JPH0299970A - 電子写真感光体およびその製造方法並びにその応用製品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真感光体に係り、特に、半導体レーザ
ビームプリンタや半導体レーザビーム複写機の電子写真
感光体に関する。

〔従来の技術〕

感光体の帯電性を上げるために、従来は導電性支持体と
光導電層との間に、ブロッキング層を設けていた。ブロ
ッキング層としては、前記導電層と伝導型を変えた膜、
高抵抗率の膜、またはＵＳＰ４，６４１１６８のように
、伝導型を変えた膜と高抵抗率の膜とを積層した膜構造
を採用している。このブロッキング層は、導電性支持体
から光導電層へのキャリア注入を阻止する働きがある。

一方、レーザビームプリンタＬＢＰ用光原は、Ｈｅ　−
Ｎ　ｅレーザ（発振波長６３３ｎｍ）から半導体レーザ
（発振波長７８０ｎｍ）へと移行しつつある。これは、
半導体レーザを使用すると、ＬＢＰ装置を小型化できる
からである。

半導体レーザの発振波長域（７８０ｎｍ以」−）に感度
を有する感光体を製作するには、７８０ｎｍ以上の波長
の光を吸収する光学的エネルギーギャップ（Ｅｏｐｔ）
の小さな層を積層する方法がある。例えば、水素または
ハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ　：Ｈ，ａ−Ｓ
ｉ　：Ｘ、またはａ−Ｓｉ　：　Ｈ：　Ｘの光導電層に
、ゲルマニウムを添加した非晶質シリコンａ−ＳｉＧｅ
　：Ｈ，ａ−ＳｉＧｅ：Ｘ、またはａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：
ＸＪｔｉｌを積層すると、７８０ｎｍの光に対する感度
を上げることができる（特公昭５５−２２９５０号）。

〔発明が解決しようとする課題〕

一般に、ＥＯＰ　ｔの小さい膜は抵抗率が小さい。

例えば、ａ−Ｓｉ：ＨにＧｅを添加していくと、Ｅ０１
″が減少するとともに、抵抗率も減少してしまう。この
ため、Ｅｏｅｔの小さい膜のみを積層した感光体では、
帯電性が低下するという問題がある。これは、Ｅ”１の
小さな層から熱的にキャリアが発生するためである。

前記ブロッキング層は、支持体からのキャリア注入を防
止するためにのみ設けられているので。

このように光導電層で熱的に発生するキャリアに対して
は阻止能力がない。

＝７ 本発明の目的は、半導体レーザ光に対して１−分な感度
を有し帯電性の優れた電子写真感光体およびその製造方
法並びにその応用製品を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達成するために、導電性支持体」
二に光導電層を形成した電子写真感光体において、光導
電層を、光学的エネルギーギヤツブの異なる複数の層と
し、前記層間の少なくとも１個所に伝導型が直下の層と
異なるブロッキング層または１０１３Ω・ｃｍ以」二の
高抵抗率のブロッキング層を設けた電子写真感光体を提
案するものである。

前記ブロッキング層は、前記光学的エネルギーギャップ
の異なる各層間に設けても良い。

また、前記光学的エネルギーギャップの異なる各層は、
同じ伝導型とすることができる。

光学的エネルギーギャップは具体的には、上層はど小さ
く、各層間のエネルギーギャップの差は０．１　ｅＶ以
上とする。

前記導電性支持体と前記光導電層との間には、従来通り
、電荷注入防止用ブロッキング層を挿入できる。

前記光導電層は、水素を含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：
Ｈ，またはハロゲンを含む非晶質シリコンａ−５ｉ：Ｘ
、または水素およびハロゲンを含む非晶質シリコンａ−
Ｓｉ：Ｈ：Ｘからなり、前記ブロッキング層は、水素を
含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ，ハロゲンを含む非晶
質シリコンａ　　Ｓ　］−：　Ｘ　＋水素およびハロゲ
ンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｘ、水素および
炭素を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＣ：Ｈ，ハロゲンお
よび炭素を含む非晶質シリコンａ　　Ｓ　ＩＣ：　Ｘ　
＋または水素、ハロゲンおよび炭素を含む非晶質シリコ
ンａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ　：　Ｘからなる。

