JPS5984254A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、ｓｅ、又はＳｅにＡａ、
Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ｚｎＯ＋ＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。

しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｔ）を母材として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている□
ａ−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しておシ、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨな結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
１：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐刷性等の面で注目されている。

しかし、ａ−８ｉ：Ｈは７５０〜８００ｎｍ　（近赤外
）の波長の光に対しては可視域の光に対するより１ケタ
程感度が悪いことが知られている。従って、情報信号を
電気的に処理してハードコピーとして出力するだめの情
報端末処理機において半導体レーザを記録光源として用
いる場合には、実用的な情報記録用の半導体レーザーは
ＧａＡｔＡｓを構成材料としたものであってその発振波
長は７６０〜８２０　ｎｍであるから、この種の情報記
録にとってａ−８ｉ：Ｈは感度不十分となシ、不適当で
ある。Ｓｅ系の感光体の場合には、有機光導電材料から
なる感光体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高
速化に対応するためには長波長領域での感度がやはシネ
十分である。

そこで、ａ−８ｔ：Ｈの優れた光導電性又は光感度を生
かしつつ長波長領域の感度を向上させるたメニ、アモル
ファス水素化シリコンゲルマニウム　　−（以下、ａ　
５ｉＧｅ：ｌ［（と称する。）を光導電層に用いること
が考えられる。つまＦ）　、ａ−８ｉＧｅ　：Ｈは６０
０〜８５０１ｍの波長域で光感度が良好である。

しかしながら、逆に言えば、ａ−８ＩＧｅ：Ｈ単独では
、可視領域での感度がａ−８ｉ：Ｈに比べて悪い。しか
も、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層のみでは、暗抵抗は１０’〜１
０＠Ω−ｍにすぎず、電荷保持能に乏しい。しかも、ａ
−８ｉＧｅ：Ｈは支持体（基板）に対する膜付き又は接
着性が悪く、また機械的、熱的性質がａ−８ｉ：Ｈよル
も劣るために、電子写真感光体として実用化する上で難
がある。

近時、半導体レーザー等による記録機能の他に可視光を
光源とする記録機能（例えば通常の電子写真複写機とし
ての機能）も併せ持つ多機能機器が注目されているが、
上記のａ−８ｔ：Ｈ及びａ−８ｉＧｅ：Ｈ共にそうした
要求を満足し得ない。

これを解決するために、支持体上に、電荷保持を行々え
る充分な厚さのａ−８ｔ：Ｈ層を形成し、更にこの上Ｋ
ａ−８ｆＧｅ：Ｈ層を形成して、２層構造からなる光導
電層（光照射に応じてキャリアを発生する層）とした感
光体が提案されている。

この構造によれば、ａ−８ｔ：Ｈ及びａ−８ｉＧｅ：Ｈ
の各層によって可視光及び近赤外光の両領域の感度が良
好となる。しかし、この感光体はいくつかの問題点（特
に次の３点）を有している。

（１）、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層が表面側に存在している構
造であるため、ａ−８ｉと比べて化学構造的に弱くなシ
、耐刷性が不良となる。

（２）、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層が厚い場合、可視光領域で
の感度が不充分となる。これは、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の
存在が、可視光領域におけるａ−８ｉ：Ｈ層での光キャ
リアの発生を阻害するからであると思われる０ （３）、帯電時に、支持体基板側からａ−８ｔ：Ｈ層へ
の不要が電荷の注入が生じ易く、これによって表面電位
を良好に保持することができず、しかもａ−８ｉ：Ｈと
支持体との接着性も不充分である。

本発明者は種々検討を加えた結果、可視及び近赤外の内
領域での感度に優れ、かつ電荷保持特性や耐刷性が良く
、安定した電荷保持特性を示す実用に耐え得る感光体を
見出し、本発明に到達した。

即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンゲルマニウム（例えばａ−８ｉ
Ｇｅ：Ｈ）とアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコンゲルマニウム（例えばａ−８１Ｇｅｃ　：）
ｔ　）との少なくとも一方からなる層と、アモルファス
水素化及び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−８ｉ：
Ｈ）からなる層との積層体によって光導電層が形成され
、かつこの光導電層上に第１のアモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）
層が設けられ、前記光導電層下に第２のアモルファス水
素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ）層が設けられていることを特徴とするものでお
る。

