JPH03100515A - 集積光導波体の製造方法 - Google Patents
集積光導波体の製造方法Info
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- JPH03100515A JPH03100515A JP2235463A JP23546390A JPH03100515A JP H03100515 A JPH03100515 A JP H03100515A JP 2235463 A JP2235463 A JP 2235463A JP 23546390 A JP23546390 A JP 23546390A JP H03100515 A JPH03100515 A JP H03100515A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、透明な基体上に集積されその長手側に電極
を有している光導波体の製造方法に関するものである。
を有している光導波体の製造方法に関するものである。
この発明はまた光導波体それ自身およびその光導波体の
使用に関するものである。
使用に関するものである。
［従来の技術］
ヨーロッパ特許ＥＰ ０３０４６０２ Ａ２号明細書に
は光導波体が基体上に集積された装置が開示されている
。基体は電気光学的特性、すなわちポ・ソケル効果を有
しており、ニオブ酸リチウムから形成されることか好ま
しい。もしも２つの光導波体が基体上に並んで延在し、
予め定められた結合長にわたって短い距離で分離されて
いるならば、それにより光スィッチを形成することがで
きる。このためスイッチング電圧を供給するための１対
の電極が結合領域の基体表面上に配置され、誘電体中間
層によって前記表面から分離されている。この結合領域
においては、２つの光導波体間の短い距離は光が供給さ
れるスイッチング電圧の関数として光導波体間に結合さ
れるように選択される。光導波体は基体よりも高い屈折
率を有する材料を基体中に拡散することによって形成さ
れる。
は光導波体が基体上に集積された装置が開示されている
。基体は電気光学的特性、すなわちポ・ソケル効果を有
しており、ニオブ酸リチウムから形成されることか好ま
しい。もしも２つの光導波体が基体上に並んで延在し、
予め定められた結合長にわたって短い距離で分離されて
いるならば、それにより光スィッチを形成することがで
きる。このためスイッチング電圧を供給するための１対
の電極が結合領域の基体表面上に配置され、誘電体中間
層によって前記表面から分離されている。この結合領域
においては、２つの光導波体間の短い距離は光が供給さ
れるスイッチング電圧の関数として光導波体間に結合さ
れるように選択される。光導波体は基体よりも高い屈折
率を有する材料を基体中に拡散することによって形成さ
れる。
［発明の解決すべき課題］
この光導波体は必要な拡散処理が高い温度で行われ、ま
た基体の寸法が利用できるニオブ酸リチウム単結晶によ
って制限される欠点を有している。
た基体の寸法が利用できるニオブ酸リチウム単結晶によ
って制限される欠点を有している。
さらに材料のニオブ酸リチウムはその屈折率が光ファイ
バのガラスの屈折率と大きく異なっている欠点を有する
。これは光がガラスファイバ光導波体からニオブ酸リチ
ウム光導波体に結合されるとき損失を生じる。
バのガラスの屈折率と大きく異なっている欠点を有する
。これは光がガラスファイバ光導波体からニオブ酸リチ
ウム光導波体に結合されるとき損失を生じる。
この発明の目的は、光導波体が種々の［１的のために基
体上に集積されることのできる方法を提供することであ
る。
体上に集積されることのできる方法を提供することであ
る。
［課題解決のための手段］
この発明は、基体の上面を金属層で覆い、金属層を部分
的にエツチングして金属ストリップを形成し、金属スト
リップ間の区域の基体をエツチングして溝を形成し、続
いて金属ストリップをエツチングして電極領域を形成し
、前記溝を少なくとも前記電極領域の表面のレベルまで
電気光学的効果を示す材料で満たして光導波体を形成す
ることを特徴とする。
的にエツチングして金属ストリップを形成し、金属スト
リップ間の区域の基体をエツチングして溝を形成し、続
いて金属ストリップをエツチングして電極領域を形成し
、前記溝を少なくとも前記電極領域の表面のレベルまで
電気光学的効果を示す材料で満たして光導波体を形成す
ることを特徴とする。
この発明の目的はまた、このような光導波体を提供し、
このような光導波体の使用を特定することである。
このような光導波体の使用を特定することである。
この目的は特許請求の範囲の請求項３および７に記載さ
れているような態様で達成される。その他の特徴は他の
請求項に記載されている。
れているような態様で達成される。その他の特徴は他の
請求項に記載されている。
この発明によれば、光導波体はまたポリマーから形成さ
れることができ、それはニオブ酸リチウムよりも高い電
気光学的係数を有する。
れることができ、それはニオブ酸リチウムよりも高い電
気光学的係数を有する。
［実施例］
以下添付図面を参照にしてこの発明の実施例について説
明する。
明する。
第１図においてクロムおよび金の金属層２は真空蒸着に
より透明な基体１上に付着される。金属層２はフォトリ
ソグラフ技術を使用してパターン化され、第２図に示す
ように２つの金属ストリップ２１．．２２が形成される
。２つの金属ストリップ２１゜２２の間の区域は典型的