前記光導電層は、水素を含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：
Ｈ，またはハロゲンを含む非晶質シリコンａ−５ｉ：Ｘ
からなり、前記電荷注入防止用ブロッキング層は、ホウ
素を含む非晶質シリコンａ−８ｊ　：Ｈ：Ｂ、ａ−Ｓｉ
　：Ｘ：Ｂ、ａ−Ｓｉ　：Ｈ：　Ｘ　：　Ｂ　、燐を含
む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｐ、ａ−Ｓｉ：Ｘ：Ｐ
、ａ−Ｓｉ　：Ｈ：Ｘ：Ｐ、ホウ素および炭素を含む非
晶質シリコンａＳｉＣ：Ｈ：Ｂ、ａ−５ｉＣ：Ｘ：Ｂ、
ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘ：Ｂ、または燐および炭素を含む非
晶質シリコンａ　−Ｓ　］Ｃ：　Ｈ　：　Ｐ　、　ａ　
−Ｓ　ｘ　Ｃ：　Ｘ：Ｐ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘ：Ｐから
なり、前記ブロッキング層は、水素を含む非晶質シリコ
ンａＳｉ：Ｈ，ハロゲンを含む非晶質シリコンａＳｉ：
Ｘ、水素およびハロゲンを含む非晶質シリ１ンａ−Ｓｉ
：Ｈ：Ｘ、水素および炭素を含む非晶質シリコンａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ，ハロゲンおよび炭素を含む非晶質シリコンａ
−ＳｉＣ：Ｘ、または水素、ハロゲンおよび炭素を含む
非晶質シリコンａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘからなる。

伝導型が直下の層と異なる前記ブロッキング層としては
、膜厚方向にほぼ連続的に変化する伝導型となるように
形成しても良い。

前記光学的エネルギーギャップの小さい層が、ゲルマニ
ウムを含む非晶質シリコンａ−ＳｉＧｅ：Ｈ，ａ−Ｓｉ
Ｇｅ：Ｘ、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｘからなり、他の光学的
エネルギーギャップを有する層は、水素を含む非晶質シ
リコンａ−Ｓｉ：Ｈ。

またはハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｘ、水
素およびハロゲンを含む非晶質シリコンａ　　Ｓ　ｌ　
：　Ｈ　：　Ｘ　＋または、それらに炭素を添加したも
のａ−ＳｉＣ：Ｈ，ａ−ＳｉＣ：Ｘ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：
Ｘからなる。

前記光感電層を保護する表面体Ｗ層は、炭素を含むシリ
コンＳｉ：Ｃ，炭素を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＣ：
Ｈ，ａ−ＳｉＣ：Ｘ、ａ−ＳｉＣ：）−１：　Ｘからな
る。

前記表面保護層の直下に前記表面側から前記感光体に注
入される電荷を抑制する電荷注入阻止層を設ることか望
ましい。

前記ブロッキング層の成膜時には、材料ガスＢ　２Ｈ、
と５ｉ）Ｌａの流量比を１×１０−”以下に制御する。

上記構成の電子写真感光体は、光プリンタや複写機の感
光体１くラムまたは感光体ベルトに応用できる。

換言すれば、本発明は、導電性支持体と光導電層との間
のブロッキング層以外に、ＥｏＰｔの小さい層（電荷発
生層）とＥｏＰｔの大きい層（電荷搬送層）との間にも
ブロッキング層（第２ブロッキング層）を導入したもの
である。

第２ブロッキング層としては、伝導型を直下の層と異な
るｎ型またはｎ型にしたもの、高抵抗率のものがある。

高抵抗率とは、具体的には、１０１３Ω・０ｍ以上であ
ることが望ましい。

電荷発生層に水素またはハロゲンを含む非晶質シリコン
ａ−Ｓｉ　：Ｈ，ａ−Ｓｉ　：Ｘ、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｘを
用いる場合、第２ブロッキング層としては、ホウ素Ｂを
ドープしたｎ型のａ−Ｓｉ：Ｈ。

ａ−Ｓｉ　：Ｘ、ａ−Ｓｉ　：Ｈ：Ｘやノンドープのａ
−Ｓｉ　：Ｈ，ａ−Ｓｉ　：Ｘ、　ａ−Ｓｉ　：Ｈ：Ｘ
膜等がある。Ｐ型の膜を形成するには、ホウ素Ｂ以外に
、ＡＱなどの■族の元素を添加してもよい。