本発明によれば、光導電層がアモルファス水素化及び／
又はフッ素化シリコンゲルマニウムと同炭化シリコンゲ
ルマニウムとの少々くとも一方からなる層と、アモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化シリコン層とからなって
いるので、前者による近赤外領域での感度向上と後者に
よる可視域での感度向」二との双方を実現した感光体を
提供できる。しかも、後者を前者の上又は下に形成する
ことができるが、上に形成した場合には表面側にはａ−
８ｉが存在していて可視域での感度が著しく向上すると
同時に、下に形成した場合でも耐刷性は最上層のａ−８
ｉＣの存在によυ良好となる。かつａ−８ｉＧｅ自体の
膜厚を薄くして高感度が保持される。例えば、ａ−８ｉ
Ｇｅ：Ｈ又はａ−８ｉＧｅＣ：Ｈの有する比較的長波長
域（９ＩＪえば６００〜８５０ｎｍ　）での高感度特性
を生かしながら、安定した電荷保持性及び耐刷性等の機
械的強度を特に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層でかせぎ、かつ
高い電荷保持性や膜付き等を特に第２のａ−８ｉＣ：Ｈ
層で実現しており、これまで知られているものに比べて
すべての特性を充分に満足した有用な感光体を提供する
ことができる。

以下、本発明による感光体を詳細に説明する。

本発明による感光体は、例えば第１図又は第２図に示す
如く、導電性支持基板１上に上記第２のａ−８ｉＣ：Ｈ
層２、上記ａ−８１：Ｈ層３及び上記ａ−８ｉＧｅ：Ｈ
層５からなる積層構造の光導電層６、上記第１のａ−８
ｉＣ：Ｈ層４が順次積層せしめられたものからなってい
る。

第２のａ−３ｉ　Ｃ：Ｈ層２は電位保持、電荷輸送及び
基板１からの電荷注入防止、基板１に対する接着性向上
の各機能を有し、第１図の例では電荷ブロッキング層と
して５０Ａ〜５０００Ａ、第２図の例では電荷輸送層と
して５０００１〜８０μｍ（よシ望ましくは５μｍ〜２
０μｍ）の厚みに形成されるのがよい。

一方、光導電層６を形成するａ−８ｉＧｅ：Ｈ層５は光
照射に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるもので
あって、特に６００〜８５０ｎｍの長波長域で高感度を
示し、その厚みは第１図、第２図共に１０００　Ａ以上
であればよい。光導電層６は全体の厚みが第１図の例で
は５０００Ｘ〜８０μ翳第２図の例では２０００Ｘ〜５
μｒｎ（特に１μｍ〜２μｌ１１）であるのが望ましい
〇一方、ａ−８ｔ：Ｉ（層３は可視光域で高感度を示す
キャリア発生層として機能し、第１図、第２図共に１ｏ
ｏｏＸ以上の厚みに設けられている。

更に、第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層４はこの感光体の表面電
位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の
維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の
影響防止）、炭素含有による結合エネルギーの向上で表
面硬度が高くなることによる機械的強度及び耐刷性の向
上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着
転写性）の向上等の機能を有し、いわば表面改質層とし
て働くものである。そして、この第１のａ−８ｉＣ：Ｈ
層４の厚みｔを５ＯＡ≦ｔ≦５００ＯＡに選択すること
が非常に重要である。

次に、本発明による感光体の各層を更に詳しく説明する
。

第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層 このａ−８ｉＣ：Ｈ層４は感光体の表面を改質してａ−
８ｉ系感光体を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。即ち、表面での電荷保持と、光照射
による表面電位の減衰という電子写真感光体としての基
本的な動作を可能とするものである。従って、帯電、光
減衰の繰返し特性が非常に安定となシ、長期間（例えば
１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再現で
きる。

