JPH029783A - 石英ガラスるつぼ - Google Patents
石英ガラスるつぼInfo
- Publication number
- JPH029783A JPH029783A JP15960788A JP15960788A JPH029783A JP H029783 A JPH029783 A JP H029783A JP 15960788 A JP15960788 A JP 15960788A JP 15960788 A JP15960788 A JP 15960788A JP H029783 A JPH029783 A JP H029783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- cristobalite
- single crystal
- sol
- quartz glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン単結晶引上げ用の石英ガラスるつぼ
に関し、特に、シリコンウェハーの製造に好適な単結晶
引上げ用石英ガラスるつぼに関するものである。
に関し、特に、シリコンウェハーの製造に好適な単結晶
引上げ用石英ガラスるつぼに関するものである。
従来、石英ガラスるつぼの製造は、通常、内側にるつぼ
状凹型を備えた回転する水冷シリンダーを用い、その中
にいれたガラス粉末をｍｒ ％溶融法、特に、アーク溶
融により遠心成形する方法が広く採用されている。
状凹型を備えた回転する水冷シリンダーを用い、その中
にいれたガラス粉末をｍｒ ％溶融法、特に、アーク溶
融により遠心成形する方法が広く採用されている。
シリコン単結晶の引上げは２通常、約１ｓｏｏ℃付近の
高温で行われるので、そのような高い温度条件下では１
石英ガラスるつぼの大きな変形が生じ、単結晶の歩留ま
りが低下するという不都合があった。そのため、高温に
おける粘性の高い天然石英ガラス（水晶）が上記不都合
を軽減する材料として使用されてきた。しかし、天然の
水晶には、通常。
高温で行われるので、そのような高い温度条件下では１
石英ガラスるつぼの大きな変形が生じ、単結晶の歩留ま
りが低下するという不都合があった。そのため、高温に
おける粘性の高い天然石英ガラス（水晶）が上記不都合
を軽減する材料として使用されてきた。しかし、天然の
水晶には、通常。
例えば、アルミニウム（２０ｐｐｍ） ＊鉄（１ｐｐｍ
） ＋ナトリウム（２ｐｐＨ） ｙカリウム（２ｐｐｓ
＋） ｒ銅（０，０５ｐｐ＋＊）等の金属化合物や、は
う素（０，０３ｐｐＩ１１） 、 りん（０，０３ｐｐ
ｉｎ）等の各種の不純物類が含ま九、これらの不純物類
はシリコン融液に溶出するので、シリコン単結晶に微小
欠陥を発生させるばかりでなく、それらの溶出によって
、はう素やりんのドープを定量的に行うことができない
。このため、シリコン単結晶引上げ用るつぼとして必ず
しも満足し得るものではなかった。
） ＋ナトリウム（２ｐｐＨ） ｙカリウム（２ｐｐｓ
＋） ｒ銅（０，０５ｐｐ＋＊）等の金属化合物や、は
う素（０，０３ｐｐＩ１１） 、 りん（０，０３ｐｐ
ｉｎ）等の各種の不純物類が含ま九、これらの不純物類
はシリコン融液に溶出するので、シリコン単結晶に微小
欠陥を発生させるばかりでなく、それらの溶出によって
、はう素やりんのドープを定量的に行うことができない
。このため、シリコン単結晶引上げ用るつぼとして必ず
しも満足し得るものではなかった。
一方、合成石英ガラスはＯＨ基を３００〜１２００ｐｐ
ｍ含有しているため、純度は高いが高温での粘性が低い
ので、シリコン単結晶の引上げ時に、るつぼとしての形