一方、ｎ型の膜を形成するには、Ｐ等の■族の元素を添
加してもよい。

また、この場合、高抵抗率の第２ブロッキング層として
は、Ｃを添加した非晶質シリコンａＳＩＣ：Ｈ，ａ−Ｓ
ｉＣ：Ｘ、ａ−５ｉＣ：Ｈ：ＸやＮまたはＯを添加した
非晶質シリコンａ　−Ｓｉ　Ｎ　：　Ｈ、ａ　−Ｓ　ｉ
　Ｎ　：　Ｘ　、　ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｉ（：Ｘ、
ａ−８１０：Ｈ，ａ−ＳｉＯ：Ｘ、ａ−Ｓｉ○：　Ｈ：
　Ｘ等がある。

〔作用〕

Ｅｏｐｔの小さな層と大きな層との間に導入した層は、
Ｅ”’の小さな層（電荷発生層）で熱的に発生したキャ
リアをブロックするので、帯電能や暗減衰特性を改善で
きる。

感光体を正に帯電させる場合、電荷発生層はｉ型または
Ｐ型であることが望ましい。電荷発生層をＥ　ｏｐｔの
大きな層（電荷搬送層）よりも表面側に設ける場合、感
光体の表面電位の時間的な減衰を小さくするために、電
荷発生層で熱的に発生する正孔が電荷搬送層に注入され
るのを防ぐ必要がある。この場合、電荷発生層と電荷搬
送層との間に導入する第２ブロッキング層は、ｎ型また
は高＋３− 抵抗率のものとする。この種の電子写真感光体では、前
記支持体からの電子の注入を防ぐため、導電性支持体と
光導電層との間に、ｐ型または高絶縁性の電荷注入防止
用ブロッキング層をすでに設けである。本発明において
電荷発生層と電荷搬送層との間に導入する層は、前記ブ
ロッキング層とは逆に、熱的に発生する正孔をブロック
する働きがある。

一方、電子写真感光体を負に帯電させる場合は、電荷発
生層と電荷搬送層との間に設ける層は、ｐ型または高抵
抗率のものとする。または、ドープする物質の量を層の
厚さ方向に連続的に変化させても良い。これらの層は、
電荷発生層で熱的に発生した正孔をブロックする働きが
ある。

このように、電荷発生層と電荷搬送層との間に熱的に発
生するキャリアをブロックする層を設けることにより、
長波長域の光に対して十分な感度を有し帯電性の優れた
感光体を製造できる。

なお、本明細書では、非晶質ａ　−Ｓ　ｉ系の電子写真
感光体の場合を説明するが、ａ−８ｅ系等の他の電子写
真感光体においても、第２ブロッキング層は同様の効果
をもたらす。

〔実施例〕

次に、図面を参照して、本発明の詳細な説明する。

〈実施例１〉 本実施例の基本的構造の断面を第１図に示す。

図において、１０１は導電性支持体としてのＡμドラム
、１０２は従来技術と同様の電荷注入防止用ブロッキン
グ層、１０３は電荷搬送層、１０４は本発明による第２
ブロッキング層、１０５は電荷発生層、１０６は表面方
向からの電荷注入を阻止する層、１０７は表面保護層で
ある。

導電性支持体であるＡＱドラム１０１を真空槽内にセッ
トし、１×１０−’程度まで排気した。ＳｉＨ，、Ｃ２
Ｈ，、Ｈ２，Ｂ、Ｉ（Ｇガスを導入し、真空槽内の圧力
が０　、５　Ｔｏｒｒになるように調整した。

ドラム基板温度は２５０℃とした。

まず、Ｃ２Ｈ４ガス混合比（Ｍｃ）＝　（Ｃ２Ｈ４／（
Ｃ２Ｈ４＋　Ｓ　ｉ　Ｈ４））を０．０５、原料ガス混
合比（Ｘ）”（（Ｃ２Ｈ４＋　Ｓ　ｉ　Ｈ，）／（Ｃ，
Ｈ，＋　Ｓ　ｉ　Ｈ４十Ｈ２））を０．６、Ｂドープ量
＝　（Ｂ、Ｈ，／　（Ｃ。