これに反し、ａ−８１：Ｈを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。また、ａ−８ｉＣ：Ｈ
は表面硬度が高いために、現像、転写、クリーニング等
の工程における耐摩耗性に優れ、数十万回の耐刷性があ
シ、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付
与するプロセスを適用することができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚を上記したｓｏＸ≦ｔ≦５００Ｏ
Ａの範囲内に選択することが重要である。

即ち、その膜厚をｓ　ｏ　ｏ　ｏＸを越えた場合には、
残留電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−８
ｉ系感光体としての良好な特性を失なうことがある。

また、膜厚を５０Ａ未満とした場合には、トンネル効果
によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、ａ−８
ｉＣ：Ｈ層４とａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３との間の膜厚バラ
ンスによシ暗減衰の増大や光感度の著しい低下が生じて
しまう。従って、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚は５０００
Ａ以下、５０八以上とすることが非常に重要となる。

また、この第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層４については、上記
した効果を発揮する上でその炭素組成を選択することも
重要であることが分った。組成比をａ−８ｉｌ、−ＸＣ
Ｘ：Ｈと表わせば、Ｘを０．４以上、特に０．４≦Ｘ≦
０．９とすること（炭素原子含有量が４゜（１１〕 ａｔｏｍｉｃ％〜９０　ａｔｏｍｉｃ％であること）が
望ましい。

即ち、０．４≦Ｘとすれば、光学的エネルギーギャップ
がほぼ２．３ｅＶ以上となシ、第３図に示したように可
視及び赤外光に対し実質的に光導電性（但、ρＤは暗所
での抵抗率、ρＬは光照射１時の抵抗率であって、ρＤ
／ρＬが小さい稈元導電性が低い）を示さず、いわゆる
光学的に透明な窓効果によ勺殆んど照射光は電荷発生層
６に到達することになる。逆に、ｘ〈０．４であると、
一部分の光は表面層４に吸収され、感光体の光感度が低
下し易くなる。また、Ｘが０．９を越えると、層の殆ん
どが炭素になシ、半導体特性が失なわれ、また参参極秦
半ａ−８ＩＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆
積速度が低下するから、Ｘ≦０．９とするのがよい。

なお、第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層は、第２のａ−８ｉＣ：
Ｈ層と同様に水素を含有することが必須でアわ、その水
素含有量は通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、更には１０
〜３０ａｔｏｍｉｃ　ｆｙとするのがよい。

第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層 このａ−８ｉＣ：Ｈ層２は電位保持及び電荷輸送の（１
２） 両機能を担い、暗所抵抗率が１０１２０−副以上あって
、耐高電界性を有し、単位膜厚当シに保持される電位が
犬きく、シかも感光層６から注入される電子又はホール
が大きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率良く
支持体１側へ輸送する。また、炭素の組成によってエネ
ルギーギャップの大きさを調整できるため、感光層６に
おいて光照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作
ることガく、効率良く注入させることができる。また、
この第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２は支持体１、例えばＡｔ
電極との接着性や膜付きが良いという性質も有している
。従って、このａ−８ｉＣ：Ｈ層２は実用レベルの高い
表面電位を保持し、感光層６で発生した電荷担体を効率
良く速やかに輸送し、高感度で残留電位のない感光体と
する働きがある。

こうした機能を果すために、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２の膜厚
は、第２図の例では、例えばカールンン方式による乾式
現像法を適用するためには５０００．Ａ〜８０μ溝であ
ることが望ましい。この膜厚が５０００Ｘ未満であると
薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、また
８０μｍを越えると表面電位が高くなって付着したトナ
ーの剥離性が悪くなり、二成分系現像剤のキャリアも付
着してしまう。但、このａ−８ｉＣ：Ｈ層の膜厚は、Ｓ
ｅ感光体と比較して薄くしても（例えば十数μｒｎ）実
用レベルの表面電位が得られる。

