JPH0298178A - モノリシック送受光素子 - Google Patents
モノリシック送受光素子Info
- Publication number
- JPH0298178A JPH0298178A JP63250643A JP25064388A JPH0298178A JP H0298178 A JPH0298178 A JP H0298178A JP 63250643 A JP63250643 A JP 63250643A JP 25064388 A JP25064388 A JP 25064388A JP H0298178 A JPH0298178 A JP H0298178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- light emitting
- optical fiber
- receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 11
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000006854 communication Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- -1 ZnS Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光通信用モノリシック送受光素子の改良に関
するものである。
するものである。
［発明の概要］
本発明は、半導体基板の上に少なくとも発光部と受光部
とを一体に形成し、光ファイバを単線で双方向通信に使
用できるようにしたものである。
とを一体に形成し、光ファイバを単線で双方向通信に使
用できるようにしたものである。
［従来の技術］
光通信に使用する光ファイバは、石英を材料としており
、波長０．８５，１．０５，１１，１．６μ帯で低い伝
送損失を示し、これらの波長帯で半導体発光素子および
受光素子の開発が進められている。
、波長０．８５，１．０５，１１，１．６μ帯で低い伝
送損失を示し、これらの波長帯で半導体発光素子および
受光素子の開発が進められている。
上記発光素子としては、ＧａＡＩＡｓ（０、８ｐ ？ｉ
Ｆ）、ＩｎＧａＡｓＰ （１，２〜１．６ μ帯）の発
光ダイオード（ＬＥＤ）、 レーザダイオード（ＬＤ
）が使用され、受光素子としては、Ｓｉフォトダイオー
ド（０，８μ帯）、単体のＧｅやＩｎＧａＡｓＰの化合
物半導体のフォトダイオード（１，２〜１．６μ帯）が
用いられている。
Ｆ）、ＩｎＧａＡｓＰ （１，２〜１．６ μ帯）の発
光ダイオード（ＬＥＤ）、 レーザダイオード（ＬＤ
）が使用され、受光素子としては、Ｓｉフォトダイオー
ド（０，８μ帯）、単体のＧｅやＩｎＧａＡｓＰの化合
物半導体のフォトダイオード（１，２〜１．６μ帯）が
用いられている。
近時、低伝導損失の有機系光ファイバが開発され、短距
離光通信用に注目されている。この有機系光ファイバは
０．８μ付近から赤外域にかけては有機物質特有の光吸
収があり、従来の石英系光ファイバで使用されていた赤
外域の発受光素子は使用し難い。光通信用としては、０
．７μ以下の可視域の受発器を必要とする。その場合、
発光器はＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡＩ
Ｐ、ＩｎＧａＰ等の■−■族化合物あるいはこれらの混
晶、またはＺｎＳ、Ｚｎ５ｅの■−■族化合物あるいは
これらの混晶で作成し、受光器は同じ化合物半導体や。
離光通信用に注目されている。この有機系光ファイバは
０．８μ付近から赤外域にかけては有機物質特有の光吸
収があり、従来の石英系光ファイバで使用されていた赤
外域の発受光素子は使用し難い。光通信用としては、０
．７μ以下の可視域の受発器を必要とする。その場合、
発光器はＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡＩ
Ｐ、ＩｎＧａＰ等の■−■族化合物あるいはこれらの混
晶、またはＺｎＳ、Ｚｎ５ｅの■−■族化合物あるいは
これらの混晶で作成し、受光器は同じ化合物半導体や。
Ｓｉフォトダイオードを用いるのが最適である。
第４図に従来の発光素子を、また５図に受光素子を示す