Ｈ４＋Ｓ　ｉＨ４＋Ｈ２））を１×１０−’、ＲＦパワ
ー密度を０．２Ｗ／ａ（とし、ａ　−Ｓ　ｉ　：　Ｈ：
　Ｃ：　Ｂ膜からなる電荷注入防止用ブロッキング層１
０２を２μｍの厚さに形成した。

次に、Ｘを０．６．Ｂドープ量を１×１０−’ＲＦパワ
ー密度を０．２Ｗ／ｃｏｔとし、ａ−Ｓｉ：ＨＵＢ膜（
Ｅ０″ｔ＝　１　、７５　ｅ　Ｖ）からなる電荷搬送層
１０３を２５μｍの厚さに形成した。

また、Ｘを０．６．Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度を
０．２Ｗ／ａＪとし、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からなる本発明の
第２ブロッキング層１０４を０〜２μｍの厚さに形成し
た。

ついで、ＧｅＨ４ガス混合比（Ｍａ）　＝　（Ｇ　ｅ　
Ｈ４／　（Ｇ　ａ　Ｈ４＋　Ｓ　ｉ　Ｈ，））を０．２
、Ｘを０．４．Ｂドープ量をｌＸ１０−’、ＲＦパワー
密度ヲ０．２Ｗ／ｄとし、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｂ膜（Ｅ
ＯＰｔ＝１．５５ｅＶ）からなる電荷発生層１０５を１
μｍの厚さに形成した。

さらに、Ｘを０．６．Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度
を０　、２　Ｗ／ｃＪとし、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からなる電
荷注入阻止層１０６を０．５μｍの厚さに形成した。

最後に、Ｍｃを０．６、Ｘを０．６．Ｂドープ量。

をＯ，ＲＦパワー密度を０．２Ｗ／ｄとし、ａ−ＳｉＣ
：Ｈ膜からなる表面保護層１０７を０．５μｍの厚さに
形成した。

第２ブロッキング層の膜厚と正帯電時の帯電能および暗
減衰率との関係を第２図に示す。この図の左端軸線上の
点は、膜厚が０μｍすなわち従来例の特性を示している
。本実施例の電子写真感光体の第２ブロッキング層は、
従来例と比較して、厚さ０．２〜２μｍの範囲で良好な
帯電能および暗減衰率を示すことが分かる。

〈実施例２〉 実施例１と同様の方法で、ＡＱドラム１０１上に、ａ−
ＳｉＣ：Ｈ：Ｂ膜からなる電荷注入防止用ブロッキング
ｆｆ１１０２を２μｍの厚さに形成した。

次に、ＳｉＦ、、Ｈ，、Ｂ２Ｈ６を（Ｓ　ｉ　Ｆ４／（
Ｓ　ｉ　Ｆ４＋Ｈ２）＝０．６、Ｂ２ＨＧ／Ｓ　ｉ　Ｆ
、＝＝　Ｉ　Ｘ１０−６として導入し、ａ−Ｓｉ：Ｈ：
Ｆ：Ｂからなる電荷搬送層１０３を２５μｍの厚さに形
成した。

また、Ｓ　ｉＦ　４１　Ｈｚのみ導入し、ａ−Ｓｉ：Ｈ
：Ｆからなる第２ブロッキングＭ１０４を０．５μｍの
厚さに形成した。

ついで、ＧｅＦ４．ＳｉＦ４＋　Ｈ２をＧ　ｅ　Ｆ、／
（Ｇ　ｅ　Ｆ、＋　Ｓ　ｉ　Ｆ４）が０．２となるよう
に導入し、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｆからなる電荷発生層１
０５を１μｍの厚さに形成した。

さらに、ＳｉＦ４．Ｈ２のみ導入し、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ
からなる電荷注入阻止層１０６を０．５μｍの厚さに形
成した。

最後に、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈからなる表面保護層１
０７を０．５μｍの厚さに形成した。

得られた電子写真感光体は、正帯電時に、良好な帯電性
を示した。

〈実施例３〉 実施例１と同様の方法で、Ａｆｌドラム１０１上に、ａ
−ＳｉＣ：Ｈ：Ｂ膜からなる電荷注入防止用ブロッキン
グ層１０２を２μｍの厚さに形成した。

次に、Ｘを０．６．Ｂドープ量をｌＸ１０−’、ＲＦパ
ワー密度を０．２Ｗ／ｄとし、ａ　−Ｓ　ｉ　：　Ｈ：
Ｂ膜からなる電荷搬送層１０３を２５μｍの厚さに形成
した。