第１図のａ−８ｉＣ：Ｈ層２はブロッキング及び下びき
層として用いられ、その膜厚は５０Ａ〜５０００Ｘとす
ることが望ましい。即ち、５ｏＸ未満では市。

荷のブロッキング効果がなく、また膜付き及び基板との
接着性を良くするにも５０Ａ以−ヒにするのがよい。他
方、膜厚が５０００１を越えると、ブロッキング効果は
良いが、逆に感光体全体としての光感度が悪くなり、ま
たａ−８ｉＣ：Ｈの製膜時間が艮くなシ、コスト的にみ
て不利である。

また、このａ−８ｉＣ：Ｈ層２をａ−８ｉ　Ｉ−ｘＣｘ
　：ＦＩと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素原
子含有量が１０　ａｔｏｍｉｃ　％−９０ａｔｏｍｉｃ
％、よシ好ましくは３０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％）と
するのが望ましい。０．１≦Ｘとすればａ−８ｉＣ：Ｈ
層２の電気的、光学的特性をａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３とは
全く異なったものにできる。ｘ）０．９のときは層の殆
んどが炭素になって半導体特性が失なわれるようになシ
、また製膜時の堆積速度が低下するので、これらを防ぐ
ためにもＸ≦０．９とするのがよいからである。

ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層５は、近赤外波長の光に対して第５
図の如く高い光導電性を示すことが分っておシ、ａ−８
ｉ：Ｈに比べると、特に７５０〜８００　ｎ　ｍの光に
対して充分な光感度（半減露光量（ｅ　ｒ　ｇ／ｃｒＡ
　）の逆数）を有している。他方、ａ−８ｔ：Ｈ層３は
可視光に対して第５図の如く充分匁感度を示すものであ
る。従って、これら両層（ａ−８ｉＧｅ：Ｈ，ａ−８ｔ
：Ｈ）を積層すると、第５図の如く、近赤外及び可視の
内域に亘って広く高感度を示す感光体が得られ、所期の
目的を達成することができる。これら両層の積層順序は
、上記のようにａ−８ｉＧｅ：Ｈが上、ａ−８ｉ：Ｉ■
が下であってよいし、或いはその逆であってもよい。ａ
−８ｉＧｅ：Ｈが上にあっても、その膜厚を薄くすれば
可視域の光はａ−８ｔ：Ｈへ効果（１５） 的に到達する。

光導電層６の厚みは、特に第１図の例では５００ＯＡ〜
８０μｍとするのがよく、第２図の例では２０００Ａ〜
５μｍとするのがよい。即ち、第１図においては、膜厚
が５００ＯＡ未満であると、現像に必要外表面電位、表
面電荷が得られ難く、また照射された光は全く吸収され
ず、一部分は下地のａ−８ｉＣ：ＩＩ層２に到達するた
め光感度が低下する一方、８０μｍを越えると、製膜に
時間がかかり、生産性が良くない。第２図の例では、膜
厚が２００ＯＡ未満であるとやはシ光感度が低下し、ま
たａ−８ｉＧｅ：Ｈ及びａ　−８ｉ：Ｈ層自体は電位保
持性を有していなくてよいから感光層として必要以上の
厚さにする必要はなく、上限性５μｍあれば充分である
。ａ−８ｉＧｅ：Ｈ５及びａ−８ｉ：Ｈ３は夫々、１０
０ＯＡ以上の厚みにしないと光を充分に吸収できない。

また、この光導電層（上記ａ−８ｉＣ：Ｈ層２．４も同
様）にはその電荷保持性を高めるために、その製膜時に
例えば周期表第■Ａ族元素（Ｂ、Ａｔ。

Ｇａ１１ｎ等）をドープして抵抗を高めておくのが（１
６） 有効である。＆−８ｉＧｅ：Ｈ層５の膜特性は、後述す
る製造方法における基板温度、高周波放電パワー等の製
膜条件によって大きく異なる。組成的にみれば、Ｇｅ含
有量は０．１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％に設定するのがよ
い。即ち、０．１　ｓｔｏｍｉｃ％未満では長波長感度
がそれ程向上せず、５０　ａｔｏｍｉｃ　％を越えると
感度低下が生じ、膜の機械的特性、熱的特性が劣化する
。