。第４図の発光素子はＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ通信用Ｌ
ＥＤであって、１はマウント、２はｐ ＧａＡｓ層、
３はｐ−ＧａＡｌＡｓ層、４は活性層、５はｎ−Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓ層、６はＧ ａ Ａ ｓ基板、７はＳ
ｉ０２層、８は電極、９は発光部、１０は光ファイバ
であり。
。第４図の発光素子はＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ通信用Ｌ
ＥＤであって、１はマウント、２はｐ ＧａＡｓ層、
３はｐ−ＧａＡｌＡｓ層、４は活性層、５はｎ−Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓ層、６はＧ ａ Ａ ｓ基板、７はＳ
ｉ０２層、８は電極、９は発光部、１０は光ファイバ
であり。
ＧａＡｌＡｓのＬＥＤはＧ ａ Ａ ｓ基板５の上にエ
ピタキシャル成長により形成されたものである。第５図
の受光素子はＳｉフォトダイオードであって、１はマウ
ント、１１はｎ−８ｉ基板、１２はｎ−８ｉ層、１３は
ｐ−８ｉ層、１４は受光面、１５は電極、１０は光ファ
イバであり、ｎ−層およびｐ−層はＳｉ基板の上にエピ
タキシャル成長により形成されたものである。
ピタキシャル成長により形成されたものである。第５図
の受光素子はＳｉフォトダイオードであって、１はマウ
ント、１１はｎ−８ｉ基板、１２はｎ−８ｉ層、１３は
ｐ−８ｉ層、１４は受光面、１５は電極、１０は光ファ
イバであり、ｎ−層およびｐ−層はＳｉ基板の上にエピ
タキシャル成長により形成されたものである。
［発明が解決しようとする課題］
しかして、可視光域で光通信を行う場合、上記のように
発光部が化合物半導体で形成され、受光部がＳｉで形成
されることが多く、このように発光器と受光器の材料が
異なる場合、各素子を別個に作成しなければならない。
発光部が化合物半導体で形成され、受光部がＳｉで形成
されることが多く、このように発光器と受光器の材料が
異なる場合、各素子を別個に作成しなければならない。
そのため超小型化が不可能で、双方向光通信のため光フ
ァイバと結合させるときは１発光器と受光器でそれぞれ
単線方向線路を１本ずつ（１対）用意している。
ァイバと結合させるときは１発光器と受光器でそれぞれ
単線方向線路を１本ずつ（１対）用意している。
また１発光用と受光用の駆動回路や伝送信号処理用回路
もＳｉ基板を用いて別素子として作らなければならない
。
もＳｉ基板を用いて別素子として作らなければならない
。
［発明の目的］
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、半
導体基板上に発光部と受光部を一体化し、光ファイバを
単線で双方向通信に使用できるようにした光通信用モノ
リシック送受光器を提供することを目的としているもの
である。
導体基板上に発光部と受光部を一体化し、光ファイバを
単線で双方向通信に使用できるようにした光通信用モノ
リシック送受光器を提供することを目的としているもの
である。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記目的を達成するため、半導体基板と、そ
の半導体基板上に形成された化合物半導体の発光部と、
前記半導体基板上の発光部近傍に形成された受光部とで
光ファイバの送受光部が構成し、前記発光部と受光部と
を光ファイバのコアの最大受光角度内に配置することに
より、上述した問題点の解決を図ったものである。
の半導体基板上に形成された化合物半導体の発光部と、
前記半導体基板上の発光部近傍に形成された受光部とで
光ファイバの送受光部が構成し、前記発光部と受光部と
を光ファイバのコアの最大受光角度内に配置することに
より、上述した問題点の解決を図ったものである。
［作用］
上記構成のモノリシック送受光素子においては、半導体
基板上に発光部と受光部とが形成され、再考が光ファイ
バのコアの最大受光角度内に納められているので、単線
双方向光フアイバ通信を可能とすることができる。
基板上に発光部と受光部とが形成され、再考が光ファイ
バのコアの最大受光角度内に納められているので、単線
双方向光フアイバ通信を可能とすることができる。
［実施例］