を保ち難く、またシリコン融液との反応性に富み、溶出
してシリコンインゴット中の酸素濃度を増加させ、また
、るつぼに穴があくという致命的な欠陥があった。
ｍ含有しているため、純度は高いが高温での粘性が低い
ので、シリコン単結晶の引上げ時に、るつぼとしての形
を保ち難く、またシリコン融液との反応性に富み、溶出
してシリコンインゴット中の酸素濃度を増加させ、また
、るつぼに穴があくという致命的な欠陥があった。
かかる実状に立脚して、天然石英ガラスのるつぼの内面
に合成石英ガラスの層をライニングさせたるつぼが提案
された（特公昭５ｇ−５０９５５号公報）。
に合成石英ガラスの層をライニングさせたるつぼが提案
された（特公昭５ｇ−５０９５５号公報）。
しかし、その合成石英ガラス層は、四塩化けい素を加水
分解した粉を溶融したもので、ＯＨ含量が多く、高温で
の粘性が低いこと、また外側石英ガラスからの不純物拡
散があり、依然としてシリコン単結晶の引上げ用るつぼ
として満足し得るものではない。
分解した粉を溶融したもので、ＯＨ含量が多く、高温で
の粘性が低いこと、また外側石英ガラスからの不純物拡
散があり、依然としてシリコン単結晶の引上げ用るつぼ
として満足し得るものではない。
更に、合成石英ガラスのＯＨａ度を低下させたものを試
みた。ゾル−ゲル法によってできた乾燥ゲルをハロゲン
で処理することでＯＨ値をｐｐｍ以下にし、溶融したる
つぼを試作して使用したところ、変形、０２溶出は天然
石英より悪かった。これより本発明者らは、高粘性の石
英ガラスを得るためには、結晶に近い構造をガラス中に
残存させること（いわゆるクリストバライトを経由する
）が、ＯｔＩ値を低減させることと同時に満たすべき条
件であることを発見した。この高粘性化は、るつぼが大
口径化の傾向にある実情から非常に重要な特性である。
みた。ゾル−ゲル法によってできた乾燥ゲルをハロゲン
で処理することでＯＨ値をｐｐｍ以下にし、溶融したる
つぼを試作して使用したところ、変形、０２溶出は天然
石英より悪かった。これより本発明者らは、高粘性の石
英ガラスを得るためには、結晶に近い構造をガラス中に
残存させること（いわゆるクリストバライトを経由する
）が、ＯｔＩ値を低減させることと同時に満たすべき条
件であることを発見した。この高粘性化は、るつぼが大
口径化の傾向にある実情から非常に重要な特性である。
このようなシリコン単結晶の引上げ用るつぼの実状に鑑
み、本発明者らは、上記譜欠点を解消する方法として、
ゲル状シリカを加熱脱水した時に結晶の変態が起こり、
α−グリス］−パライトに変化すること、その変態時に
ＯＨ基の除去を伴うことを発見し、これを石英ガラスる
つぼの原料として用いることを考案した。
み、本発明者らは、上記譜欠点を解消する方法として、
ゲル状シリカを加熱脱水した時に結晶の変態が起こり、
α−グリス］−パライトに変化すること、その変態時に
ＯＨ基の除去を伴うことを発見し、これを石英ガラスる
つぼの原料として用いることを考案した。
すなわち、本発明の技術的課題ないし目的は、特に、シ
リコン単結晶の引上げにおける高温領域で適切な高粘性
を有し、しかもＯＨ基が少ないために実質的にシリコン
と反応しない高純度の石英ガラスるつぼを提供すること
にある。
リコン単結晶の引上げにおける高温領域で適切な高粘性
を有し、しかもＯＨ基が少ないために実質的にシリコン
と反応しない高純度の石英ガラスるつぼを提供すること
にある。
本発明者らは、上記目的を達成するために、研究を重ね
た結果、金属アルコキシドを通常知られたゾル−ゲル法
によってゲル状シリカにし、これを更に加熱溶融して形