また、Ｍ　ｃ　＝　０　、２、Ｘ、　＝　０　、６とし
、ａ−ＳｉＣ：Ｈからなる高抵抗（抵抗率１０１４Ω・
ｃｍ）の第２ブロッキング層１０４を形成した。この際
、材料ガスＢ２Ｈ，と５ＩＨ４との流量比を１×１０−
３以下に制御し、Ｂのドープ量に前記層の厚さ方向で変
化をつける。

ついで、Ｇ　ｅ　Ｈ４，Ｓ　〕Ｈ４，Ｈ２を、ＧｅＨ，
／（Ｇ　ｅ　Ｈ４＋　Ｓ　ＩＨ４）を０．２、Ｘを０６
４、Ｂドープ量を１×１０−’、ＲＦパワー密度を０．
２Ｗ／ｄとするように導入し、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｂか
らなる電荷発生層１０５を１μｍの厚さに形成した。

さらに、Ｘを０．６．Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度
を０．２Ｗ／Ｊとするように導入し、ａ−Ｓｉ：Ｈから
なる電荷注入阻止層１０６を０．５μｍの厚さに形成し
た。

最後に、Ｍｅを０．６、Ｘを０．６．ＲＦパワー密度を
０．２Ｗ／ｄとし、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　ｆ−Ｉからな
る表面保護層１０７を０．５μｍの厚さに形成した。

得られた電子写真感光体は、正帯電時に、良好な帯電性
を示した。

〈実施例４〉 実施例１と同様の方法で、ＡＱドラム１０１上に、ａ　
−Ｓ　ｉ、　Ｃ：　Ｈ：　Ｂ膜からなる電荷注入防止用
ブロッキング層１０２を２μｍの厚さに形成した。

次に、Ｘを０．６．Ｂドープ量を１×１０−’、ＲＦパ
ワー密度を０．２Ｗ／ｃＪとし、ａ　−Ｓ　ｉ　：　Ｈ
：Ｂ膜からなる電荷搬送層１０３を２５μｍの厚さに形
成した。

また、Ｂドープ量が、第３図に示すように、膜厚方向に
ほぼ連続的に変化するように制御されたａ−Ｓｉ：Ｈ：
Ｂ膜からなる第２ブロッキング層１０４を２μｍの厚さ
に形成した。

ついで、Ｇ　ｅ　Ｈ４，Ｓ　ｊ、　Ｈ４，Ｈ２を、Ｇｅ
Ｈ４／（Ｇ　ｅ　Ｈ４＋　Ｓ　ｉ　Ｈ４）を０．２、Ｘ
を０．４、Ｂドープ量をｌＸ１０−’、ＲＦパワー密度
を０．２Ｗ／ｄとするように導入し、ａ−８ｊＧｅ：Ｈ
：Ｂからなる電荷発生層１０５を１μｍの厚さに形成し
た。

さらに、Ｘを０．６、Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度
を０　、２　Ｗ／ｄとするように導入し、ａ−Ｓｉ：Ｈ
からなる電荷注入阻止層１０６を０．５μｍの厚さに形
成した。

最後に、Ｍｅを０．６、Ｘを０．６．ＲＦパワー密度を
０．２Ｗ／ａ＃とじ、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈからなる
表面保護層１．０７を０．５μｍの厚さに形成した。

得られた電子写真感光体は、正帯電時に、良好な帯電性
を示した。

〈実施例５〉 導電性支持体であるＡＱトラム１０１を真空槽内にセッ
トし、１×１０−Ｇ程度まで排気した。

Ｓ　ｉ　Ｈ，、Ｃ，Ｈ４，Ｈ２，Ｂ２Ｈ，ガスを導入し
、真空槽内の圧力が０　、５　Ｔｏｒｒになるように調
整した。

ドラム基板温度は２５０℃とした。

まず、Ｃ，Ｈ，ガス混合比（Ｍ　ｃ）、（ＣｚＨ４／（
Ｃ２Ｈ４＋Ｓ　ｉＨ，））を０．６、原料ガス混合比（
Ｘ）　　、　　（（Ｃ２Ｈ４＋　　Ｓ　　ｉ　　Ｈ４）
／（Ｃ２Ｈ４＋　　Ｓ　　ｉ　　ｌ−Ｌ＋Ｈ，））を０
．６、Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度を０．２Ｗ／ｄ
とし、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ膜からなる電荷注入防止
用ブロッキング層１０２を０．４μｍの厚さに形成した
。