第１図および第２図は１本発明の一実施例を示すもので
ある。
ある。
第１図はモノリシック送受光素子の構成を概略的に示し
た平面図であって、２０はＳｉ基板であり、このＳｉ基
板２０上に発光部２１とそれを囲むようにした受光部２
２とが形成され、また離れた部位に発受光部の駆動回路
部２３および伝送信号処理回路部２４が形成されている
。
た平面図であって、２０はＳｉ基板であり、このＳｉ基
板２０上に発光部２１とそれを囲むようにした受光部２
２とが形成され、また離れた部位に発受光部の駆動回路
部２３および伝送信号処理回路部２４が形成されている
。
第２図は、前記発光部２１および受光部２２の構成を示
したものである。
したものである。
即ち、Ｓｉ基板２０上の発光部２１は、ＧａＰバッファ
層２１ａ、ｎ−ＧａＰ層２１ｂ、ｐ−ＧａＰ層２１ｃ＋
ｐ″″ＧａＰ層２１ｄ、電極２１ｅとで形成されてい
る。
層２１ａ、ｎ−ＧａＰ層２１ｂ、ｐ−ＧａＰ層２１ｃ＋
ｐ″″ＧａＰ層２１ｄ、電極２１ｅとで形成されてい
る。
一方、Ｓｉ基板２ｏ上で前記発光部２１を囲むようにし
た受光部２２は、ｎ−３ｉ層２２ａ、ｐ−８ｉ層２２ｂ
、パッシベーション層２２ｃ、電極２２ｄとで形成され
ている。１０は光ファイバ、１０ａはそのコア部、１０
ｂはクラッド部であって、前記発光部２１および受光部
２２は光ファイバのコア部の最大受光角部θ内に納めら
れている。
た受光部２２は、ｎ−３ｉ層２２ａ、ｐ−８ｉ層２２ｂ
、パッシベーション層２２ｃ、電極２２ｄとで形成され
ている。１０は光ファイバ、１０ａはそのコア部、１０
ｂはクラッド部であって、前記発光部２１および受光部
２２は光ファイバのコア部の最大受光角部θ内に納めら
れている。
前記構成のモノリシック送受素子を製作するには、ｎ”
−８ｉ基板上に予め前記送受光用駆動回路、伝送信号処
理回路および受光部としてのＳｉフォトダイオードをＳ
ｉ微細加工プロセスにより作成しておく。その際、Ｓｉ
フォトダイオードはＧａＰ発光部を取り囲む構造とする
。前記Ｓｉで構成された素子はパッシベーション膜によ
って覆われ、ヘテロエピタキシャルによって成長を行う
ＳＬ部分だけを露出させておき、発光部の成長後コンタ
クトホールをあけて全素子の配線を行う。発光部は、前
記パッシベーション膜に覆われていない部分にＧａＰバ
ッファ層、ｎ−ＧａＰ層、ｐ−ＧａＰ層、ｐ”ＧａＰ層
をヘテロエピタキシャルで成長させ、赤色あるいは緑色
発光ダイオードとして形成する。
−８ｉ基板上に予め前記送受光用駆動回路、伝送信号処
理回路および受光部としてのＳｉフォトダイオードをＳ
ｉ微細加工プロセスにより作成しておく。その際、Ｓｉ
フォトダイオードはＧａＰ発光部を取り囲む構造とする
。前記Ｓｉで構成された素子はパッシベーション膜によ
って覆われ、ヘテロエピタキシャルによって成長を行う
ＳＬ部分だけを露出させておき、発光部の成長後コンタ
クトホールをあけて全素子の配線を行う。発光部は、前
記パッシベーション膜に覆われていない部分にＧａＰバ
ッファ層、ｎ−ＧａＰ層、ｐ−ＧａＰ層、ｐ”ＧａＰ層
をヘテロエピタキシャルで成長させ、赤色あるいは緑色
発光ダイオードとして形成する。
Ｓｉフォトダイオードの波長感度は、第３図に示すよう
に、５００〜９００μに大きな感度をもっている。この
ため発光素子は５００〜９００μの波長域で発光するも
のが必要である。それに適する半導体発光材料としては
。
に、５００〜９００μに大きな感度をもっている。この
ため発光素子は５００〜９００μの波長域で発光するも
のが必要である。それに適する半導体発光材料としては
。
ＬＥＤ ：
ＧａＰ赤色ＬＥＤニア００ｕ
ＧａＰ緑色ＬＥＤ：５６０μ
ＧａＰ黄色ＬＥＤ：５８０ｕ
Ｇ ａ Ａ ｓ １− ｘ Ｐ ｘ赤色〜黄色ＬＥＤ
（ｘ＝ｏ、４ ： ６５０μｘ＝ｏ、８５ ： ５９０
ｕ） ＧａｘＡｌｌ−ＸＡ！３赤色ＬＥＤ： （ｘ＝ｏ、６
５：６７０μ）ＺｎＳ青色ＬＥＤ ：約４６０μ Ｚｎ５ｅ青色ＬＥＤ：約４６０μ ＬＤ ： ＧａＡＩＡｓ−ＬＤ ： ０．７８〜０．８９ μＡ
ＩＧａＩｎ−ＬＤ ： ０．６５１１等が使用可能で
あり、これらはＳｉ上に直接あるいはバッファ層を介し
てヘテロエピタキシャル成長させることができる。
（ｘ＝ｏ、４ ： ６５０μｘ＝ｏ、８５ ： ５９０
ｕ） ＧａｘＡｌｌ−ＸＡ！３赤色ＬＥＤ： （ｘ＝ｏ、６