に幅が１０μｍで、長さが１０〜２０ｍｍである。この
区域における基体の部分は第３図に示すように金属スト
リップ２１．２２をマスクとしてエツチング液により除
去される。それにより溝３が形成され、それは例えば２
μ■の深さである。溝３は金属ストリップ２１．２２の
間の間隔よりも広い。それはエツチングによりアンダー
カットされるからである。第４図に示す次のステップに
おいて間隔は別のエツチング工程すなわちフォトリソグ
ラフ処理によって広げられ、金属ストリップ２１．２２
は溝３の上に突出しない状態となる。
より透明な基体１上に付着される。金属層２はフォトリ
ソグラフ技術を使用してパターン化され、第２図に示す
ように２つの金属ストリップ２１．．２２が形成される
。２つの金属ストリップ２１゜２２の間の区域は典型的
に幅が１０μｍで、長さが１０〜２０ｍｍである。この
区域における基体の部分は第３図に示すように金属スト
リップ２１．２２をマスクとしてエツチング液により除
去される。それにより溝３が形成され、それは例えば２
μ■の深さである。溝３は金属ストリップ２１．２２の
間の間隔よりも広い。それはエツチングによりアンダー
カットされるからである。第４図に示す次のステップに
おいて間隔は別のエツチング工程すなわちフォトリソグ
ラフ処理によって広げられ、金属ストリップ２１．２２
は溝３の上に突出しない状態となる。
金属ストリップ２１．２２から第５図の上面図に示すよ
うに電極領域２１０および２２０がフォトリソグラフ技
術によって形成される。
うに電極領域２１０および２２０がフォトリソグラフ技
術によって形成される。
最後に第６図に示されるように基体ｌは電気光学的特性
を有する層４で覆われる。
を有する層４で覆われる。
この層４として特に適しているのはポリマーである。こ
のようなポリマーは例えばポリメチルメタクリレートお
よびそれに溶解または化学的に結合されたアゾまたはス
チルベン化合物からなるものである。このポリマーは基
体ｌよりも高い屈折率を持ち、したがって光は溝３によ
って形成された光導波体中を誘導される。
のようなポリマーは例えばポリメチルメタクリレートお
よびそれに溶解または化学的に結合されたアゾまたはス
チルベン化合物からなるものである。このポリマーは基
体ｌよりも高い屈折率を持ち、したがって光は溝３によ
って形成された光導波体中を誘導される。
ポリマーはＤＣ電圧によってその軟化点より上で分極さ
れ、それから電界中で冷却される。これはそれに電気光
学的特性を与える。すなわち光導波体の屈折率は電圧を
供給することにより電極間において制御されることがで
きる。
れ、それから電界中で冷却される。これはそれに電気光
学的特性を与える。すなわち光導波体の屈折率は電圧を
供給することにより電極間において制御されることがで
きる。
もしもＡＣ電圧が電極に供給されるならば、光導波体は
この区域で位相変調器を構成する。
この区域で位相変調器を構成する。
また基体上に光スイッチ或いは方向性結合器のようなそ
の他の光学的部品を集積することもできる。
の他の光学的部品を集積することもできる。
マツハツエンダ−干渉計を形成するために、第７図に示
すように溝３は第２の溝３０および第３のａ３１に分割
され、それらの溝は再び第４の溝３２に合体される。溝
３１と関連する電極は領域２１０．２２０であり、溝３
０と関連する電極は領域２３０．２４０である。領域２
１０．２３０はまた単一領域に結合されてもよい。ＡＣ
電圧を供給することによって溝３０および３１中に発生
された位相変調された光のｆｆ１畳により振幅変調され
た光が溝３２中に得られる。
すように溝３は第２の溝３０および第３のａ３１に分割
され、それらの溝は再び第４の溝３２に合体される。溝
３１と関連する電極は領域２１０．２２０であり、溝３
０と関連する電極は領域２３０．２４０である。領域２
１０．２３０はまた単一領域に結合されてもよい。ＡＣ
電圧を供給することによって溝３０および３１中に発生
された位相変調された光のｆｆ１畳により振幅変調され
た光が溝３２中に得られる。
第１図乃至第６図は、この発明の１実施例の光導波体の
製造方法の個々のステップを示す。 第７図は、電気光学的変調器を示す。 １・・・基体、２・・・金属層、３・・・溝、２１．２
２・・・金属ストリップ、２１０．２２０・・・電極領
域。
製造方法の個々のステップを示す。 第７図は、電気光学的変調器を示す。 １・・・基体、２・・・金属層、３・・・溝、２１．２
２・・・金属ストリップ、２１０．２２０・・・電極領
域。
Claims (7)
- （１）透明な基体上に集積されその長手側に電極を有し
ている光導波体の製造方法において、基体の上面を金属
層で覆い、 金属層を部分的にエッチングして金属ストリップを形成
し、 金属ストリップ間の区域の基体をエッチングして溝を形
成し、 続いて金属ストリップをエッチングして電極領域を形成
し、 前記溝を少なくとも前記電極領域の表面のレベルまで電
気光学的効果を示す材料で満たして光導波体を形成する
ことを特徴とする光導波体の製造方法。 - （２）前記電気光学的効果を示す材料は、ＤＣ電圧によ
って軟化点より上で分極され、続いて冷却されるポリマ
ーであることを特徴とする請求項１記載の方法。 - （３）透明な基体上に集積されその長手側に電極を有し
ている光導波体において、 表面に溝を有する基体を具備し、その溝の両側に電極と