成された α−クリストバライトを含むガラス粉を少な
くとも内面層に有するるつぼが、上記技術的課題を効果
的に解消し得る実用的に極めて望ましいるつぼを提供す
ることを見出した。
た結果、金属アルコキシドを通常知られたゾル−ゲル法
によってゲル状シリカにし、これを更に加熱溶融して形
成された α−クリストバライトを含むガラス粉を少な
くとも内面層に有するるつぼが、上記技術的課題を効果
的に解消し得る実用的に極めて望ましいるつぼを提供す
ることを見出した。
すなわち１本発明は、ゾル−ゲル法による合成シリカよ
り作成した α−クリストバライトを含むガラス粉を溶
融形成させて成るシリコン単結晶引上げ用石英ガラスる
つぼを提供する。
り作成した α−クリストバライトを含むガラス粉を溶
融形成させて成るシリコン単結晶引上げ用石英ガラスる
つぼを提供する。
また１本発明は、金属アルコキシドよりゾル−ゲル法に
よりゲル状シリカを得、これを加熱してあらかじめα−
クリストバライトを少なくとも一部形成させ、その粉末
をアーク溶融法により回転式成形型の内表面部で溶融さ
せるか、ゾル状シリカを回転式成形型表面にキャスティ
ングし、これを加熱して溶融形成させるシリコン単結晶
弓１上げ用石英ガラスるつぼの効果的製造方法を提供す
る。
よりゲル状シリカを得、これを加熱してあらかじめα−
クリストバライトを少なくとも一部形成させ、その粉末
をアーク溶融法により回転式成形型の内表面部で溶融さ
せるか、ゾル状シリカを回転式成形型表面にキャスティ
ングし、これを加熱して溶融形成させるシリコン単結晶
弓１上げ用石英ガラスるつぼの効果的製造方法を提供す
る。
本発明のるつぼは、上記のように、α−クリストバライ
トを含むガラス粉の溶融成形層で構成させて成るもので
ある。
トを含むガラス粉の溶融成形層で構成させて成るもので
ある。
本発明のるつぼに用いられるα−クリストバライトを含
むガラス粉は１例えば、ｙｏｇｙｏ ｋｙｏｋａｉ ｓ
ｈｉ、、８７−８．１９７９ （ｙａｍａｎｅら）に開
示された方法によって製造される合成シリカゾルが好都
合に利用でき、これを加熱、溶融して容易に作ることが
できる。
むガラス粉は１例えば、ｙｏｇｙｏ ｋｙｏｋａｉ ｓ
ｈｉ、、８７−８．１９７９ （ｙａｍａｎｅら）に開
示された方法によって製造される合成シリカゾルが好都
合に利用でき、これを加熱、溶融して容易に作ることが
できる。
本発明のるつぼは、例えば１次のようにして製造される
。
。
まず、金かアルコキシドを出発原料として従来公知のゾ
ル−ゲル法によりゲル状シリカを合成し。
ル−ゲル法によりゲル状シリカを合成し。
これを８００〜１６００℃程度の温度に加熱、結晶化さ
せてクリストバライトを形成する。この温度は、結晶化
の速度及びコストから１１００−１４００℃でおこなう
ことが好ましい。これを粉砕して適度の粉粒度に調整す
る６次いで、その粉末をるつぼ形成用回転式水冷シリン
ダーの型内に導入し、該シリンダーを回転させながらア
ーク溶融させる方法により容易に製造することができる
。この回転溶融成形においては１通常、最外層部まで溶
融させないで、型から取り出されたるつぼの外側の粉を
取り除き、上部をカットして所望形状のるつぼとして提
供される、また、シリカゾル液を、るつぼ形成用回転式
水冷シリンダーの型の内表面にキャスティングし、その
シリンダーを回転させながらゾル液をゲル化させ、乾燥
した後ゆっくり昇温させて、例えば、８００〜１６００
℃の温度でα−クリストバライトを形成させ、のちにガ
ラス化以上の温度、例えば、 ２０００℃で溶融するこ