また、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ及びａ−８ｔ：ＨのＳｔとＨの
結合については、８ｌ−）Ｗ３ＳｉりＨに比べて多いこ
とが望ましい。具体的には、波数約２０９０．　’の赤
外線吸収強度■ν８１）１．と、波数約２ｏｏｏ、７’
の赤外線吸収強度Ｉｖｓｔｎが０≦Ｉｖｓｒｕ、／　Ｉ
ｔ／８１Ｈ≦０．３　テあるのがよい。Ｓｉと結合する
Ｈの量は８１に対して３．５〜２０ａｔｏｍｉｃ％であ
るのがよい。これらの条件が満たされたとき、ρＤ／ρ
Ｌの大きい感光体となるので望ましい。

ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の膜特性を改善するために、炭素を
含有させてａ−８ｉＧｅＣ：Ｈ層とすること、或いはａ
−８ｉＧｅ：Ｈとａ−８ｉＧｅＣ：Ｈを混在させること
が効果的である。この場合、炭素を０．００１　ｐｐｍ
〜３０ａｔｏｍｉｃ　％　（特に０．０１　ｐｐｍ　〜
１０１００００ｐｐ含有させることが望ましく、その範
囲よシ少ないと強度低下が生じ、逆に多いと光感度低下
、特に長波長域での感度低下が生じる。これは、炭素に
よって光学的エネルギーギャップが拡大されるからであ
る（第３図のａ−８ｉＣ：Ｈの例参照）。

なお、上記において、ダングリングボンドを補償するた
めには、ａ−８ｔに対しては上記したＩ（の代シに、或
いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｉＧｅ：ＦＸ
ａ−８ｉＧｅ：Ｈ：ＦＳａ−８ｉＣＧｅ：Ｆ。

ａ−８ｉＣＧｅ：Ｈ：Ｆ、ａ−８ｉＣ：ＦＸａ−８ＩＣ
：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。この場合のフッ素量は
０．０１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％がよく、０．５〜１
０　ａｔｏｍｉｃが更によい。

次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能々装
置、例えばグロー放電分解装置をＫｃ４図について説明
する。

この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るようになっている。

基板１に対向して高周波電極１７が配され、基板１との
間にグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の１９．
２０．２工、２２．２３．２７．２８．２９．３４．３
６．３８ハ各ハルフ、３ｏはＧ　ｅ　Ｈ，又はガス状ゲ
ルマニウム化合物の供給源、３１はＳｉＨ，又はガス状
シリコン化合物の供給源、３２はＣＨ，又はガス状炭素
化合物の供給源、３３はＡｒ又はＨ２等のキャリアガス
供給源である。このグロー放電装置において、まず支持
体でおる例えばＡｔ基板１の表面を清浄化した後に真空
槽１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧が１０　　Ｔ
ｏｒｒと、なるようにパルプ３６を調節して排気しかつ
基板１を所定温度、例えば２００　℃に加熱保持する。

次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、５
ＩＨ４又はガス状シリコン化合物、ＧｅＨ４又はガス状
ゲルマニウム化合物、及びＣＨ４又はガス状炭素化合物
な適当量希釈した混合ガスを夫々の膜組成に応じて適宜
真空槽１２内に導入し、パルプ３４で調節された０、０
１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６によシ高
周波電圧を印加する。これによって、上記各反応ガスを
グロー放電分解し、水素を含むａ−８ｉＣ二Ｈを上記の
層２（更には４）とじて（１９） 基板１上に堆積させる。この際、シリコン化合物と炭素
化合物の流量比及び基板温度を適宜調整することによっ
て、所望の組成比及び光学的エネルギーギャップを有す
るａ−８ｉｔ−ｘｃｘ÷Ｈ（例えばＸが０．９程度のも
のまで）を析出させることができ、また析出するａ−８
ｆＣ：Ｈの電気的特性にさほどの影蕃を与えることなく
　、１００ＯＸ　／ｍｉｎ以上の速度でａ−８ｉＣ：Ｈ
を堆積させることが可能である。

