10-10atmの雰囲
気で焼成することによって得られる。外部電極の材質と
しては、銀、銀−パラジウム、ニッケル、銅、銅−ニッ
ケル等が挙げられるが本発明では内部電極との接着性の
点からニッケル、銅あるいは銅−ニッケルが望ましい。
なお、本製造方法によれば、シート積層後焼成する前に
有機バインダーを除去することを目的として250乃至500
℃の低い温度で大気中で熱処理を行うことが望ましい。
有機バインダーを除去することを目的として250乃至500
℃の低い温度で大気中で熱処理を行うことが望ましい。
本発明を次の例で説明する。
（試料の作成） 出発原料としてBaCO3,CaCO3,TiO2,ZrO2を用いBaTiO3及
びCaZrO3を1150℃および1220℃にて固相反応により合成
するとともに微粉砕した。次に合成したBaTiO3,CaZrO3
に対し、MnCO3,MgCO3およびY2O3をそれぞれ誘電体とし
て第１表の割合となる様に秤量し、ボールミルにて分散
剤、分散媒とともに混合して原料スラリーを調製した。
びCaZrO3を1150℃および1220℃にて固相反応により合成
するとともに微粉砕した。次に合成したBaTiO3,CaZrO3
に対し、MnCO3,MgCO3およびY2O3をそれぞれ誘電体とし
て第１表の割合となる様に秤量し、ボールミルにて分散
剤、分散媒とともに混合して原料スラリーを調製した。
得られたスラリーに可塑剤、有機バインダーを加え充分
に撹拌、真空脱泡した後、ドクターブレード法にてフィ
ルム状に成形した。このシート上に平均粒径0.7μｍの
ニッケル微粉末と有機結合剤と溶剤から成るニッケルペ
ーストを所定の製版を用いてスクリーン印刷法により電
極を印刷した。
に撹拌、真空脱泡した後、ドクターブレード法にてフィ
ルム状に成形した。このシート上に平均粒径0.7μｍの
ニッケル微粉末と有機結合剤と溶剤から成るニッケルペ
ーストを所定の製版を用いてスクリーン印刷法により電
極を印刷した。
同様にして電極を印刷した21枚のシートを重ね、その上
下に電極を印刷しないシートを重ねた後、その上にグリ
ット状にカーボンペーストを印刷した切断用ガイドシー
トを重ね、熱圧着後、縦約3.6mm、横約1.8mmに切断し、
20層からなるチップ型の試料を得た。
下に電極を印刷しないシートを重ねた後、その上にグリ
ット状にカーボンペーストを印刷した切断用ガイドシー
トを重ね、熱圧着後、縦約3.6mm、横約1.8mmに切断し、
20層からなるチップ型の試料を得た。
この試料を300℃にて２時間熱処理したのち、キャリア
ガスをN2として酸素分圧３×10-10乃至３×10-8atmに制
御し、1250℃乃至1350℃にて２時間焼成した。得られた
焼結体の両端に、ニッケル銅ペーストを塗布し、乾燥
後、キャリアガスをN2として酸素分圧約１×10-15atmに
制御し、800℃にて10時間焼成して外部接続用電極を焼
付けた。
ガスをN2として酸素分圧３×10-10乃至３×10-8atmに制
御し、1250℃乃至1350℃にて２時間焼成した。得られた
焼結体の両端に、ニッケル銅ペーストを塗布し、乾燥
後、キャリアガスをN2として酸素分圧約１×10-15atmに
制御し、800℃にて10時間焼成して外部接続用電極を焼
付けた。
（試料の測定方法） 得られた試料を室温にて48時間放置した後、周波数1.0K
Hz、入力信号レベル1.0Vrmsにて静電容量および誘電正
接を測定した。その後、直流電圧50Vを１分間印加し、
その時の絶縁抵抗を測定した。また−55℃から125℃の
温度範囲において上記の方法と同様にして静電容量を測
定し、＋25℃の静電容量に対する−55℃，−10℃，＋95
℃，＋125℃における変化率を算出した。
Hz、入力信号レベル1.0Vrmsにて静電容量および誘電正
接を測定した。その後、直流電圧50Vを１分間印加し、
その時の絶縁抵抗を測定した。また−55℃から125℃の
温度範囲において上記の方法と同様にして静電容量を測
定し、＋25℃の静電容量に対する−55℃，−10℃，＋95
℃，＋125℃における変化率を算出した。
測定結果を第１表に示す。なお、第１表中の絶縁抵抗は
静電容量Ｃ（μＦ）と絶縁抵抗Ｒ（ＭΩ）との積Ｃ×Ｒ
（ＭΩ・μＦ）で表した。
静電容量Ｃ（μＦ）と絶縁抵抗Ｒ（ＭΩ）との積Ｃ×Ｒ
（ＭΩ・μＦ）で表した。
第１表から明らかなようにMgOが１モル％より小さいNo.