して作用する金属領域が延在し、 前記溝は少なくとも電気光学的特性を示す材料から形成
された層で充填されて光導波体を構成していることを特
徴とする光導波体。 - （４）前記層はポリマーから構成されていることを特徴
とする請求項３記載の光導波体。 - （５）前記ポリマーはポリメチルメタクリレートおよび
それに溶解または化学的に結合されたアゾまたはスチル
ベン化合物から構成されていることを特徴とする請求項
４記載の光導波体。 - （６）マッハツェンダー干渉計を構成し、溝は第２の溝
と第３の溝とに分割され、それらは第４の溝に合体して
おり、電極として作用する付加的な領域が設けられてい
ることを特徴とする請求項３記載の光導波体。 - （７）電極にＡＣ電圧を供給することにより位相変調器
として使用されることを特徴とする請求項３記載の光導
波体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3929410.2 | 1989-09-05 | ||
| DE3929410A DE3929410A1 (de) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | Integrierter lichtwellenleiter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100515A true JPH03100515A (ja) | 1991-04-25 |
| JP2721030B2 JP2721030B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=6388643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2235463A Expired - Fee Related JP2721030B2 (ja) | 1989-09-05 | 1990-09-05 | 集積光導波体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5069517A (ja) |
| EP (1) | EP0416478B1 (ja) |
| JP (1) | JP2721030B2 (ja) |
| DE (2) | DE3929410A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04110831A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| EP0522637A3 (en) * | 1991-07-10 | 1993-08-04 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Planar optical element |
| EP0536829B1 (en) * | 1991-10-08 | 1997-02-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device |
| DE19755402C2 (de) * | 1997-12-12 | 1999-11-11 | Litef Gmbh | Wellenlängenmeßeinrichtung mit mittelwertfrei angesteuertem Mach-Zehnder-Interferometer |
| DE10015830A1 (de) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Fraunhofer Ges Forschung | Optischer Wellenleiter und Verfahren zum Herstellen desselben |
| US6760493B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-07-06 | Avanex Corporation | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator |
| GB2383424B (en) * | 2001-11-30 | 2004-12-22 | Marconi Optical Components Ltd | Photonic integrated device |
| US7343059B2 (en) * | 2003-10-11 | 2008-03-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photonic interconnect system |
| GB2407648B (en) * | 2003-10-31 | 2006-10-25 | Bookham Technology Plc | Polarisation rotators |
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| KR100785766B1 (ko) | 2005-10-13 | 2007-12-18 | 한국전자통신연구원 | 전기광학 효과를 이용한 광도파로 소자 및 그 소자를채용한 광학 기기 |
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