とによっても効果的に製造することができる。
せてクリストバライトを形成する。この温度は、結晶化
の速度及びコストから１１００−１４００℃でおこなう
ことが好ましい。これを粉砕して適度の粉粒度に調整す
る６次いで、その粉末をるつぼ形成用回転式水冷シリン
ダーの型内に導入し、該シリンダーを回転させながらア
ーク溶融させる方法により容易に製造することができる
。この回転溶融成形においては１通常、最外層部まで溶
融させないで、型から取り出されたるつぼの外側の粉を
取り除き、上部をカットして所望形状のるつぼとして提
供される、また、シリカゾル液を、るつぼ形成用回転式
水冷シリンダーの型の内表面にキャスティングし、その
シリンダーを回転させながらゾル液をゲル化させ、乾燥
した後ゆっくり昇温させて、例えば、８００〜１６００
℃の温度でα−クリストバライトを形成させ、のちにガ
ラス化以上の温度、例えば、 ２０００℃で溶融するこ
とによっても効果的に製造することができる。
α−クリストバライトを含むガラス粉を溶融してなる合
成石英ガラスるつぼが、高温時に高粘性を有する理由は
明らかではないが、該ゾルからのアモルファス状のゲル
状シリカを加熱、脱水させるとき、クリストバライトに
変化して結晶の変態が生じ、その際のＯＨ基含有濃度の
減少が高温時の粘性と密接に関連すること、及びその濃
度減少に応じて粘性が高くなる傾向を、有することが判
った。また、そのＯＨ基濃度は、約１１００ｐｐを超え
ると高温時の粘性が低く、シリコンｊｌｉ結晶の引上げ
用るつぼとして適当ではないことも判った。従って１本
発明におけるα−クリストバライトを含むガラス粉は、
実質的に約１１００ｐｐ以下のＯＨ基濃度の結晶化物で
あることが好ましい。この場合、α−クリストバライト
量は、８０重斌％となる。
成石英ガラスるつぼが、高温時に高粘性を有する理由は
明らかではないが、該ゾルからのアモルファス状のゲル
状シリカを加熱、脱水させるとき、クリストバライトに
変化して結晶の変態が生じ、その際のＯＨ基含有濃度の
減少が高温時の粘性と密接に関連すること、及びその濃
度減少に応じて粘性が高くなる傾向を、有することが判
った。また、そのＯＨ基濃度は、約１１００ｐｐを超え
ると高温時の粘性が低く、シリコンｊｌｉ結晶の引上げ
用るつぼとして適当ではないことも判った。従って１本
発明におけるα−クリストバライトを含むガラス粉は、
実質的に約１１００ｐｐ以下のＯＨ基濃度の結晶化物で
あることが好ましい。この場合、α−クリストバライト
量は、８０重斌％となる。
本発明の石英ガラスるつぼは、高純度α−クリストバラ
イトを含むガラス粉を溶融形成したもので、シリコン融
液への溶出が実質的になく、また。
イトを含むガラス粉を溶融形成したもので、シリコン融
液への溶出が実質的になく、また。
るつぼ自体の高温時の粘性が高いので大口径のシリコン
インゴットを引き上げる時のるつぼの変形が少なく自動
制御が容易で、単結晶の小止りが向上する。更に、るつ
ぼ内面層の特異性に関連し５て、引きしげられるシリコ
ン単結晶に対する悪影響は実質的になく、微小欠陥の発
生も極めて少ない。
インゴットを引き上げる時のるつぼの変形が少なく自動
制御が容易で、単結晶の小止りが向上する。更に、るつ
ぼ内面層の特異性に関連し５て、引きしげられるシリコ
ン単結晶に対する悪影響は実質的になく、微小欠陥の発
生も極めて少ない。
次に、具体例により１本発明を更に詳細に説明する。
実施例 １
前記ｙｏｇｙｏ ｋｙｏｋａｉ ｓｈｉ、、８７−８．
１９７９に記載の方法でゲル状シリカを調製し、１２０
℃の温度で２４時間乾燥後、温度１３００℃で３時間加