次に、Ｘを０．６．Ｂドープ量を１×１０−’、ＲＦパ
ワー密度を０．２Ｗ／ｃｄとし、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂ膜か
らなる電荷搬送層１０３を２５μｍの厚さに形成した。

また、Ｘを０．６．Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度を
０．２Ｗ／ｃＪとし、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からなる第２ブロ
ッキングＭ１０４を０．５μｍの厚さに形成した。

ついで、ＧｅＨ４ガス混合比（Ｍｅ）　、　（Ｇ　ｅ　
Ｈ４）／　（Ｇ　ｅ　Ｈ４＋　Ｓ　］Ｈ４）　）を０．
２．Ｘを＝０．４．Ｂドープ量を１×１０−’、ＲＦパ
ワー密度を０．２Ｗ／ｃｎとし、ａ−８ｊＧｅ：Ｈ：Ｂ
膜からなる電荷発生層１０５を１μｍの厚さに形成した
。

さらに、Ｘを０．６．Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度
を０　、２　Ｗ／ｄとし、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からなる電荷
注入阻止層１０６を０．５μｍの厚さに形成した。

最後に、Ｍｃを０．６、Ｘを０．６．Ｂドープ量をＯ，
ＲＦパワー密度を０　、２　Ｗ／ｃ＋ｊｌとし、ａ−Ｓ
ｉ　Ｃ：　Ｈ膜からなる表面保護層１０７を０．５μｍ
の厚さに形成した。

得られた電子写真感光体は、正帯電時に、良好な帯電性
を示した。

〈実施例６〉 導電性支持体であるＡＱドラム１０１を真空槽内にセッ
トし、１．Ｘ１０−’程度まで排気した。

Ｓ　ｉ　Ｈ４，Ｃ２Ｈ４，Ｈ２，ＰＨ３ガスを導入し、
真空槽内の圧力が０　、５　Ｔｏｒｒになるように調整
した。

ドラム基板温度は２５０℃とした。

まず、Ｃ２Ｈ４ガス混合比（Ｍｃ）、（Ｃ２Ｈ４）／（
Ｃ，Ｈ４＋Ｓ　ｉ　Ｈ，））を０．０５、原料ガス混合
比（Ｘ）　、　（（Ｃ，Ｈ，＋　ｓ　１Ｈ４）　／　（
Ｃ，Ｈ，＋　ｓ　ｌＨ４＋Ｈ，））を０．６、Ｐドープ
量（Ｐ　Ｈ３／　（ｃ　−Ｈ４＋　Ｓ　ｉＨ４＋　Ｈｚ
　））を１×１０−４、ＲＦパワー密度を０．２Ｗ／ａ
ｌｌとし、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｐ膜からなる電荷注入防止
用ブロッキング層１０２を２μｍの厚さに形成した。

次に、Ｘを０．６．Ｂドープ量を０．５　Ｘ　１０−’
ＲＦパワー密度を０．２Ｗ／ｃｄとし、ａ−Ｓｉ：ＨＵ
Ｂ膜からなる電荷搬送層１０３を２５μｍの厚さに形成
した。

また、Ｘを０．６．Ｂドープ量を３Ｘ１０−６．ＲＦパ
ワー密度を０．２Ｗ／ｄとし、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からなる
本発明の第２ブロッキング層１０４を０・５μｍの厚さ
に形成した。

ついで、ＧｅＨ４ガス混合比（Ｍａ）　、　（Ｇ　ｅ　
Ｈ４／　（Ｇ　ｅ　Ｈ４＋　Ｓ　ｉ　Ｈ４））を０．２
、Ｘを０．４．Ｂドープ量をＯ，ＲＦパワー密度を０．
２Ｗ／Ｊとし、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜からなる電荷発生層
１０５を１μｍの厚さに形成した。