更に、ａ−８ｉ：Ｈ及びａ−８ｉＧｅ：Ｈ（上記の感光
層６）を堆積させるには、炭素化合物を供給しないでシ
リコン化合物及び次いで同時にゲルマニウム化合物を夫
々グルー放電分解すればよい。ａ−８ｉＣＧｅ：Ｈを形
成するには、炭素化合物も同時に供給すればよい。特に
、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ感光層に周期表第１ＩＡ族元素のガ
ス状化合物、例えばＢ、Ｈ，をシリコン化合物又はゲル
マニウム化合物に適当量添加したものをグロー放電分解
すれば、ａ−８ｉＧｅ：Ｈの光導電性の向上と共にその
高抵抗化も図れる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング（２０） 法、イオンブレーティング法や、水素放電管で活性化又
はイオン化された水素導入下でａ−８ｉＣ又はａ−８ｉ
Ｇｅを蒸着させる方法（特に、本出願人による特開昭５
６−７８４１３号（特願昭５４−１５２４５５号）の方
法）等によっても上記感光体の製造が可能でおる。使用
する反応ガスは、ＳｉＨ４、ＧｅＨ４以外にもＳｉ、　
Ｈ，、Ｇｅ、　Ｈ６、ＳｉＦ、　、５ｉＨＦ、又はその
誘導体ガス、ＣＨ４以外の”ｔ　”６　、Ｃ５Ｈｓ等の
低級炭化水素ガスが使用可能である。

次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を具体
的に説明する。

実施例１ トリクロルエチレンで洗浄し、０．１　ｆｐ　ＮａＯＨ
水溶液、０．１％ＨＮＯ，水溶液でエツチングしたＡｔ
基板を第４図のグロー放電装置内にセットし、下記の条
件下でＡｔ基板上に厚さ１０μ欝の第２のａ−８ｉＣ：
Ｈ層、厚さ１μｍのａ−８ＩＧｅ：Ｈ層、厚さ１μｓの
Ｓｉ：Ｈ層、厚さｘｏｏｏｆの第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層
を順次連続して形成した。

第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層の形成： ＣＨ４流量　　　　　８ｃｃ／ｍ１ｎ ＳｉＨ，流量　　　　１２ｃｃ／ｍ１ｎＡｒガス流量　
　　１００ｃｃ／ｍｉｎ放電中の真空槽内圧　　０．２
Ｔｏｒｒ基板温度　　　　２００℃ 放電パワー　　　　２０Ｗ 製膜時間　　　　約１０時間 ａ−８ｉＧａ：Ｈ層の形成： ＧｅＨ４流量　　　　　４　ｃｃ／ｍ１ｎＳｉＨ４流量
　　　　１６　ｃｃ／ｍ１ｎＡｒガス流量　　　　１０
０ｃｃ／ｍｉｎ放電中の真空槽内圧、放電ノくワー及び
基板ｆｆ１Ａ度 上記と同じ 製膜時間　　　　約１時間 ａ−８ｉ：Ｈ層の形成： ５ＩＨ４流量　　　　　２０　ｃｅ／ｍ１ｎＡｒガス流
量　　　　１００　ｅｃ／ｍｉｎ放電中の真空槽内圧、
放電ノくワー及び基板温度 上記と同じ 製膜時間　　　　　約１時間 第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層の形成： 製膜時間　　　　　約６分 その他の条件　　第２のａ−８１０：Ｈ層形成の場合と
同じ こうして作成された感光体について、オージェ分光によ
って各層の組成を調べたところ、第１及び第２０ａ−８
ｉＣ：Ｈ層ともに１１ぼａ−８ｉ０．　Ｃ，、、：Ｉ（
からなっておシ、またａ−８ｉＧｅ：Ｈ層はほぼａ　−
８１゜ｇＧｅ、、、、：Ｈからガ）かつその光学的バン
ドギャップは１．５　ｅＶ、　ａ−８１：Ｈの光学的バ
ンドギャップは１．７ｅＶでありた。また、感光体とし
ての分光感度は第５図に示す通）であった。