熱処理して結晶化α−クリストバライト含有ガラス粉を
得た。
１９７９に記載の方法でゲル状シリカを調製し、１２０
℃の温度で２４時間乾燥後、温度１３００℃で３時間加
熱処理して結晶化α−クリストバライト含有ガラス粉を
得た。
得られた結晶のＯ）Ｉ基濃度はｌ０ＰＰ！＋（結晶の割
合は９５重量％）であった。これを粉砕して５０＃〜８
０＃に粒度を調整した。このクリストバライトの含有不
純物を分析した結果は、 Ａ Ｑ ： ０．１ｐｐ−以
下、Ｆｅ：０、ｌｐｐｍ以下、 Ｎａ ： ０．１ｐｐ
ｉ＋以下、 Ｋ ： ０．ｌｐｐｍ以下。
合は９５重量％）であった。これを粉砕して５０＃〜８
０＃に粒度を調整した。このクリストバライトの含有不
純物を分析した結果は、 Ａ Ｑ ： ０．１ｐｐ−以
下、Ｆｅ：０、ｌｐｐｍ以下、 Ｎａ ： ０．１ｐｐ
ｉ＋以下、 Ｋ ： ０．ｌｐｐｍ以下。
Ｂ ： ０．０ＩＰＰＲ１以下、 Ｐ ： ０．０１ｐ
ｐｍ以下であった。
ｐｍ以下であった。
この粉体を回転式水冷シリンダーに詰め、回転条件下に
三相アークで溶融させた。溶融成形して得られたるつぼ
は、外径４５８０１１１ 、肉厚８ｍ＋ｏ及び高さ４６
０ｍｍであった。これを高さ３８０ｍｍで切断してシリ
コン単結晶引き上げ用るつぼとして使用し、ノンドープ
で６インチの単結晶を引き上げた。単結晶から得られた
シリコンウェハーの特性値（０２１度、Ｃ温度及び電気
抵抗）を測定し、後記第１表に示した。
三相アークで溶融させた。溶融成形して得られたるつぼ
は、外径４５８０１１１ 、肉厚８ｍ＋ｏ及び高さ４６
０ｍｍであった。これを高さ３８０ｍｍで切断してシリ
コン単結晶引き上げ用るつぼとして使用し、ノンドープ
で６インチの単結晶を引き上げた。単結晶から得られた
シリコンウェハーの特性値（０２１度、Ｃ温度及び電気
抵抗）を測定し、後記第１表に示した。
なお、るつぼ自体のＯＨ基濃度及び高温粘性値は、上記
の切断された部分を使い、赤外線吸収スペクトル及びＦ
ｉｂｅｒ ｅｌｏｎｇａｔｉｏｎ法で測定したもので、
それらの結果を第１表に併記した。
の切断された部分を使い、赤外線吸収スペクトル及びＦ
ｉｂｅｒ ｅｌｏｎｇａｔｉｏｎ法で測定したもので、
それらの結果を第１表に併記した。
実施例２．比較例 １〜２
実施例１で調製し、乾燥したゲル状シリカを用いて、高
温での結晶化の加熱処理における温度と時間を変えた三
種の結晶化α−クリストバライト含有ガラス粉を作り、
それぞれの粒度調製粉末を用いて、同様にるつぼを作成
した。
温での結晶化の加熱処理における温度と時間を変えた三
種の結晶化α−クリストバライト含有ガラス粉を作り、
それぞれの粒度調製粉末を用いて、同様にるつぼを作成
した。
それぞれの加熱処理時間は、 １３００℃×５０分（実
施例２）、 １３００℃×１０分（比較例 １）及び１
０００℃ＸｔＯ分（比較例２）である。
施例２）、 １３００℃×１０分（比較例 １）及び１
０００℃ＸｔＯ分（比較例２）である。
各るつぼ自体の特性、及びそれを使用して引き上げられ
たシリコン単結晶から得られたシリコンウェハーの特性
は第１表の通りである。
たシリコン単結晶から得られたシリコンウェハーの特性
は第１表の通りである。
なお、シリコンウェハーの特性の測定は、それぞれ次の
装置による。
装置による。
Ｏｘ ６度（原子／ａｊ）：ＦＴ−ＩＲＯ濃度（原子／
ａ＋？） ： Ｆ Ｔ−Ｉ Ｒ抵抗値（Ω・ａｎ）：４
端針抵抗計 比較例３ 天然水晶を粉砕、浮遊選鉱、酸洗浄を行った粉末を水冷
回転シリンダーに詰め、三相アークで溶融して同様にる
つぼを製造した。このるつぼに含まれる不純物の分析値
