JPH0310089B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0310089B2 JPH0310089B2 JP56164893A JP16489381A JPH0310089B2 JP H0310089 B2 JPH0310089 B2 JP H0310089B2 JP 56164893 A JP56164893 A JP 56164893A JP 16489381 A JP16489381 A JP 16489381A JP H0310089 B2 JPH0310089 B2 JP H0310089B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volume
- pmma
- monobutyl ether
- layer
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、正確に照射し、構造体及び現像され
なかつた表面に残存するが溶解されている残分を
完全に余すところなく除去することにより極めて
高いアスペクト比を得るため、Ｘ線又は電子線に
敏感なラツク層又はラツク箔例えばPMMAに応
力による亀裂のない構造体を製作する方法に関す
る。PMMAとは、Ｘ線リトグラフイでレジスト
材料として好んで使用されるポリメチルメタクリ
レートを意味する。
なかつた表面に残存するが溶解されている残分を
完全に余すところなく除去することにより極めて
高いアスペクト比を得るため、Ｘ線又は電子線に
敏感なラツク層又はラツク箔例えばPMMAに応
力による亀裂のない構造体を製作する方法に関す
る。PMMAとは、Ｘ線リトグラフイでレジスト
材料として好んで使用されるポリメチルメタクリ
レートを意味する。
表面波及びマイクロ波用の集積回路及びデバイ
スを製造する場合、ミクロン及びサブミクロン単
位の寸法を有する極めて微細な構造体が必要とさ
れる。この構造体を製作するには特に電子リトグ
ラフイ又はＸ線リトグラフイのような再生技術が
重要である。それというのもこれは従来のホトリ
トグラフイに比して著しく短い波長で作業し、更
に一層良好な分解能を有するからである。Ｘ線リ
トグラフイはこの適用分野では厚さ約3μｍまで
の遮蔽層に対して有効である。この層厚は一般に
腐食、蒸着等のような次の作業工程にとつて十分
なものである。
スを製造する場合、ミクロン及びサブミクロン単
位の寸法を有する極めて微細な構造体が必要とさ
れる。この構造体を製作するには特に電子リトグ
ラフイ又はＸ線リトグラフイのような再生技術が
重要である。それというのもこれは従来のホトリ
トグラフイに比して著しく短い波長で作業し、更
に一層良好な分解能を有するからである。Ｘ線リ
トグラフイはこの適用分野では厚さ約3μｍまで
の遮蔽層に対して有効である。この層厚は一般に
腐食、蒸着等のような次の作業工程にとつて十分
なものである。
Ｘ線リトグラフイの他の使用可能性は、極端に
小さい構造寸法を有する平坦な金属成形品を電気
めつき的に得る分野にある。この際電気的に析出
される金属を側方で制限する遮蔽層は成形部分よ
りも僅かに大きな層厚を有している必要がある。
この技術の目的は、出来る限り厚い遮蔽層
（100μｍ）において現像されなかつた部分に垂直
な側縁部を可能な最小構造寸法で得ることであ
る。
小さい構造寸法を有する平坦な金属成形品を電気
めつき的に得る分野にある。この際電気的に析出
される金属を側方で制限する遮蔽層は成形部分よ
りも僅かに大きな層厚を有している必要がある。
この技術の目的は、出来る限り厚い遮蔽層
（100μｍ）において現像されなかつた部分に垂直
な側縁部を可能な最小構造寸法で得ることであ
る。
電気的に析出された平坦な部分を得るためにＸ
線リトグラフイを工業的に使用する際の主な難点
の一つは、亀裂のない遮蔽層を製造することにあ
る。実験によれば遮蔽層としてPMMAを使用し
た場合、約3μｍのPMMA層厚ですでに現像後層
に応力による亀裂が現われることが判明した。
線リトグラフイを工業的に使用する際の主な難点
の一つは、亀裂のない遮蔽層を製造することにあ
る。実験によれば遮蔽層としてPMMAを使用し
た場合、約3μｍのPMMA層厚ですでに現像後層
に応力による亀裂が現われることが判明した。
一般的な他の難点はPMMA層の照射されなか
つた範囲も現像過程で部分的に剥離されることで
ある。これは構造の分解能を減少させ、従つてア
スペクト比を小さくする。
つた範囲も現像過程で部分的に剥離されることで
ある。これは構造の分解能を減少させ、従つてア
スペクト比を小さくする。
本発明の目的は、応力による亀裂の発生を回避
しながら特にPMMAに極めて高いアスペクト比
を生ぜしめる現像方法を得ることにある。この目
的は本発明によれば、多成分から成る現像剤、す
なわち例えばエチレングリコール−モノブチルエ
ーテル又はジエチレングリコール−モノブチルエ
ーテルのようなグリコールエーテル群の物質と、
例えばモノエタノールアミンのような一級アミン
の物質と、更に例えば水及び例えばテトラヒドロ
−１，４−オキサジンのようなアジン群の物質と
から成る現像剤を使用することによつて達成され
る。
しながら特にPMMAに極めて高いアスペクト比
を生ぜしめる現像方法を得ることにある。この目
的は本発明によれば、多成分から成る現像剤、す
なわち例えばエチレングリコール−モノブチルエ
ーテル又はジエチレングリコール−モノブチルエ
ーテルのようなグリコールエーテル群の物質と、
例えばモノエタノールアミンのような一級アミン
の物質と、更に例えば水及び例えばテトラヒドロ
−１，４−オキサジンのようなアジン群の物質と
から成る現像剤を使用することによつて達成され
る。
この種の現像剤を用いて、極めて高いアスペク
ト比を有する亀裂のない構造体を得ることができ
る。例えば16時間という長い現像時間の場合にも
未照射の材料が剥離（暗剥離）されることはな
い。厚さ100μｍのPMMA層に対しては、正確な
照射を前提として、約20分の現像時間が必要であ
る。
ト比を有する亀裂のない構造体を得ることができ
る。例えば16時間という長い現像時間の場合にも
未照射の材料が剥離（暗剥離）されることはな
い。厚さ100μｍのPMMA層に対しては、正確な
照射を前提として、約20分の現像時間が必要であ
る。
本発明による現像剤の他の利点は、溶解した
PMMA成分を例えば水で烈しく洗浄することに
よつて残分を余すことなく除去し得ることであ
る。この現像剤により現像過程でPMMA層の機
械的特性に影響が及ぼされ、応力による亀裂はも
はや生じない。
PMMA成分を例えば水で烈しく洗浄することに
よつて残分を余すことなく除去し得ることであ
る。この現像剤により現像過程でPMMA層の機
械的特性に影響が及ぼされ、応力による亀裂はも
はや生じない。
本発明の一実施例によれば現像剤はエチレング
リコール−モノブチルエーテル又はジエチレング
リコール−モノブチルエーテル50〜70容量％、モ
ノエタノールアミン１〜20容量％、水20容量％ま
で及びテトラヒドロ−１，４−オキサジン５〜20
容量％から成る。
リコール−モノブチルエーテル又はジエチレング
リコール−モノブチルエーテル50〜70容量％、モ
ノエタノールアミン１〜20容量％、水20容量％ま
で及びテトラヒドロ−１，４−オキサジン５〜20
容量％から成る。
現像剤温度によりPMMAの機械的特性を意図
したように更に影響させることができる。本発明
の他の実施例によれば最適現像温度は20〜50℃で
ある。
したように更に影響させることができる。本発明
の他の実施例によれば最適現像温度は20〜50℃で
ある。
本発明による方法は浸漬現像並びに噴霧現像に
適している。特に優れた利点は、現像剤が水に可