1はCRが低く、Y2O3が０であるNo.2,9,21はCRが低く、−
55℃での温度変化が大きい。また、MgO6モル％でY2O3が
0.75モル％であるNo.26も同様である。
1はCRが低く、Y2O3が０であるNo.2,9,21はCRが低く、−
55℃での温度変化が大きい。また、MgO6モル％でY2O3が
0.75モル％であるNo.26も同様である。
一方、Y2O3が1.25モル％、MgO1.0モル％のNo.6では＋95
℃での温度変化が大きい。またMgOが３モル％、Y2O32.0
モル％のNo.13およびMgO5モル％,Y2O32.5モル％では焼
結困難であった。さらにMnOが0.5モル％未満であるNo.1
6,31ではCRが低く、MnOが3.0モル％を越えるNo.20,35で
はCRが低く、No.35では静電容量も低い。
℃での温度変化が大きい。またMgOが３モル％、Y2O32.0
モル％のNo.13およびMgO5モル％,Y2O32.5モル％では焼
結困難であった。さらにMnOが0.5モル％未満であるNo.1
6,31ではCRが低く、MnOが3.0モル％を越えるNo.20,35で
はCRが低く、No.35では静電容量も低い。
Y2O3が３モル％であるNo.30は静電容量が低く、MgOが8.
5モル％であるNo.38でも静電容量が低く、−55℃の温度
変化が大きい。
5モル％であるNo.38でも静電容量が低く、−55℃の温度
変化が大きい。
また、CaZrO3が０であるNo.7はCRが低く、−55℃の温度
特性も悪く、−2.5モル％であるNo.15では＋95℃での温
度特性が悪い。
特性も悪く、−2.5モル％であるNo.15では＋95℃での温
度特性が悪い。
これらの比較例に対し、その他の本発明の試料はいずれ
も優れた特性を示し、静電容量40μＦ以上（誘電率2200
以上に相当）、誘電正接2.5％以下、絶縁抵抗1000MΩ以
上であり、且つ、温度変化（−55℃乃至＋125℃）±15
％以内が達成された。
も優れた特性を示し、静電容量40μＦ以上（誘電率2200
以上に相当）、誘電正接2.5％以下、絶縁抵抗1000MΩ以
上であり、且つ、温度変化（−55℃乃至＋125℃）±15
％以内が達成された。
以上、詳述した通り、本発明によれば、ニッケルを内部
電極とし、誘電体としてBaTiO3,CaZrO3,MnOおよびMgOを
特定比で配合して成る主成分に対しY2O3を特定比で添加
することによって、静電容量40μＦ以上、絶縁抵抗1000
MΩ以上、静電正接2.5％以下および温度変化（−55℃乃
至＋125℃）±15％以内という優れた特性を有し、しか
も経済性に優れた積層型磁器コンデンサを得ることがで
きる。
電極とし、誘電体としてBaTiO3,CaZrO3,MnOおよびMgOを
特定比で配合して成る主成分に対しY2O3を特定比で添加
することによって、静電容量40μＦ以上、絶縁抵抗1000
MΩ以上、静電正接2.5％以下および温度変化（−55℃乃
至＋125℃）±15％以内という優れた特性を有し、しか
も経済性に優れた積層型磁器コンデンサを得ることがで
きる。
第１図は本発明において用いられる誘電体中のMgOとY2O
3の組成範囲を示す二元系図であり、第２図は本発明の
積層型磁器コンデンサの断面図である。 １……誘電体 ２……内部電極 ３……外部電極
3の組成範囲を示す二元系図であり、第２図は本発明の
積層型磁器コンデンサの断面図である。 １……誘電体 ２……内部電極 ３……外部電極
Claims (1)
- 【請求項１】組成式が （１−ｘ−ｙ−ｚ）BaTiO3＋xCaZrO3＋yMnO＋zMgO 但し 0.003≦ｘ≦0.023 0.005≦ｙ≦0.030 0.010≦ｚ≦0.080 で示される主成分に、上記MgOに対して、添加剤としてY
2O3を第１図において、下記A,B,C,D,Eの各点で囲まれた
範囲内の組成を満足するように含有して成る誘導体中
に、ニッケルから成る内部電極を有することを特徴とす
る積層型磁器コンデンサ。 MgO（モル％） Y2O3（モル％） Ａ 8.00 2.00 Ｂ 5.00 0.25 Ｃ 1.00 0.25 Ｄ 1.00 1.00 Ｅ 6.00 2.50
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098761A JPH0785460B2 (ja) | 1986-04-29 | 1986-04-29 | 積層型磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098761A JPH0785460B2 (ja) | 1986-04-29 | 1986-04-29 | 積層型磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256422A JPS62256422A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0785460B2 true JPH0785460B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=14228401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61098761A Expired - Lifetime JPH0785460B2 (ja) | 1986-04-29 | 1986-04-29 | 積層型磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785460B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10872725B2 (en) | 2017-12-19 | 2020-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ceramic dielectric, method of manufacturing the same, ceramic electronic component, and electronic device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100192563B1 (ko) * | 1995-01-12 | 1999-06-15 | 무라따 야스따까 | 모놀리식 세라믹 커패시터 |
| JP2998639B2 (ja) * | 1996-06-20 | 2000-01-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3282520B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2002-05-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2001006966A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP3918372B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2007-05-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ |
| JP2002164247A (ja) | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ |
| JP4721576B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製法 |
| WO2008093684A1 (ja) | 2007-01-29 | 2008-08-07 | Kyocera Corporation | 誘電体磁器およびコンデンサ |
| US9236185B1 (en) | 2014-11-03 | 2016-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| JP6686676B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-04-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143515A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | ニチコン株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
| JPS6119005A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
-
1986
- 1986-04-29 JP JP61098761A patent/JPH0785460B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10872725B2 (en) | 2017-12-19 | 2020-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ceramic dielectric, method of manufacturing the same, ceramic electronic component, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62256422A (ja) | 1987-11-09 |
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