さらに、Ｘをｏ、６．Ｂ＋＜−プ量をＯ，ＲＦパワー密
度を０　、２　Ｗ／ａｌＴとし、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からな
る電荷注入阻止層１０６を０．５μｍの厚さに形成した
。

最後に、Ｍｃを０．６、Ｘを０．６．Ｂドープ量をＯ，
ＲＦパワー密度を０．２Ｗ／ｄとし、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
からなる表面保護層１０７を０．５μｍの厚さに形成し
た。

得られた電子写真感光体は、正帯電時に、良好な帯電性
を示した。

以上の各実施例によれば、長波長域の光に対して十分な
感度を有し、帯電性の優れた電子写真感光体を製造でき
る。

〈実施例７〉 上記いずれかの実施例による電子写真感光体をレーザビ
ームプリンタに応用した実施例の基本的構造を、第４図
に示す。図において、中央の円が本発明による電子写真
感光体の断面である。

本実施例において、印刷は以下のステップで実行される
。

■感光体ドラムの表面を一様に帯電させる。感光体ドラ
ムは一定速度で回転する。

■レーザビーム（光）を当てて露光する。光の当った部
分の電荷は逃げる。

■露光後、予め帯電させてあった１−ナーを感光体に接
触させて現像する。

■紙に電圧を加えてトナーを紙に転写する。次に、紙を
加熱したり加圧したりして、１−ナーを定着させる。

■転写後、交流電圧の印加や全面への光照射により、感
光体表面から電荷を除電する。

■転写後に残ったトナーを取り除き、クリーニングする
。

この方式は、露光のステップが異なるだけで。

普通紙複写機の場合も基本的に同じである。

また、感光体の形状は、ドラムに限らず、ベルト等でも
良い。

したがって、本発明によれば、半導体レーザ等の長波長
域に十分な感度を有し帯電性の優れた電子写真感光体ド
ラムまたはベルトを用いたレーザビームプリンタまたは
複写機が得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、半導体レーザ等の長波長域に対して十
分な感度を有し帯電性の優れた電子写真感光体およびそ
の製造方法並びにその応用製品が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子写真感光体の基本的構造の一
実施例の断面図、第２図は本発明第２ブロッキング層の
膜厚と正帯電時の帯電能および暗減衰率との関係を示す
図、第３図はＢドープ量を膜厚方向にほぼ連続的に変化
するように制御した第２ブロッキング層を有する実施例
を示す図、第４図は本発明電子写真感光体をレーザビー
ムプリンタに応用した実施例の基本的構造を示す図であ
る。 １０１・・・導電性支持体（ＡＱドラム）、１０２・・
電荷注入防止用ブロッキング層、１０３・・・電荷搬送
層、 １０４・・・本発明による第２ブロッキング層、１０５
・・・電荷発生層、 １０６・・・電荷注入阻止層、 １０７・・・表面保護層、 １０３．１０４，１０５・−・光導電層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に光導電層を備えた電子写真感光体
   において、 前記光導電層が光学的エネルギーギャップの異なる複数
   の層からなり、前記層間の少なくとも１個所に伝導型が
   直下の層と異なるブロッキング層または１０＾１＾３Ω
   ・ｃｍ以上の高抵抗率のブロッキング層を有することを
   特徴とする電子写真感光体。 ２、請求項１に記載の電子写真感光体において、前記ブ
   ロッキング層を前記光学的エネルギーギャップの異なる
   各層間に有することを特徴とする電子写真感光体。 ３、請求項１または２に記載の電子写真感光体において
   、 前記光学的エネルギーギャップの異なる各層が同じ伝導
   型であることを特徴とする電子写真感光体。 ４、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子写真感光
   体において、 前記光学的エネルギーギャップが上層ほど小さく、各層
   間のエネルギーギャップの差が０．１ｅＶ以上であるこ
   とを特徴とする電子写真感光体。 ５、請求項１に記載の電子写真感光体において、前記導
   電性支持体と前記光導電層との間に電荷注入防止用ブロ
   ッキング層のを設けたことを特徴とする電子写真感光体
   。 ６、請求項５に記載の電子写真感光体において、前記光
   導電層が、水素を含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ、ま
   たはハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｘまたは
   水素およびハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ
   ：Ｘからなり、 前記ブロッキング層が、水素を含む非晶質シリコンａ−
   Ｓｉ：Ｈ、ハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｘ
   、水素およびハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：
   Ｈ：Ｘ、水素および炭素を含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ
   Ｃ：Ｈ、ハロゲンおよび炭素を含む非晶質シリコンａ−
   ＳｉＣ：Ｘ、または水素およびハロゲン炭素を含む非晶
   質シリコンａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘからなることを特徴とす