５：６７０μ）ＺｎＳ青色ＬＥＤ ：約４６０μ Ｚｎ５ｅ青色ＬＥＤ：約４６０μ ＬＤ ： ＧａＡＩＡｓ−ＬＤ ： ０．７８〜０．８９ μＡ
ＩＧａＩｎ−ＬＤ ： ０．６５１１等が使用可能で
あり、これらはＳｉ上に直接あるいはバッファ層を介し
てヘテロエピタキシャル成長させることができる。
上記のように構成した発受光部に光ファイバを結合させ
るには、光ファイバのコア部とクラッド部の各屈折率を
ｎ□ｌｎ２とすると、受光角度の最大値θは、 ｏｎ＋ａｘ＝ｓｉｎ−’ （ｎ 、” −ｎ ２” ）
２で表わせる角度内の光が光フアイバ内に結合できる
。
るには、光ファイバのコア部とクラッド部の各屈折率を
ｎ□ｌｎ２とすると、受光角度の最大値θは、 ｏｎ＋ａｘ＝ｓｉｎ−’ （ｎ 、” −ｎ ２” ）
２で表わせる角度内の光が光フアイバ内に結合できる
。
それ故、Ｓｉフォトダイオードの受光部とＧａＰ発光ダ
イオードの発光部を光ファイバのコア部の最大受光角度
内に納めないと、単線双方向の光の送受光はできない。
イオードの発光部を光ファイバのコア部の最大受光角度
内に納めないと、単線双方向の光の送受光はできない。
また、この角度内に送受光部があることで、結合効率は
増加する。送受光部の大きさは使用する光ファイバのコ
ア径によって決められる。
増加する。送受光部の大きさは使用する光ファイバのコ
ア径によって決められる。
石英ファイバの場合、コア径は５０〜１００μであり、
フォトダイオードと発光ダイオードをコアの最大受光角
度内に納めるのは困難であるが、プラスチッククラッド
石英ファイバ、多成分ガラスファイバ等はコア径が２０
０〜３００μあり、現在のプロセス技術で十分対応でき
る。さらにプラスチック光ファイバにすると、コア径は
７００〜１０ｏＯμまで太くでき、コアの最大受光角度
内に発光部と受光部を納めることは容易である。
フォトダイオードと発光ダイオードをコアの最大受光角
度内に納めるのは困難であるが、プラスチッククラッド
石英ファイバ、多成分ガラスファイバ等はコア径が２０
０〜３００μあり、現在のプロセス技術で十分対応でき
る。さらにプラスチック光ファイバにすると、コア径は
７００〜１０ｏＯμまで太くでき、コアの最大受光角度
内に発光部と受光部を納めることは容易である。
これにより信号処理用の周辺回路も含んだ機能性単線双
方向の光フアイバ用送受光素子とすることができる。
方向の光フアイバ用送受光素子とすることができる。
［発明の効果］
以上に述べたように１本発明によれば、半導体基板上に
発光部と受光部を一体化し、その発受光部を光ファイバ
のコアの最大受光角度内に納めて構成したので、光ファ
イバを単線で双方向通信に使用するための機能性光通信
用モノリシック送受光器を得ることができる。
発光部と受光部を一体化し、その発受光部を光ファイバ
のコアの最大受光角度内に納めて構成したので、光ファ
イバを単線で双方向通信に使用するための機能性光通信
用モノリシック送受光器を得ることができる。
特に発光部をヘテロエピタキシャル成長によってＳｉ上
に形成することにより、Ｓｉプロセスの微細加工技術を
利用して発受光素子の一体化とあいまって超小型化が図
れる。
に形成することにより、Ｓｉプロセスの微細加工技術を
利用して発受光素子の一体化とあいまって超小型化が図
れる。
さらに送受光用駆動回路や信号処理等の周辺回路も同一
半導体基板にモノリシック化することで、機能性送受光
素子とすることができる６
半導体基板にモノリシック化することで、機能性送受光
素子とすることができる６
第１図は本発明の一実施例を示すモノリシック送受光素
子の平面図、第２図は要部の拡大側面図。 第３図は半導体材料の波長感度の関係を示すグラフ、第
４図は従来の発光素子の側面図、第５図は従来の受光素
子の側面図である。 １・・・・・・・・・マウント、２・・・・・・・・・
ｐ−ＧａＡｓ層、３・・・・・・・・・ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ層、４・・・・・・・・・活性層、５・・・・・・・
・・ｎ−ＧａＡｌＡｓ層、６・・・・・・・・・Ｇ ａ
Ａ ｓ基板、７・・・・・・・・・Ｓｉｏ、層、８・
・・・・・・・・電極、９・・・・・・・・・発光部、
１０・・・・・・・・・光ファイバ、１１・・・・・・
・・・ｎ −８ｉ基板。 １２・・・・・・・・・ｎ−８ｉ層、１３・・・・・・
・・・ｐ−８ｉ層、１４・・・・・・・・・受光面、１