そして、この感光体に対し、−６ＫＶで１０秒間コロナ
帯電させ、５１秒間暗減衰させた後、１μＷ／ｃｒｌの
強度で波長７８０ｎｍの光を２０秒間照射して、その電
荷減衰特性等を測定した。結果は後記の表−１の（ａ）
として示しだ。また、同様に暗減衰させ、１ｔｕｘのハ
ロゲンランプを照射してその電荷減衰（２３） 特性を測定し、結果を後記光−１の（ｂ）として示した
。

比較例１ 上記と同様にして、Ａｔ基板上に、厚さ１０μｍのａ−
８ｉＣ：Ｈ，厚さ２ｐｍのａ−８ｉＧｅ：Ｈ，厚さ１５
００Ａのａ−８ｉＣ：Ｈを順次積層し、感光体を作成し
た０この感光体に対し、上記（ａ）、（ｂ）と同様の処
理をした。

比較例２ 上記と同様にして、Ａｔ基板上に、厚さ１０μｍのａ−
８ｉＣ：Ｈ層厚さ２μ鴬の＊−８ｔ：Ｈ層厚さ１５００
　Ｘのａ−８ｉＣ：Ｈを順次積層し、感光体を作成した
。

この感光体に対し、上記（ａ）、（ｂ）と同様の処理を
した。

表−１ （２４） 次に、上記の感光体に対し、２Ｌｕｘ・５ｅｅＯ像露光
を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のトナーで現
像し、転写紙に転写、定着したところ、実施例１による
感光体を用いた場合、画像濃度が高く、カプリのない鮮
明な画像を得ることができた。この操作を１０万回繰返
したが、画質の低下はなかった。一方、比較何重の感光
体を用いると、共にカプリを生じた。

他方、発光出力３　ｍＷ、発振波長７８０ｎｍのＧａＡ
ｔＡａ半導体レーザーを記録光源とし、八面体ミラーで
ビームをＡ４版の面積に一秒で走査し、′上記実施例１
の感光体に照射した。次に、負極性のトナーで反転現像
し、転写紙に転写、定着したところ、画像濃度が高く、
カブリのない鮮明４画像が得られた。しかし、比較例２
の感光体では画像濃度が低く、不鮮明な画像しか得られ
なかった０ 実施例２ 実施例１と同様のグロー放電法によって、Ａｔ基板上に
、厚さ１５００Ｘの第２０ａ−８ｉＣ二Ｈ層、厚さ５μ
説のボロンドープドａ−８ｉＧｅ：Ｈ層、厚さ５μｍの
ボロンドープドａ−８ｔ：Ｈ層、厚さ１５００　Ａの第
１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を順次積層した。

但、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の製膜時には、Ｂ、Ｈ，／５ｔ
Ｈ４＝ｏ、ｏｉ（％）の流量比で１％Ａｒ希釈１１．Ｈ
，を混合し、グロー放電させた。ａ−８ｉ：Ｈ層へのボ
ロン゛−１ ドーピングはＢ、Ｈ，／５ｉＨ４＝２刈Ｏチ（流量比）
、０．１チＡｒ希釈Ｂ、Ｈ，で行なった。

得られた感光体につき、実施例１で述べたと同様に暗減
衰特性等を測定し、結果を下記表−２に示した。

（２７） 表−２ 次に、上記の感光体に対し、２ｔｕＸ−８ｅｃの像露光
を行ない、静電ｍ像を形成した後、正極性のトナーで現
像し、転写紙に転写、定着したところ、実施例２による
感光体を用いた場合、画像濃度が高く、カブリのない鮮
明な画像を得ることができた。まだ、１ｏμＷ　／ｉ、
波長７５０　ｎｍの像露光を行ない、上記と同様に画像
評価を行なったところ、画像濃度が高く、カブリのない
鮮明な画像を得た。

実施例３ 実施例１と同様のグロー放電法によって、Ａｔ基板上に
、厚さ１０ｐｍのａ−８ｉＣ：Ｈ，厚さ１μｍのＳｉ：
Ｈ厚さｏ、ｓμｓのａ−８ｉＧｅＣ：Ｈ（ＣＯ，５ａｔ
ｏｍ％）、厚さ１００ＯＡのａ−８ｉＣ：Ｈを順次積層
した。