   る電子写真感光体。 ７、請求項５に記載の電子写真感光体において、前記光
   導電層が、水素を含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ、ま
   たはハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｘ、また
   は水素およびハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓ：Ｈ
   ：Ｘからなり、 前記電荷注入防止用ブロッキング層が、ホウ素を含む非
   晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂ、ａ−Ｓｉ：Ｘ：Ｂ、ａ
   −Ｓｉ：Ｈ：Ｘ：Ｂ、燐を含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ
   ：Ｈ：Ｐ、ａ−Ｓｉ：Ｘ：Ｐ、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｘ：Ｐ、
   ホウ素および炭素を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＣ：Ｈ
   ：Ｂ、ａ−ＳｉＣ：Ｘ：Ｂ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘ：Ｂ、
   または燐および炭素を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＣ：
   Ｈ：Ｐ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘ：Ｐからなり、 前記ブロッキング層が、水素を含む非晶質シリコンａ−
   Ｓｉ：Ｈ、ハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｘ
   、水素およびハロゲンを含む非晶質シリコンａ−Ｓ：Ｈ
   ：Ｘ、水素および炭素を含む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：
   Ｃ：Ｈ、ハロゲンおよび炭素を含む非晶質シリコンａ−
   ＳｉＣ：Ｘ、または水素ハロゲンおよび炭素を含む非晶
   質シリコンａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘからなることを特徴とす
   る電子写真感光体。 ８、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子写真感光
   体において、 伝導型が直下の層と異なる前記ブロッキング層が、膜厚
   方向にほぼ連続的に変化する伝導型を有することを特徴
   とする電子写真感光体。 ９、請求項４に記載の電子写真感光体において、前記光
   学的エネルギーギャップの小さい層が、ゲルマニウムを
   含む非晶質シリコンａ−ＳｉＧｅ：Ｈ、ａ−ＳｉＧｅ：
   Ｘ、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｘからなり、 他の光学的エネルギーギャップを有する層が、水素を含
   む非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｈ、またはハロゲンを含む
   非晶質シリコンａ−Ｓｉ：Ｘ、炭素を含む非晶質シリコ
   ンａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｘ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：
   Ｘ、または水素およびハロゲンを含む非晶質シリコンａ
   −Ｓｉ：Ｈ：Ｘからなることを特徴とする電子写真感光
   体。 １０、請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子写真感
   光体において、 前記光導電層を保護する表面保護層が、水素および炭素
   を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＣ：Ｈ、ハロゲンおよび
   炭素を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＣ：Ｘ、または水素
   、ハロゲンおよび炭素を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＣ
   ：Ｈ：Ｘからなることを特徴とする電子写真感光体。 １１、請求項１０に記載の電子写真感光体において、前
   記表面保護層の直下に前記表面側から前記感光体に注入
   される電荷を抑制する電荷注入阻止層を設けたことを特
   徴とする電子写真感光体。 １２、ホウ素を含む非晶質シリコンａ−ＳｉＨ：Ｂ、ａ
   −Ｓｉ：Ｘ：Ｂ、ａ−Ｓｉ：Ｘ：Ｂ、またはａ−Ｓｉ：
   Ｈ：Ｘ：Ｂからなるブロッキング層を有する請求項８に
   記載の電子写真感光体の製造方法において、 前記ブロッキング層の成膜時に、材料ガス Ｂ＿２Ｈ＿６とＳｉＨ＿４の流量比を１×１０＾−＾３
   以下に制御し、Ｂのドープ量を膜厚方向でほぼ連続的に
   変化させることを特徴とする電子写真感光体の製造方法
   。 １３、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電子写真
   感光体を感光体ドラムまたは感光体ベルトとして備えた
   ことを特徴とする光プリンタ。 １４、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電子写真
   感光体を感光体ドラムまたは感光体ベルトとして備えた
   ことを特徴とする複写機。