５・・・・・・・・・電極、２０・・・・・・・・・８
１基板、２１・・・・・・・・・発光部、２１ａ・・・
・・・・・・ＧａＰバッファ層、２１ｂ・・・・・・・
・・ｎ −ＧａＰ層、 ２１ ｃ・・・・・・・・・ｐ
−ＧａＰ層、２１ｄ・・・・・・・・・ｐ”ＧａＰ層、
２１ｅ・・・・・・・・・電極、２２・・・・・・・・
・発光部、２２ａ・・・・・・・・・ｎ−８ｉ層、２２
ｂ・・・・・・・・・ｐ−８ｉ層、２２ｃ・・・・・・
・・・パッシベーション層、２２ｄ・・・・・・・・・
電極、０・・・・・・・・・ファイバコアの最大受光角
度。
子の平面図、第２図は要部の拡大側面図。 第３図は半導体材料の波長感度の関係を示すグラフ、第
４図は従来の発光素子の側面図、第５図は従来の受光素
子の側面図である。 １・・・・・・・・・マウント、２・・・・・・・・・
ｐ−ＧａＡｓ層、３・・・・・・・・・ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ層、４・・・・・・・・・活性層、５・・・・・・・
・・ｎ−ＧａＡｌＡｓ層、６・・・・・・・・・Ｇ ａ
Ａ ｓ基板、７・・・・・・・・・Ｓｉｏ、層、８・
・・・・・・・・電極、９・・・・・・・・・発光部、
１０・・・・・・・・・光ファイバ、１１・・・・・・
・・・ｎ −８ｉ基板。 １２・・・・・・・・・ｎ−８ｉ層、１３・・・・・・
・・・ｐ−８ｉ層、１４・・・・・・・・・受光面、１
５・・・・・・・・・電極、２０・・・・・・・・・８
１基板、２１・・・・・・・・・発光部、２１ａ・・・
・・・・・・ＧａＰバッファ層、２１ｂ・・・・・・・
・・ｎ −ＧａＰ層、 ２１ ｃ・・・・・・・・・ｐ
−ＧａＰ層、２１ｄ・・・・・・・・・ｐ”ＧａＰ層、
２１ｅ・・・・・・・・・電極、２２・・・・・・・・
・発光部、２２ａ・・・・・・・・・ｎ−８ｉ層、２２
ｂ・・・・・・・・・ｐ−８ｉ層、２２ｃ・・・・・・
・・・パッシベーション層、２２ｄ・・・・・・・・・
電極、０・・・・・・・・・ファイバコアの最大受光角
度。
Claims (1)
- 半導体基板と、その半導体基板上に形成された化合物半
導体の発光部と、前記半導体基板上の発光部近傍に形成
された受光部とで光ファイバの送受光部が構成され、前
記発光部と受光部とが光ファイバのコアの最大受光角度
内に配置されていることを特徴とするモノリシック送受
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250643A JPH0298178A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | モノリシック送受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250643A JPH0298178A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | モノリシック送受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298178A true JPH0298178A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17210911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63250643A Pending JPH0298178A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | モノリシック送受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304819A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-activated semiconductor device having light-emitting elements, light-receiving elements and output elements |