は、次の通りであった。
ａ＋？） ： Ｆ Ｔ−Ｉ Ｒ抵抗値（Ω・ａｎ）：４
端針抵抗計 比較例３ 天然水晶を粉砕、浮遊選鉱、酸洗浄を行った粉末を水冷
回転シリンダーに詰め、三相アークで溶融して同様にる
つぼを製造した。このるつぼに含まれる不純物の分析値
は、次の通りであった。
Ａ１．！ ： １８ｐｐｍ、 Ｆｅ： ２ｐｐｍ、 Ｎ
ａ： １．８ｐｐＨｌ、 Ｋ ： １．２ｐｐ＋＋＋、
［３： ０．Ｏ５ｐｐｍ、 Ｐ ： ０．０４ｐｐｌ
＋＋比較例４ 四塩化けい素を火炎分解し、径２００ ｗ＋φ及び長さ
４００ｍのインゴットを成形した８その中心に、径３０
晴φの穴をあけ、高周波溶融して径４６０＋ｎｍφ。
ａ： １．８ｐｐＨｌ、 Ｋ ： １．２ｐｐ＋＋＋、
［３： ０．Ｏ５ｐｐｍ、 Ｐ ： ０．０４ｐｐｌ
＋＋比較例４ 四塩化けい素を火炎分解し、径２００ ｗ＋φ及び長さ
４００ｍのインゴットを成形した８その中心に、径３０
晴φの穴をあけ、高周波溶融して径４６０＋ｎｍφ。
肉厚５１１１１１のパイプを成形した。そのパイプの一
端を酸水素バーナーで封じ、球状に成形してるつぼを作
った。このるつぼは、含有不純物の少ない実施例１と実
質的に同程度のものであった。
端を酸水素バーナーで封じ、球状に成形してるつぼを作
った。このるつぼは、含有不純物の少ない実施例１と実
質的に同程度のものであった。
上記比較例１及び２のるつぼについても同様の測定を行
い、それらの結果を第１表にまとめて示すと共に、上記
各側のるつぼにおける単結晶引上げ評価を付記した。
い、それらの結果を第１表にまとめて示すと共に、上記
各側のるつぼにおける単結晶引上げ評価を付記した。
第 １ 表
−るコＶ狩独−シリコンウェハ士二
例Ｎｏ、 Ｏ！（５度粘性値 Ｏａ度 Ｃ濃度 抵抗値
結晶引上（ｐｐｌＩｌ） Ｃ拳１）（ａｔｏｌ］ｌ
／ａ＋？） （同左）（Ω・個）げ評価実施例１１２ 比較例１３１０ １２．５ ８ＸＩ０１′ ３．５ ２Ｘ１０１７ ０．６ ６Ｘ １０１７ ０．２ ７Ｘ１０１７ ｉ、ｇ ５Ｘ１０” ０．２ ７ｘ １０” 良好− 食事１ 良ψ１ 打電′ ３ＸＩＯ” １０３２ ２ＸＩＯ” ９５３ ３Ｘ１０” ５６７不 ４ＸｌＯ” ５９２不 ６Ｘ１０” ２９５ 良 ３ｘｌＯ” ３２０不 ただし、＄１は、１４００℃の温度におけるＸ １０”
ｐｏｉ、５ｅｅ−２は、歩出り８０％以上で引き上げら
れた。
結晶引上（ｐｐｌＩｌ） Ｃ拳１）（ａｔｏｌ］ｌ
／ａ＋？） （同左）（Ω・個）げ評価実施例１１２ 比較例１３１０ １２．５ ８ＸＩ０１′ ３．５ ２Ｘ１０１７ ０．６ ６Ｘ １０１７ ０．２ ７Ｘ１０１７ ｉ、ｇ ５Ｘ１０” ０．２ ７ｘ １０” 良好− 食事１ 良ψ１ 打電′ ３ＸＩＯ” １０３２ ２ＸＩＯ” ９５３ ３Ｘ１０” ５６７不 ４ＸｌＯ” ５９２不 ６Ｘ１０” ２９５ 良 ３ｘｌＯ” ３２０不 ただし、＄１は、１４００℃の温度におけるＸ １０”
ｐｏｉ、５ｅｅ−２は、歩出り８０％以上で引き上げら
れた。
傘１は、引上げ開始３時間後に単結晶が得られなくなっ
た。
た。
Ｃは、引上げ開始２．５時間後に単結晶が９ｊ）られな
くなった。
くなった。
本発明のるつぼは、従来技術と比較し、ゲル状シリカよ
り製造したα−クリストバライトを含む石英ガラス粉を
溶融しであるため、極端に○Ｈ濃度が低く、且つ合成石
英ガラスと同様の高純度の特性をもつものである。
り製造したα−クリストバライトを含む石英ガラス粉を
溶融しであるため、極端に○Ｈ濃度が低く、且つ合成石
英ガラスと同様の高純度の特性をもつものである。
この石英ガラスるつぼをシリコン単結晶引上げに使用し