この感光体は、ＧａＡｔＡｇ半導体レーザーに対し０８
） 半減露光量２．５　ｅ　ｒ　ｇ　／ｃｔｌ−、可視光に
対し半減露光量１．２　Ｌｕｘ・ｓｅｅを示し、かつ両
波長領域で良好な感度特性を示した。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図及び第２
図は電子写真感光体の二側の一部分の各断面図、 第３図はａ−８ｔ：Ｈ及び各組成のａ−８ｉＣ：Ｈの光
導電性を示すグラフ、 第４図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第５図は
光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ、 である。 なお、図面に示されている符号において、１−−−−−
−−一支特体（基板） ２−−−−−−−一第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層３−−一−
−−１ａ−８ｉＧｅ　：Ｈ層４−−−−−−一第１のａ
−８ｉＣ：Ｉ（層５−−−−−−−、、ａ−８ｉ　：Ｈ
層６−−−−−−−光導電層（感光層） １１−−−−−−−−グロー放電装置 １７−−−−−−−高周波電極 ３０−−−−−−−−ガス状ゲルマニウム化合物供給源
３１−−−−−−−ガス状シリコン化合物供給源３２−
−−−、ガス状炭素化合物供給源３３−−−−−−キャ
リアガス供給源 ρＤ／ρＬ−−−一暗所抵抗率／光照射時の抵抗率であ
る。 代理人　弁理士　逢　坂　　宏（イ隻１名）特開昭５９
−８４２５４　（１０）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコン
   ゲルマニウムとアモルファス水素化及ヒ／又はフッ素化
   炭化シリコンゲルマニウムとの少なくとも一方からなる
   層と、アモルファス水素化及び／又は７ツ素化シリコン
   からなる層との積層体によりて光導電層が形成され、か
   つこの光導電層上に第１のアモルファス水素化及び／又
   はフッ素化炭化シリコン層が設けられ、前記光導電層下
   に第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シ
   リコン層が設けられていることを特徴とする感光体。 ２、光導電層の厚みが５０００Ａ〜８０μｍであシ、こ
   の光導電層を形成する積層体の各層の厚みが夫々１ｏｏ
   ｏＸ以上であシ、第２のアモルファス水素化／又はフッ
   素化炭化シリコン層の厚みが５０Ｘ〜５０００Ａである
   、特許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 以上であシ、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ
   素化炭化シリコン層の厚みが５ｏｏｏ　Ｘ〜８０！μ・
   ｍである、特許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ４、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層の厚みが５０ｘ〜５０００Ｘである、特許請
   求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した感
   光体。 ５、第１のアモルファス水素化及び／ヌはフッ素化炭化
   シリコン層中の炭素原子含有量が４０ａｔｏｍｉｃチ〜
   ９０ａｔｏｍｉｃ％である、特許請求の範囲の第１項〜
   第４項のいずれか１項に記載した感光体。 ６、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層中の炭素原子含有量が１０ａｔｏｍｉｃチ〜
   ９０ａｔｏｍｉｃチである、特許請求の範囲の第１項〜
   第５項のいずれか１項に記載した感光体。 ７、光導電層を形成する積層体の一方の層中のゲルマニ
   ウム含有量が（１１ａｔｏｍｉ　ｅ　％　〜５０　ａｔ
   ｏｍｉ　ｃ　％である、特許請求の範囲の第１項〜第６
   項のいずれか１項に記載した感光体。 ８、光導電層を形成する積層体の一方の層中の炭素原子
   含有量が０．００１ｐ　ｐｍ〜３０ａｔｏｍｉｃチであ
   る、特許請求の範囲の第１項〜第７項のいずれか１項に
   記載した感光体。 ９、光導電層、第１及び第２のアモルファス水素化及び
   ／又はフッ素化炭化シリコン層に周期表第ｒｌＴＡ族の
   元素がドープされている、特許請求の範囲の第１項〜第
   ８項のいずれか１項に記載した感光体。 １０、　　周期表第■Ａ族の元素がＢ、Ａｔ、Ｇａ又は
   Ｉｎである、特許請求の範囲の第９項に記載した感光体
   。