| US7831152B2 (en) | 2002-06-04 | 2010-11-09 | Finisar Corporation | Optical transceiver |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP63250643A patent/JPH0298178A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304819A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-activated semiconductor device having light-emitting elements, light-receiving elements and output elements |
| US7831152B2 (en) | 2002-06-04 | 2010-11-09 | Finisar Corporation | Optical transceiver |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6794688B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor, and LED lamp and LED display | |
| CN209044108U (zh) | 激光器与硅光芯片集成结构 | |
| US20030123508A1 (en) | Integral vertical cavity surface emitting laser and power monitor | |
| JPH11154774A (ja) | 面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置 | |
| US4884112A (en) | Silicon light-emitting diode with integral optical waveguide | |
| GB2379798A (en) | LED with transparent substrate | |
| JP2001284635A (ja) | 立体形状を有する光電融合デバイス | |
| US7465960B2 (en) | Submount for light emitting/receiving device | |
| JP2597975B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3684112B2 (ja) | 光電気混載配線基板、その駆動方法、およびそれを用いた電子回路装置 | |
| EP0041668A2 (en) | Fiber optical measuring device | |
| JPH0298178A (ja) | モノリシック送受光素子 | |
| US4588896A (en) | Bistable circuits having a monolithic device formed with light emitting diodes and detectors | |
| JPH10200154A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS5848481A (ja) | モニタ−用光検出器内蔵面発光型発光ダイオ−ド | |
| KR102258441B1 (ko) | 질화물 반도체 기반의 광 집적회로 및 그 제조방법 | |
| JPH08130508A (ja) | 光伝送システム、双方向光伝送システム、光多重伝送システム、空間光伝送システム、および空間光多重伝送システム | |
| JP2733933B2 (ja) | 半導体受発光装置 | |
| JPS62199072A (ja) | 発光受光半導体素子 | |
| JPS63119282A (ja) | 半導体発光素子構造物 | |
| JPH05235410A (ja) | 送受信用光半導体素子及びそれを用いた光通信用モジュール | |
| JPS5844779A (ja) | 発光素子 | |
| JPS6320128Y2 (ja) | ||
| RU2032965C1 (ru) | Полупроводниковый оптоэлектронный прибор | |
| JPH0758806B2 (ja) | 光半導体装置 |