た場合、Ｂ、Ｐの溶出が完全に抑えることができるため
、加えたＢ−＋Ｐのドープ剤の理論量で抵抗が制御でき
る。また、Ａ Ｑ 、 Ｆｅ、 Ｎａ。
た場合、Ｂ、Ｐの溶出が完全に抑えることができるため
、加えたＢ−＋Ｐのドープ剤の理論量で抵抗が制御でき
る。また、Ａ Ｑ 、 Ｆｅ、 Ｎａ。
Ｋ等の金属の溶出も殆どないため、シリコン単結晶中の
結合に害を及ぼすことがなく、微小欠陥が極めて少ない
ものが得られる。更に、本発明の利点は、安価なゾル−
ゲル法により、比較的低温でα−クリストバライトを生
成させ、これを従来の溶融法で容易にるつぼに成形する
ことができるので、産業上優れた有意性をもつものであ
る。
結合に害を及ぼすことがなく、微小欠陥が極めて少ない
ものが得られる。更に、本発明の利点は、安価なゾル−
ゲル法により、比較的低温でα−クリストバライトを生
成させ、これを従来の溶融法で容易にるつぼに成形する
ことができるので、産業上優れた有意性をもつものであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ゾル−ゲル法により作成したα−クリストバライト
を含む石英ガラス粉を溶融して成ることを特徴とする石
英ガラスるつぼ。 ２、上記α−クリストバライトを含む石英ガラス粉を溶
融したるつぼの水酸基濃度が１００ｐｐｍ以下であり、
粘性値が１４００℃において１０＾１＾０ポイズ以上で
あることを特徴とする請求項１記載の石英ガラスるつぼ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15960788A JPH029783A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 石英ガラスるつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15960788A JPH029783A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 石英ガラスるつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029783A true JPH029783A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15697407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15960788A Pending JPH029783A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 石英ガラスるつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029783A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208880A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-12 | Mitsubishi Materials Corp | 石英ルツボの製造方法 |
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-
1988
- 1988-06-28 JP JP15960788A patent/JPH029783A/ja active Pending
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