溶性であり、これにより水での洗浄に際して観察
された基体上に、現像されたラツク成分の残分が
残留することはなくなる点にある。電気メツキ製
品の鋳型を製造する場合本発明による現像剤を用
い厚さ100μｍのPMMA層で30：１のアスペクト
比が得られ、この場合暗剥離は認められなかつ
た。
適している。特に優れた利点は、現像剤が水に可
溶性であり、これにより水での洗浄に際して観察
された基体上に、現像されたラツク成分の残分が
残留することはなくなる点にある。電気メツキ製
品の鋳型を製造する場合本発明による現像剤を用
い厚さ100μｍのPMMA層で30：１のアスペクト
比が得られ、この場合暗剥離は認められなかつ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正確な照射後に極めて高いアスペクト比を得
るため、Ｘ線又は電子線に敏感なPMMAラツク
層又はラツク箔に応力による亀裂のない構造を得
る方法において、エチレングリコール−モノブチ
ルエーテル又はジエチレングリコール−モノブチ
ルエーテル50〜70容量％、モノエタノールアミン
１〜20容量％、水20容量％まで及びテトラヒドロ
−１，４−オキサジン５〜20容量％から成る多成
分現像剤を使用することを特徴とする構造体の製
作方法。 ２ 最適現像温度が20〜50℃であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803039110 DE3039110A1 (de) | 1980-10-16 | 1980-10-16 | Verfahren fuer die spannungsfreie entwicklung von bestrahlten polymethylmetacrylatschichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57100429A JPS57100429A (en) | 1982-06-22 |
| JPH0310089B2 true JPH0310089B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=6114528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56164893A Granted JPS57100429A (en) | 1980-10-16 | 1981-10-15 | Manufacture of structural body |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4393129A (ja) |
| EP (1) | EP0051166B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57100429A (ja) |
| DE (1) | DE3039110A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3221981C2 (de) * | 1982-06-11 | 1985-08-29 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von aus Trennkörpern mit Abschlußplatten bestehenden Trenndüsenelementen zur Trennung gas- oder dampfförmiger Gemische |
| JPS59182444A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジストの改良現像液 |
| DE3408848C2 (de) * | 1984-03-10 | 1987-04-16 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Vielkanalplatten |
| DE3408849C2 (de) * | 1984-03-10 | 1987-04-16 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung geschichteter Vielkanalplatten aus Metall für Bildverstärker und Verwendung der so hergestellten Vielkanalplatten |
| DE3440110C1 (de) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung mechanisch trennbarer Vielfach-Verbindungen fuer den elektrischen Anschluss mikroelektronischer Bauelemente |
| US4703559A (en) * | 1984-11-02 | 1987-11-03 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Method for producing connecting elements for electrically joining microelectronic components |
| DE3440109A1 (de) * | 1984-11-02 | 1986-05-07 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zur herstellung verformbarer vielfach-verbindungen fuer den elektrischen anschluss mikroelektronischer bauelemente und nach diesem verfahren hergestellte vielfachverbindungen |
| DE3623637A1 (de) * | 1986-07-12 | 1988-01-21 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen unterschiedlicher strukturhoehe mittels roentgentiefenlithographie |
| JPH035756A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 水なしｐｓ版用現像液 |
| DE4024275A1 (de) * | 1990-07-31 | 1992-02-06 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen mit bereichsweise unterschiedlicher strukturhoehe |
| DE4107851A1 (de) * | 1991-03-12 | 1992-09-17 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von mikroformkoerpern mit hohem aspektverhaeltnis |
| DE4141352A1 (de) * | 1991-12-14 | 1993-06-17 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturkoerpern |
| DE4230297C1 (de) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verwendung eines Gießharzes und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE4329728A1 (de) * | 1993-09-03 | 1995-03-09 | Microparts Gmbh | Düsenplatte für Fluidstrahl-Druckkopf und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5959375A (en) * | 1997-09-30 | 1999-09-28 | Garcia; Ernest J. | Device and method for redirecting electromagnetic signals |
| DE19926775C2 (de) * | 1999-06-11 | 2003-04-17 | Suisse Electronique Microtech | Verfahren zur Mikrostrukturierung eines Kunststoffs |
| US6517665B1 (en) * | 2000-01-25 | 2003-02-11 | Sandia National Laboratories | Liga developer apparatus system |
| US6387578B1 (en) | 2000-05-05 | 2002-05-14 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Post-exposure heat treatment to reduce surface roughness of PMMA surfaces formed by radiation lithography |
| US6440639B1 (en) | 2000-09-28 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | High-aspect ratio resist development using safe-solvent mixtures of alcohol and water |
| JP2005074747A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Canon Inc | インクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッド |
| EP1763706B1 (en) | 2004-06-28 | 2013-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid discharge head |
| JP4447974B2 (ja) | 2004-06-28 | 2010-04-07 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
| US8434229B2 (en) * | 2010-11-24 | 2013-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid ejection head manufacturing method |
| CN114545745A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-05-27 | 重庆邮电大学 | 一种曝光抗蚀剂改性工艺及液相微纳加工设备 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE627820A (ja) * | 1962-02-01 | |||
| DE1572153B2 (de) * | 1966-06-27 | 1971-07-22 | E I Du Pont de Nemours and Co , Wilmington, Del (V St A ) | Fotopolymerisierbares aufzeichnungsmaterial |
| JPS5217901A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-10 | Mitsubishi Chem Ind | Developer for lithographic press plate |
| US4055515A (en) * | 1975-12-31 | 1977-10-25 | Borden, Inc. | Developer for printing plates |
| US4087569A (en) * | 1976-12-20 | 1978-05-02 | International Business Machines Corporation | Prebaking treatment for resist mask composition and mask making process using same |
| US4130425A (en) * | 1976-12-29 | 1978-12-19 | Marcole, Inc. | Subtractive developer for lithographic plates |
| JPS53120430A (en) * | 1977-03-29 | 1978-10-20 | Toshiba Corp | Developing liquid for resist sensitive to radioactive ray |
| JPS53123929A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Developing liquid for use in radiant ray positive type resist |
| JPS5568630A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern formation |
| US4302529A (en) * | 1980-01-08 | 1981-11-24 | Honeywell Inc. | Process for developing a positive electron resist |
-
1980
- 1980-10-16 DE DE19803039110 patent/DE3039110A1/de active Granted
-
1981
- 1981-09-17 US US06/303,094 patent/US4393129A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-10-09 EP EP81108142A patent/EP0051166B1/de not_active Expired
- 1981-10-15 JP JP56164893A patent/JPS57100429A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3039110A1 (de) | 1982-05-13 |
| EP0051166A1 (de) | 1982-05-12 |
| EP0051166B1 (de) | 1985-04-03 |
| JPS57100429A (en) | 1982-06-22 |
| US4393129A (en) | 1983-07-12 |
| DE3039110C2 (ja) | 1990-04-12 |
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